CN113169131B - 拍摄装置 - Google Patents

Abstract

本发明的一技术方案的拍摄装置，具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。

Description

拍摄装置

技术领域

本发明涉及对图像进行拍摄的拍摄装置。

背景技术

以往，已知对图像进行拍摄的拍摄装置(例如参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－33718号公报

专利文献2：日本特开2014－75480号公报

专利文献3：日本特开2008－186875号公报

发明内容

发明要解决的课题

有在拍摄装置拍摄的图像中发生眩光(flare)的情况。

本发明提供能够抑制所拍摄的图像发生眩光的拍摄装置。

用来解决课题的手段

本发明的一技术方案的拍摄装置具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域以及将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。

发明效果

提供能够抑制所拍摄的图像发生眩光的拍摄装置。

附图说明

图1是实施方式1的拍摄装置的分解立体图。

图2是实施方式1的拍摄装置的剖视图。

图3是实施方式1的表示半导体基板与树脂层的位置关系的平面图。

图4是实施方式1的拍摄装置的放大剖视图。

图5是实施方式1的像素区域的放大剖视图。

图6A是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图6B是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图6C是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图6D是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图6E是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图6F是表示实施方式1的拍摄装置的制造方法的一例的工序的示意图。

图7是以往的拍摄装置的放大剖视图。

图8是实施方式1的拍摄装置的放大剖视图。

图9是表示实施方式1的光学模拟的状况的示意图。

图10是由以往的拍摄装置拍摄的图像。

图11是由实施方式1的拍摄装置拍摄的图像的示意图。

图12是实施方式1的像素区域的放大平面图。

图13是实施方式2的拍摄装置的分解立体图。

图14是实施方式2的拍摄装置的放大剖视图。

图15是变形例的拍摄装置的放大剖视图。

具体实施方式

本发明的一技术方案的拍摄装置具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。

根据上述结构的拍摄装置，能够抑制透射过封固层的光的一部分在第1曲面反射而成为杂光且该杂光向像素区域入射的现象的发生。因而，根据上述结构的拍摄装置，能够抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，第1遮光层在平面视图中将第1曲面的全部覆盖。

由此，能够更有效地抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，第1曲面是向树脂层的内侧凹的凹面。

由此，在第1曲面是凹面的情况下，能够抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，第2侧面具有第2曲面，具备位于树脂层与封固层之间且在平面视图中将第2曲面的至少一部分覆盖的第2遮光层。

由此，能够更有效地抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，第2遮光层在平面视图中将第2曲面的全部覆盖。

由此，能够更有效地抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，第2曲面是向树脂层的内侧凹的凹面。

由此，在第2曲面是凹面的情况下，能够抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，树脂层具有与封固层直接相接的第1部分。

由此，能够使树脂层与封固层直接接触。

此外，可以是，第2侧面具有第2曲面，具备位于树脂层与封固层之间且在平面视图中将第2曲面的至少一部分覆盖的第2遮光层，树脂层具有在平面视图中位于第1曲面与第2曲面之间且与封固层直接相接的第1部分。

由此，能够使树脂层与封固层直接接触并且更有效地抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，可以是，多个像素包括包含第1受光元件的第1像素和包含第2受光元件的第2像素，在平面视图中，第1受光元件的大小与第2受光元件的大小不同。

由此，在多个像素中包括在平面视图中受光部的大小相互不同的第1像素和第2像素的情况下，能够抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

此外，本发明的一技术方案的拍摄装置可以还具备与树脂层的第2侧面相接的模塑件。

此外，第1遮光层的宽度可以比树脂层的高度大。

以下，参照附图对本发明的一技术方案的拍摄装置的具体例进行说明。这里示出的实施方式均表示本发明的一具体例。因而，以下实施方式所示的数值、形状、构成要素、构成要素的配置及连接形态、以及步骤(或工序)及步骤的顺序等作为一例而并不限定本发明。关于以下实施方式的构成要素中的在独立权利要求中没有记载的构成要素，是能够任意附加的构成要素。此外，各图是示意图，并不一定严格地图示。

(实施方式1)

[1－1.拍摄装置的结构]

