CN113112953A - 显示面板的显示控制方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板的显示控制方法及显示装置,本申请提供的显示面板的显示控制方法在补偿数据电压超出了所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力时,通过牺牲部分所述显示面板的亮度,提高所述显示面板的均一性,进而提高显示装置的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的显示控制方法及显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode,Mini LED)等显示应用中。通过电压控制驱动晶体管的电流来实现像素灰阶的切分。对于流过有机发光二极管的电流有如下公式:
其中,Ids为流过有机发光二极管的电流,μn为驱动薄膜晶体管的载流子迁移率,Cox为驱动薄膜晶体管的栅氧化层单位面积电容,为驱动薄膜晶体管的沟道宽长比,Vgs为驱动薄膜晶体管的栅源极电压,Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压;的值为驱动薄膜晶体管的本征导电因子K值。
但由于驱动晶体管的制程工艺等原因,整个显示面板的驱动晶体管的特性均有差异,从而影响显示装置的显示质量。具体地,在长时间点亮的情况下,驱动晶体管的Vth和K值特性会发生漂移,进一步影响面板显示的均一性。因此,需要通过侦测并补偿驱动晶体管的Vth和K值特性,提高显示面板的均一性。由于补偿数据电压最终都是以改变电压的形式实现,因此在Vth和K值漂移过大时,补偿后的电压数据超出了驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力,导致均一性和亮度性能均下降,而均一性下降对显示质量的影响更加明显。
发明内容
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请第一方面提供一种显示面板的显示控制方法,所述显示面板包括驱动晶体管,所述显示控制方法包括:
步骤S1:分别获取对应的所述驱动晶体管的各个像素的漂移参数;
步骤S2:根据所述漂移参数,生成各个像素的补偿数据电压;
步骤S3:判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;
步骤S4:若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复所述步骤S1~S3;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压并进行下一步骤;及
步骤S5:根据所述最终补偿数据电压补偿所述像素的驱动电压。
在本申请一可选实施例中,所述漂移参数包括阈值电压和/或本征导电因子。
在本申请一可选实施例中,“判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力”的步骤包括:
将每个像素的所述补偿数据电压与所述驱动晶体管的最大驱动电压比较,获取所述补偿数据电压中不大于所述最大驱动电压的像素数量在所有像素中所占的百分比;及
比较所述百分比与一预设百分比的大小;若所述百分比不小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压未超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力,若所述百分比小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力。
在本申请一可选实施例中,所述预设百分比为95%。
在本申请一可选实施例中,“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
其中,Vth1和K1为所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压对应的像素的驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vgs2、Vth2和K2为任一个所述第一部分像素的驱动薄膜晶体管的栅源极电压、驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vicmax为所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
在本申请一可选实施例中,所述阈值电压和/或本征导电因子通过一像素驱动电路获取;所述像素驱动电路包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一存储电容及有机发光二极管;其中,所述第一晶体管的栅极连接一扫描信号,所述第一晶体管的源极连接一数据信号,所述第一晶体管的漏极电性连接第一节点;所述第二晶体管的栅极电性连接所述第一节点,所述第二晶体管的源极电性连接第二节点,所述第二晶体管的漏极接入直流电压;所述第三晶体管的栅极接入侦测信号,所述第三晶体管的漏极电性连接所述第二节点,所述第三晶体管的源极电性连接参考电压;所述存储电容的第一端电性连接所述第一节点,所述存储电容的第二端电性连接第二节点;所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二节点,所述有机发光二极管的阴极接地。
本申请第二方面提供一种显示装置,包括显示控制模块,所述显示控制模块包括处理模块及与所述处理模块电性连接的存储模块;其中,所述处理模块用于执行如下命令:
分别获取显示面板中的对应驱动晶体管的各个像素的漂移参数;
根据所述漂移参数,生成补偿数据电压;
