CN113092872A - 一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔。该设计可通过调节腔盖的位置调整腔体长度改变谐振腔的谐振频率，根据谐振腔谐振时存在多个分立频点的特性，可实现在大频率范围测量介电常数。并且将同轴谐振腔的内导体拆分为螺纹连接的两段式结构，调节副内导体的位置，改变同轴谐振腔内局部内外导体的半径比，从而改变同轴谐振腔中局部电抗，使同轴谐振腔的品质因数发生变化，可将不同谐振频率的品质因数调整至最大。本发明扩展了传统谐振法测量介电常数的频率范围，提升了同轴谐振腔的测试性能，具有很强的实用性。
Description
技术领域
本发明属于介电常数测量领域，具体涉及一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔。
背景技术
介电常数是物质的基本电磁参数，材料的微波介电常数是微波电路设计，微波天线研制等技术领域的重要基础参数，其测量方法也是重要的关键技术。目前比较常用的介电常数测量方法主要有集总电路法、传输线法、谐振法、自由空间法、六端口测量技术等等。集总电路法测量频段较低且不适用于低损耗的材料；传输线法适用于任何频段，测量精度高，但在求解过程中存在多值问题，需要对测试样品介电常数的初值进行估计，且对测试样品的形状有尺寸要求；谐振法操作简便，测量准确，但只能在分立的频点进行测量，对损耗角正切的测量误差较大，更适用于测量低损耗材料；自由空间法测量频带宽，适用于测量高损耗材料，但成本较高；六端口测量技术成本低廉，测量准确，但目前没有成熟的标准。
以上常用的介电常数测量方法可测量均匀样品的介电常数，但是难以测量样品的局部介电常数。C.Gao等人曾发表“Quantitative microwave near-field microscopy ofdielectric properties”，Review of Scientific Instruments 69,3846(1998)，以λ/4电容加载同轴谐振腔为主要结构制成的微波近场扫描显微镜，不仅可以实现介质表面的成像，也能获得物体局部微区的介电常数变化，并且提出镜像电荷法模型分析探针针尖与样品间的相互作用。将探针针尖与样品间的相互作用等效为局部电容，当样品的介电常数或探针与样品间的相对距离发生变化时，等效局部电容也会发生变化，使该谐振腔的谐振频率及品质因数发生变化，这一变化可使用谐振腔的微扰理论进行分析反演待测样品局部的介电常数。
λ/4电容加载同轴谐振腔的腔体长度一般为基模谐振频率下波长的四分之一。在此模式下进行测量即可获得此频点的物质介电常数，在目前已知的设计中，此频率一般在1-2GHz之间。实际上根据谐振腔理论，只要满足谐振腔内部模式为TEM模谐振频率都可以作为测试频率，这些谐振频率通常为基模谐振频率的奇数倍，因此可以实现固定的谐振腔在多个分立频点的测试。
另一方面，这种固定结构设计确定了系统的分立的可测试频点，包括这些分立频点的品质因数，在实际应用中受到一定的局限。为了能够大幅扩展可测试频率范围和提高介电常数测量精度，本发明提出了同轴谐振腔的可调机构，能够调节扩充可测试频率点范围，并且能够调节改善测量频点的品质因数，实现大频率范围高精度的介电常数测试。
发明内容
本发明的目的在于，提出了一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，该可调谐同轴谐振腔通过探针测量物质局部的介电常数，解决了传统介电常数测量方法无法测量样品局部微区介电常数的问题；调整该可调谐同轴谐振腔的腔盖位置，可以改变该可调谐同轴谐振腔的基模谐振频率，再利用谐振腔多谐的特性，可以在不同频段内的多个可调频点测量物质介电常数，解决传统谐振法只能在固定的分立频点测量介电常数的问题；同时，调整副内导体的位置，可调节不同测试频点的品质因数至最佳，提升该可调谐同轴谐振腔的测试精度，解决以往谐振腔因机械加工误差及射频连接器存在缝隙等情况导致品质因数下降的问题。
为实现上述目的，本发明的具体方案如下：包括同轴谐振腔，两段式可调节内导体；固定探针位置的石英凸台结构；“L”形内导体固定背板；馈电圆环；SMA连接器；腔盖：
所述同轴谐振腔用于在工作频率下产生谐振；
所述两段式可调节内导体用于调节谐振腔内局部内外导体的半径比，改变局部电抗，调节改善品质因数；
所述固定探针位置的石英凸台结构用于保证探针处于谐振腔底壁孔径的中央，在与样品接触测量时提供横向支撑力；
所述“L”形内导体固定背板用于连接同轴谐振腔及固定两段式内导体，避免内导体在调节时不稳定；
所述馈电圆环用于激励同轴谐振腔的谐振模式；
所述SMA连接器用于与射频线缆连接；
所述腔盖用于调整腔体长度，改变谐振腔的谐振频率。
其中，所述两段式可调节内导体分为主内导体和副内导体：
