CN113161033A

CN113161033A - 降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质

Info

Publication number: CN113161033A
Application number: CN202110306114.9A
Authority: CN
Inventors: 雷志锋; 张战刚; 黄云; 李键坷; 彭超; 何玉娟
Original assignee: China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Current assignee: China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Priority date: 2021-03-23
Filing date: 2021-03-23
Publication date: 2021-07-23

Abstract

本申请涉及降能技术领域，具体公开一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。降能装置包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。

Description

降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质

技术领域

本发明涉及降能技术领域，特别是涉及一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

一般情况下，高LET(Linear Energy Transfe，线性能量传输)离子辐照试验需要在重离子回旋加速器上开展，其得到的重离子的类型和初始能量是固定的，试验时的重离子初始LET值也是一个确定值，需要改变该离子的LET值时通常需要对重离子进行降能。目前常用的方法是采用不同材料和厚度的降能片，降低重离子的能量，从而改变穿过降能片后的重离子LET值。通常原子序数越高降能效果越好，厚度越大降能越多。

但是目前常规降能片材料和厚度固定，其降能效果也是一个确定的值，更换降能片才可得到另一个能量点，同一个降能片仅能实现一种降能效果，而无法满足重离子能量连续变化的需求。

发明内容

基于此，有必要针对降能装置仅能实现一种降能效果，而无法满足能量连续变化需求的问题，提供一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。

一种降能装置，用于降低带电粒子的能量，所述降能装置包括：

同轴设置的第一降能片和第二降能片，所述第一降能片的厚度沿所述第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，所述第二降能片的厚度沿所述第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；

当所述第一降能片和所述第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。

在其中一个实施例中，所述第一降能片的第一侧表面为水平表面，所述第一降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面；所述第二降能片的第一侧表面为水平表面，所述第二降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面。

在其中一个实施例中，所述第一降能片的第二侧表面和所述第二降能片的第二侧表面相对设置。

在其中一个实施例中，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上具有第一叠加区域和第二叠加区域，所述第一叠加区域和所述第二叠加区域以所述第一降能片的最大厚度所处的位置和所述第二降能片的最大厚度所处的位置为划分界线；

当所述第一降能片和所述第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，所述第一叠加区域具有第一厚度变化范围，所述第二叠加区域具有第二厚度变化范围，所述第一厚度变化范围和所述第二厚度变化范围不同。

在其中一个实施例中，所述第一降能片和所述第二降能片的厚度变化范围均为0-Z，所述第一厚度变化范围为0-Z，所述第二厚度变化范围为Z-2Z。

在其中一个实施例中，所述降能装置还包括：

标定单元，用于建立所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置、所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系；

控制单元，用于接收目标降能效果，并根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置，以及将所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处。

一种降能方法，应用于如上述的降能装置，用于降低带电粒子的能量，所述降能方法包括：

生成所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置、所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系；

接收目标降能效果，并根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置，以及将所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处。

所述生成所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置、所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系的步骤包括：

控制所述第一降能片和/或所述第二降能片沿轴旋转，并实时记录所述第一叠加区域的第一叠加厚度和所述第二叠加区域的第二叠加厚度，以及第一叠加厚度对应的降能效果和第二叠加厚度对应的降能效果。

在其中一个实施例中，所述根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置，以及将所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处的步骤包括：

判断所述目标降能效果为所述第一叠加厚度对应的降能效果或所述第二叠加厚度对应的降能效果；

当所述目标降能效果为所述第一叠加厚度对应的降能效果，则控制所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处，并控制所述带电粒子的入射位置位于所述第一叠加区域内；

当所述目标降能效果为所述第二叠加厚度对应的降能效果，则控制所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处，并控制所述带电粒子的入射位置位于所述第二叠加区域内。

一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述的降能方法。

一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时实现如上述的降能方法。

上述降能装置，包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。由于第一降能片和第二降能片同轴设置，且第一降能片的厚度沿周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿周向呈螺旋式变化趋势，因此，当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。

附图说明

图1为本申请实施例一提供的降能装置的结构示意图；

图2为本申请实施例二提供的降能方法的流程框图；

图3为本申请实施例二提供的降能方法中步骤S300的流程框图；

图4为本申请实施例三提供的电子设备的结构示意图。

附图标记说明：

100、第一降能片；200、第二降能片；Y、轴向；X、周向；300、螺旋式平滑坡面。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的优选实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本发明的公开内容理解得更加透彻全面。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

