CN113138538A - 一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置 - Google Patents
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- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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Abstract
本发明公开了一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置。所述装置包包括浸液供给通道、浸液回收通道以及抽排开口，在抽排开口和注气开口之间设置缓冲腔，使弯液面在向外运动时压缩缓冲腔；缓冲腔受压缩后会增强气密封压力，提高气密封对弯液面的约束效果。设计注气开口到抽排开口的流道流阻显著小于注气开口到外部开放环境的流道流阻，使来自注气开口的密封气体大部分流向缓冲腔和抽排开口，可以增大缓冲腔对衬底运动速度的适应范围。
Description
技术领域
本发明涉及光刻机技术领域，具体涉及一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置。
背景技术
光刻机是制造超大规模集成电路的核心装备之一，现代光刻机以光学光刻为主，它利用光学系统把掩膜版上的图形精确地投影并曝光在涂覆光刻胶的衬底上。它包括一个激光光源、一个投影物镜系统、一块由芯片图形组成的投影掩膜版、一个对准系统和一个涂有光敏光刻胶的衬底。
相对于中间介质为气体的干式光刻机，浸没式光刻(Immersion Lithography)设备通过在最后一片投影物镜与衬底之间填充某种高折射率的液体，通过提高该缝隙液体介质的折射率(n)来提高投影物镜的数值孔径(NA)，从而提高光刻设备的分辨率和焦深。在现在的主流光刻技术中，浸没式光刻对现有设备改动最小，且对现在的干式光刻机具有良好的继承性，所以受到广泛关注。对于浸没液体的填充，目前广泛采用的方案是局部浸没法，即使用浸液供给回收装置将液体限制在最后一片投影物镜的下表面和衬底上表面之间的局部区域内。保持浸没液体在曝光区域内的光学一致性和透明度，是保障浸没式光刻曝光质量的关键。为此，现有技术方案往往通过注液和回收实现浸没流场的实时更新，将光化学污染物、局部热量、微纳气泡等及时带离核心曝光区域，以确保浸没液体的高度纯净均一。
如图1所示，浸没式光刻机中浸液供给回收装置2设置于投影物镜系统1和衬底3之间，浸没液体由浸液供给系统5提供动力，经由浸液供给回收装置2注入投影物镜系统1和衬底3之间的空间，并且被浸液回收系统6经由浸液供给回收装置2抽排。浸没液体填充投影物镜系统1和衬底3之间的空间形成浸没流场4。浸没液体的折射率大于空气，相对于干式光刻机，由于浸没流场4的存在，浸没式光刻机中投影物镜系统1和衬底3之间的光路介质折射率提高，携带集成电路图形信息的激光光束穿过投影物镜系统1和浸没流场4后可以在衬底3上形成尺寸更小的集成电路图形。
如图2和图3所示，浸液供给回收装置2的中心具有允许激光通过的圆形通孔21，圆形通孔21具有适应投影物镜系统1下端面形状的上大下小的圆台形状。浸液供给回收装置2中设置浸液供给通道22和浸液回收通道23，由浸液供给系统5提供的浸没液体流经浸液供给通道22进入浸没流场4，然后经浸液回收通道23被浸液回收系统6抽排。浸液供给回收装置2和衬底3之间存在一个最小厚度在0.1mm至1mm范围的缝隙。为了避免浸没液体从该缝隙向外围环境泄漏，浸液供给回收装置2主体的下端面沿圆形通孔21的周向布置有线度在0.2mm～2mm范围内的抽排开口24，抽排开口24的一端与浸没流场4相通，另一端与抽排腔25相通。抽排开口24可是不连续的圆形或矩形等形状的小孔，也可以是一圈连续的狭长缝隙。抽排腔25是一个圆环形腔体，与多个抽排开口24相通，并与密封抽排通道26相通。浸液回收系统6施加负压，使得浸没流场4中的浸没液体经过抽排开口24汇聚到抽排腔25中，然后经过密封抽排通道26被浸液回收系统6回收。由于浸液回收系统6的抽排作用，浸液液体与外围气体在抽排开口24附近形成了一圈弯液面41。为了避免浸液液体从浸没流场4中泄漏并残留在衬底3上造成污染，以及避免浸没液体向内过度回退造成气泡卷入浸没流场4，需要控制弯液面41的位置和形状稳定。始终保持弯液面41与抽排开口24接触，保证抽排开口24中始终同时存在液体流和气体流，避免出现振动冲击大的气体流中液滴飞溅或者液体流中气体冒泡的情况，能够改善浸液供给回收装置2的振动特性。