以下，参照附图对实施方式1的拍摄装置的结构进行说明。

图1是实施方式1的拍摄装置1的分解立体图，图2是拍摄装置1的剖视图。

如图1、图2所示，拍摄装置1包括封固层10、模塑件20、第1遮光层30、树脂层40、半导体基板50、基板60、多个阻焊剂70和多个焊球80。这里，图2所示的阻焊剂70A、阻焊剂70B、阻焊剂70C及阻焊剂70D分别是图1所示的多个阻焊剂70的各个个体的一例。焊球80A、焊球80B、焊球80C及焊球80D分别是图1所示的多个焊球80的各个个体的一例。

在半导体基板50，通过微细加工等形成有集成电路。集成电路构成例如对图像进行拍摄的图像传感器。以下，假设在半导体基板50中形成有图像传感器而进行说明。半导体基板50具有像素区域51和位于像素区域51周边的周边区域52，像素区域51是配置构成图像传感器的多个像素的区域。

半导体基板50的背面例如通过粘接剂等而固接于基板60的表面。

在半导体基板50的表面，配置有使半导体基板50与封固层10粘接的树脂层40。树脂层40例如由丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂等有机类树脂实现，但并不需要一定限定于此。这里，假设树脂层40由环氧树脂构成。

封固层10是透明的基板，通过树脂层40而被粘接于半导体基板50。封固层10例如由玻璃实现，但并不需要一定限定于玻璃。这里，假设封固层10是玻璃。

第1遮光层30配置在树脂层40与封固层10之间。第1遮光层30例如由钛、铜等金属、具有不透明性的树脂等实现，但并不需要一定限定于这些。这里，假设第1遮光层30由粘接到封固层10的背面的不透明树脂构成。

模塑件20是将基板60的表面的一部分、半导体基板50的侧面及表面的一部分、和封固层10的侧面覆盖的不透明的绝缘性的树脂。模塑件20例如由丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂等有机类树脂实现，但并不需要一定限定于这些。这里，假设模塑件20由环氧树脂构成。树脂层40与模塑件20的折射率之差小于树脂层40与空气的折射率之差。在平面视图中，模塑件20以将半导体基板50的整体和封固层10的整体包围的方式配置。

在基板60的背面，配置有多个焊球80。各焊球80经由各阻焊剂70而与基板60连接。焊球80及阻焊剂70例如由镍、锡、铜、银、金及含有它们的金属实现，但并不需要一定限定于这些。这里，假设焊球80及阻焊剂70由含有镍的金属构成。

在半导体基板50的表面，配置有例如由铜构成的多个金属布线。在基板60的表面，配置有例如由铜构成的多个金属布线。半导体基板50的表面的多个金属布线和基板60的表面的多个金属布线例如被由金构成的多个键合线连接。这里，图2所示的金属布线55A、金属布线55B分别是半导体基板50的表面的多个金属布线的各个个体的一例。图2所示的金属布线65A、金属布线65B分别是基板60的表面的多个金属布线的各个个体的一例。图2所示的键合线25A、键合线25B分别是将半导体基板50的表面的多个金属布线与基板60的表面的多个金属布线连接的多个键合线的各个个体的一例。

图3是表示半导体基板50与树脂层40的位置关系的平面图。

如图3所示，在平面观察中树脂层40以将像素区域51整体包围的方式配置在周边区域52。这里，“平面观察”是指从与半导体基板50的主面垂直的方向观察。

图4是图2中的区域A的放大图。

如图4所示，树脂层40具有像素区域51侧的第1侧面41和周边区域52侧的第2侧面42。第1侧面41和第2侧面42分别是曲面。因此，也有将第1侧面41称作第1曲面、将第2侧面42称作第2曲面的情况。第1曲面和第2曲面例如分别既可以是向树脂层40的内部凹的凹面，也可以是向树脂层40的外部突出的凸面，也可以是凹凸的面。此外，第1曲面41或第2曲面42也可以侧面的一部分包括凹凸的面。这里，假设第1曲面和第2曲面分别是向树脂层40的内部凹的凹面。

