CN113067977B - 平移机构及其形成方法、平移方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供的一种平移机构及其形成方法、平移方法和电子设备，平移机构包括：衬底；位于衬底上的至少一个平移单元，平移单元包括：设置在衬底上的固定结构和滑动结构；位于衬底表面的下电极，下电极位于固定结构的一侧；上电极，包括与下电极相对的弹性部和与固定结构连接的固定部；弹性部一端连接固定部，另一端连接滑动结构；其中，弹性部包括多个间隔的弯折结构，弯折结构的底部与下电极的距离小于或等于预设值；位于上电极与下电极之间的隔离层。本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制，以实现快速消抖。

Description

平移机构及其形成方法、平移方法和电子设备

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，具体涉及一种平移机构及其形成方法、平移方法和电子设备。

背景技术

在一些电子终端中，通常需要让其中的平移机构发生平移、竖直移动或者倾斜，进而实现某些特殊目的(例如摄影)，但在使用过程中，平移机构容易发生抖动，对性能产生影响，因此要实现快速消抖，尽量降低对性能的影响。

快速消抖是依靠特殊的镜头或者平移机构元件最大程度的降低操作者在使用过程中由于平移机构抖动或者物体发生移动造成影像不稳定。现有应用中对平移机构元件实现大行程平移或多度旋转(例如实现数百微米平移或若干度旋转)有较大消抖需求。

因此，提供一种平移机构能够实现快速消抖是亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种平移机构及其形成方法、平移方法和电子设备，能够实现快速消抖。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例提供一种平移机构，所述平移机构包括：

衬底；

位于所述衬底上的至少一个平移单元，所述平移单元包括：

设置在所述衬底上的固定结构和滑动结构；

位于所述衬底表面的下电极，所述下电极位于所述固定结构的一侧；

上电极，包括与所述下电极相对的弹性部和与所述固定结构连接的固定部；所述弹性部一端连接所述固定部，另一端连接所述滑动结构；其中，所述弹性部包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；

位于所述上电极与所述下电极之间的隔离层。

本发明实施例提供一种平移机构的平移方法，包括：

执行驱动处理，向所述上电极加载第一驱动信号，向所述下电极加载第二驱动信号，使所述上电极和所述下电极吸合，使所述上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置；

或者，执行驱动处理，释放所述上电极加载的第一驱动信号，和/或，释放所述下电极加载的第二驱动信号，使上电极和下电极恢复初始状态，带动所述滑动结构还原至初始位置。

本发明实施例还提供一种平移机构的形成方法，包括：

提供衬底，所述基底包括衬底，以及在所述衬底上形成有固定结构、位于固定结构一侧的下电极，和位于所述下电极上，且与所述固定结构顶面齐平的牺牲层；形成保形覆盖在所述固定结构顶面和所述牺牲层顶面的上电极；去除所述牺牲层，形成上电极，所述上电极悬空部分为弹性部，所述上电极与固定结构连接的部分为固定部；在所述弹性部背离所述固定部的一端形成滑动结构。

本发明实施例还提供一种电子设备，包括：

被移动元件；

本发明实施例提供的所述的平移机构；

其中，所述被移动元件位于所述平移机构上。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的一种平移机构，包括：衬底；位于所述衬底上的至少一个平移单元，所述平移单元包括：设置在所述衬底上的固定结构和滑动结构；位于所述衬底表面的下电极，所述下电极位于所述固定结构的一侧；上电极，包括与所述下电极相对的弹性部和与所述固定结构连接的固定部；所述弹性部一端连接所述固定部，另一端连接所述滑动结构；其中，所述弹性部包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；位于所述上电极与所述下电极之间的隔离层。

在工作过程中，当对所述上电极和下电极通电时，由于静电吸引力使得上电极和下电极之间相互吸合，并使上电极的弹性部的弯折结构受压向滑动结构一侧延伸，推动所述滑动结构移动至预设位置，进而可以使滑动结构带动被移动元件移动，当所述上电极的弹性部受到静电压力时，所述弹性部的一个弯折结构移动一定距离时，多个所述弯折结构可以使得所述上电极的弹性部移动更长的距离。因此，本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制，以实现快速消抖。

