CN113077972A - 铁芯及电感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种铁芯及包括其的电感器。铁芯由非晶/纳米晶带卷绕而成,展开后的非晶/纳米晶带包括n段卷绕部,n≥3;其中,当n为奇数时,第(n+1)/2段所述卷绕部为矩形,其余为直角梯形。当n为偶数时,每段卷绕部均为直角梯形。由于卷绕部呈直角梯形,其一边呈斜线,形成的铁芯沿垂直磁路方向的横截面呈近似正多边形,相较于沿垂直磁路方向的横截面呈方形的铁芯,有效提高了空间利用率。
Description
【技术领域】
本发明涉及铁芯技术领域,尤其涉及一种非晶/纳米晶带铁芯及电感器。
【背景技术】
非晶/纳米晶带卷绕铁芯,一般采用非晶/纳米晶薄带卷绕而成。铁芯形状为圆环形或方环形等封闭环形状。传统的非晶/纳米晶带铁芯是由一整条等宽的非晶/纳米晶带材整齐地层层卷绕而成,所以磁芯环截面呈矩形。该种方法易造成空间浪费,导致电感器体积较大。
【发明内容】
为了解决上述问题,本申请主要目的在于提供一种空间利用率较高的铁芯。
本申请提供一种铁芯,其由非晶/纳米晶带卷绕而成,其特征在于,展开后的所述非晶/纳米晶带包括n段卷绕部,n≥3;其中,当n为奇数时,第(n+1)/2段所述卷绕部为矩形,其余为直角梯形。第1段至第(n-1)/2段卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次减小,第(n+3)/2段至n段卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次增加。当n为偶数时,每段卷绕部均为直角梯形。其中,第1段至第n/2段卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次减小,第1+n/2段至第n段卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次增加。
优选地,卷绕部的斜腰与直腰的夹角小于或等于10度。
优选地,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角减小的幅度小于或等于3度,第(n+3)/2段至n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角增加的幅度为;当n为偶数时,第1段至第n/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角减小的幅度为,第1+n/2段至第n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角增加的幅度小于或等于3度。
优选地,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段卷绕部的上底边的长度依次增加,第(n+3)/2段至n段卷绕部的上底边的长度依次减小,第(n-1)/2段卷绕部的的下底边的长度、所述第(n+1)/2段卷绕部的宽、与所述(n+3)/2段所述卷绕部的下底边的长度相等。
优选地,设所述铁芯的内芯周长为L,所述卷绕部的厚度为t,卷绕系数为η,第n段所述卷绕部的直腰的长度ln,第n段所述卷绕部的卷绕圈数为sn,则其满足如下公式:
其中,当n=1时,l0=L,k为常数,0<k≤8。
本申请还提供一种电感器,其包括上述铁芯。
优选地,电感器还包括扁平线圈,扁平线圈绕设在铁芯上。
采用上述本申请的非晶/纳米晶带绕卷,由于卷绕部呈直角梯形(仅当n为奇数时,第(n+1)/2段卷绕部11为矩形),其一边呈斜线,形成的铁芯沿垂直磁路方向的横截面呈近似正2m边形,m≥4,m∈N,n=m-1。在形成电感器时,线圈卷绕在铁芯上,线圈与铁芯100之间的空隙较小,相较于沿垂直磁路方向的横截面呈方形的铁芯,有效提高了空间利用率。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施方式提供的铁芯的立体示意图;
图2是图1所示铁芯沿其磁路方向的截面图;
图3是图1所示铁芯沿其磁路垂直方向的截面立体图;
图4是图1所示铁芯的非晶/纳米晶带展开后的平面示意图;
图5是本发明另一实施方式的铁芯的非晶/纳米晶带展开后的平面示意图;
图6是本发明再一实施方式的铁芯的非晶/纳米晶带展开后的平面示意图;
图7是线圈绕卷在沿垂直磁路方向的横截面呈方形的铁芯上示意图;
图8是本发明实施方式提供电感器的立体示意图;
图9是本发明实施方式的预制铁芯示意图;
图10是预制铁芯整形示意图;及