在平面视图下，第1遮光层30将第1侧面41的至少一部分覆盖。由此，第1遮光层30抑制透过封固层10后的光向第1侧面41入射。从抑制透过封固层10后的光向第1侧面41入射的观点出发，第1遮光层30可以具有遮光性。但是，第1遮光层30只要至少能够抑制光的透过，则并不需要一定具有遮光性。此外，从上述观点出发，第1遮光层30也可以在平面视图中将第1侧面41的全部覆盖。但是，第1遮光层30只要将第1侧面41的至少一部分覆盖，则并不需要一定将第1侧面41的全部覆盖。这里，假设第1遮光层30在平面视图中将第1侧面41的全部覆盖。此外，第1遮光层30只要在平面视图中将第1侧面41的至少一部分覆盖，则并不需要一定将树脂层40的全部覆盖。这里，第1遮光层30也可以在平面视图中仅将树脂层40的一部分覆盖而不将全部覆盖，即，使树脂层40具有与封固层10直接相接的第1部分45。通过使树脂层40具有第1部分45，树脂层40与封固层10的密接性提高。

在像素区域51配置有多个像素。多个像素在平面视图中包括受光元件的大小相互不同的第1像素和第2像素。在平面视图中，第1像素的面积可以比第2像素的面积大。

图5是像素区域51的放大剖视图。

如图5所示，在配置于像素区域51的多个像素中，包括多个第1像素201R、多个第1像素201G、多个第1像素201B、多个第2像素202R、多个第2像素202G和多个第2像素202B。

第1像素201R包括第1受光元件101R、绝缘层103、第1色滤色器104R、保护膜105和第1微透镜106R而构成。

第1像素201G包括第1受光元件101G、绝缘层103、第2色滤色器104G、保护膜105和第1微透镜106G而构成。

第1像素201B包括第1受光元件101B、绝缘层103、第3色滤色器104B、保护膜105和第1微透镜106B而构成。

第2像素202R包括第2受光元件102R、绝缘层103、第1色滤色器104R、保护膜105和第2微透镜107R而构成。

第2像素202G包括第2受光元件102G、绝缘层103、第2色滤色器104G、保护膜105和第2微透镜107G而构成。

第2像素202B包括第2受光元件102B、绝缘层103、第3色滤色器104B、保护膜105和第2微透镜107B而构成。

第1受光元件101R、101G、101B和第2受光元件102R、102G、102B将接收的光变换为电信号。第1受光元件101R、101G、101B和第2受光元件102R、102G、102B例如由硅光电二极管、有机薄膜光电二极管等实现，但并不需要一定限定于这些。这里，假设第1受光元件101R、101G、101B和第2受光元件102R、102G、102B是硅光电二极管。有机薄膜光电二极管例如将进行光电变换的有机薄膜用2个电极夹着而构成。

第1受光元件101R、101G、101B和第2受光元件102R、102G、102B在平面视图中大小相互不同。更具体地讲，第1受光元件101R、101G、101B比第2受光元件102R、102G、102B大。例如在第1受光元件101R、101G、101B和第2受光元件102R、102G、102B都是有机薄膜光电二极管的情况下，对于按每个像素而分割的像素电极的面积而言，第1受光元件101R、101G、101B比第2受光元件102R、102G、102B大。

绝缘层103是透明的绝缘层。绝缘层103将多个第1受光元件101R、101G、101B和多个第2受光元件102R、102G、102B覆盖。绝缘层103是在第1像素201R、第1像素201G、第1像素201B、第2像素202R、第2像素202G及第2像素202B之间共通的绝缘层。绝缘层103也可以是在全部的像素间共通的绝缘层。在绝缘层103中可以包含未图示的布线。

第1色滤色器104R、第2色滤色器104G及第3色滤色器104B分别是仅使规定的颜色透射的滤波器。第1色滤色器104R例如仅使红色的光透射。第2色滤色器104G例如仅使绿色的光透射。第3色滤色器104B例如仅使蓝色的光透射。第1色滤色器104R、第2色滤色器104G及第3色滤色器104B配置在绝缘层103的上表面。第1色滤色器104R、第2色滤色器104G及第3色滤色器104B分别将由相互邻接的1个第1受光元件和1个第2受光元件构成的受光元件的第1对覆盖。例如，第1色滤色器104R将第1受光元件101R及第2受光元件102R覆盖。例如，第2色滤色器104G将第1受光元件101G及第2受光元件102G覆盖。例如，第3色滤色器104B将第1受光元件101B及第2受光元件102B覆盖。