可选方案中，本发明实施例提供的平移机构，在所述上电极的弹性部上开设有孔槽结构，所述孔槽结构可以降低所述上电极的刚性，使所述上电极更容易发生变形，进而实现快速消抖。

在本发明的优选实施例中，实施例引用常规的CMOS工艺制造，结构简单且成本较低；在所述孔槽结构的高度等于所述上电极的厚度时，有助于牺牲层释放，节约工艺时间，提高工作效率；在所述上电极中开设所述多个孔槽结构，可降低自身应力，维持所述平移机构的电学性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1至图2为本发明实施例中提供的一种平移机构的结构示意图；

图3至图6为本发明实施例中提供的一种平移机构的平移方法的示意图；

图7至图10为本发明实施例提供的平移机构的形成方法中各步骤对应的的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种电子设备的示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，在一些电子终端中，通常需要让其中的平移机构发生平移、竖直移动或者倾斜，进而实现某些特殊目的(例如摄影)，但在使用过程中，平移机构容易发生抖动，对性能产生影响。因此，亟需一种防抖的平移机构解决这一问题。

在本发明实施例中，提供了一种基于可动的上电极和固定的下电极运动的平移机构，通过施加电压使上电极移动带动滑动结构移动至预设位置，进而可以使滑动结构带动被移动元件移动。

具体的，为实现上述目的，参见图1至图2，本发明实施例提供了一种平移机构的结构示意图，图1为本发明实施例公开的平移机构的主视图，图2为本发明实施例公开的平移机构的俯视图，具体的，包括：

衬底100；

位于所述衬底100上的至少一个平移单元110，所述平移单元110包括：

设置在所述衬底100上的固定结构120和滑动结构130；

位于所述衬底100表面的下电极140，所述下电极140位于所述固定结构120的一侧；

上电极150，包括与所述下电极140相对的弹性部152和与所述固定结构120连接的固定部151；所述弹性部152包括多个间隔的弯折结构，且所述弹性部152一端连接所述固定部151，另一端连接所述滑动结构130；其中，所述弹性部包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；

位于所述上电极150与所述下电极140之间的隔离层170。

本发明实施例提供的一种平移机构，包括：衬底100；位于所述衬底100上的至少一个平移单元110，所述平移单元110包括：设置在所述衬底100上的固定结构120和滑动结构130；位于所述衬底100表面的下电极140，所述下电极140位于所述固定结构120的一侧；上电极150，包括与所述下电极140相对的弹性部152和与所述固定结构120连接的固定部151；所述弹性部152一端连接所述固定部151，另一端连接所述滑动结构130，其中，所述弹性部152包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；位于所述上电极150与所述下电极140之间的隔离层170。

在工作过程中，当对所述上电极150和下电极140通电时，由于静电吸引力使得上电极150和下电极140之间相互吸合，并使上电极150的弹性部152的弯折结构受压向滑动结构130一侧延伸，推动所述滑动结构130移动至预设位置，进而可以使滑动结构130带动被移动元件移动。因此，本发明提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制，以实现快速消抖。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

下面将对所述平移机构的具体组成进行详细的描述。

具体的，所述衬底100用于为平移单元提供平台。所述衬底100还能对平移单元110起到支撑的作用。

所述衬底100可以为半导体衬底。本实施例中，所述衬底100为硅衬底。所述衬底100可以通过半导体制造工艺形成。在其他实施例中，所述衬底100的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟等其他材料。

所述多个平移单元110相互分隔开，用于控制所述平移机构的运动方向，进而使得所述平移机构连接的被移动元件发生运动方向的变化。

具体的，其中单个平移单元110包括：设置在所述衬底100上的固定结构120和滑动结构130；位于所述衬底100表面的下电极140，所述下电极140位于所述固定结构120的一侧；上电极150，包括与所述下电极140相对的弹性部152和与所述固定结构120连接的固定部151；所述弹性部152一端连接所述固定部151，另一端连接所述滑动结构130；其中，所述弹性部包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；位于所述上电极150与所述下电极140之间的隔离层170。