空间飞行器在恶劣的空间辐射环境中运行时，环境中银河宇宙射线、太阳宇宙射线和地磁场俘获带中的高能重离子、质子等粒子都会在空间飞行器的电子系统中产生单粒子效应，从而严重威胁空间飞行器的正常运行。

电子器件在进入空间辐射环境中前，需要对其抗单粒子效应能力进行地面试验评估，通常是利用地面高能重离子加速器进行电子器件的辐照试验，并获得电子器件在不同能量或线性能量传输(LET)下的单粒子效应截面。地面辐射试验中需要选择多种能量或LET值的重离子进行辐射，一般需要至少5种LET 的离子进行辐射，因此在辐射试验中往往需要频繁调节离子的能量。

然而，高能重离子辐射试验是在重离子回旋加速器上开展，其所得到的重离子的类型和初始能量是固定的，试验时的重离子初始LET值是一个确定值，需要改变该离子的LET值时需要对重离子进行降能。目前常用的方法是采用不同材料和厚度的降能片，降低重离子的能量，从而改变穿过降能片后的重离子 LET值。常规的降能片材料和厚度固定，其降能效果也是一个确定的值，更换降能片才可得到另一个能量点，同一个降能片仅能实现一种降能效果，无法满足重离子能量连续变化的需求。虽然目前出现了通过组合降能片的方式来实现多种降能效果的切换，但是其只能获得离散的降能效果，仍无法实现能量的连续降低，进而无法实现重离子LET值的连续调节。

为了解决上述问题，本实施例提供了一种降能装置、降能方法、电子设备以及计算机可读存储介质。

实施例一

本实施例提供了一种降能装置，用于降低带电粒子的能量。

参照图1，本实施例提供的降能装置包括同轴设置的第一降能片100和第二降能片200，所述第一降能片100的厚度沿所述第一降能片100的周向X呈螺旋式变化趋势，所述第二降能片200的厚度沿所述第二降能片200的周向X呈螺旋式变化趋势；

当所述第一降能片100和所述第二降能片200中的至少一个沿轴旋转时，所述第一降能片100和所述第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度呈单调性变化趋势。

由于第一降能片100和第二降能片200同轴设置，且第一降能片100的厚度沿周向X呈螺旋式变化趋势，第二降能片200的厚度沿周向X呈螺旋式变化趋势，因此，当第一降能片100和/或第二降能片200沿轴旋转时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上组合叠加的厚度是连续变化的，呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。

具体地，同轴设置指的是第一降能片100和第二降能片200在空间上层叠设置，且通过一根旋转轴贯穿第一降能片100的中心位置和第二降能片200的中心位置。第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上可以保持有一定的间隔。

第一降能片100的不同位置处的厚度均不同，本实施例中，沿第一降能片 100的周向X，第一降能片100的厚度呈螺旋式变化趋势。例如，沿第一降能片100的逆时针方向，第一降能片100的厚度单调递增或单调递减。同样地，第二降能片200的不同位置处的厚度均不同，沿第二降能片200的周向X，第二降能片200的厚度呈螺旋式变化趋势。例如，沿第二降能片200的逆时针方向，第二降能片200的厚度单调递减或单调递增。当然，在第一降能片100和第二降能片200上均会存在厚度由最大到最小的过渡位置点。

本实施例中，在同一方向上，第一降能片100的厚度变化趋势与第二降能片200的厚度变化趋势相反。即，若第一降能片100在逆时针方向上的厚度变化趋势为单调递增，则第二降能片200在逆时针方向上的厚度变化趋势为单调递减，若第一降能片100的厚度变化趋势为单调递减，则第二降能片200的厚度变化趋势为单调递增。由此可实现第一降能片100和/或第二降能片200在沿轴旋转时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度呈单调性变化趋势，且能够确保在同一时刻下，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上相应区域内各处的叠加厚度保持一致。