判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复上述命令;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压;及
根据最终补偿数据电压补偿所述像素的驱动电压。
在本申请一可选实施例中,命令“判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围”包括:
将每个像素的所述补偿数据电压与所述最大驱动电压比较,计算出所述补偿数据电压中不大于所述最大驱动电压的像素占所有像素的百分比;及
比较所述百分比与一预设百分比的大小;若所述百分比不小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压未超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力,若所述百分比小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力。
在本申请一可选实施例中,“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值。
在本申请一可选实施例中,
“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
本申请的有益效果:本申请提供的显示面板的显示控制方法在补偿数据电压超出了所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力时,通过牺牲部分所述显示面板的亮度,使得显示面板的均一性可以继续得到补偿,进而提高显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请较佳实施例提供的一种显示面板的显示控制方法的流程示意图。
图2为本申请较佳实施例提供的一种显示控制模块的示意图;
图3为本申请较佳实施例提供的一种像素驱动电路的等效电路图;
图4为运用图3所示的像素驱动电路侦测Vth的时序图;
图5为运用图3所示的像素驱动电路侦测K值的时序图;及
图6为图1涉及的显示控制模块的模块示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
本申请可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
本申请针对现有的在Vth和K值漂移过大时,补偿后的电压数据超出了驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力,导致均一性和亮度性能均下降的等技术问题,通过牺牲部分所述显示面板的亮度,以使得显示面板的均一性提高,进而提高显示装置的显示效果。
以下将结合具体实施例对本申请的显示面板的侦测补偿方法、侦测补偿装置及显示装置进行详细描述。
请参阅图1及图2,本申请提供一种显示面板的显示控制方法、显示控制模块及显示面板,所述显示面板包括驱动晶体管,所述侦测补偿方法包括步骤:
步骤S1:分别获取对应所述驱动晶体管的各个像素的漂移参数;
步骤S2:根据所述漂移参数,生成各个像素的补偿数据电压;
步骤S3:判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;
步骤S4:若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复所述步骤S1~S3;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压并进行下一步步骤;及
步骤S5:根据最终补偿数据电压补偿所述像素的所述驱动电压。
所述漂移参数包括阈值电压和/或本征导电因子。
在本申请一可选实施例中,所述驱动晶体管具有一最大驱动电压,“判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力”包括:
步骤S31:将每个像素的所述补偿数据电压与所述驱动晶体管的最大驱动电压比较,获取所述补偿数据电压中不大于所述最大驱动电压的像素数量在所有像素中所占的百分比;及
步骤S32:比较所述百分比与一预设百分比的大小;若所述百分比不小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压未超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力,若所述百分比小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力。
其中,所述预设百分比需根据具体情况进行设定。在本申请一可选实施例中,所述预设百分比为95%。
其中,“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
其中,Vth1和K1为所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压对应的像素的驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vgs2、Vth2和K2为任一个所述第一部分像素的驱动薄膜晶体管的栅源极电压、驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vicmax为所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
在本申请一可选实施例中,所述漂移参数为阈值电压(简称:Vth)或本征导电因子(简称:K值)。其中,生成各个像素的所述补偿数据电压的方法,可以采用现有技术中常用的通过Vth或K值得到补偿数据电压的方法。
在本申请一可选实施例中,所述Vth和K值通过一像素驱动电路侦测。
在本申请一可选实施例中,请参阅图2,所述像素驱动电路包括一第一晶体管T1、一第二晶体管T2、一第三晶体管T3、一存储电容Cst及有机发光二极管OLED。
