CN113097421A - 显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法。显示基板包括：衬底基板；设置于衬底基板一侧的发光层；设置于发光层远离衬底基板的一侧且覆盖发光层的封装层；其中，封装层包括第一无机层、第二无机层以及设置于第一无机层和第二无机层之间的有机层；有机层包括还原性螯合剂。

Description

显示基板及其制备方法和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，并且具体地涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)显示技术具有自发光、宽视角、广色域、高对比度、轻薄、可折叠、可弯曲、轻薄易携带等特点，成为显示领域研发的主要方向。OLED器件中发光材料对周围环境中的水氧及其敏感，发光材料在接触水氧后特性会发生改变，在显示效果上呈现出GDS(Grow dark spot)等不良现象。因此OLED器件的封装技术及其重要。相关技术中，OLED器件在进行封装过程中，由于封装工艺的影响，不可避免地出现OLED产品出现信赖性后蓝绿点的问题，例如，在测试(85摄氏度以及85％湿度条件下)过程中出现部分像素点发暗或者不亮等问题。

在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的技术构思的背景的理解，因此，以上信息可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

在一个方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板；设置于所述衬底基板一侧的发光层；设置于所述发光层远离所述衬底基板的一侧且覆盖所述发光层的封装层；其中，所述封装层包括第一无机层、第二无机层以及设置于所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层；所述有机层包括还原性螯合剂。

在本公开的示例性实施方式中，所述有机层中包含的所述还原性螯合剂与所述有机层材料的质量比的比例范围是0.01％至0.1％。

在本公开的示例性实施方式中，所述还原性螯合剂包括金属或金属离子。

在本公开的示例性实施方式中，所述金属包括Cu；所述金属离子包括Cu⁺、Fe²⁺中的至少一种。

在本公开的示例性实施方式中，所述有机层还包括甲基丙烯酸甲酯。

在本公开的示例性实施方式中，所述有机层的厚度为0.5至1.5微米。

在本公开的示例性实施方式中，所述第一无机层包括SiNO_x；所述第二无机层包括SiN_x。

本公开的另一方面提供了一种显示装置，包括根据上文所述的显示基板。

本公开的另一方面还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成发光层；在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述发光层的封装层；形成所述封装层包括：形成第一无机层；在所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧形成有机层；在所述有机层的一侧远离所述衬底基板的一侧形成第二无机层；其中，所述有机层包括还原性螯合剂。

在本公开的示例性实施方式中，所述第一无机层和所述第二无机层通过化学气相沉积工艺形成；所述有机层通过喷墨打印工艺形成。

在本公开的示例性实施方式中，所述有机层在通过化学气相沉积工艺形成所述第二无机层发生裂解，所述有机层裂解形成氧化物；所述还原性螯合剂用于吸附或消耗所述氧化物。

在本公开的示例性实施方式中，所述还原性螯合剂与所述有机层材料通过物理混合形成流体，并通过喷墨打印工艺形成所述有机层。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的特征及优点将变得更加明显。

图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图；

图2是根据本公开的示例性实施例的显示基板沿图1中的BB’线截取的截面结构示意图；

图3是根据本公开的示例性实施例的显示基板在形成第二无机层的产生氧化物的示意图；

图4是根据本公开的示例性实施例的显示基板的发光单元在受到氧化物影响的发光强度示意图；

图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的发光单元在受到氧化物氧化的示意图；

图6是根据本公开的示例性实施例的显示基板的还原性螯合剂与氧化物的发生反应的示意图；

图7是根据本公开的示例性实施例的显示基板的制备流程图；

图8是根据本公开的示例性实施例的显示基板的封装层的制备流程图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开的保护范围。

需要说明的是，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。如此，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于图中所示的尺寸和相对尺寸。在说明书和附图中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。

当元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到所述另一元件或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或表述应当以类似的方式解释，例如，“在……之间”对“直接在……之间”、“相邻”对“直接相邻”或“在……上”对“直接在……上”等。此外，术语“连接”可指的是物理连接、电连接、通信连接和/或流体连接。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的，术语“和/或”包括所列相关项中的一个或多个的任何组合和所有组合。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本公开的教导。

为了便于描述，空间关系术语，例如，“上”、“下”、“左”、“右”等可以在此被使用，来描述一个元件或特征与另一元件或特征如图中所示的关系。应理解，空间关系术语意在涵盖除了图中描述的取向外，装置在使用或操作中的其它不同取向。例如，如果图中的装置被颠倒，则被描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为“在”其它元件或特征“之上”或“上面”。

