CN113225924A - 一种高光效led灯具的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高光效LED灯具的制造方法，包括以下步骤：于铝基板上成型出绝缘层，然后于绝缘层上成型出铜箔层；采用激光烧蚀掉不需要的铜箔层，形成所需的电子线路；采用金线将所有LED芯片的正极、负极分别与所述电子线路焊接；于LED芯片上涂覆荧光粉，封装LED芯片；采用恒流电路，将驱动电源与所述电子线路连接，使LED芯片的工作电流低于LED芯片的额定电流。通过上述制造方法，可以延长LED芯片的寿命，使得封装后的LED光源在实际使用时具有较高的发光效率，从而提高整灯的光效，以达到降低能量消耗，提高经济效益的目的，进一步推广LED光源在通用照明领域的应用，可实现低碳照明，因此具有巨大的实用价值。

Description

一种高光效LED灯具的制造方法
技术领域
本发明属于LED灯具领域，尤其涉及一种高光效LED灯具的制造方法。
背景技术
半导体照明亦称固态照明，是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明。发光二极管(Light Emitting Diode，英文简写为LED)是一种新型固态冷光源。作为一种全新的照明技术，LED(发光二极管)是利用半导体芯片作为发光材料，直接将电能转换为光能的发光器件。与传统高压气体放电发光不同，LED采用电场发光，电能转换为光能的能量转换方式。理论上可以达到超高的发光效率，超长的发光寿命(10万小时以上)，同时还拥有绿色环保，响应速度快，体积小，色彩丰富等优点，是第三代照明光源理想与可靠的选择。
LED发光效率是固态照明走向通用照明的致胜法宝。光效是指光源所发出的总光通量与该光源所消耗的电功率(瓦)的比值，称为该光源的光效，单位是流明/瓦(lm/W)，是评价电光源用电效率最主要的技术参数。发光效率值越高，表明照明器材将电能转化为光能的能力越强，即在提供同等亮度的情况下，该照明器材的节能性越强；在同等功率下，该照明器材的照明性越强，即亮度越大。LED已经在固态照明领域展示了巨大的应用前景，然而现阶段实际应用中，由于种种因素，光源光效只有150lm/W左右，若想进一步的推广，还需进一步提高其发光效率，降低能量消耗，提高经济效益。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高光效LED灯具的制造方法，旨在进一步提高LED灯具的发光效率，降低其能量消耗，提高经济效益。
本发明是这样实现的，一种高光效LED灯具的制造方法，包括以下步骤：
于铝基板上成型出绝缘层，然后于绝缘层上成型出铜箔层；
采用激光烧蚀掉不需要的铜箔层，形成所需的电子线路；
采用金线将所有LED芯片的正极、负极分别与所述电子线路焊接；
于LED芯片上涂覆荧光粉，封装LED芯片；
采用恒流电路，将驱动电源与所述电子线路连接，使LED芯片的工作电流低于LED芯片的额定电流，减小电流拥堵效应。
进一步的，采用激光烧蚀铜箔层包括以下步骤：
利用铜的熔点比绝缘层的熔点低的特性，使用一定波长的激光，通过调节激光的能量密度，使激光的温度高于铜的熔点且低于绝缘层的熔点，并通过调整激光的进给速度或烧蚀时间，将不需要的铜箔层烧蚀掉。
进一步的，将LED芯片与电子线路焊接包括以下步骤：
于铝基板上用于放置LED芯片的位置点上绝缘胶水，
将LED芯片贴在绝缘胶水上；
待LED芯片固定后，再采用金线将LED芯片的正极、负极分别与电子线路焊接。
进一步的，于LED芯片上涂覆荧光粉前，还包括以下步骤：
制备反光边框，所述反光边框的内侧面为反光面；
于铝基板上，对应LED芯片外围的位置涂上胶水；
将反光边框放置在LED芯片的外围，并使反光边框的粘固在铝基板上；
于反光边框内填充荧光粉，将荧光粉覆盖LED芯片，并填充反光边框的内部空间。
进一步的，于LED芯片上涂覆荧光粉前，还包括以下步骤：
于铝基板上划分出多个呈阵列分布的LED光源模块区域；
制备数量以及尺寸均与LED光源模块匹配的反光边框，所述反光边框的内侧面为反光面；
于铝基板上，对应各个LED光源模块区域的边缘位置涂上胶水；
将各个反光边框分别放置在各个LED光源模块区域上，使反光边框的底部与胶水粘合。
进一步的，各个LED光源模块中的LED芯片以串联和/或并联的方式连接。
进一步的，所述制造方法还包括恒流电路制作步骤：
提供电路板、电阻R1、电阻R2、三极管Q1以及三极管Q2；
于电路板上，将电阻R1的第一端、三极管Q1的集电极接入LED芯片的串联支路，电阻R1的第二端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极连接；将电阻R2的第一端与三极管Q1的发射极、三极管Q2的基极连接；将电阻R2的第二端以及三极管Q2的发射极共同接地；