其中,所述第一晶体管T1的栅极连接一扫描信号Gate,所述第一晶体管T1的源极连接一数据信号Data,所述第一晶体管T1的漏极电性连接第一节点G;所述第二晶体管T2的栅极电性连接所述第一节点G,所述第二晶体管T2的源极电性连接第二节点S,所述第二晶体管T2的漏极接入直流电压VDD;所述第三晶体管T3的栅极接入侦测信号Sence,所述第三晶体管T3的漏极电性连接所述第二节点S,所述第三晶体管T3的源极电性连接参考电压Vref;所述存储电容Cst的第一端电性连接所述第一节点G,所述存储电容Cst的第二端电性连接第二节点S;所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接所述第二节点S,阴极接地。
在本申请一可选实施例中,请参阅图2及图3,所述Vth的侦测方法包括如下步骤:
步骤S11,在所述Vref处输入复位电压,并在所述第一晶体管T1的源极写入第一数据电压Vg1。Vg1指第一节点G的电压,也指所述第二晶体管T2的栅极电压。在本申请一可选实施例中,Vg1=Vdata。
步骤S12,在电压写入完毕后,断开Vref。此时,所述第二晶体管T2导通,并给所述存储电容Cst充电,所述第二节点S处的电压Vs1抬升。此时,Vs1也指所述第二晶体管T2的源极电压。
步骤13,当Vs不再抬升时,截止所述第二晶体管T2,此时,Vth=Vg1-Vs1。
步骤14,在Vref处接入一模数转换器ADC(图未示),读取电压。所述模数转换器ADC读取的电压即为所述第二晶体管T2的源极电压Vs1。
步骤15,根据Vth=Vg1-Vs1=Vdata-Vs1计算得到所述Vth。
当然,在其他实施方式中,所述Vth还可以通过其他的方法侦测得到。
在本申请一可选实施例中,请参阅图2-图5,所述述K值的侦测方法包括如下步骤:
步骤S16,在所述Vref处输入复位电压,并在所述第一晶体管T1的源极写入第一数据电压Vg1。此时,Vg1=Vdata,Vg1指所述第二晶体管T2的栅极电压。
步骤S17,在电压写入完毕后,断开Vref并关闭Gata。此时,所述第二晶体管T2导通,并给所述存储电容Cst充电,所述第二节点S处的电压Vs1抬升。此时,Vs1也指所述第二晶体管T2的源极电压。
步骤S18,在极短的时间Δt内,测量所述第二晶体管T2的源极电压Vs1以及流过所述第二晶体管T2的第一电流DataI1。
步骤S19,重复步骤S17和S18,并侦测写入第二电压Vg2时,所述第二晶体管T2的源极电压Vs2以及流过所述第二晶体管T2的第二电流DataI2。及
步骤20,根据预设的所述第二晶体管T2的K值的计算公式(I):
其中,C为电容积分器的电容值,DataI1为第一电流,DataI2为第二电流,Vgs1=Vg1-Vs1,Vgs2=Vg2-Vs2,Δt为设定的电流积分器的积分时长。
其中,所述公式(I)的推到过程如为:根据驱动薄膜晶体管电流公式:Ids=K(Vgs-Vth)2,其中,K为常数,Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压,则在第一数据电压驱动下,流过第二薄膜晶体管的电流Ids1为:Ids1=K(Vgs1-Vth)2,在第二数据电压驱动下,流过第二薄膜晶体管的电流Ids2为:Ids2=K(Vgs2-Vth)2,两式同时变形可得:再将变形后的两式相减可得:而Ids1=DataI1×C/ΔT,Ids2=DataI2×C/ΔT,分别代入后化简可得所述公式(I)。
当然,在其他实施方式中,所述K值还可以通过其他的方法侦测得到。
请参阅图6,本申请还提供一种显示装置,包括显示控制模块100,用于运行如上所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,所述显示控制模块100包括所述处理模块10及与所述处理模块10电性连接的存储模块20。
其中,所述处理模块10用于执行如下命令:
分别获取显示面板中的对应驱动晶体管的每个像素的漂移参数;
根据所述漂移参数,生成补偿数据电压;
判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复上述命令;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压并进行下一命令;
根据最终补偿数据电压补偿所述显示面板的驱动电压。
其中,所述存储模块用于存储所述补偿数据电压及所述最终补偿数据电压。
“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
其中,Vth1和K1为所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压对应的像素的驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vgs2、Vth2和K2为任一个所述第一部分像素的驱动薄膜晶体管的栅源极电压、驱动薄膜晶体管的阈值电压和本征导电因子值,Vicmax为所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
具体地,所述处理模块10包括第一获取单元11、第二获取单元12、补偿数据电压生成单元13及数据处理单元14。所述第一获取单元11用于侦测所述驱动晶体管的每个像素的Vth。所述第二获取单元12用于侦测所述驱动晶体管的每个像素的K值。所述补偿数据电压生成单元13与所述第一获取单元11与所述第二获取单元12电性连接且用于根据所述Vth和K值生成补偿数据电压。所述数据处理单元14与所述补偿数据电压生成单元13电性连接且用于接收所述补偿数据电压并判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围。
