CN113192977A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
阵列基板和显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113192977A CN113192977A CN202110384869.0A CN202110384869A CN113192977A CN 113192977 A CN113192977 A CN 113192977A CN 202110384869 A CN202110384869 A CN 202110384869A CN 113192977 A CN113192977 A CN 113192977A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- line
- array substrate
- insulating layer
- sub
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 168
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请公开一种阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括基板、有源层、绝缘层以及源漏电极层。所述有源层设置于所述基板上，所述有源层用于形成有源层图案。所述绝缘层设置于所述有源层远离所述基板的一侧，所述绝缘层中设有第一过孔。源漏电极层设置于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏电极层用于形成数据线。其中，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素单元，在每一所述子像素单元中，与所述子像素单元对应的所述数据线通过至少两个所述第一过孔与所述有源层图案连接，以输入数据信号。本申请能够保证数据信号正常传输，从而减小亮点发生几率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、使用温度范围宽等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵型有机发光二极管OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管(Active MatrixOLED,AMOLED)两大类。其中， AMOLED作为新一代显示技术，具有更高的对比度、更快的反应速度和更广的视角，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。
通常，AMOLED显示面板内具有呈阵列式排布的多个子像素单元，每一子像素单元通过一像素驱动电路来进行驱动。像素驱动电路的工作原理一般分为三个阶段：电路还原、信号补偿以及发光。如果在三个阶段中出现信号传输问题，则会导致显示面板出现亮点或者暗点不良。在生产过程中通过解析发现，数据信号无法写入或者数据信号写入不足成为导致显示面板出现亮点不良的常见原因之一。
发明内容
本申请提供一种阵列基板和显示面板，以解决现有技术中数据信号无法写入或者数据信号写入不足导致显示面板出现亮点不良的技术问题。
本申请提供一种阵列基板，其包括：
基板；
有源层，设置于所述基板上，所述有源层用于形成有源层图案；
绝缘层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧，所述绝缘层中设有第一过孔；以及
源漏电极层，设置于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏电极层用于形成数据线；
其中，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素单元，在每一所述子像素单元中，与所述子像素单元对应的所述数据线通过至少两个所述第一过孔与所述有源层图案连接，以输入数据信号。
可选的，在本申请一些实施例中，所述阵列基板还包括依次叠层设置于所述有源层和所述源漏电极层之间的第一栅绝缘层、第一金属层、第二栅绝缘层、第二金属层以及层间绝缘层，所述绝缘层包括第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间绝缘层；
其中，所述第一金属层用于形成第一电极板，所述第二金属层用于形成第二电极板，所述第一电极板和所述第二电极板构成存储电容。
可选的，在本申请一些实施例中，所述源漏电极层还用于形成第一电压线、第二电压线以及第一连接线，所述数据线、所述第一电压线以及所述第二电压线沿行方向排布，所述第一连接线位于所述第一电压线和所述第二电压线之间；
其中，所述第一电极板通过所述第一连接线与所述有源层图案连接，所述第二电极板与所述第一电压线连接。
可选的，在本申请一些实施例中，所述绝缘层中还设有第二过孔，在每一所述子像素单元中，所述第一连接线通过至少两个所述第二过孔与所述有源层图案连接。
可选的，在本申请一些实施例中，所述层间绝缘层中还设有第三过孔，在每一所述子像素单元中，所述第二电极板通过至少两个所述第三过孔与所述第一电压线连接。
可选的，在本申请一些实施例中，所述有源层还用于形成信号线，所述信号线与所述第二电压线电性连接，且所述信号线和所述第二电压线用于传输第二电压信号。
可选的，在本申请一些实施例中，所述第一金属层还用于形成扫描线、第一控制线以及第二控制线，所述信号线、所述扫描线、所述第一控制线以及所述第二控制线沿列方向排布，所述子像素单元由所述数据线和所述扫描线交叉限定。
可选的，在本申请一些实施例中，每一所述数据线对应一列所述子像素单元，所述存储电容对应设置在所述子像素单元中。
可选的，在本申请一些实施例中，所述第二金属层还用于形成第二连接线，所述第二连接线用于连接位于相邻所述子像素单元中的所述第二电极板。