浸没式光刻机的投影物镜系统和浸液供给回收装置是固定的，在对衬底进行曝光的过程中，需要沿特定的路径移动衬底使集成电路图案在衬底上完整成形。浸液供给回收装置与衬底之间存在缝隙，浸液供给回收装置朝向衬底的端面上设置有抽排开口，用于将浸没液体约束在浸液供给回收装置端面于衬底之间，不会大面积遗留在衬底上造成污染；浸没流场与外围气体在所述缝隙内形成气液界面，也称之为弯液面。浸没式光刻机移动衬底的速度直接影响其产率，是衡量光刻机性能的主要指标。但衬底相对于浸液供给回收装置发生相对运动将导致浸没流场受到定向的牵拉。在衬底高速运动的过程中，这种牵拉运动的影响是明显的，可能导致浸液密封失效，浸液泄漏；可能导致浸液中卷入气泡，影响曝光光路；或者浸液回收通道中的气液两相流流型发生改变，导致其振动特性和热传导特性发生改变，最终影响到曝光质量。
发明内容
由于浸没式光刻机中衬底的运动速度较高，而调节浸液供给和回收参数(压力和流量等)的响应速度较慢，所以在大部分的衬底曝光过程中，浸液供给和回收的参数是固定的，这种设定不利于适应衬底对浸没流场的牵拉运动。为了增强浸没流场弯液面约束功能对衬底运动的适应性，本发明提供了一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，通过在抽排开口和注气开口之间设置缓冲腔，使浸没流场弯液面在沿径向向外移动时压缩缓冲腔的容积，导致注气开口与抽排开口之间气流流道的截面积减小，流动阻力增大，压力提高，从而获得更大的气密封压力，起到更强的约束弯液面效果。
本发明采用的技术方案如下：
本发明包括主体、抽排开口、注气开口以及缓冲腔，所述抽排开口沿周向布置于主体朝向衬底的一面；所述注气开口沿周向布置于所述抽排开口的径向外侧；所述缓冲腔设置于所述抽排开口与所述注气开口之间，与所述抽排开口连通并位于其末端。
进一步的，所述注气开口到所述浸液供给回收装置外边缘的距离至少是所述注气开口到所述抽排开口的距离的4倍。
进一步的，所述缓冲腔与所有抽排开口连通。
进一步的，所述缓冲腔具有适应弯液面形状的弯曲边缘。
进一步的，所述抽排开口与所述注气开口之间的端面具有到衬底的最小距离。
本发明在抽排开口和注气开口之间设置缓冲腔，使弯液面在向外运动时压缩缓冲腔；缓冲腔受压缩后会增强气密封压力，提高气密封对弯液面的约束效果。设计注气开口到抽排开口的流道流阻显著小于注气开口到外部开放环境的流道流阻，使来自注气开口的密封气体大部分流向缓冲腔和抽排开口，一方面可以更高效率地利用密封气流，另一方面可以增大缓冲腔对衬底运动速度的适应范围。
附图说明
图1为浸液供给回收装置与投影物镜系统以及衬底相装配的简化示意图；
图2为浸液供给回收装置工作原理示意图；
图3为图2的仰视示意图；
图4为本发明的结构示意图；
图5为图4的仰视示意图；
图6为本发明缓冲腔的工作原理示意图；
图7为本发明缓冲腔的另一种实施例。
具体实施方式
图4和图5示出了本发明涉及的浸液供给回收装置2的一种实施例。为简明计，图4仅示出了浸液供给回收装置2一侧的截面。为使图像清晰，在图4中，抽排开口24内部的浸液未示出。多个抽排开口24以圆形形状排布于圆形通孔21周围，多个注气开口27以圆形形状排布于抽排开口24的径向外侧，抽排开口24与注气开口27之间设置缓冲腔272。在本实施例中，缓冲腔272是一个连通所有抽排开口24的环形腔体，它具有匀化各抽排开口24附近压力分布的基本功能。密封气体经注气开口27以固定流量流入浸液供给回收装置2与衬底3之间的缝隙，所述密封气体可以是干燥空气、湿空气、氮气或者混合了二氧化碳气体的空气，经注气开口27流出的密封气体的典型流速为15～30m/s。密封气流提高了浸没流场4外围的气体压力，能够对弯液面41向径向外侧方向的运动起到阻挡作用，因此也被称为气密封。
如图4所示，注气开口27的径向内侧具有内端面271，径向外侧具有外端面273。由于吹拂弯液面41的底部对于约束其运动更为有效，所以设置内端面271具有浸液供给回收装置2各端面中距离衬底3的最小距离，这样可以使密封气流尽可能低地吹拂弯液面41。为了更高效地利用密封气流，应当使密封气体流向抽排开口24的流动阻力显著小于流向浸液供给回收装置2外部环境的流动阻力。简单的设计方法是使内端面271的宽度显著小于外端面273的宽度。另一方面，缓冲腔272的存在进一步减小了密封气流流向抽排开口24的流动阻力。在一种实施例中，内端面271宽度是外端面273宽度的1/4，来自注气开口27中大约50％的密封气流流向了抽排开口24；而加入宽6mm、高3mm的缓冲腔272后，有大约70％的密封气流流向了抽排开口24。