假设，逆时针方向上，第一降能片100的厚度单调递增，第二降能片200 的厚度单调递减，保持第一降能片100不动，控制第二降能片200沿逆时针旋转，此时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上相应区域的叠加厚度会呈单调递增趋势，且，同一时刻下该区域各处的厚度保持一致，当带电粒子入射至相应区域时，随着第二降能片200的旋转可实现连续降能效果。同理，可保持第一降能片100不动，控制第二降能片200沿顺时针旋转，此时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上相应区域的叠加厚度会呈单调递减趋势。

以上是列举了保持第一降能片100不动，控制第二降能片200旋转的例子，在实际应用中，也可以保持第二降能片200不动，控制第一降能片100旋转，或者，为了加快连续降能速度或快速达到所需的降能效果，可以同时控制第一降能片100和第二降能片200旋转，且两者朝相反的方向旋转。以上方式均可实现本申请的目的。

本实施例中，第一降能片100和第二降能片200可以设置为圆盘形状，通过一根旋转轴贯穿圆盘形状的第一降能片100的中心位置和第二降能片200的中心位置，实现第一降能片100和第二降能片200同轴设置。当然，第一降能片100和第二降能片200也可以设置为其他形状，只要能够实现本申请的目的即可。可根据带电粒子的束流束斑尺寸确定圆盘面积，假设束流尺寸为W(直径)，则圆盘半径设定为大于5W。

在其中一个实施例中，所述第一降能片100的第一侧表面为水平表面，所述第一降能片100的第二侧表面具有周向X上的螺旋式平滑坡面300；所述第二降能片200的第一侧表面为水平表面，所述第二降能片200的第二侧表面具有周向X上的螺旋式平滑坡面300。

将第一降能片100和第二降能片200的第一侧表面均设置为水平表面，将第一降能片100和第二降能片200的第二侧表面均设置为具有周向X上的螺旋式平滑坡面300，由此可实现第一降能片100的厚度和第二降能片200的厚度均呈螺旋式变化趋势，实现方式非常简单、成本低，且坡面的设计能够确保在旋转时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度呈单调性连续变化趋势，能量的连续降低效果较好，避免离散降能，进而有效提高带电粒子能量的连续调节效果。同时也能够确保在同一时刻下，一定的区域范围内，第一降能片100和第二降能片200轴向Y上各处的叠加厚度保持一致，确保束状带电粒子经过该区域范围时，各处的降能效果保持一致。

在其中一个实施例中，所述第一降能片100的第二侧表面和所述第二降能片200的第二侧表面相对设置。即，第一降能片100的坡面面向第二降能片200 的坡面设置，第一降能片100的水平面与第二降能片200的水平面相互背对设置。

作为可替换实施方式，第一降能片100和第二降能片200的相对设置方向还可以采用其他方式，例如，第一降能片100的坡面面向第二降能片200的水平面，或者第一降能片100的水平面面向第二降能片200的坡面，或者第一降能片100的水平面面向第二降能片200的水平面，只要满足上述厚度变化趋势即可。

在其中一个实施例中，第一降能片100和第二降能片200表面的螺旋式平滑坡面300的倾斜角度可以根据实际的第一降能片100和第二降能片200的面积来设定，设定原则是从坡面的最低点绕轴旋转到坡面的最高点时，刚好又回到坡面的最低点，即坡面的最低点和最高点在降能片表面的正投影刚好重合。由此可充分利用降能片的面积实现最大的厚度变化范围。

在其中一个实施例中，所述第一降能片100和所述第二降能片200在轴向Y 上具有第一叠加区域和第二叠加区域，所述第一叠加区域和所述第二叠加区域以所述第一降能片100的最大厚度所处的位置和所述第二降能片200的最大厚度所处的位置为划分界线；

当所述第一降能片100和所述第二降能片200中的至少一个沿轴旋转时，所述第一叠加区域具有第一厚度变化范围，所述第二叠加区域具有第二厚度变化范围，所述第一厚度变化范围和所述第二厚度变化范围不同。