需要说明的是，在本文中，表述“螯合剂”是指金属原子或离子与含有两个或连两个以上配位原子的配位体作用，生成具有环状结构的络合物。表述“还原性螯合剂”是指具有还原性的螯合剂，其能够与具有氧化性的物质反应，消耗掉氧化性物质，或者吸附氧化性物质以抑制氧化性物质的移动或扩散。

图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图。如图1所示，显示基板包括衬底基板10、发光层20以及封装层30。在封装层30封装的中间区域是AA显示区，即用于显示信息的区域。发光层设置有多个发光单元211。

图2是根据本公开的示例性实施例的显示基板沿图1中的BB’线截取的截面结构示意图。

如图2所示，显示基板包括衬底基板10、发光层20以及封装层30。其中，发光层20设置于衬底基板10的一侧，封装层30设置于发光层20的远离衬底基板10的一侧且覆盖发光层20。

其中，发光层20包括驱动结构层200，以及位于驱动结构层200远离衬底基板10一侧的发光结构层210。

封装层30包括第一无机层310、第二无机层330以及设置于第一无机层310和第二无机层330之间的有机层320，有机层320包括还原性螯合剂321。

在本公开的示例性实施方式中，驱动结构层200可以包括形成像素驱动电路的多个薄膜晶体管和存储电容。在示例性实施方式中，驱动结构层200例如可以包括在衬底基板10上依次设置的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一栅金属层、第三绝缘层、第二栅金属层、第四绝缘层、源漏金属层和平坦层。

在平行于衬底基板10的平面内，发光结构层210包括周期性排布的多个对应不同颜色的多个发光单元211。在示例性实施方式中，多个发光单元211可以包括出射红色光线的红色发光单元、出射绿色光线的绿色发光单元和出射蓝色光线的蓝色发光单元。在一些可能的实现方式中，多个发光单元可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和出射白色光线的白色发光单元。发光单元211的分布密度依据使用需求进行设定。

在示例性实施方式中发光结构层210可以包括阳极、像素定义层、有机发光层、阴极以及封装结构层。

在本公开的实施例中，第一无机层310材料包括SiNO_x；第二无机层330材料包括SiNx。有机层320材料包括甲基丙烯酸甲酯。其中第一无机层310和第二无机层330通过等离子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺形成。有机层320通过喷墨打印工艺形成。

在本公开的实施例中，还原性螯合剂321是均匀设置在有机层320中，其用于吸附在第二无机层330形成过程中导致有机层320中的有机物发生裂解产生的氧化物。还原性螯合剂321具有吸附力强，不影响显示基板的显示效果的特点。

在本公开的示例性实施方式中，有机层中包含的还原性螯合剂与有机层材料的质量比的比例范围是0.01％至0.1％。

还原性螯合剂通过与有机层材料混合，形成混合物，再通过喷墨打印工艺形成有机层320。在本公开的实施例中，还原性螯合剂321与有机层320材料的质量比的比例范围为0.01％至0.1％。例如，可以设置为0.03％、0.05％或者0.07％等。还原性螯合剂321是具有金属或金属离子的材料，当还原性螯合剂的比例超过一定数量，则会对显示基板的显示效果产生影响，例如导致发光效率降低等。本公开通过将还原性螯合剂的占比设置在上述比例范围内，能够实现在不影响显示基板的显示效果的情况下更好的实现对有机层中氧化物的吸附或更好的与氧化物反应并消耗氧化物。

在本公开的示例性实施方式中，还原性螯合剂321包括金属或金属离子。

还原性螯合剂中包括金属或金属离子，具体地，金属包括Cu等单质。金属离子为金属亚离子，金属亚离子具有一定的还原性，在周围具有氧化物时，能够与氧化物发生反应。金属亚离子失去电子生成金属离子，从而使氧化物被消耗。例如，金属亚离子与氧化物反应如公式所示：

Aⁿ⁺+1/2O→A^m++1/2O^2-

Aⁿ⁺表示某种亚级正电荷，具备还原性，金属离子遇氧原子即被氧化，其中，n＝m-1。在该反应中，氧原子得到电子，发生反应形成氧离子，从而使氧化物被消耗。

在本公开的示例性实施方式中，金属离子包括Cu⁺、Fe²⁺中的至少一种。

螯合剂中的金属离子主要包括次级正电荷的金属离子，例如，Cu⁺、Fe²⁺，该种类的金属离子表现为还原性，可以吸收有机层在制备过程中生成的氧自由基或者氧负离子形成的具有氧化性的微粒或者氧化物。从而抑制该类氧化物或具有氧化性的粒子向发光层移动或扩散，有效防止氧化性粒子对发光层影响导致出现的显示问题。

图3是根据本公开的示例性实施例的显示基板在形成第二无机层的产生氧化性微粒的示意图。

图4是根据本公开的示例性实施例的显示基板的发光单元在受到氧化物影响的发光强度示意图。

图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的发光单元在受到氧化物氧化的示意图。

在本公开的示例性实施方式中，有机层还包括甲基丙烯酸甲酯。

在显示基板的制备过程中，形成有机层后，在有机层的上侧形成第二无机层，形成第二无机层的工艺选用等离子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)。有机层材料的成分例如包括甲基丙烯酸甲酯(简称：PMMA)，其分子式为：-[CH₂C(CH₃)(COOCH₃)]_n-，其单体的结构(见反应式)中含有羰基(O＝)，羰基在PECVD工艺条件下发生断键形成含氧组分和氧原子，断键后的含氧组分在等离子状态下也可分解为氧原子、氧自由基及其他成分，使其具有氧等离子的作用，涉及的化学反应式如下：

其中，分解形成的氧原子、氧气等产物会扩散至发光层最终会对发光层的发光单元211产生影响。具体地，如图3所示，在形成第二无机层330时，有机层320与第二无机层330接触的位置在PECVD工艺下分解形成的氧化物C。在有机层320中不设置还原性螯合剂的情况下，形成的氧化物C经过有机层320以及第一无机层310扩散至发光层20中。首先，该氧化物C会对阴极金属产生氧化，从而影响阴极金属的导电率，例如导致电阻升高，电流减小，从而导致发光单元211的亮度降低，进而影响发光层中的发光单元211的发光性能。例如，如图4所示，区域D和D’所指的为红色发光单元211所在的区域，其中，D所指的区域的红色由于受到氧化物C的影响，其亮度低，D’是未受到氧化物影响的正常红色发光单元211的发光示意图。此外，该氧化物C在进入发光功能层后，对发光功能层中材料进行氧化，导致发光功能层中有机材料的化学结构发生变化及金属阴极层被氧化，进一步导致发光单元亮度降低或者不亮。如图5所示，在发光单元211附近，方框E所标出，氧化物C对发光单元211边缘的阴极金属氧化层进行氧化，导致发光单元211边缘的附件的阴极金属被氧化产生黑斑，进而产生如图5发光单元211的所示的不良现象等。氧化物C在进入发光层后，还会对发光层中的金属与有机层间的过渡金属产生影响，例如影响金属过渡层功函，进而影响电子由阴极注入电子传输层的能垒，最终对发光层的发光单元211的发光效率产生影响。

图6是根据本公开的示例性实施例的显示基板的还原性螯合剂与氧化物的发生反应的示意图。

在本公开的实施例中，通过在有机层320内设置还原性螯合剂321，如图6所示，还原性螯合剂321能够有效阻止第二无机层330在形成工艺中导致有机层320产生氧化物C的问题。即还原性螯合剂321在有机层320中均匀分布，在有机层320与无机层330附近的区域形成的氧化物C在向发光层20扩散的过程中，被均匀分布在有机层320中的还原性螯合剂321吸收或者反应，从而有效抑制氧化物C向发光层20扩散。避免氧化物C对发光层20中的发光单元211的发光效率的影响。

在本公开的实施例中，还原性螯合剂可以是金属有机骨架化合物(MOFs)，如：[(Cu₄I₄)(C₆H₁₂N₂)₂]·Cu₂(C₂₀H₁₂N₄)·3DMF；也可以是掺杂Cu基金属化合物的PC/ABS改性塑料(Cu，Cu⁺和Cu²⁺)以及其他的具有还原性的化合物，例如含有如氨基(NH₂-)羟基(-OH)官能团的物质。

在本公开的示例性实施方式中，有机层320的厚度为0.5至1.5微米，例如1微米。有机层320的厚度在添加还原性螯合剂321前后保持厚度不变，添加还原性螯合剂321对显示基板的显示性能几乎不产生影响，同时还原性螯合剂能够吸附或者与氧化物C反应，从而防止发光单元211被氧化物C氧化。

图7是根据本公开的示例性实施例的显示基板的制备流程图。

图8是根据本公开的示例性实施例的显示基板的封装层的制备流程图。

本公开的一些示例性实施例中还提供了一种显示基板的制备方法，其包括操作S1至操作S4。

其中，在操作S1中，形成衬底基板10。

例如，衬底基板是在玻璃载板上形成的，具体可以包括在玻璃载板上涂覆第一柔性材料薄膜，固化成膜后形成第一柔性层；在第一柔性层远离玻璃载板一侧的表面上涂覆第二柔性材料薄膜，固化成膜后形成第二柔性层；在第二柔性层远离玻璃载板一侧的表面上涂覆第三柔性材料薄膜，固化成膜后形成第三柔性层，在玻璃载板上形成柔性的衬底基板10，衬底基板10包括叠设的第一柔性层、第二柔性层和第三柔性层。

在示例性实施方式中，第一、第二和第三柔性材料薄膜的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、压敏胶(PSA)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料薄膜的材料可以采用氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一、第二无机层称之为第一、第二阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-Si)。

在示例性实施方式中，第一柔性层、第二柔性层和第三柔性层可以采用相同的材料，或者可以采用不同的材料。在一些可能的实现方式中，第一柔性层的材料包括压敏胶，第二柔性层和第三柔性层的材料均包括聚酰亚胺。

其次在衬底基板10上形成发光层20，形成发光层20具体包括形成驱动结构层200图案以及形成发光结构层210。

例如，在操作S2中，在衬底基板10上形成驱动结构层200图案。

驱动结构层200的制备过程可以包括：

在衬底基板10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体层薄膜，通过图案化工艺对半导体层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板10的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括设置在每个子像素内的有源层。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第一次图案化工艺。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括设置在每个子像素内的栅电极和第一电容电极。

在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第二次图案化工艺。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括设置在每个子像素内的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第三次图案化工艺。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，第四绝缘层上开设有多个过孔图案，多个过孔图案至少包括设置在每个子像素内的两个第一过孔，两个第一过孔的位置分别有源层的两端位置相对应，两个第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第四次图案化工艺。

随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层图案至少包括设置在每个子像素内的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接，使源电极和漏电极之间形成导电沟道。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第五次图案化工艺。

随后，涂覆一层平坦薄膜，形成覆盖整个衬底基板10的平坦化(PLN)层，通过图案化工艺在平坦层上形成过孔图案，过孔图案至少包括设置在每个子像素内的第二过孔，第二过孔内的第一平坦层被显影掉，暴露出漏电极的表面，平坦层远离衬底基板10一侧的表面为平直的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第六次图案化工艺。

至此，在衬底基板10上制备完成驱动结构层200图案。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容。在一示例性实施方式中，晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)。

在操作S3中，在驱动结构层200上形成发光结构层210。

在示例性实施方式中，在驱动结构层200上形成发光结构层210可以包括：

在形成前述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行构图，形成透明导电层图案，透明导电层图案至少包括设置在每个子像素内的阳极，阳极通过第二过孔与第一晶体管的漏电极连接。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第七次图案化工艺。在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，可以是单层结构，或者是复合层结构，如ITO/Al/ITO等。

在形成前述图案的衬底基板上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行掩膜曝光和显影，形成像素定义(PDL)层，在每个子像素内，像素定义层上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极的表面。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第八次图案化工艺。在示例性实施方式中，像素定义薄膜可以采用聚酰亚胺、亚力克或聚对苯二甲酸乙二醇酯等材料。

在形成前述图案的衬底基板上涂覆有机材料薄膜，通过图案化工艺对有机材料薄膜进行掩膜曝光和显影，形成多个隔离柱(PS)图案。在示例性实施方式中，本次图案化工艺称为第九次图案化工艺。

在形成前述图案的衬底基板上依次形成有机发光层和阴极，在每个子像素内，有机发光层形成在像素开口内，实现有机发光层与阳极连接，阴极形成在有机发光层和像素定义层上，实现阴极与有机发光层连接，多个子像素的阴极为一体结构。在示例性实施方式中，有机发光层包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

在形成前述图案的衬底基板上形成封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间。在示例性实施方式中，形成封装结构层的过程可以包括：采用开放式掩膜板(OpenMask)在显示区采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式沉积第一无机薄膜，形成第一封装层。由于开放式掩膜板将绑定区域遮档，因而第一封装层将绑定区域的绑定焊垫暴露出来。等离子体增强化学气相沉积为低温工艺，工作温度约为80度左右。采用喷墨打印工艺在显示区的第一封装层上喷墨打印有机材料，固化成膜后，形成第二封装层。由于采用喷墨打印工艺，因而第二封装层可以仅形成在显示区。采用开放式掩膜板在显示区沉积第二无机薄膜，形成第三封装层。在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第二封装层可以采用树脂材料。在示例性实施例中，第一封装层的厚度可以约为0.8μm～1.2μm，第二封装层的厚度可以约为10μm～15μm，第三封装层的厚度可以约为0.5μm～0.7μm。在一些可能的实现方式中，第一封装层的厚度可以约为1μm，第二封装层的厚度可以约为12μm，第三封装层的厚度可以约为0.6μm。

至此，在驱动结构层200上制备完成发光结构层210图案。

然后进行操作S4，在发光层的远离衬底基板的一侧形成覆盖发光层的封装层。

其中，形成封装层具体包括操作S41至操作S43。

在操作S41中，形成第一无机层310。第一无机层310是覆盖发光结构层上形成的。

第一无机层310的材料例如可以是SiNO_x，第二无机层320的材料可以是SiN_x。第一无机层310通过化学气相沉积工艺形成。

在操作S42中，在第一无机层310的远离衬底基板的一侧形成有机层320。其中，有机层320包括还原性螯合剂321。

有机层320的材料例如可以是甲基丙烯酸甲酯，通过将还原性螯合剂与甲基丙烯酸甲酯进行物理混合形成流体，以使还原性螯合剂与甲基丙烯酸甲酯混合均匀。通过喷墨打印工艺形成有机层320，还原性螯合剂321均匀分布在有机层320中。

在操作S43中，在有机层320的一侧远离衬底基板的一侧形成第二无机层330。

在操作S43中，第二无机层330的形成工艺为化学气相沉积工艺，其在形成过程中，使有机层320中的甲基丙烯酸甲酯发生裂解反应，形成含氧组分的氧化物，例如氧气、氧自由基等。氧化物会穿过有机层320、第一无机层310扩散至发光层20，从而对发光层的发光单元产生影响，进一步影响发光单元的发光性能。

在本公开的实施例中，有机层320中均匀分布的还原性螯合剂用于吸附或消耗由有机层320因化学气相沉积工艺裂解产生的氧化物。从而抑制氧化物扩散至发光单元，防止氧化物对反光单元发光性能的影响。

本公开的一些示例性实施例中还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上文所述的显示基板。该显示装置可以是任何具有显示功能的设备或产品。例如，所述显示装置可以是智能电话、移动电话、电子书阅读器、台式电脑(PC)、膝上型PC、上网本PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字音频播放器、移动医疗设备、相机、可穿戴设备(例如头戴式设备、电子服饰、电子手环、电子项链、电子配饰、电子纹身、或智能手表)、电视机等。

虽然本公开的总体技术构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离所述总体技术构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板一侧的发光层；

设置于所述发光层远离所述衬底基板的一侧且覆盖所述发光层的封装层；

其中，所述封装层包括第一无机层、第二无机层以及设置于所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层；

所述有机层包括还原性螯合剂。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机层中包含的所述还原性螯合剂与所述有机层材料的质量比的比例范围是0.01％至0.1％。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述还原性螯合剂包括金属或金属离子。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述金属包括Cu；

所述金属离子包括Cu⁺、Fe²⁺中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机层还包括甲基丙烯酸甲酯。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机层的厚度为0.5至1.5微米。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一无机层包括SiNO_x；所述第二无机层包括SiN_x。

8.一种显示装置，包括根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底基板上形成发光层；

在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述发光层的封装层；

形成所述封装层包括：

形成第一无机层；

在所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧形成有机层；

在所述有机层的一侧远离所述衬底基板的一侧形成第二无机层；

其中，所述有机层包括还原性螯合剂。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一无机层和所述第二无机层通过化学气相沉积工艺形成；

所述有机层通过喷墨打印工艺形成。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述有机层在通过化学气相沉积工艺形成所述第二无机层发生裂解，所述有机层裂解形成氧化物；

所述还原性螯合剂用于吸附或消耗所述氧化物。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述还原性螯合剂与所述有机层材料通过物理混合形成流体，并通过喷墨打印工艺形成所述有机层。

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