CN113223929A - 基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，包括：对氧化镓衬底进行表面预处理；利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层。本发明的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，采用脉冲激光沉积工艺，在氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，基于激光诱导引发掺杂氧化镓靶材等离子体化，使得杂质不是以原子形式进入氧化镓中，而是以非平衡等离子态进入氧化镓中，可以降低掺杂激活的温度且极大地提高了掺杂载流子的激活效率，实现了氧化镓的高效掺杂，提高了Ga2O3的掺杂效率和自由载流子浓度，形成了高效掺杂的氧化镓外延层薄膜，从而提高了后续器件的性能。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法。
背景技术
氧化镓(Ga2O3)作为一种新型超宽禁带半导体具有大的能带间隙(约为4.9eV)、高的理论击穿电场(8MV/cm)以及Baliga优值，其优异的性能使氧化镓成为了下一代大功率电子器件的热点材料。
随着研究的深入，如何制备得到高质量的氧化镓薄膜，成为了研究者们关注的问题。到目前为止，常用的氧化镓薄膜的生长方法包括：金属有机化学气相沉积(MOCVD)，氢化物气相外延(HVPE)和分子束外延(MBE)。然而，由于在高n型掺杂浓度下强Ga空位得到补偿，造成MOCVD，MBE或HVPE中的掺杂激活效率通常较低，而且常规薄膜生长掺杂激活所需的温度也很高，该因素也成为限制Ga2O3中自由载流子浓度的瓶颈。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明提供了一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，包括：
对氧化镓衬底进行表面预处理；
利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的所述氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层。
在本发明的一个实施例中，所述掺杂氧化镓外延层中掺杂元素为Sn、Si、Mg或Fe，掺杂浓度为1020-1021cm-3次方量级。
在本发明的一个实施例中，对氧化镓衬底进行表面预处理，包括：
将所述氧化镓衬底放入刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀完成后使用去离子水清洗；
将刻蚀清洗后的氧化镓衬底进行退火处理。
在本发明的一个实施例中，所述刻蚀液为体积比为3:1的H2SO4和H2O2的混合溶液，其中，H2SO4的浓度为98％，H2O2的浓度为30％。
在本发明的一个实施例中，退火温度为840-860℃，退火时间为10-20min。
在本发明的一个实施例中，利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的所述氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，包括：
将表面预处理后的所述氧化镓衬底、掺杂氧化镓靶材放入脉冲激光沉积系统的反应室中，并对所述反应室抽真空；
在氧气气氛中，通过激光器发出的激光对所述掺杂氧化镓靶材进行烧灼得到掺杂氧化镓等离子体，所述掺杂氧化镓等离子体沉积在表面预处理后的所述氧化镓衬底上，形成所述掺杂氧化镓外延层。
在本发明的一个实施例中，所述脉冲激光沉积工艺的工艺参数为：反应室的氧压为0.03-0.1mbar，激光器的能量密度为2.0-2.2J/cm2，频率为4.8-5Hz，所述氧化镓衬底的温度为675-680℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1.本发明的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，采用湿化学方法处理氧化镓衬底，使氧化镓衬底表面具备原子台阶，提高了氧化镓外延层的生长质量。
2.本发明的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，采用脉冲激光沉积工艺(PLD)，在氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，使得掺杂氧化镓外延层的生长速度更快，而且利用激光轰击掺杂氧化镓靶材，不需要较高的激活温度，另外，掺杂氧化镓外延层与掺杂氧化镓靶材成分基本一致。
3.本发明的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，基于激光诱导引发掺杂氧化镓靶材等离子体化，使得杂质不是以原子形式进入氧化镓中，而是以非平衡等离子态进入氧化镓中，极大地提高了掺杂载流子的激活效率，实现了氧化镓的高效掺杂，提高了Ga2O3的掺杂效率和自由载流子浓度，形成了高效掺杂的氧化镓外延层薄膜，从而提高了后续器件的性能。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法的流程图。
图2a-图2b是本发明实施例提供的一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法的工艺流程图；
具体实施方式
为了进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体实施方式，对依据本发明提出的一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法进行详细说明。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合附图的具体实施方式详细说明中即可清楚地呈现。通过具体实施方式的说明，可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效进行更加深入且具体地了解，然而所附附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明的技术方案加以限制。