具体地，参照图1，假定第一降能片100最大厚度处的位置为A，第二降能片200最大厚度处的位置为B，将A正投影到第二降能片200上，投影位置A’， A’和B将第二降能片200划分为两片区域，其中一片区域在轴向Y上所在的空间区域即为第一叠加区域，另一片区域在轴向Y上所在的空间区域即为第二叠加区域。其中，第一叠加区域内各处的叠加厚度相同，且随着降能片的旋转，该叠加厚度随之发生连续性变化，且第一叠加区域的范围也发生变化。第二叠加区域内各处的叠加厚度相同，且随着降能片的旋转，该叠加厚度随之发生连续性变化，且第二叠加区域的范围也发生变化。第一叠加区域和第二叠加区域是互补区域，其中一个区域面积增大，另一个区域面积则减小。

在其中一个实施例中，所述第一降能片100和所述第二降能片200的厚度变化范围均为0-Z，所述第一厚度变化范围为0-Z，所述第二厚度变化范围为 Z-2Z。

即是说，第一降能片100的最大厚度为Z，最小厚度为0，第二降能片200 的最大厚度也为Z，最小厚度为0。第一叠加区域的第一厚度变化范围为0-Z，第二叠加区域的第二厚度变化范围为Z-2Z。如图1所示，假定第一降能片100 的最大厚度所处的位置和第二降能片200的最大厚度所处的位置在轴向Y上所划分出的较小的区域a为第一叠加区域，剩余区域b为第二叠加区域，当第二降能片200逆时针旋转时，区域a的面积逐渐增大，且叠加厚度由0单调递增至Z，同时，区域b的面积逐渐减小，且叠加厚度由Z单调递增至2Z。即，该降能装置整体上可以实现0-2Z的厚度单调性变化，即，可实现0-2Z范围内的任意厚度所带来的降能效果，带电粒子通过该降能装置可以实现连续性的且范围较大的能量调节。

需要说明的是，0-Z的厚度变化范围可以是从0递增至Z，也可以是从Z递减至0，Z-2Z的厚度变化范围可以是从Z递增至2Z，也可以是从2Z递减至Z，这与旋转方式(旋转对象以及旋转方向)有关，不管是哪种旋转方式，均可实现本申请的上述效果。

在其中一个实施例中，所述降能装置还包括标定单元和控制单元。

其中，标定单元用于建立所述第一降能片100和/或所述第二降能片200的旋转位置、所述第一降能片100和所述第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系；

控制单元用于接收目标降能效果，并根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片100和/或所述第二降能片200的旋转位置，以及将所述第一降能片100和/或所述第二降能片200旋转至对应的位置处。

在实际应用该降能装置之前，首先可以通过标定单元对各项应用参数进行标定，例如第一降能片100和/或第二降能片200的旋转位置、第一降能片100 和第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度以及降能效果之间的关联。其中，旋转位置可以包括降能片相对于初始位置的旋转角度和方向，其中可以包含单独旋转第一降能片100、单独旋转第二降能片200以及同时旋转第一降能片100和第二降能片200中的至少一种，以便实际应用时，根据实际需求进行选择。对应每个旋转位置，均获取第一叠加区域的叠加厚度和第二叠加区域的叠加厚度，同时获取对应于第一叠加区域的当前叠加厚度的降能效果和对应于第二叠加区域的当前叠加厚度的降能效果，降能效果可以包括能量的降低量等。

当在实际应用该降能装置对带电粒子进行降能时，可以根据用户设定的目标降能效果，根据预先形成的预设映射关系，确定出与目标降能效果对应的各项参数，即第一降能片100和/或第二降能片200的旋转位置等，并控制第一降能片100和/或第二降能片200旋转到对应的位置处，由此可快速实现带电粒子的降能处理，且能够进行连续降能，满足当前对能量连续变化的需求。

本实施例中，第一降能片100和第二降能片200可以采用铝、铜、钨等材料制成。

实施例二

本实施例提供了一种降能方法，应用于如实施例一所述的降能装置，用于降低带电粒子的能量。

参照图2，本实施例提供的所述降能方法包括以下步骤：

步骤S200、生成所述第一降能片100和/或所述第二降能片200的旋转位置、所述第一降能片100和所述第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系；

步骤S300、接收目标降能效果，并根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片100和/或所述第二降能片200的旋转位置，以及将所述第一降能片100和/或所述第二降能片200旋转至对应的位置处。

通过上述方案可快速实现带电粒子的降能处理，且当第一降能片100和/或第二降能片200沿轴旋转时，第一降能片100和第二降能片200在轴向Y上组合叠加的厚度是连续变化的，呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以进行能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。