以下，在不需要将第1色滤色器104R、第2色滤色器104G和第3色滤色器104B明示地区别而说明的情况下，也有将它们简称作“滤色器104”的情况。

各滤色器104是在相互成对的第1像素及第2像素间共通的滤色器。

保护膜105是透明的膜。保护膜105将多个第1色滤色器104R、多个第2色滤色器104G和多个第3色滤色器104B覆盖。保护膜105是在第1像素201R、第1像素201G、第1像素201B、第2像素202R、第2像素202G及第2像素202B之间共通的保护膜。保护膜105也可以是在全部的像素间共通的保护膜。

多个第1微透镜106R、106G、106B分别与多个第1受光元件101R、101G、101B一对一地建立对应。多个第1微透镜106R、106G、106B配置在保护膜105的上表面。

多个第2微透镜107R、107G、107B分别与多个第2受光元件102R、102G、102B一对一地建立对应。多个第2微透镜107R、107G、107B配置在保护膜105的上表面。

[1－2.拍摄装置的制造方法]

图6A至图6F是表示拍摄装置1的制造方法的一例的示意图。

如图6A所示，首先，制造拍摄装置1的制造装置使半导体基板50固接到基板60的表面的规定位置。半导体基板50形成有图像传感器。接着，如图6B所示，制造装置将半导体基板50上的金属布线和基板60上的金属布线通过键合线连接。这里，半导体基板50上的金属布线例如是图6B中的金属布线55A及金属布线55B。基板60上的金属布线例如是图6B中的金属布线65A及金属布线65B。键合线例如是图6B中的键合线25A及键合线25B。接着，如图6C所示，制造装置将树脂层40配置到半导体基板50的表面的周边区域52的规定位置。接着，如图6D所示，制造装置将封固层10配置到树脂层40之上的规定位置，经由树脂层40使半导体基板50与封固层10粘接。在封固层10的背面的规定位置形成有第1遮光层30。第1遮光层30例如通过粘接而形成。半导体基板50和封固层10例如通过使树脂层40加热硬化而被粘接。接着，如图6E所示，制造装置将基板60的表面的一部分、半导体基板50的侧面及表面的一部分和封固层10的侧面用模塑件20覆盖。此时，制造装置将半导体基板50上的金属布线、键合线和基板60上的金属布线65也用模塑件20覆盖。最后，如图6F所示，制造装置使多个焊球80经由多个阻焊剂70而与基板60的背面连接。

[1－3.考察]

图7是作为参考例的拍摄装置的一例的拍摄装置1B的放大剖视图，图8是实施方式1的拍摄装置1的放大剖视图。参考例的拍摄装置1B在不具备第1遮光层30这一点上与实施方式1的拍摄装置1不同。

如图7所示，拍摄装置1B从拍摄装置1中去除了第1遮光层30，并将树脂层40变更为树脂层40B。这里，树脂层40B与树脂层40同样，具有像素区域51侧的第1侧面41B和周边区域52侧的第2侧面42B。

在拍摄装置1B中，不存在遮光层。因而，如用图7的虚线表示那样，朝向第1侧面41B透射过封固层10的光不会被遮光层遮光或减光地向第1侧面41B入射。并且，入射到第1侧面41B的光的一部分在第1侧面41B的第1曲面进行反射或折射，从而成为杂光而向像素区域51侧进入。并且，进入的杂光的一部分例如通过在封固层10的背面等进行反射，从而向像素区域51入射。通过该向像素区域51入射的杂光，在拍摄装置1B拍摄的图像中发生眩光。

相对于此，在拍摄装置1中，如用图8的虚线表示那样，朝向第1侧面41透射过封固层10的光在向第1侧面41入射之前被第1遮光层30遮光或减光。因此，在拍摄装置1中，与以往的拍摄装置1B相比，向像素区域51入射的杂光被抑制。因而，根据实施方式1的拍摄装置1，与以往的拍摄装置1B相比，能够抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