实施例一
由于氧化镓材料比硅，锗，氮化镓等半导体材料禁带宽度要大的多，通过现有的工艺方法掺杂后很难实现高效激活，因此，本实施例提供了一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，本实施例的方法，采用脉冲激光沉积工艺(PLD)，在氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，使得掺杂氧化镓外延层的生长速度更快，而且利用激光轰击掺杂氧化镓靶材，得到掺杂氧化镓等离子体，等离子体自带能量(动能和热能)，容易使掺杂激活。
请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法的流程图。如图所示，本实施例的方法，包括：
S1：对氧化镓衬底进行表面预处理；
具体地，包括：
S11：将氧化镓衬底放入刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀完成后使用去离子水清洗；
在本实施例中，刻蚀液为体积比为3:1的H2SO4和H2O2的混合溶液，其中，H2SO4的浓度为98％，H2O2的浓度为30％。刻蚀时间为40s。
S12：将刻蚀清洗后的氧化镓衬底进行退火处理。
在本实施例中，将刻蚀清洗后氧化镓衬底放入马弗炉中进行退火处理，其中，退火温度为840-860℃，升温速度为10℃/min，退火时间为10-20min。在退火过程中，高温提供能量，使氧化镓表面进行自修复，形成台阶状表面。
在本实施例中，采用湿化学方法处理氧化镓衬底，使氧化镓衬底表面具备原子台阶，提高了氧化镓外延层的生长质量。
需要说明的是，在其他实施例中，还可以采用其他方法对氧化镓衬底进行预处理，以在其表面形成原子台阶。
具体操作为将氧化镓衬底放入体积比为1:4的HF和NH4F的混合溶液进行刻蚀，其中HF的浓度为49％，NH4F的浓度为40％，刻蚀时间为1min。在刻蚀后利用去离子水清洗再放入马弗炉中进行高温退火处理，退火温度为820-860℃，升温速度为10℃/min，退火时间为10-20min。
S2：利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层；
具体地，包括：
S21：将表面预处理后的氧化镓衬底、掺杂氧化镓靶材放入脉冲激光沉积系统的反应室中，并对反应室抽真空；
S22：在氧气气氛中，通过激光器发出的激光对掺杂氧化镓靶材进行烧灼得到掺杂氧化镓等离子体，掺杂氧化镓等离子体沉积在表面预处理后的氧化镓衬底上，形成掺杂氧化镓外延层。
在本实施例中，可选地，掺杂氧化镓外延层中的掺杂元素为Sn、Si、Mg或Fe，相应的，掺杂氧化镓靶材为Sn掺杂氧化镓靶材、Si掺杂氧化镓靶材、Mg掺杂氧化镓靶材、或Fe掺杂氧化镓靶材。
可选地，掺杂浓度为1020-1021cm-3次方量级。
在本实施例中，脉冲激光沉积工艺的工艺参数为：反应室的氧压为0.03-0.1mbar，激光器的能量密度为2.0-2.2J/cm2，频率为4.8-5Hz，氧化镓衬底的温度为675-680℃，以为沉积外延层提供能量。
在本实施例中，采用脉冲激光沉积工艺(PLD)，在氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，使得掺杂氧化镓外延层的生长速度更快，而且利用激光轰击掺杂氧化镓靶材，得到掺杂氧化镓等离子体，等离子体自带能量(动能和热能)，容易使掺杂激活。即通过激光诱导引发掺杂氧化镓靶材等离子体化，使得杂质不是以原子形式进入氧化镓中，而是以非平衡等离子态进入氧化镓中，因此，不需要较高的激活温度，极大地提高了掺杂载流子的激活效率，实现了氧化镓的高效掺杂，提高了Ga2O3的掺杂效率和自由载流子浓度，形成了高效掺杂氧化镓外延层薄膜，从而提高了后续器件的性能。
另外，掺杂氧化镓外延层与掺杂氧化镓靶材成分基本一致，从而可以通过控制靶材浓度，调节外延层的掺杂浓度。
实施例二
本实施例以Sn掺杂氧化镓外延层为例对实施例一的方法进行具体说明，其中，Sn掺浓度为4.89×1020cm-3。
具体地，请结合参见图2a-图2b，图2a-图2b是本发明实施例提供的一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法的工艺流程图，如图所示，在本实施例中，该方法包括如下步骤：
步骤1：将氧化镓衬底放入体积比为3:1的H2SO4和H2O2的混合溶液(食人鱼刻蚀液)中刻蚀40s，随后用去离子水清洗三次；
步骤2：将刻蚀清洗后的氧化镓衬底放入马弗炉中进行退火处理，退火温度为850℃，升温速度为10℃/min，退火时间为10min，得到表面预处理后的氧化镓衬底，如图2a所示；
步骤3：将表面预处理后的氧化镓衬底、Sn掺杂氧化镓靶材放入脉冲激光沉积系统的反应室中，并对反应室抽真空；
步骤4：向反应室中通入氧气，通过激光器射出激光对Sn掺杂氧化镓靶材进行烧灼得到Sn掺杂氧化镓等离子体，Sn掺杂氧化镓等离子体沉积在表面预处理后的氧化镓衬底上，完成Sn掺杂氧化镓外延层的生长，如图2b所示。
其中，反应室的氧压维持在3×10-2mbar，设定激光器的能量密度为2.0J/cm2，频率为5Hz，设定氧化镓衬底的温度为680℃，烧灼次数为8000次。
在本实施例中，通过对Sn掺杂氧化镓外延层进行霍尔效应测量，发现该Sn掺杂氧化镓外延层的自由载流子浓度为2.01×1020cm-3，通过计算得到在该掺杂浓度情况下(Sn掺浓度为4.89×1020cm-3)，掺杂激活效率超过了40％，实现了高效掺杂的目的。
应当说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，包括：
对氧化镓衬底进行表面预处理；
利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的所述氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层。
2.根据权利要求1所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，所述掺杂氧化镓外延层中掺杂元素为Sn、Si、Mg或Fe，掺杂浓度为1020-1021cm-3次方量级。
3.根据权利要求1所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，对氧化镓衬底进行表面预处理，包括：