本申请的有益效果:本申请提供的显示面板的显示控制方法在补偿数据电压超出了所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力时,1)通过牺牲部分所述显示面板的亮度,以提高所述显示面板的均一性,进而提高显示装置的显示效果;2)本申请提供的显示控制模组可以应用于OLED、Mini LED等显示面板中;3)本申请提供的显示控制模组增加了显示面板的使用寿命;4)本申请提供的显示控制模组不需要提高驱动集成电路的输出能力,不增加成本。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的显示控制方法,所述显示面板包括驱动晶体管,其特征在于,所述显示控制方法包括:
步骤S1:分别获取对应的所述驱动晶体管的各个像素的漂移参数;
步骤S2:根据所述漂移参数,生成各个像素的补偿数据电压;
步骤S3:判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;
步骤S4:若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复所述步骤S1~S3;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压并进行下一步骤;及
步骤S5:根据所述最终补偿数据电压补偿所述像素的驱动电压。
2.如权利要求1所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,所述漂移参数包括阈值电压和/或本征导电因子。
3.如权利要求1所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,“判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力”的步骤包括:
将每个像素的所述补偿数据电压与所述驱动晶体管的最大驱动电压比较,获取所述补偿数据电压中不大于所述最大驱动电压的像素数量在所有像素中所占的百分比;及
比较所述百分比与一预设百分比的大小;若所述百分比不小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压未超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力,若所述百分比小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力。
4.如权利要求3所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,所述预设百分比为95%。
5.如权利要求3所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
7.如权利要求2所述的显示面板的显示控制方法,其特征在于,所述阈值电压和/或本征导电因子通过一像素驱动电路获取;所述像素驱动电路包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一存储电容及有机发光二极管;其中,所述第一晶体管的栅极连接一扫描信号,所述第一晶体管的源极连接一数据信号,所述第一晶体管的漏极电性连接第一节点;所述第二晶体管的栅极电性连接所述第一节点,所述第二晶体管的源极电性连接第二节点,所述第二晶体管的漏极接入直流电压;所述第三晶体管的栅极接入侦测信号,所述第三晶体管的漏极电性连接所述第二节点,所述第三晶体管的源极电性连接参考电压;所述存储电容的第一端电性连接所述第一节点,所述存储电容的第二端电性连接第二节点;所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二节点,所述有机发光二极管的阴极接地。
8.一种显示装置,包括显示控制模块,其特征在于,所述显示控制模块包括处理模块及与所述处理模块电性连接的存储模块;其中,所述处理模块用于执行如下命令:
分别获取显示面板中的对应驱动晶体管的各个像素的漂移参数;
根据所述漂移参数,生成补偿数据电压;
判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围;若超出,则降低所述显示面板的整体亮度并重复上述命令;若不超出,则所述补偿数据电压为最终补偿数据电压;及
根据最终补偿数据电压补偿所述像素的驱动电压。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,命令“判断所述补偿数据电压是否超出所述驱动晶体管的驱动集成电路的输出能力范围”包括:
将每个像素的所述补偿数据电压与所述最大驱动电压比较,计算出所述补偿数据电压中不大于所述最大驱动电压的像素占所有像素的百分比;及
比较所述百分比与一预设百分比的大小;若所述百分比不小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压未超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力,若所述百分比小于所述预设百分比,则所述补偿数据电压超出所述驱动晶体管的集成电路的输出能力。
10.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,“降低所述显示面板的整体亮度”的步骤包括:将各个所述像素的驱动电压降低一预设电压值ΔV,其中,ΔV的计算方法如下:
将多个所述像素的补偿数据电压按从大到小或从小到大排列;及
将多个所述像素的补偿数据电压对应的像素分为第一部分像素和第二部分像素,所述第二部分的多个像素的补偿数据电压均大于所述第一部分的多个像素的补偿数据电压,所述第一部分像素的个数占所有像素的百分比为所述预设百分比,所述第二部分的像素的个数占所有像素的百分比与所述预设百分比的和为1;其中,ΔV等于所述第一部分像素中的最大的补偿数据电压与所述显示面板的驱动集成电路的最大输出电压。
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