图11是非晶/纳米晶带材裁切示意图。
【具体实施方式】
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
在本申请的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;除非另有规定或说明,术语“多个”是指两个或两个以上;术语“连接”、“固定”等均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接,或电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本说明书的描述中,需要理解的是,本申请实施例所描述的“上”、“下”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的,不应理解为对本申请实施例的限定。此外,在上下文中,还需要理解的是,当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时,其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”,也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
本发明实施方式提供一种铁芯,其由非晶/纳米晶带卷绕而成,其沿垂直磁路方向的横截面呈近似正多边形,边缘形成有台阶。请参阅图1-3,以沿垂直磁路方向的横截面呈近似正八边形的铁芯为例说明,图1是铁芯100的立体示意图,图2是铁芯100沿其磁路方向的截面图,图3是铁芯100沿其磁路垂直方向的截面立体图。铁芯100由非晶/纳米晶带10卷绕而成。在本实施方式中,非晶/纳米晶带10绕圆柱形芯轴(图未示)形成,如图2所示,铁芯100具有多层结构,其沿磁路方向的横截面整体呈环状,中间空心部分即为圆柱形芯轴,完成绕卷后,将芯轴移除。铁芯100具有多层结构,实际设计时,由磁通量及体积要求而定。可以理解,铁芯100沿磁路方向的横截面也可呈其他形状,具体根据磁路方向、铁芯100形状而定,本发明对其不作限定。
设近似多边形的边数为2m,m≥4,m∈N,则展开后的非晶/纳米晶带10包括n段卷绕部,n=m-1。
当n为奇数时,第(n+1)/2段卷绕部为矩形,其余为直角梯形。第1段至第(n-1)/2段卷绕部的斜腰与直腰的夹角θ依次减小,第(n+3)/2段至n段卷绕部的斜腰与直腰的夹角θ依次增加。
请同时参阅图4,在该实施例中,铁芯100沿垂直磁路方向的横截面呈近似正八边形,则n为3。非晶/纳米晶带10包括3段卷绕部11。
请参阅图5,在该实施例中,铁芯100沿垂直磁路方向的横截面呈近似正十二边形,则n为5。非晶/纳米晶带10包括5段卷绕部11。第1段卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ1大于第2段卷绕部11的夹角θ2,第1段卷绕部11为矩形,第4段卷绕部11的夹角θ3小于第5段卷绕部11的夹角θ4。
当n为偶数时,每段卷绕部均为直角梯形,其中,第1段至第n/2段卷绕部的斜腰与直腰的夹角θ依次减小,第1+n/2段至第n段卷绕部11的斜腰与直腰的夹角依次增加。
请同时参阅图6,在该实施例中,铁芯100沿垂直磁路方向的横截面呈近似正十边形,则n为4。非晶/纳米晶带10包括4段呈直角梯形的卷绕部11。其中,第1段卷绕部11的夹角θ1大于第2段卷绕部11的夹角θ2,第1段卷绕部11为矩形,第3段卷绕部11的夹角θ3小于第4段卷绕部11的夹角θ4。
采用上述结构的非晶/纳米晶带10绕卷,由于卷绕部11呈直角梯形(仅当n为奇数时,第(n+1)/2段卷绕部11为矩形),其一边呈斜线,形成的铁芯100沿垂直磁路方向的横截面呈近似正2m边形,m≥4,m∈N。在形成电感器时,线圈卷绕在铁芯100上,线圈与铁芯100之间的空隙较小,相较于沿垂直磁路方向的横截面呈方形的铁芯,有效提高了空间利用率。
请参阅图7及图8,图7是线圈卷绕在沿垂直磁路方向的横截面呈方形的铁芯上示意图,图8是本发明实施方式提供的电感器的立体示意图,其中,线圈卷绕在本发明实施方式的截面呈近似正八边形的铁芯100。经计算,图7所示电感器的绕组截面利用率仅63.7%,而图8所示电感器的绕组截面利用率大约为95.5%。也就是说,采用本发明实施方式的铁芯100,可大幅提高电感器的绕组截面利用率,从而提高铁芯100的空间利用率。
由于非晶/纳米晶带材柔韧性很好,不易剪断,如非晶/纳米晶带边缘呈弧形,则加工难度大,加工成本高;另外,加工弧形边缘时产生的边角料很难再利用,造成材料浪费。采用本发明实施方式的铁芯100,由于非晶/纳米晶带10边缘呈直线型,非弧形边缘,加工难度低。
需要说明的是,多个卷绕部11可以是一体的,也可以是独立而连接于一起的两部分,可依实际情况调整。多个卷绕部11连接时,可以是首尾相接,也可以首尾部分重合,可依实际情况调整。
在一个具体实施方式中,卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ小于或等于10度。
在一个具体实施方式中,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ减小的幅度小于或等于3度,第(n+3)/2段至n段卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ增加的幅度小于或等于3度。
在一个具体实施方式中,当n为偶数时,第1段至第n/2段卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ减小的幅度小于或等于3度,第1+n/2段至第n段卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ增加的幅度小于或等于3度。
在一个具体实施方式中,请参阅图4,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段卷绕部11的上底边116的长度依次增加,第(n+3)/2段至n段卷绕部11的上底边116的长度依次减小,第(n-1)/2段卷绕部11的下底边118的长度、所述第(n+1)/2段卷绕部的宽110、与所述(n+3)/2段卷绕部11的下底边118的长度相等。
在一个具体实施方式中,设铁芯100的内芯周长为L,卷绕部11的厚度为t,卷绕系数为η,第n段所述卷绕部的直腰的长度ln,第n段所述卷绕部的卷绕圈数为sn,则其满足如下公式:
其中,当n=1时,l0=L,k为常数,0<k≤8。
其中,内芯周长是指铁芯100的中间空心部分的周长。如铁芯100的中间空心部分呈圆形,则内芯周长是该圆形的周长;如铁芯100的中间空心部分呈方形,则内芯周长是该方形的周长;如铁芯100的中间空心部分呈其他不规则形状,则内芯周长是该不规则形状的周长。卷绕部11的厚度是指非晶/纳米晶10的单层厚度。卷绕系数是指一定厚度内实际能容纳的卷绕部11的圈数与理论可容纳的卷绕部11的圈数的比值。卷绕部11的厚度为0.025mm,如需卷绕10mm厚度的铁芯100,理论上需要卷绕10mm/0.025mm=400圈,而由于实际上不可能完全贴合,只能卷绕320圈,则卷绕系数为320/(10/0.025)=0.8。卷绕圈数是指某一卷绕部卷绕的圈数。
当卷绕的内芯长度和形状一定,其绕线的线圈的内径一定时,为了实现较高的有效面积,截面近似正多边形的边数越多,截面越近似圆形,有效面积越高。然而,当边数较多时,每个卷绕部的长度较短,卷绕部的数量n较多,绕制成本较高。所以,当卷绕部的长度较为经济时,卷绕部11的斜腰112与直腰114的夹角θ应该在适当较小的程度。本申请的一个实施方式中,斜腰112与直腰114的夹角θ小于或等于10度,在该范围中,较好地平衡了有效面积与绕制成本。
请参阅图7,图7是非晶/纳米晶带材裁切示意图,由于非晶/纳米晶带材呈长条形,沿裁切线II裁切非晶/纳米晶带材,形成非晶/纳米晶带10后,剩余部分也形成直角梯形结构,也可用于绕制铁芯100,从而避免加工浪费。实际设计中,可使一个卷绕部11的上底边长度与另一个卷绕部11的下底边长度之和等于非晶/纳米晶带材的宽度,从而同时形成两条可用的卷绕部11,进一步地提高加工效率。
制造呈近似正2m边形的铁芯100时,包括如下步骤:
先将第1段卷绕部11围绕芯轴卷绕,卷绕S1圈至第1段卷绕部11的尾部;接着在第1段卷绕部11形成的圈层上继续卷绕第2段卷绕部11,卷绕S2圈至第2段卷绕部11的尾部;依次类推卷绕,直至将第n段卷绕部11卷绕Sn圈,得到预制铁芯101;
将预制铁芯101进行定型处理,得到所述铁芯100;
及采用非晶/纳米晶带热处理和后加工方法(涂装、加装胶壳)得到最终成品铁芯100。
优选地,预制铁芯101一侧平齐,另一侧形成台阶;将所述预制铁芯101进行整形处理,使两侧均形成台阶并对称。
具体地,请参阅图9、10,将预制铁芯101放入形成有台阶的整形治具30中,整形治具30底面形成有目标截面对应的台阶,将预制铁芯101平齐的侧面朝向台阶放置,对预制铁芯101施加合适压力,即可使预制铁芯101两侧均形成台阶,并使其对称,从而形成截面呈近似正多边形的铁芯100。
本申请中的“近似正多边形”是指多边形的边缘形成有台阶,并不是直线型。这是由于,呈直角梯形的卷绕部11具有直线型的斜边,绕卷并经整形后,形成具有台阶的近似直线型边缘。
可以理解,将第n段卷绕部11卷绕在第n-1段卷绕部11绕成的圈层上时,可以使第n段卷绕部11的首端与第n-1段卷绕部11的尾端无重叠连接,也可使其部分重叠,也可使其间隔合适的距离。由于加工精度的原因,采用上述不同方法连接,得到的铁芯100外形有差别是本领域可接受的误差。
可以理解,如卷绕部采用弧形边缘,卷绕后形成的铁芯则可能具有圆形截面。然而,由于非晶/纳米晶带材柔韧性很好,不易剪断,加工弧形边缘难度大,加工成本高;另外,加工弧形边缘时产生的边角料很难再利用,造成材料浪费。
由于非晶/纳米晶10边缘呈直线型,非弧形边缘,加工难度低,可采用成本较低的胶辊切割方式裁切非晶/纳米晶材。请参阅图11,图11是非晶/纳米晶带材裁切示意图,由于非晶/纳米晶带材呈长条形,裁切形成非晶/纳米晶带10后,剩余部分也形成直角梯形结构,也可用于绕制铁芯100,从而避免加工浪费。实际设计中,可使一段卷绕部11的上底边长度与另一段卷绕部11下底边长度之和等于非晶/纳米晶带材的宽度,从而同时形成两条可用于绕制铁芯100的非晶/纳米晶10,进一步地提高加工效率。
本发明实施方式的另一方面,还提供一种电感器,如图8所示,所述电感器300包括铁芯100及绕设在铁芯100上的扁平线圈200。扁平线圈200整体呈圆环状,由于其具有压缩弹力,将其对准铁芯400,释放后,扁平线圈200在弹力作用自动绕卷在铁芯100上。
该绕制方法绕制效率高,自动化设备通用性强,其调试简单。由于铁芯100截面呈类圆形,与扁平线圈200匹配,空间利用率高。因此,本发明实施方式的电感器300加工成本低,且空间利用率高。
以上所述,仅为本申请较佳的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种铁芯,其由非晶/纳米晶带卷绕而成,其特征在于,展开后的所述非晶/纳米晶带包括n段卷绕部;
其中,当n为奇数时,第(n+1)/2段所述卷绕部为矩形,其余为直角梯形,第1段至第(n-1)/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次减小,第(n+3)/2段至n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次增加;
当n为偶数时,每段所述卷绕部均为直角梯形,其中,第1段至第n/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次减小,第1+n/2段至第n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角依次增加。
2.一种如权利要求1所述的铁芯,其特征在于,所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角小于或等于10度。
3.一种如权利要求1所述的铁芯,其特征在于,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角减小的幅度小于或等于3度,第(n+3)/2段至n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角增加的幅度小于或等于3度;当n为偶数时,第1段至第n/2段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角减小的幅度小于或等于3度,第1+n/2段至第n段所述卷绕部的斜腰与直腰的夹角增加的幅度小于或等于3度。
4.一种如权利要求1所述的铁芯,其特征在于,当n为奇数时,第1段至第(n-1)/2段所述卷绕部的上底边的长度依次增加,第(n+3)/2段至n段所述卷绕部的上底边的长度依次减小,第(n-1)/2段所述卷绕部的的下底边的长度、所述第(n+1)/2段所述卷绕部的宽、与所述(n+3)/2段所述卷绕部的下底边的长度相等。
6.一种电感器,其特征在于,所述电感器包括如权利要求1-5任一项所述的铁芯。
7.一种如权利要求6所述的电感器,其特征在于,所述电感器还包括扁平线圈,所述扁平线圈绕设在所述铁芯上。
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PB01 | Publication | ||
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