所述主内导体上段为螺纹柱结构，螺纹柱顶端中心打有螺纹孔；主内导体中段为半径大于主内导体上段半径的光滑圆柱结构；主内导体下段为半径大于主内导体中段半径的光滑圆柱结构；主内导体下段与锥形过渡结构相连，锥形过渡结构末端连接探针；
所述副内导体为空心圆柱结构，副内导体外径为主内导体下段直径；副内导体上段内部为可与主内导体上段螺纹柱配合的螺纹孔结构，副内导体上段长度为主内导体上段长度；副内导体下段内径为主内导体中段直径，副内导体下段内壁光滑，副内导体下段长度与主内导体中段长度相等。
其中，使用所述可调谐同轴谐振腔时可旋转副内导体，使副内导体向上移动，副内导体向上移动的距离即为主内导体中段在谐振腔内露出的距离，改变了同轴谐振腔局部内外导体半径比，实现调节品质因数的目的。
其中，所述固定探针位置的石英凸台结构中心孔的半径与探针半径相等，台的半径与可调谐同轴谐振腔底壁孔径的半径相等。凸台与探针紧密结合固定在可调谐同轴谐振腔底壁孔径中，能够保证探针始终位于孔径中央，在测量时与样品接触或与样品发生摩擦时不会发生位置偏移。
其中，所述“L”形内导体固定背板上方伸出臂与背板主体的夹角为90°，伸出臂带有通孔，可以使用螺钉将主内导体紧密固定在伸出臂上；背板主体可与同轴谐振腔相连。
其中，所述腔盖为带有中心孔的圆柱结构，腔盖半径为腔体半径，中心孔的直径为副内导体的外径，通过调节腔盖的位置可调整腔体的长度，改变可调谐同轴谐振腔的谐振频率。
其中，使用所述同轴谐振腔测量介电常数时可分为如下步骤：
步骤1：将所述可调谐同轴谐振腔与矢量网络分析仪相连，调整腔盖位置至测试频率，调整副内导体位置使该测试频率的品质因数最大，记录此时可调谐同轴谐振腔空载的谐振频率f0；
步骤2：将一块介电常数已知的样品放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，记录此时的谐振频率；
步骤3：将若干未知介电常数的待测样品分别放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，分别记录探针与不同样品接触时的谐振频率；
步骤4：根据已有镜像电荷法理论公式：
Δfr＝fr-f0，为可调谐同轴谐振腔下方放置样品与空载谐振频率的偏移量；
ε＝εr·ε0，其中εr为相对介电常数；
首先将已知介电常数的谐振频率偏移量及其介电常数带入，可求解获得A的值，再根据A的值将待测样品的谐振频率偏移量带入求得待测样品的介电常数。
步骤5：调整腔盖位置使谐振腔的谐振频率位于需要测试的频率范围内，再调整副内导体的位置使品质因数达到最高重复步骤1、2、3、4可测量样品不同谐振频率下的介电常数。
本发明的有益效果为：使用探针可以测量样品的局部介电常数，解决传统介电常数测量方法无法测量样品局部微区介电常数的问题；调整腔盖位置并利用谐振腔多谐的特性，可在不同频段范围内的多个频点测试，解决了传统谐振法测量介电常数时只能在固定的分立频点进行测量的问题；调整副内导体的位置可以调节谐振腔的品质因数，解决了一般形式的同轴谐振腔因机械加工误差、射频连接器存在缝隙的情况导致品质因数下降，无法保证测试频点高品质因数的问题。
附图说明
图1为本发明的测量介电常数的可调谐同轴谐振腔；
图2为图1中A-A的剖面图；
图3为本发明的主内导体；
图4为本发明的副内导体；
图5为本发明的石英凸台结构；
图6为本发明的“L”形内导体固定背板；
图7为本发明的腔盖；
图8为本发明的腔盖处于某一位置的可调谐同轴谐振腔1-10GHz范围内S11幅值图；
图9为本发明的可调谐同轴谐振腔1-2GHz范围内初始状态(即谐振腔内导体半径均匀，不存在内外导体半径比有差异的部分)及调整副内导体后S11幅值对比图；
图2至图6的附图标记说明：
1-同轴谐振腔；2-主内导体；3-副内导体；4-石英凸台结构；5-“L”形内导体固定背板；6-馈电圆环；7-SMA连接器；8-腔盖；9-主内导体上段；10-主内导体中段；11-主内导体下段；12-锥形过渡结构；13-探针；14-主内导体顶端螺纹孔；15-副内导体上段；16-副内导体下段；17-背板伸出臂。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明，并不是把本发明的实施范围局限于此。
如图1至图7所示，本实施例所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，包括同轴谐振腔1，两段式可调节内导体2、3；固定探针位置的石英凸台结构4；“L”形内导体固定背板5；馈电圆环6；SMA连接器7；腔盖8。
本实施例所述两段式可调节内导体分为主内导体2和副内导体3：所述主内导体上段9为螺纹柱结构，螺纹柱顶端中心打有螺纹孔14；主内导体中段10为半径大于主内导体上段9半径的光滑圆柱结构；主内导体下段11为半径大于主内导体中段10半径的光滑圆柱结构；主内导体下段11与锥形过渡结构12相连，锥形过渡结构12末端连接探针13；所述副内导体3为空心圆柱结构，副内导体3外径为主内导体下段11直径；副内导体上段15内部为可与主内导体上段9螺纹柱配合的螺纹孔结构，副内导体上段15长度为主内导体上段9长度；副内导体下段16内径为主内导体中段10直径，副内导体下段16内壁光滑，副内导体下段16长度与主内导体中段10长度相等。其中，所述固定探针位置的石英凸台结构4中心孔的半径与探针13半径相等，台的半径与可调谐同轴谐振腔底壁孔径的半径相等；所述“L”形内导体固定背板5上方伸出臂17与“L”形内导体固定背板5主体的夹角为90°；所述腔盖8为带有中心孔的圆柱结构，腔盖8半径为同轴谐振腔体1半径，中心孔的直径为副内导体3的外径。本发明设计经过矢量网络分析仪的实际测试，如图7所示为腔盖在某一位置处该可调谐同轴谐振腔1-10GHz频率范围内的S11幅值，存在多个分立的谐振频点可作为测试频率，调整腔盖的位置可改变该同轴谐振腔的谐振频率，可使图7中的谐振频率左右偏移，实现在不同频段多个频点测量样品介电常数；如图8所示，在1-2GHz范围内通过调节副内导体3的位置，所述同轴谐振腔的品质因数由初始状态(即谐振腔内导体半径均匀，不存在内外导体半径比有差异的部分)500可提高至10000，其余谐振频率情况类似，提升了该同轴谐振腔的性能。
使用实施例中的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔测量物质介电常数，选用石英玻璃作为校准材料，该样品的相对介电常数为3.8，验证树脂材料(相对介电常数为3-4)以及聚四氟乙烯材料(相对介电常数为2-2.5)的相对介电常数，步骤如下：
步骤1：将所述可调谐同轴谐振腔与矢量网络分析仪相连，调整腔盖位置至测试频率，调整副内导体位置使该测试频率的品质因数最大，记录此时可调谐同轴谐振腔空载的谐振频率f0；
步骤2：将石英玻璃样品放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，记录此时的谐振频率；
步骤3：分别将树脂样品及聚四氟乙烯样品放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，分别记录探针与不同样品接触时的谐振频率；
步骤4：根据已有镜像电荷法理论公式：
Δfr＝fr-f0，为可调谐同轴谐振腔下方放置样品与空载谐振频率的偏移量；
ε＝εr·ε0，其中εr为相对介电常数；
首先将石英玻璃的谐振频率偏移量及其介电常数带入，可求解获得A的值，再根据A的值将树脂样品和聚四氟乙烯样品的谐振频率偏移量带入求解得到相对介电常数。
步骤5：调整腔盖位置使谐振腔的谐振频率位于需要测试的频率范围内，再调整副内导体的位置使品质因数达到最高重复步骤1、2、3、4可测量样品不同谐振频率下的介电常数。
表1各样品在不同空载谐振频率下的谐振频率及相对介电常数测量值
从表中结果可以看到，使用实施例中一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，调节副内导体3的位置，在多个频率下均可保证高品质因数，实现样品介电常数的测量，测量结果均符合材料的相对介电常数范围，测量准确。
Claims (6)
1.一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：包括同轴谐振腔，两段式可调节内导体；固定探针位置的石英凸台结构；“L”形内导体固定背板；馈电圆环；SMA连接器；腔盖：
所述同轴谐振腔用于在工作频率下产生谐振；
所述两段式可调节内导体用于调节谐振腔内局部内外导体的半径比，改变局部电抗，调节改善品质因数；
所述固定探针位置的石英凸台结构用于保证探针处于谐振腔底壁孔径的中央，在与样品接触测量时提供横向支撑力；
所述“L”形内导体固定背板用于连接同轴谐振腔及固定两段式内导体，避免内导体在调节时不稳定；
所述馈电圆环用于激励同轴谐振腔的谐振模式；
所述SMA连接器用于与射频线缆连接；
所述腔盖用于调整腔体长度，改变谐振腔的谐振频率。
2.根据权利要求1所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：所述两段式可调节内导体分为主内导体和副内导体：
所述主内导体上段为螺纹柱结构，螺纹柱顶端中心打有螺纹孔；主内导体中段为半径大于主内导体上段半径的光滑圆柱结构；主内导体下段为半径大于主内导体中段半径的光滑圆柱结构；主内导体下段与锥形过渡结构相连，锥形过渡结构末端连接探针；
所述副内导体为空心圆柱结构，副内导体外径为主内导体下段直径；副内导体上段内部为可与主内导体上段螺纹柱配合的螺纹孔结构，副内导体上段长度为主内导体上段长度；副内导体下段内径为主内导体中段直径，副内导体下段内壁光滑，副内导体下段长度与主内导体中段长度相等。
3.根据权利要求1所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：所述固定探针位置的石英凸台结构中心孔的半径与探针半径相等，台的半径与谐振腔底壁孔径的半径相等。
4.根据权利要求1所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：所述“L”形内导体固定背板上方伸出臂与背板主体的夹角为90°，伸出臂带有通孔，可以使用螺钉将主内导体紧密固定在伸出臂上；背板主体可与同轴谐振腔相连。
5.根据权利要求1所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：所述腔盖为带有中心孔的圆柱结构，腔盖半径为腔体半径，中心孔的直径为副内导体的外径。
6.根据权利要求1所述的一种测量介电常数的可调谐同轴谐振腔，其特征在于：使用所述可调谐同轴谐振腔测量介电常数时可分为如下步骤：
步骤1：将所述可调谐同轴谐振腔与矢量网络分析仪相连，调整腔盖位置至测试频率，调整副内导体位置使该测试频率的品质因数最大，记录此时可调谐同轴谐振腔空载的谐振频率f0；
步骤2：将一块介电常数已知的样品放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，记录此时的谐振频率；
步骤3：将若干未知介电常数的待测样品分别放置在所述可调谐同轴谐振腔下方，调整可调谐同轴谐振腔与样品的距离，使探针与样品接触，分别记录探针与不同样品接触时的谐振频率；
步骤4：根据已有镜像电荷法理论公式：
Δfr＝fr-f0，为可调谐同轴谐振腔下方放置样品与空载谐振频率的偏移量；
ε＝εr·ε0，其中εr为相对介电常数；
步骤5：调整腔盖位置使谐振腔的谐振频率位于需要测试的频率范围内，再调整副内导体的位置使品质因数最高重复步骤1、2、3、4可测量样品不同谐振频率下的介电常数。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113484615A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-10-08 | 华南理工大学 | 材料介电常数宽频带测试结构及其测试方法 |
| CN113933761A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-01-14 | 中国地质大学（武汉） | 基于电容加载同轴谐振腔的ovh磁传感器腔体 |
| CN114217138A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-22 | 安徽海泰科电子科技有限公司 | 一种低损耗材料介电参数测试装置、方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2874523Y (zh) * | 2005-12-06 | 2007-02-28 | 电子科技大学 | 一种圆柱形高q谐振腔及微波电介质复介电常数测试装置 |
| JP2009229423A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | 近接場プローブ及びこの近接場プローブを備えた電気的特性測定装置 |
| CN106053956A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-10-26 | 电子科技大学 | 材料介电常数测试系统及基于该测试系统的测试方法 |
| CN106099301A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种同轴谐振腔及其应用 |
| CN108594023A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-28 | 电子科技大学 | 基于渐变型同轴谐振腔的材料复介电常数测试系统及方法 |
| CN108680839A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-10-19 | 电子科技大学 | 同轴谐振腔复介电常数高温测试系统及方法 |
| CN111198302A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-26 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 材料介电性能的测试方法、装置和系统 |
| CN112230068A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 电子科技大学 | 基于重入式同轴腔的可调频复介电常数测试系统及方法 |
| CN112505429A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-16 | 电子科技大学 | 基于同轴带状线谐振器的复介电常数测试系统及测试方法 |
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- 2021-03-29 CN CN202110335060.9A patent/CN113092872B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2874523Y (zh) * | 2005-12-06 | 2007-02-28 | 电子科技大学 | 一种圆柱形高q谐振腔及微波电介质复介电常数测试装置 |
| JP2009229423A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | 近接場プローブ及びこの近接場プローブを備えた電気的特性測定装置 |
| CN106053956A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-10-26 | 电子科技大学 | 材料介电常数测试系统及基于该测试系统的测试方法 |
| CN106099301A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种同轴谐振腔及其应用 |
| CN108594023A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-28 | 电子科技大学 | 基于渐变型同轴谐振腔的材料复介电常数测试系统及方法 |
| CN108680839A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-10-19 | 电子科技大学 | 同轴谐振腔复介电常数高温测试系统及方法 |
| CN111198302A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-05-26 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 材料介电性能的测试方法、装置和系统 |
| CN112230068A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 电子科技大学 | 基于重入式同轴腔的可调频复介电常数测试系统及方法 |
| CN112505429A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-16 | 电子科技大学 | 基于同轴带状线谐振器的复介电常数测试系统及测试方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| XIANGYU XU ET AL.: "Finite Element Simulation and Analysis of the Dielectric Properties of Unidirectional Aramid/Epoxy Composites", 《POLYMER COMPOSITES》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113484615A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-10-08 | 华南理工大学 | 材料介电常数宽频带测试结构及其测试方法 |
| CN113484615B (zh) * | 2021-07-29 | 2022-05-24 | 华南理工大学 | 材料介电常数宽频带测试结构及其测试方法 |
| CN113933761A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-01-14 | 中国地质大学（武汉） | 基于电容加载同轴谐振腔的ovh磁传感器腔体 |
| CN113933761B (zh) * | 2021-09-09 | 2022-09-27 | 中国地质大学（武汉） | 基于电容加载同轴谐振腔的ovh磁传感器腔体 |
| CN114217138A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-22 | 安徽海泰科电子科技有限公司 | 一种低损耗材料介电参数测试装置、方法 |
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