CN113145432B - 电容式超音波换能器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种电容式超音波换能器及其制造方法，电容式超音波换能器包括基板、下电极、振荡膜、上电极、至少二封孔以及空腔。下电极位于基板上。振荡膜位于下电极上。上电极位于下电极与振荡膜之间。至少二封孔位于上电极的两侧。空腔位于基板上及上电极的下方，且介于下电极、上电极与至少二封孔之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种换能器及其制造方法，且特别涉及一种电容式超音波换能器及其制造方法。
背景技术
一般而言，在电容式超音波换能器中需给予工作电压让振荡膜可以来回振荡，而上电极与下电极之间的距离会直接影响到前述工作电压。举例来说，当上电极与下电极的距离较远时，所需要的工作电压就会较高，造成需要高的电压电路设计，因此电容式超音波换能器的上电极与下电极之间相对位置的设计就极为重要。
发明内容
本发明提供一种电容式超音波换能器及其制造方法，其可以降低工作电压，而具有低耗能省电等优势。
本发明的一种电容式超音波换能器，包括下电极、振荡膜、上电极、至少二封孔以及空腔。下电极位于基板上。振荡膜位于下电极上。上电极位于下电极与振荡膜之间。至少二封孔位于上电极的两侧。空腔位于基板上及上电极的下方，且介于下电极、上电极与至少二封孔之间。
本发明的一种电容式超音波换能器的制造方法至少包括以下步骤。形成下电极于基板上。形成牺牲层于下电极上。形成上电极于牺牲层上。形成振荡膜于上电极上。形成至少二蚀刻开口于振荡膜中，其中至少二蚀刻开口位于上电极的两侧且暴露出部分牺牲层。执行蚀刻工艺，以通过至少二蚀刻开口移除牺牲层。形成至少二封孔于至少二蚀刻开口中，其中至少二封孔延伸至部分替代牺牲层的空间内，以于上电极的下方形成空腔。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至1H是依照本发明的一实施例的电容式超音波换能器在不同阶段的制造过程中的部分剖视图。
图1I是图1H的电容式超音波换能器的部分俯视图。
图2A是依照本发明的另一实施例的电容式超音波换能器的部分剖视图。
图2B是图2A的电容式超音波换能器的部分俯视图。
图3A至3E是依照本发明的又一实施例的电容式超音波换能器在不同阶段的制造过程中的部分剖视图。
特别说明的是，图1I与图2B为了清楚说明，仅示出上电极、空腔及绝缘层，省略示出了其余膜层与元件。
附图标记说明：
100、200、300：电容式超音波换能器
110：基板
120：下电极
130：绝缘层
130T、160T：厚度
140：牺牲层
140e：边缘
150、250、350：上电极
150b、350b：底面
150c、250c：中心部分
150s、350s：侧壁
160：振荡膜
162、164、362、364：蚀刻开口
166、366：连通空间
172、174、372、374：封孔
180：保护层
C1、C2、C3：空腔
C11、C21：主动部分
C12、C22：蚀刻通道部分
W1、W2：宽度
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有的结构与元件在附图中将省略或以简单示意的方式为之。
在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者所述元件与所述另一元件中间可以也存在其他元件。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，所述元件与所述另一元件中间不存在其他元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，二元件互相“电性连接”或“耦合”是可为二元件间存在其它元件。
本文使用的术语仅仅是为了描述本发明特定的实施例，而不是用来限制本发明。举例来说，本文使用的“一”、“一个”和“该”并非限制元件为单数形式或多个形式。本文使用的“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则原本被描述为在元件的“下”侧的其他元件将变成被定向在元件的“上”侧。因此，取决于附图的特定取向，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在元件“下”或“下方”的其他元件将变成被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下方”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
图1A至1H是依照本发明的一实施例的电容式超音波换能器在不同阶段的制造过程中的部分剖视图。在本实施例中，电容式超音波换能器100的制造方法可以包括以下步骤。