通过调整电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2的参数，以及串联支路的LED芯片的数量，使得流过电阻R2的电流IR2接近LED芯片的工作电流ILED。
采用本发明的LED灯具的制造方法制得的LED灯具，与现有技术中的LED灯具相比有以下有益效果：
1.LED芯片的工作电流低于其额定电流，有效的减少电流密度，从而减小了电流拥堵，避免芯片在大电流情况下工作，提高LED芯片的抗光衰能力和热稳定性；
2.减小电流拥堵，可以有效提高LED芯片外量子效率，从而提高芯片的发光效率；
3.光源光效高，灯珠发光强度高，功率密度高，光强输出强，能够有效提高能量利用率，达到节能减排的效果，实现了低碳照明；
4.电子线路采用激光烧蚀形成，可以实现超细的线路制作，便于与LED芯片的尺寸匹配；
5.通过新的封装结构，可以延长LED芯片的寿命，使得封装后的LED光源在实际使用时具有较高的发光效率，从而提高整灯的光效，以达到降低能量消耗，提高经济效益的目的，进一步推广LED光源在通用照明领域的应用，因此具有巨大的实用价值。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种高光效LED灯具的制造方法的流程图；
图2是本发明实施例一提供的一种高光效LED灯具的灯板结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的一种恒流电路的结构示意图；
图4是本发明实施例二提供的一种高光效LED灯具的灯板结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一：
请参阅图1及图2，示出了本实施例提供的一种高光效LED灯具的制造方法，包括以下步骤：
S1、于铝基板1上成型出绝缘层，然后于绝缘层上成型出铜箔层；
S2、采用激光烧蚀掉不需要的铜箔层，形成所需的电子线路；
S3、采用金线将所有LED芯片2的正极、负极分别与所述电子线路焊接；
S4、于LED芯片2上涂覆荧光粉3，封装LED芯片2；
S5、采用恒流电路，将驱动电源与所述电子线路连接，使LED芯片2的工作电流低于LED芯片2的额定电流。
具体的，上述步骤S2中，采用激光烧蚀铜箔层包括以下步骤：
利用铜的熔点比绝缘层的熔点低的特性，使用一定波长的激光，通过调节激光的能量密度，使激光的温度高于铜的熔点且低于绝缘层的熔点，并通过调整激光的进给速度或烧蚀时间，将不需要的铜箔层烧蚀掉。
上述步骤S3中，将LED芯片与电子线路焊接包括以下步骤：
于铝基板1上用于放置LED芯片2的位置点上绝缘胶水，
将LED芯片2贴在绝缘胶水上；
待LED芯片2固定后，再采用金线将LED芯片2的正极、负极分别与电子线路焊接，其中，LED芯片2呈阵列分布，并以串联和/或并联的方式连接。
上述步骤S4之前，还包括以下步骤：
制备反光边框4，所述反光边框4的内侧面为反光面；
于铝基板1上，对应LED芯片2外围的位置涂上胶水；
将反光边框4放置在LED芯片2的外围，并使反光边框4的粘固在铝基板1上；
于反光边框4内填充荧光粉3，将荧光粉3覆盖LED芯片2，并填充反光边框4的内部空间。
具体的，本实施例还提供了上述恒流电路的制作步骤：
提供电路板、电阻R1、电阻R2、三极管Q1以及三极管Q2；
请参阅图3，于电路板上，将电阻R1的第一端、三极管Q1的集电极接入LED芯片的串联支路，电阻R1的第二端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极连接；将电阻R2的第一端与三极管Q1的发射极、三极管Q2的基极连接；将电阻R2的第二端以及三极管Q2的发射极共同接地；
分析恒流电路可得ILED≈IR1+IR2。当IR1＜＜IR2时，有ILED≈IR2，从而达到恒流的目的。本实施例中按驱动电源输出100V、每支路串联30个LED计算(其中LED的导通电压为3.3V)，若选定R1与R2的阻值分别为12K、27Ω，则有ILED≈IR2＝20mA，从而保证流过每组LED的电流不超过LED的额定值。
可见，通过调整电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2的参数，以及串联支路的LED芯片2的数量，可使流过电阻R2的电流IR2接近LED芯片2的工作电流ILED。
采用本实施例的LED灯具的制造方法制得的LED灯具，与现有技术中的LED灯具相比有以下有益效果：
1.LED芯片2的工作电流低于其额定电流，有效的减少电流密度，从而减小了电流拥堵，避免LED芯片2在大电流情况下工作，提高LED芯片2的抗光衰能力和热稳定性；