将所述氧化镓衬底放入刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀完成后使用去离子水清洗；
将刻蚀清洗后的氧化镓衬底进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，所述刻蚀液为体积比为3:1的H2SO4和H2O2的混合溶液，其中，H2SO4的浓度为98％，H2O2的浓度为30％。
5.根据权利要求3所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，退火温度为840-860℃，退火时间为10-20min。
6.根据权利要求1所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的所述氧化镓衬底上生长掺杂氧化镓外延层，包括：
将表面预处理后的所述氧化镓衬底、掺杂氧化镓靶材放入脉冲激光沉积系统的反应室中，并对所述反应室抽真空；
在氧气气氛中，通过激光器发出的激光对所述掺杂氧化镓靶材进行烧灼得到掺杂氧化镓等离子体，所述掺杂氧化镓等离子体沉积在表面预处理后的所述氧化镓衬底上，形成所述掺杂氧化镓外延层。
7.根据权利要求6所述的基于非平衡激光等离子体的氧化镓高效掺杂方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积工艺的工艺参数为：反应室的氧压为0.03-0.1mbar，激光器的能量密度为2.0-2.2J/cm2，频率为4.8-5Hz，所述氧化镓衬底的温度为675-680℃。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114695582A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-07-01 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 | 一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060150891A1 (en) * | 2003-02-24 | 2006-07-13 | Noboru Ichinose | ß-Ga2o3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, Ga2o3 light-emitting device, and its manufacturing method |
| US20140239452A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-08-28 | Tamura Corporation | Substrate for epitaxial growth, and crystal laminate structure |
| WO2014203623A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| CN106784189A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 盐城工学院 | 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法 |
| CN106887470A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-23 | 西安电子科技大学 | Ga2O3肖特基二极管器件结构及其制作方法 |
-
2021
- 2021-04-16 CN CN202110414342.8A patent/CN113223929A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060150891A1 (en) * | 2003-02-24 | 2006-07-13 | Noboru Ichinose | ß-Ga2o3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, Ga2o3 light-emitting device, and its manufacturing method |
| US20140239452A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-08-28 | Tamura Corporation | Substrate for epitaxial growth, and crystal laminate structure |
| WO2014203623A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| CN106784189A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 盐城工学院 | 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法 |
| CN106887470A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-23 | 西安电子科技大学 | Ga2O3肖特基二极管器件结构及其制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李付国: "氧化镓外延薄膜生长及特性研究", 《万方学术期刊数据库》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114695582A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-07-01 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 | 一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法 |
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