CN113133012B - 一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质 - Google Patents

一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质 Download PDF

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CN113133012B CN201911399061.9A CN201911399061A CN113133012B CN 113133012 B CN113133012 B CN 113133012B CN 201911399061 A CN201911399061 A CN 201911399061A CN 113133012 B CN113133012 B CN 113133012B
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Abstract

本发明实施例提供了一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质。本发明实施例提供的技术方案中,若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。

Description

一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质
【技术领域】
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质。
【背景技术】
随着移动互联网的高速发展,移动互联的需求越来越高,室内业务的需求的加大,室分站点的建设量越来越大。室分站点存在着一个巨大的问题,即:室分站点设备都是无法监控的,往往都是通过用户的投诉或者现场的测试才会发现室分站点原器件的故障,现场测试耗费大量人力物力,及时性较低,存在测试不全面的风险;安装射频识别(RadioFrequency Identification,简称RFID)设备需要对RFID设备进行二次投资,成本较高,且无法监控到远程室分站点。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种室分坏点位置确定方法、装置和存储介质,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。
一方面,本发明实施例提供了一种室分坏点位置确定方法,所述方法包括:
判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;
若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;
根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;
根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;
根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度。
可选地,在判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率之前,还包括:
根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵,第一覆盖区域矩阵包括所有邻区的第一电平集合,第一电平集合包括高电平邻区对应的第一最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集;
根据接收到的指定数量的邻区的当前电平值,生成第二覆盖区域矩阵,第二覆盖区域矩阵包括所有邻区的第二电平集合,第二电平集合包括高电平邻区对应的第二最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集;
根据第一最高电平值和第二最高电平值,计算出第一电平变化率。
可选地,在根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵之前,还包括:
接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的初始电平值和指定数量的邻区的初始电平值;
按照预设时间窗口,接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的当前电平值和指定数量的邻区的当前电平值。
可选地,在判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率之前,还包括:
判断计算出的电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率;
若判断出电平劣化率大于预设的劣化容忍率,则继续执行判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率的步骤。
可选地,在判断计算出的电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率之前,还包括:
按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的自身的初始电平值的数量和自身的当前电平值的数量;
根据自身的当前电平值、自身的当前电平值的数量、自身的初始电平值和自身的初始电平值的数量,计算出电平劣化率。
可选地,在按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的初始电平值的数量和当前电平值的数量之前,还包括:
根据统计出的初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率;
判断用户变化率是否小于用户变化容忍率;
若判断出用户变化率小于用户变化容忍率,则继续执行按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的初始电平值的数量和当前电平值的数量的步骤。
可选地,还包括:
若判断出用户变化率大于或等于用户变化容忍率,则将当前用户设备数量确定为初始用户设备数量;
统计当前用户设备数量,继续执行根据初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率的步骤。
另一方面,本发明实施例提供了一种室分坏点位置确定装置,包括:
第一判断单元,用于判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;
第一确定单元,用于若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;
第一生成单元,用于根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;
第二生成单元,用于根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;
第二确定单元,用于根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度。
另一方面,本发明实施例提供了一种存储介质,所述存储介质包括存储的程序,其中,在所述程序运行时控制所述存储介质所在设备执行上述室分坏点位置确定方法。
另一方面,本发明实施例提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器用于存储包括程序指令的信息,所述处理器用于控制程序指令的执行,其特征在于,所述程序指令被处理器加载并执行时实现上述室分坏点位置确定方法的步骤。
本发明实施例的方案中,判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种室分坏点位置确定方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的又一种室分坏点位置确定方法的流程图;
图3为本发明实施例提供的一种单小区室分站点的示意图;
图4为本发明实施例提供的一种多小区室分站点的示意图;
图5为本发明实施例提供的一种室分坏点位置确定装置的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种计算机设备的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二等来描述设定阈值,但这些设定阈值不应限于这些术语。这些术语仅用来将设定阈值彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一设定阈值也可以被称为第二设定阈值,类似地,第二设定阈值也可以被称为第一设定阈值。
图1为本发明实施例提供的一种室分坏点位置确定方法的流程图,如图1所示,该方法包括:
步骤102、判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率。
步骤104、若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向。
步骤106、根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率。
步骤108、根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度。
步骤110、根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度。
本发明实施例提供的技术方案中,判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。
图2为本发明实施例提供的又一种室分坏点位置确定方法的流程图,如图2所示,该方法包括:
步骤202、接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的初始电平值和指定数量的邻区的初始电平值。
本实施例中,各步骤由室分站点执行。
本实施例中,指定数量根据现网实际需求进行不同设置。可选地,指定数量的邻区包括电平值最高的3个邻区。
本实施例中,用户设备按照预设时间间隔将自身的初始电平值和指定数量的邻区的初始电平值上报至室分站点。可选地,预设时间间隔为5120毫秒。
步骤204、统计初始用户设备数量。
具体地,室分站点统计接收到的所有用户设备的数量,此时统计的数量为初始用户设备数量。
步骤206、根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵,第一覆盖区域矩阵包括所有邻区的第一电平集合,第一电平集合包括高电平邻区对应的第一最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集。
图3为本发明实施例提供的一种单小区室分站点的示意图,如图3所示:当室分站点为单小区站点时,即:室分站点下仅有1个小区,根据室分站点下小区的邻区的初始电平值,建立第一覆盖区域矩阵。
例如,室分站点下的小区共有4个邻区,分别为邻区1、邻区2、邻区3和邻区4,用户设备上报电平值最高的2个邻区的初始电平值。根据用户设备上报的电平值最高的2个邻区的初始电平值,生成以下第一覆盖区域矩阵:
Figure BDA0002347036240000071
其中,L为第一覆盖区域矩阵,L1(rsrp11)为邻区1对应的第一最高电平值,L2(rsrp21)为邻区2对应的第一最高电平值,L3(rsrp31)为邻区3对应的第一最高电平值,L4(rsrp41)为邻区4对应的第一最高电平值,rsrp12为邻区1的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp13为邻区1的用户设备上报的邻区3的电平值,rsrp22为邻区2的用户设备上报的自身的电平值,rsrp23为邻区2的用户设备上报的邻区3的电平值,rsrp32为邻区3的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp33为邻区3的用户设备上报的自身的电平值,rsrp41为邻区4的用户设备上报的邻区1的电平值,rsrp42为邻区4的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp43为邻区4的用户设备上报的邻区3的电平值。
以[rsrp11 rsrp12 rsrp13]为例,[rsrp11 rsrp12 rsrp13]为邻区1的第一电平集合,rsrp11为高电平邻区(邻区1)对应的第一最高电平值,[rsrp12 rsrp13]为高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集。L1(rsrp11)表示邻区1的电平最高,此时用户设备最靠近邻区1,[rsrp12 rsrp13]表示位于邻区1中偏向其他邻区的方向,例如,rsrp12越大,表示该用户设备在最靠近邻区1的基础上越靠近邻区2方向,从而可以根据第一覆盖区域矩阵确定用户设备的初始位置区域。
图4为本发明实施例提供的一种多小区室分站点的示意图,如图4所示:当室分站点为多小区站点时,即:室分站点下有多个小区,根据室分站点下多个小区的邻区的初始电平值,建立第一覆盖区域矩阵。其中,建立第一覆盖区域矩阵的过程与当室分站点为单小区站点时的建立过程相同,在此不再赘述。
步骤208、按照预设时间窗口,接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的当前电平值和指定数量的邻区的当前电平值。
可选地,预设时间窗口为1天。
可选地,预设时间间隔为5120毫秒。
本实施例中,指定数量根据现网实际需求进行不同设置。可选地,指定数量的邻区包括电平值最高的3个邻区。
步骤210、统计当前用户设备数量。
具体地,室分站点统计接收到的所有用户设备的数量,此时统计的数量为当前用户设备数量。
步骤212、根据接收到的指定数量的邻区的当前电平值,生成第二覆盖区域矩阵,第二覆盖区域矩阵包括所有邻区的第二电平集合,第二电平集合包括高电平邻区对应的第二最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集。
例如,根据用户设备上报的电平值最高的2个邻区的当前电平值,生成以下第二覆盖区域矩阵:
Figure BDA0002347036240000091
其中,L’为第二覆盖区域矩阵,L1’(rsrp’11)为邻区1对应的第二最高电平值,L2(rsrp’21)为邻区2对应的第二最高电平值,L3(rsrp’31)为邻区3对应的第二最高电平值,L4(rsrp’41)为邻区4对应的第二最高电平值,rsrp’12为邻区1的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp’13为邻区1的用户设备上报的邻区3的电平值,rsrp’22为邻区2的用户设备上报的自身的电平值,rsrp’23为邻区2的用户设备上报的邻区3的电平值,rsrp’32为邻区3的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp’33为邻区3的用户设备上报的自身的电平值,rsrp’41为邻区4的用户设备上报的邻区1的电平值,rsrp’42为邻区4的用户设备上报的邻区2的电平值,rsrp’43为邻区4的用户设备上报的邻区3的电平值。
以[rsrp’11rsrp’12rsrp’13]为例,[rsrp’11rsrp’12rsrp’13]为邻区1的第二电平集合,rsrp’11为高电平邻区(邻区1)对应的第二最高电平值,[rsrp’12rsrp’13]为高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集。L1(rsrp’11)表示邻区1的电平最高,此时用户设备最靠近邻区1,[rsrp’12rsrp’13]表示位于邻区1中偏向其他邻区的方向,例如,rsrp’12越大,表示该用户设备在最靠近邻区1的基础上越靠近邻区2方向,从而可以根据第二覆盖区域矩阵确定用户设备的当前位置区域。
步骤214、根据初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率。
具体地,将当前用户设备数量与初始用户设备数量的差值除以当前用户设备的数量,得到用户变化率。
步骤216、判断用户变化率是否小于用户变化容忍率,若是,则执行步骤220;若否,则执行步骤218。
本实施例中,预先设置用户变化容忍率,从而规避由于用户变更而导致的误判。可选地,用户变化容忍率为20%。
步骤218、将当前用户设备数量确定为初始用户设备数量,继续执行步骤208。
本实施例中,若用户变化率大于或等于用户变化容忍率,则执行步骤208,继续判断下一个时间窗口的用户变化率。
步骤220、按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下自身的初始电平值的数量和自身的当前电平值的数量。
可选地,预先设置的多个电平类别包括:电平值小于-120dbm、电平值小于-110dbm且大于或等于-120dbm、电平值小于-100dbm且大于或等于-110dbm、电平值小于-90dbm且大于或等于-100dbm、电平值小于-80dbm且大于或等于-90dbm、电平值小于-70dbm且大于或等于-80dbm、电平值小于-60dbm且大于或等于-70dbm、电平值大于或等于-60dbm。
步骤222、根据自身的当前电平值、自身的当前电平值的数量、自身的初始电平值和自身的初始电平值的数量,计算出电平劣化率。
本实施例中,步骤222具体包括:
步骤222a、将自身的初始电平值的数量与自身的当前电平值的数量相加,得到电平值总数。
步骤222b、按照以下公式,根据电平值总数、自身的当前电平值、自身的当前电平值的数量、自身的初始电平值和自身的初始电平值的数量,计算出电平劣化率。
Figure BDA0002347036240000101
其中,i为自身的当前电平值,i’为自身的初始电平值,Ci为自身的当前电平值的数量,
Figure BDA0002347036240000102
为自身的初始电平值的数量,C为电平值总数,Q为电平劣化率。
步骤224、判断电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率,若是,则执行步骤226;若否,流程结束。
本实施例中,若判断出电平劣化率大于预设的劣化容忍率,表明存在室分坏点;若判断出电平劣化率小于或等于预设的劣化容忍率,表明不存在室分坏点。
可选地,劣化容忍率为30%。
步骤226、根据第一最高电平值和第二最高电平值,计算出第一电平变化率。
本实施例中,步骤226具体包括:
步骤226a、分别统计出第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量。
步骤226b、将第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量相加,得到最高电平值总数。
步骤226c、按照以下公式,根据最高电平值总数、第一最高电平值、第二最高电平值、第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,计算出第一电平变化率。
Figure BDA0002347036240000111
其中,t为第二最高电平值,t’为第一最高电平值,Ti为第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,
Figure BDA0002347036240000112
为第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,T为最高电平值总数,Q1为第一电平变化率。
步骤228、判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率,若是,则执行步骤230;若否,执行步骤226。
可选地,电平变化容忍率为30%。
本实施例中,若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,表明室分坏点位于该第一最高电平值和第二最高电平值对应的邻区方向上。其中,第一最高电平值和第二最高电平值对应于同一个高电平邻区;若判断出第一电平变化率小于或等于电平变化容忍率,表明当前高电平邻区所在方向不是室分坏点的方向,则执行步骤226,计算下一个高电平邻区的第一电平变化率。
步骤230、将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向。
本实施例中,室分坏点位于室分站点与第一最高电平值和第二最高电平值对应的高电平邻区之间连接线的方向上。
步骤232、根据第一电平子集和第二电平子集,生成第二电平变化率。
本实施例中,第一电平子集和第二电平子集对应于同一个高电平邻区。
本实施例中,第一电平子集中包括多个子电平值,第二电平子集中包括多个子电平值,且第一电平子集中的子电平值与第二电平子集中的子电平值是一一对应的。
本实施例中,步骤232具体包括:
步骤232a、分别统计出第一电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量。
步骤232b、将第一电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量相加,得到子电平值总数。
步骤232c、按照以下公式,根据第一电平子集中的子电平值、第二电平子集中的子电平值、子电平值总数、第一电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,计算出第二电平变化率。
Figure BDA0002347036240000121
其中,Q2为第二电平变化率,d为第二电平子集中的子电平值,Di为第二电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,d’为第一电平子集中的子电平值,
Figure BDA0002347036240000131
为第一电平子集中的子电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,D为子电平值总数。
步骤234、根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度。
例如,第二电平变化率为30%,则偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度为30度。
步骤236、根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,流程结束。
例如,室分坏点方向为室分站点与邻区1之间的连接线的方向上,偏向邻区2的偏移角度为30度,则室分坏点位置在室分站点与邻区1之间的连线且向邻区2偏移30度的位置。
本发明实施例提供的室分坏点位置确定方法的技术方案中,判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。
图5为本发明实施例提供的一种室分坏点位置确定装置的结构示意图,该装置用于执行上述室分坏点位置确定方法,如图5所示,该装置包括:第一判断单元11、第一确定单元12、第一生成单元13、第二生成单元14和第二确定单元15。
第一判断单元11用于判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率。
第一确定单元12用于若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向。
第一生成单元13用于根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率。
第二生成单元14用于根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度。
第二确定单元15用于根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度。
本发明实施例中,所述装置还包括:第三生成单元16、第四生成单元17和第一计算单元18。
第三生成单元16用于根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵,第一覆盖区域矩阵包括所有邻区的第一电平集合,第一电平集合包括高电平邻区对应的第一最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集。
第四生成单元17用于根据接收到的指定数量的邻区的当前电平值,生成第二覆盖区域矩阵,第二覆盖区域矩阵包括所有邻区的第二电平集合,第二电平集合包括高电平邻区对应的第二最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集。
第一计算单元18用于根据第一最高电平值和第二最高电平值,计算出第一电平变化率。
本发明实施例中,所述装置还包括:接收单元19、第一统计单元20和第二统计单元21。
接收单元19用于接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的初始电平值和指定数量的邻区的初始电平值;按照预设时间窗口,接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的当前电平值和指定数量的邻区的当前电平值。
本发明实施例中,所述装置还包括:第二判断单元20。
第二判断单元20用于判断计算出的电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率;若判断出电平劣化率大于预设的劣化容忍率,则触发第一判断单元11继续执行判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率的步骤。
本发明实施例中,所述装置还包括:第一统计单元21和第二计算单元22
第一统计单元21用于按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的自身的初始电平值的数量和自身的当前电平值的数量。
第二计算单元22用于根据自身的当前电平值、自身的当前电平值的数量、自身的初始电平值和自身的初始电平值的数量,计算出电平劣化率。
本发明实施例中,所述装置还包括:第三计算单元23和第三判断单元24。
第三计算单元23用于根据统计出的初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率。
第三判断单元24用于判断用户变化率是否小于用户变化容忍率;若判断出用户变化率小于用户变化容忍率,则触发第一统计单元21继续执行按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的初始电平值的数量和当前电平值的数量的步骤。
本发明实施例中,还包括第三确定单元25和第二统计单元26。
第三确定单元25用于若判断出用户变化率大于或等于用户变化容忍率,则将当前用户设备数量确定为初始用户设备数量。
第二统计单元26还用于统计当前用户设备数量,触发第三计算单元23继续执行根据初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率的步骤。
本发明实施例的方案中,判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;若判断出第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;根据第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;根据室分坏点方向和偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,室分坏点位置包括在室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移偏移角度,可以在确定室分坏点位置过程中节约大量的人力物力,减少成本耗费,可以监控到远程室分站点,全面性和及时性较高。
本发明实施例提供了一种存储介质,存储介质包括存储的程序,其中,在程序运行时控制存储介质所在设备执行上述室分坏点位置确定方法的实施例的各步骤,具体描述可参见上述室分坏点位置确定方法的实施例。
本发明实施例提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器用于存储包括程序指令的信息,处理器用于控制程序指令的执行,程序指令被处理器加载并执行时实现上述室分坏点位置确定方法的实施例的各步骤,具体描述可参见上述室分坏点位置确定方法的实施例。
图6为本发明实施例提供的一种计算机设备的示意图。如图6所示,该实施例的计算机设备30包括:处理器31、存储器32以及存储在存储32中并可在处理器31上运行的计算机程序33,该计算机程序33被处理器31执行时实现实施例中的应用于数据处理方法,为避免重复,此处不一一赘述。或者,该计算机程序被处理器31执行时实现实施例中应用于室分坏点位置确定装置中各模型/单元的功能,为避免重复,此处不一一赘述。
计算机设备30包括,但不仅限于,处理器31、存储器32。本领域技术人员可以理解,图6仅仅是计算机设备30的示例,并不构成对计算机设备30的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件,例如计算机设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器31可以是中央处理单元(Central Proceing Unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital ignal Proceor,DP)、专用集成电路(Application pecific Integrated Circuit,AIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
存储器32可以是计算机设备30的内部存储单元,例如计算机设备30的硬盘或内存。存储器32也可以是计算机设备30的外部存储设备,例如计算机设备30上配备的插接式硬盘,智能存储卡(mart Media Card,MC),安全数字(ecure Digital,D)卡,闪存卡(FlahCard)等。进一步地,存储器32还可以既包括计算机设备30的内部存储单元也包括外部存储设备。存储器32用于存储计算机程序以及计算机设备所需的其他程序和数据。存储器32还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
在本发明所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统,装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种室分坏点位置确定方法,其特征在于,所述方法包括:
判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;
若判断出所述第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;
根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;
根据所述第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;
根据所述室分坏点方向和所述偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,所述室分坏点位置包括在所述室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移所述偏移角度;
在所述判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率之前,还包括:
根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵,所述第一覆盖区域矩阵包括所有邻区的第一电平集合,所述第一电平集合包括高电平邻区对应的第一最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集;
根据接收到的指定数量的邻区的当前电平值,生成第二覆盖区域矩阵,所述第二覆盖区域矩阵包括所有邻区的第二电平集合,所述第二电平集合包括高电平邻区对应的第二最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集;
根据所述第一最高电平值和所述第二最高电平值,计算出第一电平变化率;
所述据所述第一最高电平值和所述第二最高电平值,计算出第一电平变化率,包括:
分别统计出第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量;
将第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量相加,得到最高电平值总数;
按照以下公式,根据最高电平值总数、第一最高电平值、第二最高电平值、第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,计算出第一电平变化率;
Figure FDA0003929524010000021
其中,t为第二最高电平值,t’为第一最高电平值,Ti为第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,
Figure FDA0003929524010000022
为第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,T为最高电平值总数,Q1为第一电平变化率。
2.根据权利要求1所述的室分坏点位置确定方法,其特征在于,在所述根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵之前,还包括:
接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的初始电平值和指定数量的邻区的初始电平值;
按照预设时间窗口,接收用户设备按照预设时间间隔发送的自身的当前电平值和指定数量的邻区的当前电平值。
3.根据权利要求1所述的室分坏点位置确定方法,其特征在于,在所述判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率之前,还包括:
判断计算出的电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率;
若判断出所述电平劣化率大于预设的劣化容忍率,则继续执行判断第一电平变化率是否大于电平变化容忍率的步骤。
4.根据权利要求3所述的室分坏点位置确定方法,其特征在于,在所述判断计算出的电平劣化率是否大于预设的劣化容忍率之前,还包括:
按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的自身的初始电平值的数量和自身的当前电平值的数量;
根据自身的当前电平值、自身的当前电平值的数量、自身的初始电平值和自身的初始电平值的数量,计算出电平劣化率。
5.根据权利要求4所述的室分坏点位置确定方法,其特征在于,在所述按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的初始电平值的数量和当前电平值的数量之前,还包括:
根据统计出的初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率;
判断用户变化率是否小于用户变化容忍率;
若判断出用户变化率小于用户变化容忍率,则继续执行按照预先设置的多个电平类别,分别统计出每个电平类别下的初始电平值的数量和当前电平值的数量的步骤。
6.根据权利要求5所述的室分坏点位置确定方法,其特征在于,还包括:
若判断出用户变化率大于或等于用户变化容忍率,则将所述当前用户设备数量确定为初始用户设备数量;
统计当前用户设备数量,继续执行根据初始用户设备数量和当前用户设备数量,计算出用户变化率的步骤。
7.一种室分坏点位置确定装置,其特征在于,所述装置包括:
第一判断单元,用于判断预先生成的第一电平变化率是否大于电平变化容忍率;
第一确定单元,用于若判断出所述第一电平变化率大于电平变化容忍率,则将自身与高电平邻区之间连接线的方向确定为室分坏点方向;
第一生成单元,用于根据预先生成的第一电平子集和预先生成的第二电平子集,生成第二电平变化率;
第二生成单元,用于根据所述第二电平变化率,生成偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度;
第二确定单元,用于根据所述室分坏点方向和所述偏向高电平邻区之外的其他邻区的偏移角度,确定出室分坏点位置,所述室分坏点位置包括在所述室分坏点方向上向高电平邻区之外的其他邻区偏移所述偏移角度;
所述装置还包括:
第三生成单元,用于根据接收到的指定数量的邻区的初始电平值,生成第一覆盖区域矩阵,第一覆盖区域矩阵包括所有邻区的第一电平集合,第一电平集合包括高电平邻区对应的第一最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第一电平子集;
第四生成单元,用于根据接收到的指定数量的邻区的当前电平值,生成第二覆盖区域矩阵,第二覆盖区域矩阵包括所有邻区的第二电平集合,第二电平集合包括高电平邻区对应的第二最高电平值和高电平邻区之外的其他邻区对应的第二电平子集;
第一计算单元,用于根据第一最高电平值和第二最高电平值,计算出第一电平变化率;
所述第一计算单元具体用于分别统计出第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量;将第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量相加,得到最高电平值总数;按照以下公式,根据最高电平值总数、第一最高电平值、第二最高电平值、第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量和第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,计算出第一电平变化率;
Figure FDA0003929524010000041
其中,t为第二最高电平值,t’为第一最高电平值,Ti为第二最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,
Figure FDA0003929524010000042
为第一最高电平值对应的预先设置的多个电平类别下的电平值数量,T为最高电平值总数,Q1为第一电平变化率。
8.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质包括存储的程序,其中,在所述程序运行时控制所述存储介质所在设备执行权利要求1至6中任意一项所述的室分坏点位置确定方法。
9.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器用于存储包括程序指令的信息,所述处理器用于控制程序指令的执行,其特征在于,所述程序指令被处理器加载并执行时实现权利要求1至6任意一项所述的室分坏点位置确定方法的步骤。
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