相应的，本申请还提供一种显示面板，其包括上述任一项所述的阵列基板。
本申请提供一种阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括基板、有源层、绝缘层以及源漏电极层。所述有源层设置于所述基板上，所述有源层用于形成有源层图案。所述绝缘层设置于所述有源层远离所述基板的一侧，所述绝缘层中设有第一过孔。所述源漏电极层设置于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏电极层用于形成数据线。其中，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素单元，在每一所述子像素单元中，与所述子像素单元对应的所述数据线通过至少两个所述第一过孔与所述有源层图案连接，以输入数据信号，从而保证数据信号正常传输，减小亮点发生几率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的阵列基板的第一结构示意图；
图2为本申请提供的阵列基板的第一俯视结构示意图；
图3是图2所示的阵列基板沿XX’处的剖面结构示意图；
图4为本申请提供的阵列基板的第二结构示意图；
图5为本申请提供的阵列基板的第二俯视结构示意图；
图6为本申请提供的阵列基板的第三俯视结构示意图；
图7是图6所示的阵列基板沿EE’处的剖面结构示意图；
图8为本申请提供的阵列基板的第四俯视结构示意图；
图9是图8所示的阵列基板沿FF’处的剖面结构示意图；
图10为本申请提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请同时参阅图1、图2以及图3，图1是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图，图2是本申请提供的阵列基板的第一俯视结构示意图，图3是图2 所示的阵列基板沿XX’处的剖面结构示意图。在本申请中，阵列基板100包括基板10、有源层20、绝缘层30以及源漏电极层40。其中，图2中未示出基板10和绝缘层30。
具体的，有源层20设置于基板10上。有源层20用于形成有源层图案21。绝缘层30设置于有源层20远离基板10的一侧。绝缘层30中设有第一过孔 301。源漏电极层40设置于绝缘层30远离基板10的一侧。源漏电极层40用于形成数据线41。其中，阵列基板100包括多个呈阵列排布的子像素单元101。在每一子像素单元101中，与子像素单元101对应的数据线41通过至少两个第一过孔301与有源层图案21连接，以输入数据信号。
其中，基板10可以是玻璃基板、树脂基板或者柔性基板。当基板10为柔性基板时，基板10可以由单层柔性有机层构成，也可以由两层或两层以上的柔性有机层构成。柔性有机层的材料选自聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种或多种的组合。
其中，有源层20的材料可以是低温多晶硅(LTPO)或者氧化物半导体。采用低温多晶硅制作有源层20，产品成本较低、器件电子迁移率高以及响应速度快。采用氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锡锌 (IGTZO)等金属氧化物等制作有源层20，器件具有较低的漏电流。
其中，绝缘层30的材料可以是氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等无机材料中的任一种，以阻水隔氧，提高阵列基板100的寿命。
其中，源漏电极层40采用的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钨(W)或钛(Ti)中的任一种。上述金属的导电性好，成本较低，在保证源漏电极层40的导电性的同时可以降低生产成本。
其中，在每一子像素单元101中，与子像素单元101对应的数据线41通过至少两个第一过孔301与有源层图案21连接。比如，数据线41可以通过两个第一过孔301与有源层图案21连接、数据线41可以通过三个第一过孔301 与有源层图案21连接、数据线41可以通过四个第一过孔301与有源层图案 21连接等，具体可根据阵列基板100的尺寸以及具体工艺制程要求进行设定。
可以理解的是，在阵列基板100上，通常设置有像素驱动电路(图中未标示)以驱动子像素单元101发光。子像素单元101的发光亮度与写入像素驱动电路的数据信号有关。因此，与子像素单元101对应的数据线41通过至少两个过孔301与有源层图案21连接，可以将数据信号传输至有源层图案21，进而传输至像素驱动电路的驱动晶体管的栅极，使得像素驱动电路驱动相应的子像素单元101正常显示。其中，该像素驱动电路可以是5T1C、5T2C、7T1C 等结构，此为本领域技术人员熟知的技术，在此不再赘述。此外，有源层图案 21的具体结构也可根据像素驱动电路的实际电路结构进行设计，本申请对此不作具体限定。
需要说明的是，图2中的子像素单元101、有源层图案21、数据线41的排布和数量仅为示例，不能理解为对本申请的限制。
本申请提供一种阵列基板100，阵列基板100包括多个呈阵列排布的子像素单元101。在每一子像素单元101中，数据线41通过至少两个第一过孔301 与有源层图案21连接，当其中任一个第一过孔301出现问题时，另外的第一过孔301也可以保证数据线41和有源层图案21正常连接，保证数据信号的正常传输。由此，数据信号可正常传输至像素驱动电路的驱动晶体管，使得驱动晶体管的栅极电压达到所需电压，保证子像素单元101正常显示，从而减小亮点的发生几率。
请同时参阅图4和图5，图4为本申请提供的阵列基板的第二结构示意图，图5为本申请提供的阵列基板的第二俯视结构示意图。在本申请中，阵列基板 100还包括依次叠层设置于有源层20和源漏电极层40之间的第一栅绝缘层 31、第一金属层50、第二栅绝缘层32、第二金属层60以及层间绝缘层33。绝缘层30包括第一栅绝缘层31、第二栅绝缘层32和层间绝缘层33。