图9是表示发明者们进行的光学模拟的状况的示意图。

如图9所示，发明者们对于拍摄装置1B，模拟了使向树脂层40B入射的平行光线变化的情况下向像素区域51入射的杂光的最大强度。在模拟中，将射出平行光线的光源5的位置及射出角度进行变更，以图面右侧为正向，使向树脂层40B入射的平行光线从－15°变化到+20°。此外，虽然没有图示，但发明者们对于拍摄装置1也同样地模拟了使向树脂层40入射的平行光线的射出角度从－15°变化到+20°的情况下向像素区域51入射的杂光的最大强度。

表1是上述光学模拟的结果，对于拍摄装置1B及拍摄装置1，表示向像素区域51入射的杂光的最大强度。这里，设使平行光线对于拍摄装置1B以角度0°入射的情况下向像素区域51入射的杂光的最大强度为1而将各最大强度进行了标准化。

[表1]

如表1所示，可知在实施方式1的拍摄装置1中，与以往的拍摄装置1B相比，向像素区域51入射的杂光被抑制。

此外，发明者们对于拍摄装置1B及拍摄装置1，使来自高亮度光源的光向树脂层40B或树脂层40照射，并拍摄了图像。

图10是由拍摄装置1B拍摄的图像。图11是由拍摄装置1拍摄的图像的示意图。

如图10、图11所示，在实施方式1的拍摄装置1中，与以往的拍摄装置1B相比，拍摄的图像中的眩光的发生被抑制。

接着，对在由拍摄装置1B拍摄的图像中发生的眩光进行考察。

如图5所示，拍摄装置1B与拍摄装置1同样，在配置于像素区域51的多个像素中，在平面视图中包括受光元件的大小相互不同的第1像素201R、201G、201B和第2像素202R、202G、202B。

图12是像素区域51的放大平面图。

如图12所示，第1像素201R、201G、201B例如在平面视图中是正八边形形状，第2像素202R、202G、202B例如在平面视图中是正方形形状。在将配置有相同色的滤色器104的第1像素201R、201G、201B和第2像素202R、202G、202B一起看作1个像素203R、203G、203B的情况下，像素203R、203G、203B在平面视图中不为点对称的形状。根据杂光的入射角度，透射过与希望的颜色的滤色器104不同颜色的滤色器104的杂光会向第1受光元件101R、10G、101B或第2受光元件102R、102G、102B入射。在像素203R、203G、203B不是点对称的形状的情况下，发生对于以特定入射角度入射的杂光、第1受光元件101R、10G、101B或第2受光元件102R、102G、102B具有灵敏度的波长根据杂光的入射方向而不同的情况。例如，发生以下情况：在某个平面中使杂光的入射角度为70度的情况下，像素203R、203G、203B对于蓝色具有灵敏度，但在设为－70度的情况下，对于红色具有灵敏度。通过这样的杂光的入射，在拍摄装置1B拍摄的图像中发生着色眩光。

如上述那样，在拍摄装置1中，与拍摄装置1B相比，向像素区域51入射的杂光自身被抑制。因而，实施方式1的拍摄装置1与以往的拍摄装置1B相比还能够抑制拍摄的图像中的着色眩光的发生。

此外，拍摄装置1如图4所示，树脂层40具有第1部分45。由此，制造拍摄装置1的制造者通过从封固层10侧的外部投入光，从而能够借助目视辨认来确认树脂层40与封固层10的粘接状态。

根据发明者们的认识，在将第1遮光层30与树脂层40接触的接触面的面积设为S、将周长设为L的情况下，发生S/L越大则作用于接触面的应力越大的情况。拍摄装置1由于是树脂层40具有第1部分45的结构，所以与在平面视图中遮光层将树脂层40的全部覆盖的结构的拍摄装置相比，S/L变小，作用于接触面的应力变小。因而，拍摄装置1与在平面视图中遮光层将树脂层40的全部覆盖的结构的拍摄装置相比，能够抑制遮光层从树脂层40剥离。

(实施方式2)

[2－1.拍摄装置的结构]