请参考图1A，于基板110上形成下电极120。基板110的材料可以是玻璃、硅晶圆(silicon wafer)、或其他适宜的基板材料。下电极120的材料可以是导电材料。举例而言，下电极120的材料可以是钛(Ti)、铝(Al)或其组合。进一步而言，下电极120为钛/铝/钛所组成的导电材料，但本发明不限于此，下电极120的材料可以是任何适宜的导电材料，且下电极120可以通过电化学沉积法、溅镀沉积法、热蒸镀沉积法、电子束蒸镀沉积法或其他适宜的方法形成于基板110上。
在一些实施例中，下电极120可以是全面性地形成于基板110上，换句话说，下电极120的尺寸与基板110的尺寸可以实质上相同，但本发明不限于此。
请参考图1B，在本实施例中，可以选择性地于下电极120上形成绝缘层130，以降低当操作电容式超音波换能器100时，下电极130与其他导电元件接触而形成短路的几率，但本发明不限于此。绝缘层130的材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、二氧化铪(HfO2)或其他适宜的绝缘材料，且例如是通过沉积工艺形成，但本发明不限于此。沉积工艺可例如通过化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)、物理气相沉积(physical vapordeposition,PVD)或某一其他适合的沉积工艺。
在一些实施例中，绝缘层130可以是全面性地形成于下电极120上，换句话说，绝缘层130的尺寸、下电极120与基板110的尺寸可以实质上相同，但本发明不限于此。
请参考图1C，于下电极120上形成牺牲层140，以用于制作出后续所需的空腔。牺牲层140的材料可以是金属材料。举例而言，牺牲层140的材料为铜或钼，但本发明不限于此，牺牲层140的材料可以搭配后续上电极150的材料而进行选择，且牺牲层140可以通过电化学沉积法、溅镀沉积法、热蒸镀沉积法、电子束蒸镀沉积法或其他适宜的方法形成于下电极120上。
在一些实施例中，可以是先全面性地形成牺牲材料(未示出)于下电极120上，再通过光刻蚀刻工艺图案化牺牲材料，以形成牺牲层140，其中牺牲层140的尺寸可以是小于下电极120的尺寸，但本发明不限于此。蚀刻工艺例如是湿蚀刻工艺。
在本实施例中，绝缘层130可以是位于下电极120与牺牲层140之间，换句话说，下电极120、绝缘层130、牺牲层140可以是按序堆叠于基板110上。
请参考图1D，于牺牲层140上形成上电极150。上电极150的材料可以是钛(Ti)、铝(Al)或其组合。进一步而言，上电极150为钛/铝/钛所组成的导电材料，但本发明不限于此，上电极150的材料可以是任何适宜的导电材料，且可以通过电化学沉积法、溅镀沉积法、热蒸镀沉积法、电子束蒸镀沉积法或其他适宜的方法形成于牺牲层140上。
在一些实施例中，可以是先全面性地形成导电材料于牺牲层140上，再通过光刻蚀刻工艺图案化导电材料，以形成上电极150，但本发明不限于此。蚀刻工艺例如是干蚀刻工艺。
在一些实施例中，图案化后上电极150的尺寸可以是与牺牲层140的尺寸不同。举例而言，上电极150的尺寸可以是小于牺牲层140的尺寸，但本发明不限于此。
在一些实施例中，上电极150可以是与牺牲层140直接接触，但本发明不限于此。
请参考图1E，于上电极150上形成振荡膜160。振荡膜160的材料可以是薄膜材料。举例而言，振荡膜160的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适宜的薄膜材料，且振荡膜160可以通过化学气相沉积(CVD)或其他适宜的方法形成于上电极150上。
在一些实施例中，振荡膜160可以不包括压电材料(Piezoelectric material)，但本发明不限于此。
在一些实施例中，振荡膜160可以覆盖上电极150，换句话说，振荡膜160的顶面可以高于上电极150的顶面，但本发明不限于此。
请参考图1F，于振荡膜160中形成至少二蚀刻开口(如图1F所示出的第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164)，其中第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164位于上电极150的两侧且暴露出部分牺牲层140，因此第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164可以用于移除牺牲层140。
在一些实施例中，可以通过光刻蚀刻工艺图案化振荡膜160，以形成第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164，但本发明不限于此。