其中，第一栅绝缘层31、第二栅绝缘层32和层间绝缘层33的材料可以是氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等无机材料中的任一种。第一栅绝缘层31、第二栅绝缘层32和层间绝缘层33 可以由同一种材料制成，也可以由不同材料制成，本申请对此不作具体限定。第一栅绝缘层31、第二栅绝缘层32和层间绝缘层33用于阻挡湿气或杂质，防止湿气或杂质通过基板10、有源层20、源漏电极层40、第一金属层50或者第二金属层60扩散。
其中，第一金属层50和第二金属层60的材料可以为银、铝、镍、铬、钼、铜、钨或钛中的任一种。上述金属的导电性好，成本较低，在保证第一金属层 50和第二金属层60的导电性的同时可以降低生产成本。
进一步的，第一金属层50用于形成第一电极板51。第二金属层60用于形成第二电极板61。第一电极板51和第二电极板61构成存储电容70。
源漏电极层40还用于形成第一电压线42、第二电压线43和第一连接线 44。数据线41、第一电压线42以及第二电压线43沿行方向排布。行方向为图5中沿x轴延伸的方向。第一连接线44位于第一电压线42和第二电压线 43之间。
其中，第一电极板51通过第一连接线44与有源层图案21连接。第二电极板61和第一电压线42连接。
具体的，第一连接线44的一端通过第二过孔302与有源层图案21连接。第一连接线44的另一端通过第三过孔303与第一电极板51连接。第二电极板 61通过第四过孔304与第一电压线42连接。第二过孔302贯穿绝缘层30并延伸至有源层图案21远离基板10的一侧。第三过孔303贯穿层间绝缘层33 并延伸至第一电极板51远离基板10的一侧。第四过孔304贯穿层间绝缘层 33并延伸至第一电压线42远离基板10的一侧。
可以理解的是，其中，第一电压线42用于向像素驱动电路提供第一电压信号。第一电压信号可以为高电压信号VDD。第二电压线43用于向像素驱动电路提供第二电压信号。第二电压信号可以为复位电压信号VI。
此外，在每一子像素单元101中，第一电压线42还通过第五过孔305与有源层图案21连接，以输入第一电压信号至像素驱动电路。可以理解的是，第五过孔305贯穿绝缘层30，并延伸至有源层图案21远离基板10的一侧。
进一步的，每一数据线41对应一列子像素单元101设置。存储电容70 对应设置在子像素单元101中。第二金属层60还用于形成第二连接线62。第二连接线62用于连接位于相邻子像素单元101中的第二电极板61。
本申请通过设置第二连接线62将位于相邻子像素单元101中的第二电极板61连接在一起，使得第二电极板61和第一电压线42之间串成网络结构。当某一条第一电压线42断裂或者第一电压线42与第二电极板61之间连接异常时，像素驱动电路也可以正常工作。同时，网络结构的连接方式使得第一电压信号的传输线路阻值降低，第一电压信号在阵列基板100内的分布也更为均匀，防止显示不均。
请继续参阅图5，在本申请一些实施例中，有源层20还用于形成信号线 22。信号线22与第二电压线43电性连接。信号线22和第二电压线43用于传输第二电压信号。信号线22还与有源层图案21连接，以继续将第二电压信号传输至像素驱动电路。具体的，信号线22通过第六过孔306与第二电压线43 电性连接。可以理解的是，第六过孔306贯穿绝缘层30，并延伸至有源层图案21远离基板10的一侧。
本申请采用有源层20形成信号线22以及采用源漏电极层40形成第二电压线43，信号线22与第二电压线43电性连接，共同向像素驱动电路提供第二电压信号。该方案替代了相关技术中第二金属层形成的第二电压线，从而减少了阵列基板100中的金属膜层，减少了寄生电容的产生。此外，第一方面，信号线22与第二电压线43成角度排布，且在不同膜层中通过第六过孔306 电性连接，形成了一个网络结构。第二方面，每一行子像素单元101对应的有源层图案21均与同一条信号线22连接，形成了另一个网络结构。同理，网络结构的连接方式使得第二电压信号的传输线路阻值降低，从而减小电压降。
在本申请中，第一金属层50还用于形成扫描线52、第一控制线53以及第二控制线54。信号线22、扫描线52、第一控制线53以及第二控制线54沿列方向排布。列方向为图5中沿Y轴延伸的方向。子像素单元101由扫描线 52和数据线41交叉限定。
其中，扫描线52用于向像素驱动电路提供扫描信号。第一控制线53以及第二控制线54用于向像素驱动电路提供控制信号，在此不再赘述。
需要说明的是，本申请附图中的第一电压线42、第二电压线43、第一连接线44、信号线22、扫描线52、第一控制线53以及第二控制线54的排布和数量仅为示例，不能理解为对本申请的限制。
请同时参阅图6和图7，图6为本申请提供的阵列基板的第三俯视结构示意图，图7是图6所示的阵列基板沿EE’处的剖面结构示意图。与图1所示的阵列基板100的不同之处在于，在本实施例中，在每一子像素单元101中，第一连接线44通过至少两个第二过孔302与有源层图案21连接。
其中，在每一子像素单元101中，第一连接线44通过至少两个第二过孔 302与有源层图案21连接。具体的，第一连接线44可以通过两个第二过孔302 与有源层图案21连接、第一连接线44可以通过三个第二过孔302与有源层图案21连接等，具体可根据实际需求进行设定。
本实施例通过设置第一连接线44通过至少两个第二过孔302与有源层图案21连接，当其中一个第二过孔302出现问题时，另外的第二过孔302也可以保证第一连接线44和有源层图案21正常连接，保证像素驱动电路线路连接正常，使得子像素单元101正常显示。
请同时参阅图8和图9，图8为本申请提供的阵列基板的第四俯视结构示意图，图9是图8所示的阵列基板沿FF’处的剖面结构示意图。与图1所示的阵列基板100的不同之处在于，在本实施例中，在每一子像素单元101中，第二电极板61通过至少两个第四过孔304与第一电压线42连接。