图6解释了缓冲腔272的工作原理。如图6(a)所示，当衬底3不做牵拉运动时，浸没液体和密封气体同时被抽排开口24抽吸，其中浸没液体只占据抽排开口24和缓冲腔272的小部分空间。如图6(b)所示，当衬底3沿图中自左向右的方向运动时，衬底3牵拉运动使得更多的浸没液体流向抽排开口24；同时，衬底3同时牵拉弯液面41沿径向向外方向运动，弯液面41压缩了缓冲腔272的空间，使得密封气体流向抽排开口24的流道截面变小，流动阻力增大，从而使密封气流的压力提高，流速也随之提高；密封气体压力和流速的提高增大了对弯液面41的约束能力。图6(c)是抽排开口24和注气开口27之间未设置缓冲腔272的情形，对比图6(b)与图6(c)，由于弯液面41的形状依赖于密封气流的流动方向，缓冲腔272的存在使得弯液面41可以发生更大幅度的形变，一方面可以延迟弯液面41的破裂或者泄漏，另一方面增大了密封气流流道流阻的变化幅度。在一个实施例中，通过数值仿真分析得知，当衬底3牵拉导致弯液面41从内侧极限位置附近移动到外侧极限位置附近时，具有缓冲腔272的实施例中内端面271下方的压力获得了400Pa以上的增幅，弯液面41上方的局部气流流速达到50m/s；而没有缓冲腔272的实施例中内端面271下方的压力只有150Pa左右的增幅，弯液面41上方的局部气流流速也只有30m/s左右。
如图7所示，可以将缓冲腔272与注气开口27相邻的侧壁设置为弧形形状，可以更好地引导密封气体的流动，避免密封气流在缓冲腔中形成漩涡引起压力脉动；也可以影响弯液面41形成更稳定的形状。
上述具体实施方式用来解释说明本发明，而不是对本发明进行限制，在本发明的权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，都落入本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，包括主体、抽排开口、注气开口以及缓冲腔，其特征在于：所述抽排开口沿周向布置于主体朝向衬底的一面；所述注气开口沿周向布置于所述抽排开口的径向外侧；所述缓冲腔设置于所述抽排开口与所述注气开口之间，与所述抽排开口连通并位于其末端。
2.根据权利要求2或3所述的用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，其特征在于：所述注气开口到所述浸液供给回收装置外边缘的距离至少是所述注气开口到所述抽排开口的距离的4倍。
3.根据权利要求1所述的用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，其特征在于：所述缓冲腔与所有抽排开口连通。
4.根据权利要求1所述的用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，其特征在于：所述缓冲腔具有适应弯液面形状的弯曲边缘。
5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置，其特征在于：所述抽排开口与所述注气开口之间的端面具有到衬底的最小距离。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010055161.6A CN113138538B (zh) | 2020-01-17 | 2020-01-17 | 一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010055161.6A CN113138538B (zh) | 2020-01-17 | 2020-01-17 | 一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113138538A true CN113138538A (zh) | 2021-07-20 |
| CN113138538B CN113138538B (zh) | 2024-07-23 |
Family
ID=76808461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010055161.6A Active CN113138538B (zh) | 2020-01-17 | 2020-01-17 | 一种用于浸没式光刻机的浸液供给回收装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113138538B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1737690A (zh) * | 2004-08-19 | 2006-02-22 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
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- 2020-01-17 CN CN202010055161.6A patent/CN113138538B/zh active Active
Patent Citations (5)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113138538B (zh) | 2024-07-23 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |