CN113124899A - 一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法。该方法的主要步骤为:1、基建立XY平面为光纤环矩形截面,Z轴长度为L的立方体模型;2、计算变温度条件下光纤环的热膨胀系数;3、计算变温条件下光纤环的其他物理参数;4、建立变温条件光纤环封装结构有限元模型,并对有限元模型进行求解;5、计算变温条件时等效光纤直径变形和光纤环内径变形;6、计算变温条件时光纤环长度和光纤环直径;7、计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量。采用该方法通过仿真技术实现光纤陀螺标度因数的计算,为光纤陀螺研制提供设计依据,可以有效缩短研制周期、降低成本,提高效率。

Description

一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法
技术领域
本发明涉及光纤陀螺,具体涉及一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法。
背景技术
光纤陀螺是一种基于Sagnac效应的全固态惯性测量仪表,具有抗冲击、灵敏度高、寿命长、动态范围大、启动时间短等优点,已被广泛应用于惯性导航系统中。
标度因数是指光纤陀螺输出的变化与对应输入变化的比值,其变温条件下的稳定性是光纤陀螺性能指标最为重要技术指标之一。
光纤陀螺的标度因数的理论计算公式为:
Figure BDA0002988657450000011
式中:L为光纤环长度;D为光纤环直径;λ为平均波长;c为真空中的光速;Km为Y波导调制系数;KDA为D/A转换及放大器增益;
光纤环是光纤陀螺的核心部件,是影响光纤陀螺变温标度因数变化的主要因素,由光纤和绕环胶组成。其中光纤采用的是由熊猫眼、纤芯、石英包层以及涂覆层组成的熊猫保偏光纤。
光纤环通过粘接胶固定在骨架上,骨架与上盖通过焊接固定连接,与器件板通过螺钉固定连接,光纤环封装结构简图如图1所示。
温度变化对光纤环的影响主要是引起光纤环、粘接胶、骨架、上盖以及器件板的热胀冷缩变形,进而改变光纤环长度和光纤环直径,从而引起光纤陀螺标度因数的变化。
目前主要通过试验的方法计算变温下由光纤环变形引起的光纤陀螺标度因数变化量,但采用试验的方法存在时间长、成本高、操作复杂、效率低,不适用于在设计过程中运用等缺陷。
发明内容
为了解决采用试验的方法计算光纤陀螺标度因数时存在的时间长、成本高、操作复杂、效率低,不适用于在设计过程中运用等缺陷,本发明提供了一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法。
本发明的具体技术方案是:
提供了一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其实现步骤如下:
步骤1:基于仿真软件建立XY平面为光纤环矩形截面,Z轴长度为L的立方体模型;
所述光纤环矩形截面在X轴方向的长度由光纤的匝数决定,在Y轴方向的长度由光纤的层数决定;
定义单根光纤由石英包层和涂覆层组成,涂覆层外径为光纤直径D1;光纤与外围等厚均布的绕环胶作为等效光纤,直径为D0
步骤2:计算变温度条件下光纤环的热膨胀系数;
步骤2.1:分别给步骤1的立方体模型中石英包层、涂覆层以及绕环胶赋予材料属性;所述材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
步骤2.2:求解变温条件下立方体模型在Z轴方向的平均伸长量ΔL;
定义变温条件下的最低温度为T1℃,最高温度为T2℃,将立方体模型中Z轴方向两端的其中一个端面设为固定约束,提取另一端面上每个节点在Z轴方向的变形,计算节点的平均变形并将其定义为平均伸长量ΔL;
步骤2.3:根据平均伸长量ΔL求解变温度条件下立方体模型的热膨胀系数,并将其定义为光纤环的热膨胀系数;
步骤3:计算变温条件下光纤环的其他物理参数;
通过计算石英包层、涂覆层和绕环胶在光纤环中所占的体积比,计算加权平均后光纤环的其他物理参数;
所述光纤环的其他物理参数包括密度、比热容、导热系数、泊松比、弹性模量;
步骤4:基于仿真软件建立变温条件光纤环封装结构有限元模型,并对有限元模型进行求解;
定义光纤环封装结构有限元模型中Y轴为光纤环封装结构的高度方向,XZ平面为垂直于Y轴的平面;
设定环境温度为T℃;变温条件下的最低温度为T1℃,最高温度为T2℃;
将步骤2.3的热膨胀系数以及步骤3中其他物理参数赋予光纤环;
给粘接胶、骨架、上盖和器件板赋予材料属性;所述材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
对光纤环封装结构有限元模型进行求解分别得到T1℃和T2℃光纤环的变形云图,在光纤环的变形云图中提取T1℃和T2℃光纤环的各节点变形;
步骤5:计算T1℃~T2℃时等效光纤直径变形和光纤环内径变形;
步骤5.1:分别计算T1℃和T2℃时等效光纤直径变形,具体公式如下:
Figure BDA0002988657450000041
Figure BDA0002988657450000042
式中:
i=1,2,…,k;k为光纤环上表面的节点个数;
o=1,2,…,p;p为光纤环下表面的节点个数;
Figure BDA0002988657450000043
为T1℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Figure BDA0002988657450000044
为T1℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
Figure BDA0002988657450000045
为T2℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Figure BDA0002988657450000046
为T2℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
n为光纤环每层光纤匝数;
步骤5.2:分别计算T1℃和T2℃光纤环内径变形,具体计算公式如下:
Figure BDA0002988657450000047
Figure BDA0002988657450000048
式中:
q=1,2,…,r;r为光纤环内表面的节点个数;;
Figure BDA0002988657450000049
为T1℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Figure BDA00029886574500000410
为T1℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
Figure BDA00029886574500000411
为T2℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Figure BDA0002988657450000051
为T2℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
步骤6:计算T1℃~T2℃时光纤环长度和光纤环直径,具体计算公式如下:
Figure BDA0002988657450000052
Figure BDA0002988657450000053
Figure BDA0002988657450000054
Figure BDA0002988657450000055
式中:
Figure BDA0002988657450000056
为T1℃时光纤环长度;
Figure BDA0002988657450000057
为T1℃时光纤环直径;
Figure BDA0002988657450000058
为T2℃时光纤环长度;
Figure BDA0002988657450000059
为T2℃时光纤环长度;
m:光纤环层数;
n:光纤环每层光纤匝数;
D:环境温度T℃时光纤环内径;
D0:环境温度T℃时等效光纤直径;
Figure BDA00029886574500000510
为T1℃等效光纤直径变形;
Figure BDA00029886574500000511
为T2℃等效光纤直径变形;
Figure BDA0002988657450000061
为T1℃光纤环内径变形;
Figure BDA0002988657450000062
为T2℃光纤环内径变形;
步骤7:计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量,具体公式为:
Figure BDA0002988657450000063
进一步地,上述方法还包括步骤8:变温条件下光纤环变形量的控制;
步骤8.1:保持光纤环各组成部分以及光纤环封装结构其他材料属性不变的情况下,调整光纤环各组成部分以及光纤环封装结构各组成部分的弹性模量,计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量;
步骤8.2:保持光纤环各组成部分以及光纤环封装结构其他材料属性不变的情况下,调整光纤环各组成部分以及光纤环封装结构各组成部分的热膨胀系数,计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量;
步骤8.3:基于对步骤8.1中计算出的光纤环陀螺标度因数变化量以及步骤8.2中计算出的光纤环陀螺标度因数变化量进行分析后,通过提高或降低光纤环各组成部分的弹性模量或膨胀系数,或者提高或降低骨架的膨胀系数,从而有效控制变温条件下光纤环变形。
进一步地,上述步骤2.3的具体求解公式为:
Figure BDA0002988657450000064
进一步地,上述步骤3中光纤环的其他物理参数求解公式为:
Figure BDA0002988657450000065
其中,S光纤环表示光纤环的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S石英包层表示石英包层的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S涂覆层表示涂覆层的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S绕环胶表示绕环胶的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;V光纤环表示光纤环的体积;V石英包层表示石英包层的体积;V涂覆层表示涂覆层的体积;V绕环胶表示绕环胶的体积。
进一步地,上述仿真软件采用ANSYS Workbench。
进一步地,上述T1℃≥-45℃,T2℃≤+70℃;T℃的取值范围是22℃至25℃。
本发明的有益效果是:
1、本发明利用仿真方法,通过建立建立XY平面为光纤环矩形截面,且Z轴长度为L的立方体模型,并求解其热膨胀系数,之后通过建立光纤环封装结构的有限元模型,从而准确的计算出变温环境下由光纤环变形引起的光纤陀螺标度因数变化量,为光纤陀螺研制提供设计依据,可以有效缩短研制周期、降低成本,提高效率。
2、本发明通过对变温条件下限制光纤环各组成部分以及光纤环封装结构其他物理参数不变的情况下,分别对光纤环各组成部分以及光纤环封装结构的弹性模量或膨胀系数进行调整,计算光纤环陀螺标度因数变化量,并对该变化量结果进行分析后,通过提高或降低光纤环各组成部分的弹性模量或膨胀系数,或者提高或降低骨架的膨胀系数,从而可有效减小变温光纤环变形,提高变温温光纤陀螺标度因数稳定性。
附图说明
图1为光纤环封装结构的爆炸图;
图2为本发明方法的实现流程图;
图3为光纤环矩形截面的示意图;
图4为光纤环的有限元模型图;
图5为-40℃条件下光纤环的变形云图;
图6为+60℃条件下光纤环的变形云图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,并利用具体试验分析过程来对本发明的效果进行充分的佐证。
如图2所示,本发明提供的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法的具体流程如下:
步骤1:基于仿真软件ANSYS Workbench建立XY平面为光纤环矩形截面,且Z轴长度为L的立方体模型;
如图3所示,光纤环矩形截面中X轴的长度由光纤的匝数决定(即图3中所示的光纤环高度方向),Y轴的长度由光纤的层数决定(即图3中所示的光纤环直径方向);
将光纤等效成由石英包层和涂覆层组成,涂覆层外径即为光纤直径D1,光纤与光纤之间填充绕环胶,光纤与外围等厚均布的绕环胶看做等效光纤,直径D0
步骤2:计算变温度条件下光纤环的热膨胀系数;
步骤2.1:分别给步骤1的立方体模型中石英包层、涂覆层以及绕环胶赋予材料属性;所述材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
步骤2.2:求解变温条件下立方体模型在Z轴方向的平均伸长量ΔL;
定义变温条件下的最低温度为T1℃,最高温度为T2℃,本实施例中,T1℃取-40℃,T2℃取+60℃;将立方体模型中Z轴方向两端的其中一个端面设为固定约束,提取另一端面上每个节点在Z轴方向的变形,计算平均变形后定义为平均伸长量ΔL;
步骤2.3:根据平均伸长量ΔL求解变温度条件下立方体模型的热膨胀系数,并将其定义为光纤环的热膨胀系数,具体计算公式为:
Figure BDA0002988657450000091
步骤3:计算变温条件下光纤环的其他物理参数
通过计算石英包层、涂覆层和绕环胶在光纤环中所占的体积比来计算加权平均后光纤环的其他物理参数;(其他物理参数包括密度、比热容、导热系数、泊松比、弹性模量);
该计算公式以计算弹性模量为例进行说明(其余密度、比热容、导热系数、泊松比均参照以下公式):
Figure BDA0002988657450000092
式中:
E石英包层为石英包层弹性模量;V石英包层为光纤环中石英包层体积;E涂覆层为涂覆层弹性模量;V涂覆层为光纤环中涂覆层体积;E绕环胶为绕环胶弹性模量;V绕环胶为光纤环中绕环胶体积;V光纤环为光纤环体积;
步骤4:基于仿真软件ANSYS Workbench建立变温条件光纤环封装结构有限元模型,并对有限元模型进行求解;
如图4所示,定义光纤环封装结构有限元模型中Y轴为光纤环封装结构的高度方向,XZ平面为垂直于Y轴的平面;
设置环境温度为22℃,变温条件下的最低温度为-40℃,最高温度为+60℃;
将步骤2.3的热膨胀系数以及步骤3中其他物理参数赋予光纤环;
向粘接胶、骨架、上盖和器件板赋予材料属性;材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
对光纤环封装结构有限元模型进行求解分别得到-40℃和+60℃光纤环的变形云图,如图5和图6所示,通过光纤环的变形云图提取-40℃和+60℃光纤环的各节点变形。
步骤5:计算-40℃~+60℃时等效光纤直径变形和光纤环内径变形;
步骤5.1:分别计算-40℃和+60℃时等效光纤直径变形,具体公式如下:
Figure BDA0002988657450000101
Figure BDA0002988657450000102
式中:
i=1,2,…,k;k为光纤环上表面的节点个数;
o=1,2,…,p;p为光纤环下表面的节点个数;
Y上i(-40)为-40℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Y下o(-40)为-40℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
Y上i(+60)为+60℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Y下o(+60)为+60℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
n为光纤环每层光纤匝数;
步骤5.2:分别计算-40℃和+60℃光纤环内径变形,具体计算公式如下:
Figure BDA0002988657450000111
Figure BDA0002988657450000112
式中:
q=1,2,…,r(r为光纤环内表面的节点个数);
X内q(-40)为-40℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Z内q(-40)为-40℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
X内q(+60)为+60℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Z内q(+60)为+60℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
步骤6:计算-40℃和+60℃时光纤环长度和光纤环直径,具体计算公式如下:
Figure BDA0002988657450000113
Figure BDA0002988657450000114
Figure BDA0002988657450000115
Figure BDA0002988657450000116
式中:
m:光纤环层数;
n:光纤环每层光纤匝数;
D:环境温度为22℃时光纤环内径;
D0:环境温度为22℃时等效光纤直径;
ΔD0(-40)为-40℃等效光纤直径变形;
ΔD0(+60)为+60℃等效光纤直径变形;
ΔD内(-40)为-40℃光纤环内径变形;
ΔD内(+60)为+60℃光纤环内径变形;
步骤:7:计算变温(-40~+60)℃下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量;
Figure BDA0002988657450000121
式中:
L(-40)为-40℃光纤环长度;
D(-40)为-40℃光纤环直径;
L(+60)为+60℃光纤环长度;
D(+60)为+60℃光纤环直径;
步骤8:试验验证
光纤环采用的光纤为80/135熊猫型保偏光纤,环境温度为22℃时光纤环内径为90mm,光纤环高度为15mm,共64层,每层109匝。各组成部分材料属性参数如表1:
表1材料属性参数
Figure BDA0002988657450000122
Figure BDA0002988657450000131
通过步骤1-7仿真计算方法计算变温条件下(-40~+60)℃由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量为875ppm,与试验结果900ppm较吻合,验证了本发明仿真计算方法的正确性。
步骤9:变温条件下光纤环变形量的控制
步骤9.1:在保持光纤环和光纤环封装结构各组成部分其他物理属性参数不变的条件下,分别调整各组成部分的弹性模量(从0.5倍到2倍),计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量。计算结果如表2所示。
表2
Figure BDA0002988657450000132
步骤9.2:在保持光纤环和光纤环封装结构各组成部分其他物理属性参数不变的条件下,分别调整各组成部分的热膨胀系数(从0.5倍到2倍),计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量。计算结果如表3所示。
表3
Figure BDA0002988657450000141
步骤9.3:基于对表2和表3中变温条件下各组成部分不同弹性模量和热膨胀系数对光纤陀螺标度因数的影响分析可知,通过提高石英包层的弹性模量、降低绕环胶的弹性模量以及降低涂覆层、绕环胶和骨架的热膨胀系数,可有效减小变温环境下光纤环变形,提高变温环境下光纤陀螺标度因数稳定性。

Claims (6)

1.一种基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于,具体实现步骤如下:
步骤1:基于仿真软件建立XY平面为光纤环矩形截面,Z轴长度为L的立方体模型;
所述光纤环矩形截面在X轴方向的长度由光纤的匝数决定,在Y轴方向的长度由光纤的层数决定;
定义单根光纤由石英包层和涂覆层组成,涂覆层外径为光纤直径D1;光纤与外围等厚均布的绕环胶作为等效光纤,直径为D0
步骤2:计算变温度条件下光纤环的热膨胀系数;
步骤2.1:分别给步骤1的立方体模型中石英包层、涂覆层以及绕环胶赋予材料属性;所述材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
步骤2.2:求解变温条件下立方体模型在Z轴方向的平均伸长量ΔL;
定义变温条件下的最低温度为T1℃,最高温度为T2℃,将立方体模型中Z轴方向两端的其中一个端面设为固定约束,提取另一端面上每个节点在Z轴方向的变形,计算节点的平均变形并将其定义为平均伸长量ΔL;
步骤2.3:根据平均伸长量ΔL求解变温度条件下立方体模型的热膨胀系数,并将其定义为光纤环的热膨胀系数;
步骤3:计算变温条件下光纤环的其他物理参数;
通过计算石英包层、涂覆层和绕环胶在光纤环中所占的体积比,计算加权平均后光纤环的其他物理参数;
所述光纤环的其他物理参数包括密度、比热容、导热系数、泊松比、弹性模量;
步骤4:基于仿真软件建立变温条件光纤环封装结构有限元模型,并对有限元模型进行求解;
定义光纤环封装结构有限元模型中Y轴为光纤环封装结构的高度方向,XZ平面为垂直于Y轴的平面;
设定环境温度为T℃;变温条件下的最低温度为T1℃,最高温度为T2℃;
将步骤2.3的热膨胀系数以及步骤3中其他物理参数赋予光纤环;
给粘接胶、骨架、上盖和器件板赋予材料属性;所述材料属性包括密度、比热容、导热系数、泊松比以及弹性模量;
对光纤环封装结构有限元模型进行求解分别得到T1℃和T2℃光纤环的变形云图,在光纤环的变形云图中提取T1℃和T2℃光纤环的各节点变形;
步骤5:计算T1℃~T2℃时等效光纤直径变形和光纤环内径变形;
步骤5.1:分别计算T1℃和T2℃时等效光纤直径变形,具体公式如下:
Figure FDA0002988657440000021
Figure FDA0002988657440000022
式中:
i=1,2,…,k;k为光纤环上表面的节点个数;
o=1,2,…,p;p为光纤环下表面的节点个数;
Figure FDA0002988657440000023
为T1℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Figure FDA0002988657440000024