以下，说明从实施方式1的拍摄装置1将其结构的一部分变更而构成的实施方式2的拍摄装置的结构。

以下，关于拍摄装置1A，对于与拍摄装置1同样的构成要素，认为已经说明而分配相同的标号，省略其详细的说明，以与拍摄装置1的不同点为中心进行说明。

图13是实施方式2的拍摄装置1A的分解立体图，图14是拍摄装置1A的放大剖视图。

如图13、图14所示，拍摄装置1A相对于实施方式1的拍摄装置1而言不同点在于，追加了第2遮光层30A，以及树脂层40被变更为树脂层40A。

树脂层40A相对于树脂层40以如下方式变更而构成，即，代替第2侧面42而具有第2侧面42A。第2侧面42A的第2曲面既可以是与第2侧面42的第2曲面同样地向树脂层40A的内部凹的凹面，也可以是向树脂层40A的外部突出的凸面，也可以是凹凸的面。这里，假设第2曲面是向树脂层40A的内部凹的凹面。

第2遮光层30A配置在树脂层40A与封固层10之间。在平面视图中，第2遮光层30A将第2侧面42A的至少一部分覆盖。由此，第2遮光层30A抑制透射过封固层10的光入射到第2侧面42A。从抑制透射过封固层10的光入射到第2侧面42A的观点出发，第2遮光层30A可以具有遮光性。但是，第2遮光层30A只要至少能够抑制光的透射，则并不需要一定具有遮光性。此外，从上述观点出发，第2遮光层30A也可以在平面视图中将第2侧面42A的全部覆盖。但是，第2遮光层30A只要将第2侧面42A的至少一部分覆盖，则并不需要一定将第2侧面42A的全部覆盖。这里，假设第1遮光层30在平面视图中将第1侧面41的全部覆盖。第2遮光层30A的材料与第1遮光层30是同样的。这里，假设第2遮光层30A与第1遮光层30同样地由粘接在封固层10的背面的不透明树脂构成。

此外，只要在平面视图中第1遮光层30将第1侧面41的至少一部分覆盖、第2遮光层30A将第2侧面42A的至少一部分覆盖，则不需要将第1遮光层30和第2遮光层30A加在一起将树脂层40A的全部覆盖。这里，即使将第1遮光层30和第2遮光层30A加在一起，在平面视图中也仅将树脂层40A的一部分覆盖而不将全部覆盖，即，使树脂层40A具有与封固层10直接相接的第1部分45A。通过使树脂层40A具有第1部分45A，树脂层40A与封固层10的密接性提高。

[2－2.考察]

上述结构的拍摄装置1A与实施方式1的拍摄装置1相比，还具备第2遮光层30A。由此，在拍摄装置1A中，朝向第2侧面42A透射过封固层10的光也在向第2侧面42A入射之前被第2遮光层30A遮光或减光。因此，在拍摄装置1A中，与拍摄装置1相比，还抑制了在第2侧面42A反射或折射而导致的杂光的发生。因而，根据实施方式2的拍摄装置1A，与实施方式1的拍摄装置1相比，能够进一步抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

发明者们对于拍摄装置1A也实施了与实施方式1的光学模拟同样的光学模拟。

表2是上述光学模拟的结果。在表2中，还一并记载了表1所示的实施方式1的光学模拟的结果。

如表2所示，可知在实施方式2的拍摄装置1A中，与实施方式1的拍摄装置1相比，向像素区域51入射的杂光进一步被抑制。因而，在实施方式2的拍摄装置1A中，与实施方式1的拍摄装置1相比，拍摄的图像中的眩光的发生进一步被抑制。

[表2]

(变形例)

以下，说明从实施方式1的拍摄装置1将其结构的一部分变更而构成的变形例的拍摄装置1C的结构。

以下，关于变形例的拍摄装置1C，对于与拍摄装置1同样的构成要素，认为已经说明而分配相同的标号，省略其详细的说明，以与拍摄装置1的不同点为中心进行说明。

图15是变形例的拍摄装置1C的放大剖视图。

如图15所示，拍摄装置1C相对于实施方式1的拍摄装置1而言不同点在于，模塑件20被变更为模塑件20C，第1遮光层30被变更为第1遮光层30C。

模塑件20C相对于模塑件20而言以如下方式变更而构成，即，延伸到与第2侧面42密接的位置。模塑件20C例如使液态的有机类树脂热硬化而形成。因此，在模塑件20C与树脂层40之间不产生间隙。