其中，在每一子像素单元101中，第二电极板61通过至少两个第四过孔 304与第一电压线42连接。具体的，第二电极板61可以通过两个第四过孔304 与第一电压线42连接、第二电极板61可以通过三个第四过孔304与第一电压线42连接等，具体可根据实际需求进行设定。
本实施例通过设置第二电极板61通过至少两个第四过孔304与第一电压线42连接，当其中任一个第四过孔304出现问题时，另外的第四过孔304也可以保证第二电极板61和第一电压线42正常连接，保证第一电压线42输入的第一电压信号的正常传输，使得子像素单元101正常显示，进一步减小亮点的发生几率。
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
相应的，本申请还提供一种显示面板，其包括上述任一项所述的阵列基板 100。该阵列基板100可参阅上述实施例，在此不再赘述。
具体的，请参阅图10，图10是本申请提供的显示面板1000的结构示意图。显示面板1000包括但不限于阵列基板100和封装层200。
其中，封装层200通常包括交替层叠设置的至少一无机层和至少一有机层。无机层可以选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等无机材料，以阻水隔氧。有机层可以选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯等有机材料，以提高封装层 200的柔韧性。
此外，显示面板1000还可以包括触控电极层等其他装置。本申请实施例中的封装层200和其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术，在此不做过多描述。
本申请提供一种显示面板1000，显示面板1000包括阵列基板100。阵列基板100包括多个呈阵列排布的子像素单元。在每一子像素单元中，数据线通过至少两个第一过孔与有源层图案连接，当其中一个第一过孔出现问题时，另外的第一过孔也可以保证数据线和有源层图案正常连接，保证数据信号的正常传输，使得子像素单元正常显示，从而减小亮点的发生几率，改善显示面板 1000的显示效果。
以上对本申请提供阵列基板和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
有源层，设置于所述基板上，所述有源层用于形成有源层图案；
绝缘层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧，所述绝缘层中设有第一过孔；以及
源漏电极层，设置于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏电极层用于形成数据线；
其中，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素单元，在每一所述子像素单元中，与所述子像素单元对应的所述数据线通过至少两个所述第一过孔与所述有源层图案连接，以输入数据信号。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次叠层设置于所述有源层和所述源漏电极层之间的第一栅绝缘层、第一金属层、第二栅绝缘层、第二金属层以及层间绝缘层，所述绝缘层包括所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层；
其中，所述第一金属层用于形成第一电极板，所述第二金属层用于形成第二电极板，所述第一电极板和所述第二电极板构成存储电容。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极层还用于形成第一电压线、第二电压线以及第一连接线，所述数据线、所述第一电压线以及所述第二电压线沿行方向排布，所述第一连接线位于所述第一电压线和所述第二电压线之间；
其中，所述第一电极板通过所述第一连接线与所述有源层图案连接，所述第二电极板与所述第一电压线连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层中还设有第二过孔，在每一所述子像素单元中，所述第一连接线通过至少两个所述第二过孔与所述有源层图案连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层中还设有第三过孔，在每一所述子像素单元中，所述第二电极板通过至少两个所述第三过孔与所述第一电压线连接。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还用于形成信号线，所述信号线与所述第二电压线电性连接，且所述信号线和所述第二电压线用于传输第二电压信号。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还用于形成扫描线、第一控制线以及第二控制线，所述信号线、所述扫描线、所述第一控制线以及所述第二控制线沿列方向排布，所述子像素单元由所述数据线和所述扫描线交叉限定。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每一所述数据线对应一列所述子像素单元，所述存储电容对应设置在所述子像素单元中。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还用于形成第二连接线，所述第二连接线用于连接位于相邻所述子像素单元中的所述第二电极板。