在本实施例中，形成第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164之后，振荡膜160可以是良好地包覆上电极150的侧壁150s，换句话说，形成第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164时不会移除到上电极150，但本发明不限于此。
在一些实施例中，第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164可以位于牺牲层140的边缘140e，但本发明不限于此。
应说明的是，尽管图1F中仅示出两个蚀刻开口，但本发明不限制蚀刻开口的数量，只要蚀刻开口可以用于移除牺牲层140皆属于本发明的保护范围。
请参考图1G，执行蚀刻工艺，以通过第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164移除牺牲层140。换句话说，蚀刻工艺中的蚀刻液可以穿过第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164到达牺牲层140，以蚀刻牺牲层140。
在本实施例中，牺牲层140与上电极150可以具有不同的蚀刻速率，且牺牲层140与上电极150的蚀刻速率比可以是至少大于十倍，以降低蚀刻过程中蚀刻到上电极150的几率。举例来说，在一实施例中，蚀刻工艺的蚀刻液为铜酸，牺牲层140的材料为铜，且上电极150的材料为钼或钼/钽合金时可以降低蚀刻过程中蚀刻到上电极150的几率。
进一步而言，优选为进行蚀刻工艺时，蚀刻液仅会移除牺牲层140，而几乎不会移除上电极150，换句话说，移除率几乎为0％。举例来说，在一实施例中，蚀刻工艺的蚀刻液为铜酸，牺牲层140的材料为铜，且上电极150的材料为钛时，蚀刻液仅会移除牺牲层140，而几乎不会移除上电极150。然而，本发明不限于此，在另一实施例中，蚀刻工艺的蚀刻液为铝酸，牺牲层140的材料为钼，且上电极150的材料为钛时，蚀刻液仅会移除牺牲层140，而几乎不会移除上电极150。
应说明的是，本发明的蚀刻液、牺牲层140与上电极150不限于上述的组合，可以视实际设计上的需求进行调整。
在本实施例中，由于振荡膜160可以包覆上电极150的侧壁150s，因此可以在蚀刻过程中振荡膜160可以进一步保护上电极150免受蚀刻的侵蚀，但本发明不限于此。
在本实施例中，第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164可以连通替代牺牲层140的空间，以形成连通空间166，其中连通空间166可以暴露出上电极150的底面150b及部分振荡膜160，但本发明不限于此。
请参考图1H，于第一蚀刻开口162与第二蚀刻开口164中形成至少二封孔(如图1H所示出的第一封孔172与第二封孔174)，其中第一封孔172与第二封孔174延伸至部分替代牺牲层140的空间内，以于上电极150的下方形成空腔C1，且空腔C1介于下电极120、上电极150与第一封孔172与第二封孔174之间，换句话说，第一封孔172与第二封孔174形成于部分连通空间166中，而空腔C1可以视为连通空间166的剩余部分。
在本实施例中，空腔C1可以是介于下电极120、上电极150、振荡膜160与第一封孔172与第二封孔174之间，但本发明不限于此。
第一封孔172与第二封孔174的材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适宜的绝缘材料，且例如是通过沉积工艺形成，但本发明不限于此。
经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的电容式超音波换能器100的制作。在本实施例中，电容式超音波换能器100包括基板110、下电极120、振荡膜160、上电极150、至少二封孔172、174以及空腔C1。下电极120位于基板110上。振荡膜160位于下电极120上。上电极150位于下电极120与振荡膜160之间。至少二封孔172、174位于上电极150的两侧。空腔C1位于基板110上及上电极150的下方，且介于下电极120、上电极150与至少二封孔172、174之间。
由于电容式超音波换能器是通过给予上电极与下电极工作电压形成静电吸附，使振荡膜可以来回振荡，而上电极与下电极之间的距离便会与前述工作电压形成正相关，换句话说，上电极与下电极之间的距离越大则工作电压就会越大，因此本实施例的电容式超音波换能器100设计为上电极150位于下电极120与振荡膜160之间，空腔C1位于基板110上及上电极150的下方且介于下电极120、上电极与至少二封孔(第一封孔172与第二封孔174)之间，可以有效地缩短上电极150与下电极120之间的距离，降低其工作电压，而具有低耗能省电等优势。进一步而言，本实施例的电容式超音波换能器100先将上电极150形成于牺牲层140上再形成振荡膜160，通过掏空牺牲层140的工艺手段可以确实地将空腔C1形成于上电极150的下方，有效地缩短上电极150与下电极120之间的距离，降低其工作电压，而具有低耗能省电等优势。