树脂层40与模塑件20C的折射率之差比树脂层40与空气的折射率之差小。因此，通过上述结构，拍摄装置1C能够进一步抑制拍摄的图像中的眩光的发生。

第1遮光层30C相对于第1遮光层30而言以如下方式变更而构成，即，在平面视图中的宽度延伸到比树脂层40的高度大的位置。由此，拍摄装置1C能够进一步抑制拍摄的图像中的眩光的发生。第1遮光层30C的宽度例如可以是树脂层40的高度的2倍以上。此外，第1遮光层30C的宽度例如也可以是树脂层40的高度的3倍以上。

上述结构的拍摄装置1C是将向树脂层40的2个侧面即第1侧面41和第2侧面42中的一个侧面即第1侧面41的光遮光或减光的结构。通过该结构，拍摄装置1C与将向树脂层40的2个侧面即第1侧面41和第2侧面42双方的光遮光或减光的结构相比，树脂层40与封固层10的密接性提高。

产业上的可利用性

本发明的拍摄装置能够广泛地用于对图像进行拍摄的装置。

标号说明

1、1A、1B、1C 拍摄装置

10 封固层

20、20C 模塑件

30、30C 第1遮光层

30A 第2遮光层

40、40A、40B 树脂层

41、41B 第1侧面

42、42A、42B 第2侧面

45、45A 第1部分

50 半导体基板

51 像素区域

52 周边区域

60 基板

70、70A、70B、70C、70D 阻焊剂

80、80A、80B、80C、80D 焊球

101R、101G、101B 第1受光元件

102R、102G、102B 第2受光元件

201R、201G、201B 第1像素

202R、202G、202B 第2像素

Claims (17)

1.一种拍摄装置，其特征在于，

具备：

半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将上述像素区域包围的周边区域；

树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与上述第1侧面相比距上述像素区域远的第2侧面，并且位于上述周边区域上；

封固层，在平面视图中与上述像素区域及上述周边区域重叠，将上述多个像素封固；以及

第1遮光层，位于上述树脂层与上述封固层之间，在平面视图中与上述第1曲面的至少一部分重叠，

在平面视图中，上述第1遮光层仅与上述树脂层的一部分重叠。

2.如权利要求1所述的拍摄装置，其特征在于，

在平面视图中，上述第1遮光层与上述第1曲面的全部重叠。

3.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第1曲面向上述树脂层的内侧凹陷。

4.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第2侧面具有第2曲面；

具备位于上述树脂层与上述封固层之间且在平面视图中与上述第2曲面的至少一部分重叠的第2遮光层。

5.如权利要求4所述的拍摄装置，其特征在于，

在平面视图中，上述第2遮光层与上述第2曲面的全部重叠。

6.如权利要求4所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第2曲面向上述树脂层的内侧凹陷。

7.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述树脂层具有与上述封固层直接相接的第1部分。

8.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第2侧面具有第2曲面；

具备位于上述树脂层与上述封固层之间且在平面视图中与上述第2曲面的至少一部分重叠的第2遮光层；

上述树脂层具有在平面视图中位于上述第1曲面与上述第2曲面之间且与上述封固层直接相接的第1部分。

9.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述多个像素包括包含第1受光元件的第1像素和包含第2受光元件的第2像素；

在平面视图中，上述第1受光元件的大小与上述第2受光元件的大小不同。

10.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

还具备与上述树脂层的上述第2侧面相接的模塑件。

11.如权利要求10所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第1遮光层的宽度比上述树脂层的高度大。

12.如权利要求10所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第1遮光层的宽度比上述树脂层的高度的2倍大。

13.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述封固层是玻璃。

14.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述树脂层具有经由上述第1遮光层而与上述封固层相接的第2部分。

15.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述第1遮光层包含不透明的树脂。

16.如权利要求10所述的拍摄装置，其特征在于，

上述树脂层的折射率与上述模塑件的折射率之差小于上述树脂层的上述折射率与空气的折射率之差。

17.如权利要求1或2所述的拍摄装置，其特征在于，

上述多个像素分别包含位于上述封固层与上述半导体基板之间的微透镜。