在所述衬底100上还设置有所述固定结构120，所述固定结构120与所述衬底100可以一体成型结构，在其他的实施例中，所述固定结构120与所述衬底100也可以不为一体成型结构。

所述固定结构120为所述平移单元110提供支撑，在所述平移机构移动所述被移动元件时，所述平移机构的平移单元110与所述被移动元件进行连接，当所述被移动元件挤压所述平移单元110时，所述固定结构120提供一定的支撑，使得所述平移单元110容易发生形变，进而减缓元器件之间的相互摩擦，保护元器件的安全。

具体的，所述平移单元110包括上电极150，所述上电极150包括与所述下电极140相对的所述弹性部152和与所述固定结构120连接的固定部151，且所述弹性部152的一端连接所述固定部151，另一端连接所述滑动结构130。

可以理解的是，所述固定结构120的表面高度大于所述下电极140表面的高度，从而所述上电极150的固定部151连接有所述固定结构120，所述固定结构120能为所述上电极150提供支撑，进而使得所述上电极150容易发生形变，实现对所述被移动元件的移动。

所述固定结构120的材料可以为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种，本发明在此不做具体的限定。

所述滑动结构130的一端连接有所述弹性部152，所述滑动结构130还可以连接被移动元件，所述被移动元件可以通过粘连胶实现与所述滑动结构130的连接。

在本发明另一种可选的实施方式中，所述上电极150包括所述弹性部152，所述弹性部152设置在所述固定结构120的一侧，所述弹性部152包括若干个相互连接的顶部电极和弯折结构，所述弯折结构包括底部电极和位于底部电极两侧的侧壁电极，所述顶部电极和所述弯折结构的底部电极上开设有孔槽结构180，且所述孔槽结构180的深度小于或等于所述上电极150的厚度，也就是所述孔槽结构180的深度小于或等于所述弹性部152的厚度。

可以看出，所述弹性部152通过所述固定端连接有所述固定结构120，所述固定结构120为所述弹性部152提供支撑，所述弹性部152包括若干个相互连接的顶部电极和弯折结构，且所述所述顶部电极和所述弯折结构的底部电极上开设有孔槽结构180，也就是所述弹性部152的顶部电极与所述弹性部152的底部电极上开设有所述孔槽结构180。

所述弹性部152包括若干个相互连接的顶部电极和弯折结构，所述弯折结构的底部与所述隔离层的距离小于或等于预设值，以使得所述上电极150在受到对应的电学控制时，弯折结构在隔离层和静电力的作用下产生沿上电极延伸方向的形变，从而实现上电极150的形变，进而推动滑动结构移动。

具体的所述预设值的范围可以包括0.05um-5um，可选的，所述预设值的范围可以包括0.05um-1um，所述预设值的范围可以包括1um-2um，所述预设值的范围也可以包括2um-5um，具体以能实现上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸即可，这里不做限定。

在一个优选的示例中，可以设置上述弯折结构与所述下电极接触，从而使弯折结构的形变完全沿上电极延伸方向产生，增大平移机构的可移动距离。

具体的，所述弹性部152包括依次连接的顶部电极308A，和弯折结构，所述弯折结构包括所述底部电极308C和所述底部电极308C两侧的侧壁电极308B，所述孔槽结构180开设在所述顶部电极308A和底部电极308C上。

具体的，当所述孔槽结构180的深度小于所述上电极150的厚度时，所述孔槽结构180在所述弹性部152上形成的是凹槽结构；当所述孔槽结构180的深度等于所述上电极150的厚度时，所述孔槽结构180在所述弹性部152上形成的是孔状结构。

其中，所述上电极150的厚度不宜过大，也不宜过小。过大容易造成上电极150刚性过大，容易产生抖动，过小则容易增大平移控制难度，在本发明实施例中，所述上电极150的厚度不小于2um，也就是所述弹性部152的厚度不小于2um。