在一些实施例中，振荡膜160的材料与第一封孔172与第二封孔174的材料可以实质上相同，例如是氮化硅，但本发明不限于此。在此，由于振荡膜160与第一封孔172与第二封孔174是于不同工艺中所形成，因此振荡膜160与第一封孔172与第二封孔174之间皆可以具有接口，但本发明不限于此。
在本实施例中，绝缘层130可以是位于下电极120与上电极150之间，其中空腔C1可以位于绝缘层130的上方，换句话说，空腔C1可以至少由绝缘层130、上电极150与第一封孔172与第二封孔174所界定，因此绝缘层130可以将下电极120与上电极150阻隔开，避免上电极150在空腔C1内随着振荡膜160振荡时可能接触到下电极120进而形成短路的情况发生，但本发明不限于此。
在一些实施例中，绝缘层130的厚度130T可以是小于振荡膜160的厚度160T，以确保在具有绝缘层130的情况下，下电极120与上电极150之间的距离可以确实被缩短，但本发明不限于此。在此，振荡膜160的厚度160T可以定义为振荡膜160的最大厚度。
在本实施例中，电容式超音波换能器100可以进一步选择性地于振荡膜160、第一封孔172与第二封孔174上形成保护层180，以保护电容式超音波换能器100，提升电容式超音波换能器100的性能表现，但本发明不限于此。保护层180的材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、聚对二甲苯(Parylene)或其他适宜的钝化材料，且例如是通过沉积工艺形成，但本发明不限于此。
在一些实施例中，振荡膜160的材料、第一封孔172与第二封孔174的材料与保护层180的材料可以实质上相同，例如是氮化硅，但本发明不限于此。在此，由于振荡膜160、第一封孔172与第二封孔174与保护层180是于不同工艺中所形成，因此振荡膜160、第一封孔172与第二封孔174与保护层180之间皆可以具有接口，但本发明不限于此。
在本实施例中，上电极150的尺寸可以是小于空腔C1尺寸，但本发明不限于此。
在一些实施例中，上述实施例的结构可以是电容式超音波换能器包括的其中一个主动单元(unit-cell)，且电容式超音波换能器可以包括多个上述主动单元并共用同一个下电极，但本发明不限于此。
图1I是图1H的电容式超音波换能器的部分俯视图。请参考图1I，本实施例的电容式超音波换能器100的空腔C1可以包括主动部分C11与连接主动部分C11与第一封孔172与第二封孔174的蚀刻通道部分C12，其中主动部分C11可以是电容式超音波换能器100的主动区域。此外，以俯视观之，主动部分C11可以具有较大的宽度W1，蚀刻通道部分C12可以具有较小的宽度W2。
进一步而言，在本实施例中，主动部分C11的轮廓可以对应上电极150的中心部分150c的轮廓，如图1I所示的矩形轮廓，但本发明不限于此。此外，主动部分C11的尺寸可以是大于上电极150的中心部分150c的尺寸，换句话说，主动部分C11于基板110上的正投影可以大于中心部分150c1于基板110上的正投影，但本发明不限于此。
在此必须说明的是，以下实施例沿用上述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A是依照本发明的另一实施例的电容式超音波换能器的部分剖视图。图2B是图2A的电容式超音波换能器的部分俯视图。请参考图2A与图2B，相较于电容式超音波换能器100而言，本实施例的电容式超音波换能器200的空腔C2可以包括主动部分C21与连接主动部分C21与第一封孔172与第二封孔174的蚀刻通道部分C22，其中主动部分C21的尺寸可以是小于上电极250的中心部分250c的尺寸，换句话说，中心部分250c于基板110上的正投影可以大于主动部分C21于基板110上的正投影，但本发明不限于此。
图3A至3E是依照本发明的又一实施例的电容式超音波换能器在不同阶段的制造过程中的部分剖视图。
请参考图3A，与图1D类似，本实施例的电容式超音波换能器300的图案化后上电极350的尺寸可以是与牺牲层140的尺寸实质上相同。
请参考图3B，与图1E类似，于上电极350上形成振荡膜160。
请参考图3C，与图1F类似，于振荡膜160中形成至少二蚀刻开口(如图3C所示出的第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364)，其中第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364位于上电极350的两侧且暴露出部分牺牲层140，因此第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364可以用于移除牺牲层140。