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110384869.0A CN113192977A (zh) | 2021-04-09 | 2021-04-09 | 阵列基板和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110384869.0A CN113192977A (zh) | 2021-04-09 | 2021-04-09 | 阵列基板和显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113192977A true CN113192977A (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=76975435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110384869.0A Pending CN113192977A (zh) | 2021-04-09 | 2021-04-09 | 阵列基板和显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113192977A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206819997U (zh) * | 2017-05-17 | 2017-12-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及阵列基板和显示装置 |
| CN109887885A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 |
| CN112002709A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板 |
| CN112071882A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-11 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-04-09 CN CN202110384869.0A patent/CN113192977A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206819997U (zh) * | 2017-05-17 | 2017-12-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及阵列基板和显示装置 |
| CN109887885A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 |
| CN112002709A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板 |
| CN112071882A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-11 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110690265B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| KR102587728B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
| US20240321000A1 (en) | Display substrate and display device | |
| TW202203188A (zh) | 顯示器裝置 | |
| CN111665999A (zh) | 显示装置及其自容式触控面板 | |
| US11910665B2 (en) | Array substrate and display device | |
| US20230132313A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN111883569A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN109712991B (zh) | 显示面板及显示面板的制作方法 | |
| US20210104593A1 (en) | Display device | |
| US20220115485A1 (en) | Array Substrate and Display Device | |
| US20230267880A1 (en) | Display device | |
| CN112992999A (zh) | 显示母板及显示面板 | |
| US12099676B2 (en) | Touch display panel | |
| CN113192977A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
| US11997879B2 (en) | Array substrate, display panel, and display device for improving display effect | |
| US11551609B2 (en) | Array substrate and display device | |
| US11024697B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20220127426A (ko) | 표시 장치 | |
| US8576207B2 (en) | Self-emission type display and method for fabricating the same | |
| US20240074266A1 (en) | Display panel and display device | |
| US12127458B2 (en) | Display device | |
| US11929027B2 (en) | Display device | |
| US20230232687A1 (en) | Display device | |
| US20220336569A1 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |