CN113109740A - 隔离型市电通断检测电路、装置和方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种隔离型市电通断检测电路、装置和方法。该方法包括：第一二极管的正极与市电的火线连接，第一二极管的负极与光耦的第一引脚连接。光耦的第一引脚与第一二极管的负极连接，光耦的第二引脚与市电的零线连接，光耦的第三引脚和第四引脚与电容连接，光耦的第一引脚和第二引脚为与光耦的发光元件连接的引脚，光耦的第三引脚和第四引脚为与光耦的光敏元件连接的引脚。电容与第四引脚连接的一端接地，电容与第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端SIG连接。当光敏元件导通时，电容放电。当光敏元件不导通时，电容充电。本申请的方法，在保证了功能完整和安全的前提下，缩小了产品尺寸，降低了产品成本。

Description

隔离型市电通断检测电路、装置和方法

技术领域

本申请涉及电子电路领域，尤其涉及一种隔离型市电通断检测电路、装置和方法。

背景技术

在电气设备的使用过程中，很多设备需要使用市电来实现电气设备的运行。在这些电气设备的使用过程中通常需要对市电进行监控，以保证电气设备的正常运行。

现有技术中，通常使用监控设备检测电气设备的市电是否导通。其中，该监控设备可以为一个市电通断检测电路。目前，常见的市电通断检测电路通常使用整流桥和光耦，实现市电信号的检测。

然而，该市电监控设备存在产品尺寸大、成本高的问题。

发明内容

本申请提供一种隔离型市电通断检测电路、装置和方法，用以解决现有市电监控设备中存在的产品尺寸大、成本高等问题。

第一方面，本申请提供一种隔离型市电通断检测电路，包括：光耦、第一二极管和电容；

所述第一二极管的正极与市电的火线连接，所述第一二极管的负极与所述光耦的第一引脚连接；

所述光耦的所述第一引脚与所述第一二极管的负极连接，所述光耦的第二引脚与市电的零线连接，所述光耦的第三引脚和第四引脚与所述电容连接，所述光耦的所述第一引脚和所述第二引脚为与所述光耦的发光元件连接的引脚，所述光耦的所述第三引脚和所述第四引脚为与所述光耦的光敏元件连接的引脚；

所述电容与所述第四引脚连接的一端接地，所述电容与所述第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端连接。

可选地，所述输出端在没有所述市电时输出高电平信号。

可选地，所述电路，还包括：第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述直流电源连接，所述第三电阻的另一端与所述电容连接。

可选地，所述第三电阻的阻值根据所述市电的频率确定。

可选地，所述电路，还包括：第一电阻；

所述第一电阻的一端与所述第一二极管的所述负极连接，所述第一电阻的另一端与所述光耦的第一引脚连接。

可选地，所述电路，还包括：第二电阻；

所述第二电阻的一端与所述光耦的所述第一引脚连接，所述第二电阻的另一端与所述光耦的所述第二引脚连接。

可选地，所述电路，还包括：第二二极管

所述第二二极管的负极与所述光耦的所述第一引脚连接，所述第二二极管的正极与所述光耦的所述第二引脚连接。

第二方面，本申请提供一种隔离型市电通断检测装置，包括：隔离型市电通断检测电路和单片机；

所述隔离型市电通断检测电路的输入端与市电的零火线连接，输出端与单片机连接，所述隔离型市电通断检测电路用于根据所述输入端输入的电平信号，在输出端输出对应的电平信号；

所述单片机用于根据所述输出端输出的所述电平信号，确定所述市电是否导通。

第三方面，本申请提供一种隔离型市电通断检测方法，应用单片机，所述方法，包括：

获取电平信号，所述电平信号为隔离型市电通断检测电路的输出端输出的电平信号；

根据所述电平信号和预设电平阈值，确定市电是否导通；

当没有所述市电时，发送异常提醒。

可选地，所述预设电平阈值为高电平。

本申请提供的隔离型市电通断检测电路，通过第一二极管的正极与市电的火线连接，第一二极管的负极与光耦的第一引脚连接，该第一二极管用于通过该火线的正向波，限制该火线的反向；光耦的第一引脚与第一二极管的负极连接，光耦的第二引脚与市电的零线连接，光耦的第三引脚和第四引脚与电容连接，光耦的第一引脚和第二引脚为与光耦的发光元件连接的引脚，光耦的第三引脚和第四引脚为与光耦的光敏元件连接的引脚；当正向波输入该光耦时，该光耦中的发光元件发光，光敏元件导通；当反向波输入该光耦时，该光耦中的发光元件不发光，光敏元件不导通；电容与第四引脚连接的一端接地，电容与第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端SIG连接；当光敏元件导通时，电容放电；当光敏元件不导通时，电容充电的手段，实现缩小产品尺寸、降低产品成本的效果，并在保证了功能完整和安全的前提下，把成本精简到了极限。同时，该电路中的光耦实现了市电端和低压端的隔离，增加了安全电气距离，提高了电气设备的安全性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测装置的应用场景示意图；

图2为本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测电路的结构示意图；

图3为本申请一实施例提供的另一种隔离型市电通断检测电路的结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测装置的结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测方法的流程图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。

取决于语境，如在此所使用的词语"如果"可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。

应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。

此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

在电气设备的使用过程中，很多设备需要使用市电来实现电气设备的运行。在这些电气设备的使用过程中通常需要对市电进行监控，以保证电气设备的正常运行。现有技术中，通常使用监控设备检测电气设备的市电是否导通。其中，该监控设备可以为一个市电通断检测电路。目前，常见的市电通断检测电路通常使用整流桥和光耦，实现市电信号的检测。或者，其他的市电通断检测电路通常存在尺寸大，成本高的问题。然而，在实际使用中，为了便于将该监控设备嵌入电气设备中，通常需要对该监控设备的尺寸和成本提出要求。

针对上述技术要求，本申请提出了一种隔离型市电通断检测设备。该隔离型市电通断检测设备包括隔离型市电通断检测电路和单片机。其中，单片机可以为应用于该电气设备的单片机。因此，当使用本申请所示的隔离型市电通断检测设备时，只需在电气设备中加入隔离型市电通断检测电路即可。其中，隔离型市电通断检测电路可以包括光耦、第一二极管和电容。其中，第一二极管用于通过该火线的正向波，并阻断该火线的反向波。其中，光耦用于实现光电转换，使其中的发光元件在火线发送正向波时发光，在火线发送反向波或者不导通时停止发光。其中，电容与光耦中的光敏元件连接。当发光元件发光时，光敏元件导通，电容放电。当发光元件不发光时，光敏元件断开，电容充电。该电容的一端与该隔离型市电通断检测电路的输出端连接。当该电容充满后，该输出端输出高电平。否则，该输出端输出低电平。进而，单片机根据输出端输出的电平信号，实现市电是否导通的判断。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图1示出了本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测装置的应用场景示意图。如图1所示，该应用场景中包括一个电气设备。该电气设备需要接通市电来实现电气设备的运行。该电气设备中可以嵌入有隔离型市电通断检测电路。该隔离型市电通断检测电路域单片机连接。该单片机可以为该电气设备的单片机。或者，该单片机还可以为一个外设的单片机。当市电接入该电气设备后，该隔离型市电通断检测电路可以持续监测市电是否导通。当没有市电时，单片机可以根据隔离型市电通断检测电路发送的高电平信号，发送异常提醒。

图2示出了本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测电路的结构示意图。在图1所示实施例的基础上，如图2所示，本实施例的隔离型市电通断检测电路可以包括：光耦11、第一二极管12和电容13。

本实施例中，隔离型市电通断检测电路还包括输入端和输出端SIG。其中，输入端与市电的零火线连接，用于获取市电的电平信号。其中输出端SIG与单片机连接，用户向单片机输出市电通断检测结果。

隔离型市电通断检测电路的输入端与光耦11的第一引脚和第二引脚连接。其中，光耦11的第一引脚和第二引脚为与发光元件连接的引脚。光耦11的第一引脚可以如图中L1所示，第二引脚可以如图中L2所示。该第一引脚L1与市电的火线的端口连接。该火线的端口为如图所示220-L的端口。第二引脚与市电的零线连接。该零线的端口为如图所示220-N的端口。

其中，在市电的火线与该第一引脚L1之间，还连接有第一二极管12。该第一二极管12的正极与市电的火线连接，负极与光耦11的第一引脚连接。由于市电为交流电，因此，市电中包括正向波和反向波，该第一二极管12可以通过该市电中的正向波，限制该市电中的反向波。因此，当该火线中发送正向波时，该光耦11中的发光元件发光。当该火线中发送反向波时，该光耦11中的发光元件不发光。或者，当没有市电时，该光耦11中的发光元件不发光。

其中，光耦11还包括第三引脚L3和第四引脚L4。光耦11的第三引脚和第四引脚为与光敏元件连接的引脚。光耦11的第三引脚可以如图中L3所示，第四引脚可以如图中L4所示。该第三引脚和第四引脚与电容13连接。当该光耦11中的发光元件发光时，该光耦11中的光敏元件导通。当该光敏元件导通时，该电容13执行放电操作。当该光耦11中的发光元件不发光时，该光耦11中的光敏元件不导通。此时，电容13通过与之连接的直流电源VCC进行充电。

其中，电容13与第四引脚连接的一端还接地，电容13与第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端SIG连接。当电容13中的电量未充满时，直流电源VCC输出的电平信号用于对电容13进行充电。此时，输出端SIG输出低电平信号。当电容13中电量充满时，直流电源VCC输出的电平信号通过输出端SIG进行输出。此时，输出端SIG输出高电平信号。

在市电导通的时，市电根据其固定的频率向该第一二极管12输入正向波和反正波。当市电输入正向波时，该光耦11的发光元件发光，光敏元件导通。此时，电容13放电。当市电输入为反向波时，该光耦11的发光元件不发光，光敏元件不导通。促使，电容13充电。由于该过程中，电容13的充电时间与放电时间一致，因此，可以认为在该频率的一个周期内，该电容13中的电量保持不变。且在该周期内，电容13的电量始终处于未充满状态。例如，当市电的频率为50Hz，周期时间为0.02s时，第一二极管12中0.01s输入正向波，0.01s输入反向波。在正向波输入的0.01s内，电容13放电。在反正波输入的0.01s内，电容13充电。

本申请提供的隔离型市电通断检测电路中包括光耦、第一二极管和电容。其中，第一二极管的正极与市电的火线连接，第一二极管的负极与光耦的第一引脚连接。该第一二极管用于通过该火线的正向波，限制该火线的反向波。其中，光耦的第一引脚与第一二极管的负极连接，光耦的第二引脚与市电的零线连接，光耦的第三引脚和第四引脚与电容连接，光耦的第一引脚和第二引脚为与光耦的发光元件连接的引脚，光耦的第三引脚和第四引脚为与光耦的光敏元件连接的引脚。当正向波输入该光耦时，该光耦中的发光元件发光，光敏元件导通。当反向波输入该光耦时，该光耦中的发光元件不发光，光敏元件不导通。其中，电容与第四引脚连接的一端接地，电容与第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端SIG连接。当光敏元件导通时，电容放电。当光敏元件不导通时，电容充电。本申请中，通过使用上述三个元件，使实现了缩小产品尺寸、降低产品成本的效果，并在保证了功能完整和安全的前提下，把成本精简到了极限。同时，该电路中的光耦实现了市电端和低压端的隔离，增加了安全电气距离，提高了电气设备的安全性。

图3示出了本申请一实施例提供的另一种隔离型市电通断检测电路的结构示意图。在图1和图2所示实施例的基础上，如图3所示，本实施例的隔离型市电通断检测电路还可以包括：第一电阻14、第二电阻15、第三电阻16和第二二极管17。

本实施例中，第三电阻16的一端与直流电源连接，另一端与电容13连接。该第三电阻16用于控制电容13的充电时间。由于市电为交流电，因此，电容13在半个周期内为充电，半个周期内为放电。为了避免电容13在半个周期的时间内充满电，直流电源VCC与电容13之间可以增加第三电阻16。该第三电阻16可以与电容13分压，使电容13的充电时间降低。其中，该第三电阻16的阻值可以根据市电的频率确定。例如，当市电的频率为50Hz，周期时间为0.02s时，该隔离型市电通断检测电路需要使用该第三电阻16，使该电容13的充电时间可以远大于0.02s。该电容13的充电时间可以保证在市电导通阶段，该直流电源VCC的电平信号均用于电容13的充电，从而保证输出端SIG输出的电信号为低电平信号。

其中，隔离型市电通断检测电路的输出端SIG输出的电平信号与第三电阻16和电容13直接相关。由于不同的单片机MCU具有不同的低电平阈值，因此，第三电阻16的选择和电容13的选择需要根据单片机进行调整。该隔离型市电通断检测电路可以通过计算匹配合适的第三电阻16和电容13，保证市电的一个周期内，输出端SIG输出的电平信号远低于单片机MCU的触发电平。

其中，第一电阻14的一端与第一二极管12的负极连接，第一电阻14的另一端与光耦11的第一引脚连接。该第一电阻14用于在该市电的输入端进行分压，从而避免光耦11的电压过大导致的不必要损耗。其中，第二电阻15的一端与光耦11的第一引脚连接，第二电阻15的另一端与光耦11的第二引脚连接。该第二电阻15用于在市电的输入端进行分流，从而避免光耦11的输入电流过大导致的不必要损耗。其中，第二二极管17的负极与光耦11的第一引脚连接，第二二极管17的正极与光耦11的第二引脚连接。该第二二极管17用于保护光耦11不被反向击穿。

本申请提供的隔离型市电通断检测电路，通过增加第三电阻，实现了对电容充电时间以及输出端输出的电平信号的控制，进一步提高了电气设备的安全性。本申请通过使用第一电阻实现了对输入端电压的分压，通过使用第二电阻实现了对输入端电流的分流，通过使用第二二极管实现了对光耦的防击穿，提高了光耦的安全性，提高了设备的使用寿命。

图4示出了本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测装置的结构示意图。如图4所示，本实施例的隔离型市电通断检测装置20可以包括：隔离型市电通断检测电路21和单片机22。

其中，隔离型市电通断检测电路21的输入端与市电的零火线连接，输出端与单片机22连接，隔离型市电通断检测电路21用于根据输入端输入的电平信号，在输出端输出对应的电平信号。

其中，单片机22与隔离型市电通断检测电路21的输出端连接，用于根据输出端输出的电平信号，确定市电是否导通。该单片机22可以为该隔离型市电通断检测装置20所在电气设备上的单片机。或者，该单片机22还可以为该隔离型市电通断检测装置20和该电气设备以外的单片机。

该单片机22中可以包括：存储器、处理器和通信接口。其中，存储器，用于存储计算机指令。该存储器可能包含高速随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，也可能还包括非易失性存储(Non-Volatile Memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器，还可以为U盘、移动硬盘、只读存储器、磁盘或光盘等。其中，处理器，用于执行存储器存储的计算机指令，以实现下述实施例中的隔离型市电通断检测方法。具体可以参见前述方法实施例中的相关描述。该处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，ASIC)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合发明所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。

可选地，存储器既可以是独立的，也可以跟处理器集成在一起。当存储器是独立于处理器之外的器件时，该单片机22还可以包括总线。该总线用于连接存储器和处理器。该总线可以是工业标准体系结构(Industry Standard Architecture，ISA)总线、外部设备互连(Peripheral Component Interconnect，PCI)总线或扩展工业标准体系结构(ExtendedIndustry Standard Architecture，EISA)总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，本申请附图中的总线并不限定仅有一根总线或一种类型的总线。通信接口可以通过总线与处理器连接。通信接口用于在检测发现没有市电时发送报警信息，以提醒管理员对电气设备进行处理，避免电气设备出现故障。

本申请提供的隔离型市电通断检测设备，通过隔离型市电通断检测电路实现市电导通情况得到检测，通过单片机实现市电导通情况的判断。本申请通过该单片机的判断结果实现该市电导通情况的报警，从而提高电气设备的安全性。

图5示出了本申请一实施例提供的一种隔离型市电通断检测方法的流程图。如图5所示，本实施例隔离型市电通断检测方法应用于单片机，可以包括如下步骤：

S101、获取电平信号，电平信号为隔离型市电通断检测电路的输出端输出的电平信号。

本实施例中，单片机可以通过隔离型市电通断检测电路的输出端SIG获取输出的电平信号。该电平信号在市电导通时为低电平。该电平信号在没有市电时为高电平。

S102、根据电平信号和预设电平阈值，确定市电是否导通。

本实施例中，单片机在获取上述电平信号后，将该电平信号与预设电平阈值进行比较。当该电平信号小于预设电平信号时，该单片机确定市电导通。当该电平信号大于等于预设电平信号时，该单片机确定没有市电信号。其中，预设电平阈值为高电平。

S103、当没有市电时，发送异常提醒。

本实施例中，单片机在确定没有市电信号时，向管理员发送异常提醒。该异常提醒用于提醒管理员该电气设备在当前时刻没有市电信号输入。

本申请提供的隔离型市电通断检测方法，通过获取输出端输出的电平信号判断市电是否导通。当判断市电不导通，即没有市电时，发送异常提醒。本申请中，通过使用该单片机，实现市电的异常提醒。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅是示意性的，例如，模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

其中，各个模块可以是物理上分开的，例如安装于一个的设备的不同位置，或者安装于不同的设备上，或者分布到多个网络单元上，或者分布到多个处理器上。各个模块也可以是集成在一起的，例如，安装于同一个设备中，或者，集成在一套代码中。各个模块可以以硬件的形式存在，或者也可以以软件的形式存在，或者也可以采用软件加硬件的形式实现。本申请可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

应该理解的是，虽然上述实施例中的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述电路，包括：光耦、第一二极管和电容；

所述第一二极管的正极与市电的火线连接，所述第一二极管的负极与所述光耦的第一引脚连接；

所述光耦的所述第一引脚与所述第一二极管的负极连接，所述光耦的第二引脚与市电的零线连接，所述光耦的第三引脚和第四引脚与所述电容连接，所述光耦的所述第一引脚和所述第二引脚为与所述光耦的发光元件连接的引脚，所述光耦的所述第三引脚和所述第四引脚为与所述光耦的光敏元件连接的引脚；

所述电容与所述第四引脚连接的一端接地，所述电容与所述第三引脚连接的一端还与一直流电源和输出端连接。

2.根据权利要求1所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述输出端在没有所述市电时输出高电平信号。

3.根据权利要求1或2所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述电路，还包括：第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述直流电源连接，所述第三电阻的另一端与所述电容连接。

4.根据权利要求3所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述第三电阻的阻值根据所述市电的频率确定。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述电路，还包括：第一电阻；

所述第一电阻的一端与所述第一二极管的所述负极连接，所述第一电阻的另一端与所述光耦的第一引脚连接。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述电路，还包括：第二电阻；

所述第二电阻的一端与所述光耦的所述第一引脚连接，所述第二电阻的另一端与所述光耦的所述第二引脚连接。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的隔离型市电通断检测电路，其特征在于，所述电路，还包括：第二二极管；

所述第二二极管的负极与所述光耦的所述第一引脚连接，所述第二二极管的正极与所述光耦的所述第二引脚连接。

8.一种隔离型市电通断检测装置，其特征在于，包括：隔离型市电通断检测电路和单片机；

所述隔离型市电通断检测电路的输入端与市电的零火线连接，输出端与单片机连接，所述隔离型市电通断检测电路用于根据所述输入端输入的电平信号，在输出端输出对应的电平信号；

所述单片机用于根据所述输出端输出的所述电平信号，确定所述市电是否导通。

9.一种隔离型市电通断检测方法，其特征在于，应用单片机，所述方法，包括：

获取电平信号，所述电平信号为隔离型市电通断检测电路的输出端输出的电平信号；

根据所述电平信号和预设电平阈值，确定市电是否导通；

当没有所述市电时，发送异常提醒。

10.根据权利要求9所述的隔离型市电通断检测方法，其特征在于，所述预设电平阈值为高电平。

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