2.减小电流拥堵，可以有效提高LED芯片2外量子效率，从而提高LED芯片2的发光效率；
3.光源光效高，灯珠发光强度高，功率密度高，光强输出强，能够有效提高能量利用率，达到节能减排的效果，实现了低碳照明；
4.电子线路采用激光烧蚀形成，可以实现超细的线路制作，便于与LED芯片2的尺寸匹配；
5.通过新的封装结构，可以延长LED芯片2的寿命，使得封装后的LED光源在实际使用时具有较高的发光效率，从而提高整灯的光效，以达到降低能量消耗，提高经济效益的目的，进一步推广LED光源在通用照明领域的应用，因此具有巨大的实用价值。
实施例二：
本实施例提供了另一种高光效LED灯具的制造方法，本实施例除以下内容外，其它内容均与实施例一相同：
请参阅图4，本实施例于LED芯片2上涂覆荧光粉3前，还包括以下步骤：
于铝基板1上划分出多个呈阵列分布的LED光源模块10区域；
制备数量以及尺寸均与LED光源模块10匹配的反光边框，所述反光边框的内侧面为反光面；
于铝基板1上，对应各个LED光源模块10区域的边缘位置涂上胶水；
将各个反光边框分别放置在各个LED光源模块10区域上，使反光边框的底部与胶水粘合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种高光效LED灯具的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
于铝基板上成型出绝缘层，然后于绝缘层上成型出铜箔层；
采用激光烧蚀掉不需要的铜箔层，形成所需的电子线路；
采用金线将所有LED芯片的正极、负极分别与所述电子线路焊接；
于LED芯片上涂覆荧光粉，封装LED芯片；
采用恒流电路，将驱动电源与所述电子线路连接，使LED芯片的工作电流低于LED芯片的额定电流，减小电流拥堵效应。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用激光烧蚀铜箔层包括以下步骤：
利用铜的熔点比绝缘层的熔点低的特性，使用一定波长的激光，通过调节激光的能量密度，使激光的温度高于铜的熔点且低于绝缘层的熔点，并通过调整激光的进给速度或烧蚀时间，将不需要的铜箔层烧蚀掉。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将LED芯片与电子线路焊接包括以下步骤：
于铝基板上用于放置LED芯片的位置点上绝缘胶水，
将LED芯片贴在绝缘胶水上；
待LED芯片固定后，再采用金线将LED芯片的正极、负极分别与电子线路焊接。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于LED芯片上涂覆荧光粉前，还包括以下步骤：
制备反光边框，所述反光边框的内侧面为反光面；
于铝基板上，对应LED芯片外围的位置涂上胶水；
将反光边框放置在LED芯片的外围，并使反光边框的粘固在铝基板上；
于反光边框内填充荧光粉，将荧光粉覆盖LED芯片，并填充反光边框的内部空间。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于LED芯片上涂覆荧光粉前，还包括以下步骤：
于铝基板上划分出多个呈阵列分布的LED光源模块区域；
制备数量以及尺寸均与LED光源模块匹配的反光边框，所述反光边框的内侧面为反光面；
于铝基板上，对应各个LED光源模块区域的边缘位置涂上胶水；
将各个反光边框分别放置在各个LED光源模块区域上，使反光边框的底部与胶水粘合。
6.如权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，各个LED光源模块中的LED芯片以串联和/或并联的方式连接。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括恒流电路制作步骤：
提供电路板、电阻R1、电阻R2、三极管Q1以及三极管Q2；
于电路板上，将电阻R1的第一端、三极管Q1的集电极接入LED芯片的串联支路，电阻R1的第二端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极连接；将电阻R2的第一端与三极管Q1的发射极、三极管Q2的基极连接；将电阻R2的第二端以及三极管Q2的发射极共同接地；
通过调整电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2的参数，以及串联支路的LED芯片的数量，使得流过电阻R2的电流IR2接近LED芯片的工作电流ILED。
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