进一步而言，在本实施例中，形成第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364时会移除部分上电极350而暴露出上电极350的侧壁350s，但本发明不限于此。
请参考图3D，与图1G类似，执行蚀刻工艺，以通过第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364移除牺牲层140。在本实施例中，第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364可以连通替代牺牲层140的空间，以形成连通空间366，其中连通空间366可以暴露出上电极350的底面350b、上电极350的侧壁350s与部分振荡膜160，但本发明不限于此。
请参考图3E，与图1H类似，于第一蚀刻开口362与第二蚀刻开口364中形成至少二封孔(如图1H所示出的第一封孔372与第二封孔374)，其中第一封孔372与第二封孔374延伸至部分替代牺牲层140的空间内，以于上电极350的下方形成空腔C3，且空腔C3可以是仅介于下电极120、上电极350与第一封孔172与第二封孔174之间，换句话说，第一封孔172与第二封孔174形成于部分连通空间366中，而空腔C3可以视为连通空间366的剩余部分。
在本实施例中，第一封孔372与第二封孔374可以是与上电极350直接接触，但本发明不限于此。此外，上电极350的尺寸可以是等于空腔C3尺寸，但本发明不限于此。
应说明的是，在前述实施例中所述的尺寸可以定义为于水平面上正投影面积的大小。
基于上述，本发明的电容式超音波换能器设计为上电极位于下电极与振荡膜之间，空腔位于基板上及上电极的下方且介于下电极、上电极与至少二封孔之间，因此可以有效地缩短上电极与下电极之间的距离，降低其工作电压，而具有低耗能省电等优势。进一步而言，本发明的电容式超音波换能器先将上电极形成于牺牲层上再形成振荡膜，通过掏空牺牲层的工艺手段可以确实地将空腔形成于上电极的下方，有效地缩短上电极与下电极之间的距离，降低其工作电压，而具有低耗能省电等优势。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (9)
1.一种电容式超音波换能器，包括：
下电极，位于基板上；
振荡膜，位于所述下电极上；
上电极，位于所述下电极与所述振荡膜之间；
至少二封孔，位于所述上电极的两侧；以及
空腔，位于所述基板上及所述上电极的下方，且介于所述下电极、所述上电极与所述至少二封孔之间，
其中，所述上电极接触所述空腔，
还包括保护层，位于所述振荡膜与所述至少二封孔上，其中：
所述振荡膜的材料、所述至少二封孔的材料与所述保护层的材料相同，
所述上电极的材料为钼或钼/钽合金。
2.如权利要求1所述的电容式超音波换能器，还包括绝缘层，位于所述下电极与所述上电极之间，其中所述空腔位于所述绝缘层的上方。
3.如权利要求2所述的电容式超音波换能器，其中所述空腔至少由所述绝缘层、所述上电极与所述至少二封孔所界定。
4.如权利要求2所述的电容式超音波换能器，其中所述绝缘层的厚度小于所述振荡膜的厚度。
5.如权利要求1所述的电容式超音波换能器，其中所述振荡膜包覆所述上电极的侧壁。
6.如权利要求1所述的电容式超音波换能器，其中所述上电极的尺寸小于或等于所述空腔尺寸。
7.一种电容式超音波换能器的制造方法，包括：
形成下电极于基板上；
形成牺牲层于所述下电极上；
形成上电极于所述牺牲层上；
形成振荡膜于所述上电极上；
形成至少二蚀刻开口于所述振荡膜中，其中所述至少二蚀刻开口位于所述上电极的两侧且暴露出部分所述牺牲层；
执行蚀刻工艺，以通过所述至少二蚀刻开口移除所述牺牲层；以及
形成至少二封孔于所述至少二蚀刻开口中，其中所述至少二封孔延伸至部分替代所述牺牲层的空间内，以于所述上电极的下方形成空腔，
其中，所述上电极接触所述空腔，
还包括形成保护层，位于所述振荡膜与所述至少二封孔上，其中：
所述振荡膜的材料、所述至少二封孔的材料与所述保护层的材料相同，
其中所述牺牲层与所述上电极的蚀刻速率比至少大于十倍。
8.如权利要求7所述的电容式超音波换能器的制造方法，其中：
所述蚀刻工艺的蚀刻液为铜酸，所述牺牲层的材料为铜，且所述上电极的材料为钛；或
所述蚀刻工艺的蚀刻液为铝酸，所述牺牲层的材料为钼，且所述上电极的材料为钛。
9.如权利要求7所述的电容式超音波换能器的制造方法，还包括形成绝缘层于所述下电极与所述牺牲层之间。
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