需要进行说明的是，若所述上电极150的顶部电极下表面与所述下电极140的顶面之间的距离太大，容易导致电容太小，需要的驱动电压过大，制造工艺难度系数增加。因此，在本实施例中，所述上电极150的顶部电极下表面与所述下电极140的顶面之间的距离不大于10um。

在本发明一种可选的实施例中，所述隔离层170用于实现层结构之间的隔离。特别是，所述隔离层170可以实现下电极140与上电极150之间的隔离，避免出现漏电现象。

所述隔离层170可以为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。

在本发明一种可选的实施例中，所述隔离层170可以设置在所述下电极层的顶面，用于实现与所述上电极的隔离，避免出现漏电现象。需要进一步说明的是，如果没有所述隔离层170，上电极与下电极接触会通电，使得两者之间形成等电位，进而无法实现上电极和下电极的吸合，从而使得上电极无法实现变形，也就无法实现滑块结构的移动。

在本发明另一种可选的实施例中，所述隔离层170还可以设置在所述上电极层的下表面，用于实现与所述下电极的隔离，避免出现漏电现象。

在本发明另一种可选的实施例中，所述平移单元110还包括，位于所述滑动结构130底部的降摩擦结构160。

所述降摩擦结构160开设在所述滑动结构130底部，且所述降摩擦结构160能够实现降低所述滑动结构130与所述衬底100之间的摩擦力，减少摩擦力对所述滑动结构130的影响，进而提高所述滑动结构130固定连接的所述被移动元件的稳定性。

具体的，所述降摩擦结构160可以为开设在所述滑动结构130底部的中空结构，从而降低所述滑动结构130底部的摩擦面积，减小滑动结构130的摩擦。

在本发明另一种可选的实施方式中，所述降摩擦结构160可以为设置在所述滑动结构130底部槽体的突起结构，通过所述滑动结构130的底部的突起结构与衬底100之间进行连接，从而降低所述滑动结构130底部的摩擦面积，减小滑动结构130的摩擦。

在本发明再一种可选的实施例中，所述平移单元110还包括，位于所述滑动结构130背离所述弹性部152一侧的限位结构190，所述限位结构190固定在所述衬底100上。

所述限位结构190用于限定所述滑动结构130的高度，具体的，限位结构190中包括限位孔，所述滑动结构130穿出所述限位孔，从而使得所述限位孔限制所述滑动结构130的高度，避免滑动结构130翘起造成被移动元件的移动。

具体的，所述限位结构为中空结构，所述滑动结构部分置入所述中空结构的空腔内，当所述滑动结构移动时，所述限位结构限制所述滑动结构的移动距离，所述滑动结构连接所述被移动元件，进而所述限位结构限制所述被移动元件的移动距离。

可以进行说明的是，所述限位结构的结构可以为倒L型，所述限位结构的结构以能实现高度限定即可，这里不做任何限定。

可以看出，本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制，以实现快速消抖。

对应的，本发明实施例还提供一种平移机构的平移方法，包括：

执行驱动处理，向所述上电极加载第一驱动信号，向所述下电极加载第二驱动信号，使所述上电极和所述下电极吸合，使所述上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置；

或者，执行驱动处理，释放所述上电极加载的第一驱动信号，和/或，释放所述下电极加载的第二驱动信号，使上电极和下电极恢复初始状态，带动所述滑动结构还原至初始位置。

具体的，参见图3，所述平移机构在施加电压的过程中，电压施加在上电极和下电极之间，电压能够产生垂直向下的静电力，该静电力驱动下，所述上电极向下电极靠拢进而对自身产生挤压效应，使所述折弯结构发生变形，所述折弯结构会变宽ΔL，当有n个折弯结构，被移动元件可移动nΔL，所述n用于指示所述折弯结构的数量。

对应的，所述平移机构在释放电压的过程中，无论第一驱动信号还是第二驱动信号的释放，都会导致静电力消失，并使得上电极和下电极恢复初始状态，带动所述滑动结构还原至初始位置，从而使得被移动元件恢复至初始位置。