为T1℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
Figure FDA0002988657440000031
为T2℃时光纤环上表面第i个节点在Y方向变形;
Figure FDA0002988657440000032
为T2℃时光纤环下表面第o个节点在Y方向变形;
n为光纤环每层光纤匝数;
步骤5.2:分别计算T1℃和T2℃光纤环内径变形,具体计算公式如下:
Figure FDA0002988657440000033
Figure FDA0002988657440000034
式中:
q=1,2,…,r;r为光纤环内表面的节点个数;;
Figure FDA0002988657440000035
为T1℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Figure FDA0002988657440000036
为T1℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
Figure FDA0002988657440000037
为T2℃时光纤环内表面第q个节点在X方向变形;
Figure FDA0002988657440000038
为T2℃时光纤环内表面第q个节点在Z方向变形;
步骤6:计算T1℃~T2℃时光纤环长度和光纤环直径,具体计算公式如下:
Figure FDA0002988657440000039
Figure FDA00029886574400000310
Figure FDA00029886574400000311
Figure FDA0002988657440000041
式中:
Figure FDA0002988657440000042
为T1℃时光纤环长度;
Figure FDA0002988657440000043
为T1℃时光纤环直径;
Figure FDA0002988657440000044
为T2℃时光纤环长度;
Figure FDA0002988657440000045
为T2℃时光纤环长度;
m:光纤环层数;
n:光纤环每层光纤匝数;
D:环境温度T℃时光纤环内径;
D0:环境温度T℃时等效光纤直径;
Figure FDA0002988657440000046
为T1℃等效光纤直径变形;
Figure FDA0002988657440000047
为T2℃等效光纤直径变形;
Figure FDA0002988657440000048
为T1℃光纤环内径变形;
Figure FDA0002988657440000049
为T2℃光纤环内径变形;
步骤7:计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量,具体公式为:
Figure FDA00029886574400000410
2.根据权利要求1所述的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于:还包括步骤8:变温条件下光纤环变形量的控制;
步骤8.1:保持光纤环各组成部分以及光纤环封装结构其他材料属性不变的情况下,调整光纤环各组成部分以及光纤环封装结构各组成部分的弹性模量,计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量;
步骤8.2:保持光纤环各组成部分以及光纤环封装结构其他材料属性不变的情况下,调整光纤环各组成部分以及光纤环封装结构各组成部分的热膨胀系数,计算变温条件下由光纤环变形引起的光纤环陀螺标度因数变化量;
步骤8.3:基于对步骤8.1中计算出的光纤环陀螺标度因数变化量以及步骤8.2中计算出的光纤环陀螺标度因数变化量进行分析后,通过提高或降低光纤环各组成部分的弹性模量或膨胀系数,或者提高或降低骨架的膨胀系数,从而有效控制变温条件下光纤环变形。
3.根据权利要求1所述的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于:所述步骤2.3的具体求解公式为:
Figure FDA0002988657440000051
4.根据权利要求1所述的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于:步骤3中光纤环的其他物理参数求解公式为:
Figure FDA0002988657440000052
其中,S光纤环表示光纤环的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S石英包层表示石英包层的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S涂覆层表示涂覆层的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;S绕环胶表示绕环胶的密度或比热容或导热系数或泊松比或弹性模量;V光纤环表示光纤环的体积;V石英包层表示石英包层的体积;V涂覆层表示涂覆层的体积;V绕环胶表示绕环胶的体积。
5.根据权利要求1所述的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于:所述仿真软件采用ANSYS Workbench。
6.根据权利要求1所述的基于仿真技术获取光纤陀螺变温标度因数的方法,其特征在于:T1℃≥-45℃,T2℃≤+70℃;T℃的取值范围是22℃至25℃。
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