步骤S200，即所述生成所述第一降能片100和/或所述第二降能片200的旋转位置、所述第一降能片100和所述第二降能片200在轴向Y上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系的步骤包括以下步骤：

控制所述第一降能片100和/或所述第二降能片200沿轴旋转，并实时记录所述第一叠加区域的第一叠加厚度和所述第二叠加区域的第二叠加厚度，以及第一叠加厚度对应的降能效果和第二叠加厚度对应的降能效果。

在其中一个实施例中，参照图3，步骤S300中，所述根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片100和/或所述第二降能片 200的旋转位置，以及将所述第一降能片100和/或所述第二降能片200旋转至对应的位置处的步骤包括以下步骤：

步骤S310、判断所述目标降能效果为所述第一叠加厚度对应的降能效果或所述第二叠加厚度对应的降能效果；

步骤S320、当所述目标降能效果为所述第一叠加厚度对应的降能效果，则控制所述第一降能片100和/或所述第二降能片200旋转至对应的位置处，并控制所述带电粒子的入射位置位于所述第一叠加区域内；

步骤S330、当所述目标降能效果为所述第二叠加厚度对应的降能效果，则控制所述第一降能片100和/或所述第二降能片200旋转至对应的位置处，并控制所述带电粒子的入射位置位于所述第二叠加区域内。

由于第一叠加区域和第二叠加区域的降能效果不同，因此在实际应用中，首先需确定目标降能效果属于哪个叠加区域所能达到的降能效果，然后再旋转对应的降能片，使带电粒子入射至对应的叠加区域内。

需要说明的是，当带电粒子相邻两次的目标降能效果跨域两个叠加区域的降能效果，则可以改变带电粒子的入射位置，不改变降能片的旋转方式，例如从第一叠加区域变化到第二叠加区域；也可以不改变带电粒子的入射位置，而是调整降能片的旋转方式，使带电粒子当前所处的位置位于所需的位置区域内，例如带电粒子的当前入射位置位于第一位置区域，通过调整降能片的旋转方式，使第一位置区域变化为第二位置区域，同样可以实现目的。

实施例三

本申请实施例提供了一种电子设备，如图4所示，包括存储器600和处理器700，存储器600和处理器700之间互相通信连接，可以通过总线或者其他方式连接，图4中以通过总线连接为例。

处理器700可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器 600还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor， DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。

存储器600作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的降能方法。处理器700通过运行存储在存储器600中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器700的各种功能应用以及数据处理，即降能方法。

存储器600可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器700所创建的数据等。此外，存储器600可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器600可选包括相对于处理器700远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory， ROM)、随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive， SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种降能装置，用于降低带电粒子的能量，其特征在于，所述降能装置包括：

2.根据权利要求1所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片的第一侧表面为水平表面，所述第一降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面；所述第二降能片的第一侧表面为水平表面，所述第二降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面。

3.根据权利要求2所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片的第二侧表面和所述第二降能片的第二侧表面相对设置。

4.根据权利要求2所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上具有第一叠加区域和第二叠加区域，所述第一叠加区域和所述第二叠加区域以所述第一降能片的最大厚度所处的位置和所述第二降能片的最大厚度所处的位置为划分界线；

5.根据权利要求4所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片和所述第二降能片的厚度变化范围均为0-Z，所述第一厚度变化范围为0-Z，所述第二厚度变化范围为Z-2Z。

6.根据权利要求1所述的降能装置，其特征在于，所述降能装置还包括：

7.一种降能方法，应用于如权利要求1-6任一项所述的降能装置，用于降低带电粒子的能量，其特征在于，所述降能方法包括：

8.根据权利要求7所述的降能方法，其特征在于，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上具有第一叠加区域和第二叠加区域，所述第一叠加区域和所述第二叠加区域以所述第一降能片的最大厚度所处的位置和所述第二降能片的最大厚度所处的位置为划分界线；

所述生成所述第一降能片和/所述第二降能片的旋转位置、所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系的步骤包括：

9.根据权利要求8所述的降能方法，其特征在于，所述根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置，以及将所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处的步骤包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求7-9任一项所述的降能方法。

11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时实现如权利要求7-9任一项所述的降能方法。