可选的，所述被移动元件的一种可选的实施方式可以为图像传感器，所述平移机构所述图像传感器之间通过粘接剂进行连接，所述平移机构运动带动所述图像传感器运动，进而实现拍照摄影、快速消抖等功能。

参见图4，在本发明实施例公开的实现对所述被移动元件进行移动的一种可选的实现方式为：

所述平移机构包括多个相隔离的平移单元，当所述至少一组弹性部的延伸方向相互垂直的平移单元作为一平移单元模块，多个所述平移单元模块环绕在被移动元件的边缘内部；在所述平移单元模块内，所述滑动结构位于所述平移单元朝向所述被移动元件的边缘的一侧。

具体的，包括平移单元101～108，且所述平移延伸方向相互垂直的平移单元作为一平移单元模块，如图所述，平移单元101与平移单元102组成一平移单元模块。

具体的，仅平移单元101，108给电压，平移单元104，105被动压缩，平移单元102，103，106，107小角度(小于3度)扭动，通过所述平移机构的滑动结构连接的被移动元件可以实现左移。

类似的，仅平移单元104，105给电压，被移动元件可以实现右移；仅平移单元102，103给电压，通过所述平移机构的滑动结构连接的被移动元件可以实现上移；仅平移单元106，107给电压，通过所述平移机构的滑动结构连接的被移动元件可以实现下移。

另外的，当平移单元101，105，103，107给电压，通过所述平移机构的滑动结构连接的被移动元件能够实现逆时针旋转；当平移单元102，104，106，108给电压，通过所述平移机构的滑动结构连接的被移动元件能够实现顺时针旋转。

在工作过程中，当对所述单个移动单元的上电极和下电极通电时，由于静电吸引力使得上电极和下电极之间相互吸合，由于所述上电极与所述下电极之间的存在较大的静电力，上电极的底部与所述下电极之间距离很小，所述上电极的一端连接有固定端，因此使得上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置，进而可以使滑动结构带动被移动元件移动。因此，本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制。

本发明实施例公开的所述平移机构，在所述上电极的弹性部上开设有孔槽结构，所述孔槽结构可以降低所述上电极的刚性，使所述上电极更容易发生变形，能够实现被移动元件在移动过程中的快速消抖。

本发明另一种可选的实施例也可以为，平移机构包括多个相隔离的平移单元，至少一组弹性部的延伸方向相反的平移单元作为一平移单元模块，多个所述平移单元模块层叠设置，且不同平移单元模块的弹性部的延伸方向相互垂直，其中，被移动元件位于顶层的平移单元上方，且与顶层的平移单元的滑动结构固定连接。

请参见图5a和图5b，其中，图5a为位于第一层的平移单元排布，和图5b为位于第二层的平移单元排布图，所述第一层的平移单元位于所述第二层平移单元的上方，第一层的平移单元的滑动结构连接有所述被移动元件。

具体的，用于实现对所述被移动元件的工作过程如下，包括平移单元201-208，所述平移单元201，204给电压右移；平移单元202，203给电压左移；平移单元205，208给电压下移；平移单元206，207给电压上移。

当平移单元201，203，206，208给电压时，所述平移机构顺时针转；平移单元202，204，205，407给电压时，所述平移机构逆时针转。

当只有第一层平移单元(201-204)时，可以实现左右平移和旋转；当仅有第二层(205-208)时，可以实现上下平移和旋转。

在工作过程中，本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制。

本发明实施例公开的所述平移机构，在所述上电极的弹性部上开设有孔槽结构，所述孔槽结构可以降低所述上电极的刚性，使所述上电极更容易发生变形，能够实现被移动元件在移动过程中的快速消抖。

可以看出，在本发明实施例中，所述平移机构包括至少两个平移单元模块，且两个平移单元模块中，至少包括一弹性部具有第一延伸方向的第一平移单元，一弹性部具有第二延伸方向的第二平移单元，一弹性部具有第三延伸方向的第三平移单元和一弹性部具有第四延伸方向的第四平移单元，其中，第一延伸方向和所述第二延伸方向相反，第三延伸方向和所述第四延伸方向相反，且第一延伸方向与所述第三延伸方向垂直。

具体的，所述平移机构包括至少两个平移单元模块，且所述每个平移单元模块都至少包括弹性部的延伸方向相互垂直的平移单元，且所述平移单元分别指示不同的方向，用于实现对所述平移机构的移动方向的控制。

在工作过程中，当对所述单个移动单元的上电极和下电极通电时，由于静电吸引力使得上电极和下电极之间相互吸合，由于所述上电极与所述下电极之间的存在较大的静电力，上电极的底部与所述下电极之间距离很小，所述上电极的一端连接有固定端，因此使得上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置，进而可以使滑动结构带动被移动元件移动。因此，本发明实施例提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，有利于实现对被移动元件的位移的精确控制，能够实现快速消抖。

本发明实施例通过上述不同位移单元的分布排列，能够实现对所述被移动元件的移动。

另外，本发明实施例还公开了一种平移机构的平移方法，包括：

执行驱动处理，向所述上电极加载第一驱动信号，向所述下电极加载第二驱动信号，使所述上电极和所述下电极吸合，使所述上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置。

所述驱动处理是通电以后，对所述上电极施加第一驱动信号，和/或，所述第一驱动信号对所述上电极施加静电力，使其贴合于所述下电极，所述下电极中施加所述第二驱动信号，所述第二驱动信号使得下电极贴合于上电极，进而使得所述上电极和所述下电极吸合，吸合过程中，所述上电极与所述下电极中的距离逐渐变小，为维持正常的电学性能，所述上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动到预设位置。

或者，执行驱动处理，释放所述上电极加载的第一驱动信号，释放所述下电极加载的第二驱动信号，使上电极和下电极恢复初始状态，带动所述滑动结构还原至初始位置。

在本发明一种可选的实施例中，所述上电极加载的第一驱动信号不再向所述上电极中施加静电力，和所述下电极加载的第二驱动信号不再向所述下电极中施加静电力，所以上电极与所述下电极恢复初始状态，进而带动所述滑动结构还原至初始位置。

在本发明另一种可选的实施例中，所述上电极加载的第一驱动信号不再向所述上电极中施加静电力，两个极板(上电极与下电极)之间不存在静电力的作用，所以上电极与所述下电极恢复初始状态，进而带动所述滑动结构还原至初始位置。

在本发明又一种可选的实施例中，下电极加载的第二驱动信号不再向所述下电极中施加静电力，两个极板(上电极与下电极)之间不存在静电力的作用，所以上电极与所述下电极恢复初始状态，进而带动所述滑动结构还原至初始位置。

可选的，所述第一驱动信号的电位类型不同于所述第二驱动信号，所述第一驱动信号与所述第二驱动信号的电位差为0.5V～100V。

具体的，在本发明一种可选的实施例中，所述第一驱动信号与所述第二驱动信号的电位差可以为0.5V～5V；在本发明又一种可选的实施例中，所述第一驱动信号与所述第二驱动信号的电位差也可以为5V～20V；在本发明再一种可选的实施例中，所述第一驱动信号与所述第二驱动信号的电位差还可以为20V～100V，具体以能实现静电力驱动为准，这里不作任何限定。

具体的，所述平移机构中，弹性部具有第一延伸方向的平移单元为第一平移单元，弹性部具有第二延伸方向的平移单元为第二平移单元，弹性部具有第三延伸方向的平移单元为第三平移单元，弹性部具有第四延伸方向的平移单元为第四平移单元，其中，第一延伸方向和所述第二延伸方向相反，第三延伸方向和所述第四延伸方向相反；所述方法包括：

执行驱动处理，向所述第一平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第一平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第一平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第一平移单元的滑动结构向第一延伸方向移动。

和/或，执行驱动处理，向所述第二平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第二平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第二平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第二平移单元的滑动结构向第二延伸方向移动。

和/或，执行驱动处理，向所述第三平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第三平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第三平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第三平移单元的滑动结构向第三延伸方向移动。

和/或，执行驱动处理，向所述第四平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第四平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第四平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第四平移单元的滑动结构向第四延伸方向移动。

需要说明的是，在进行消抖时，根据上电极弹簧长度和被移动元件的质量，可以得到被移动元件抖动的规律，一般来说，上电极弹簧长度较长，所述被移动元件容易发生幅度较大，衰减较慢的自由振动。基于此，参考图6，本发明实施例中可以给平移机构一个电压信号，使上电极产生一个与自由振动共轭的振动(参考图6)，进而抵消振动，快速消抖。

上述步骤中，此处各个平移单元的运动原理与上述平移单元的运动原理相同，这里不再赘述。

本发明实施例还公开了一种平移机构的形成方法，参见图7，包括：

S11，提供衬底，所述基底包括衬底，以及在所述衬底上形成有固定结构、位于固定结构一侧的下电极，和位于所述下电极上，且与所述固定结构顶面齐平的牺牲层。

S12，形成保形覆盖在所述固定结构顶面和所述牺牲层顶面的上电极。

S13，去除所述牺牲层，形成上电极，所述上电极悬空部分为弹性部，所述上电极与固定结构连接的部分为固定部。

S14，在所述弹性部背离所述固定部的一端形成滑动结构。

具体的，在本实施例中，所述牺牲层形成在所述固定结构一侧的所述隔离层上，且与所述固定结构顶面的隔离层齐平。

所述牺牲层的材料可以为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种，需要说明的是，所述牺牲层的材料与所述固定结构的材料不同。

形成所述牺牲层的过程可以包括，参见图8，在所述衬底100上和所述固定结构120上形成牺牲材料层200，所述牺牲材料层200顶面与所述衬底的距离大于所述固定结构120的厚度；研磨所述牺牲材料层200，去除高出所述固定结构120顶面的牺牲材料层200，形成与所述固定结构120顶面齐平的牺牲层。

进一步的，参见图9，所述牺牲层200顶面包括多个倒梯形凹槽结构210，以使形成的所述上电极150包括若干个弯折结构，所述弯折结构包括底部电极和位于底部电极两侧的侧壁电极。

在本实施例中，可以采用刻蚀工艺形成所述倒梯形凹槽结构。具体的，可以在所述牺牲层上形成图形化的掩膜，该掩膜露出所需刻蚀的部分，并进一步进行刻蚀，以得到所述倒梯形凹槽结构。并且，需要说明的是，所述倒梯形凹槽结构可以为圆台性或方台形，本发明在此不做具体的限定。

在本发明实施例中，所述牺牲层上形成相互间隔的弯折结构，所述弯折结构为等间隔排列，且所述弯折结构的深度不大于所述牺牲层的高度。

更进一步的，在本发明一种可选的实施例中，所述多个弯折结构的大小相同，所述弯折结构的大小不做任何限定，以能够在所述牺牲层中间隔形成即可。

具体的，参见图10，在所述上电极150上形成孔槽结构180，所述孔槽结构180的深度小于或等于所述上电极150的厚度。

具体的，当所述孔槽结构180的深度小于所述上电极150的厚度时，所述孔槽结构180在所述弹性部上形成的是凹槽结构；当所述孔槽结构180的深度等于所述上电极150的厚度时，所述孔槽结构180在所述弹性部上形成的是孔状结构。

当所述孔槽结构180的深度等于所述上电极150的厚度，所述去除所述牺牲层，形成上电极150的步骤具体为：以所述上电极150上的孔槽结构180和所述牺牲层的侧壁为切入口，刻蚀去除所述牺牲层。

在本实施例中，由于所述孔槽结构180为孔状结构，以所述上电极150上的孔槽结构180和所述牺牲层的侧壁为切入口，刻蚀去除所述牺牲层，进而使得孔槽结构180辅助牺牲层释放，从而降低对该步骤的工艺难度，节约工艺时间，提高工作效率。

具体的，在本实施例中，可以采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

具体的，本发明实施例还提供一种电子设备。参考图11，示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。(电子设备可以是最终设备，也可以为中间结构，比如组件、模组)

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：被移动元件，和平移机构。

所述被移动元件可以为图像传感器；本发明提供的一种平移机构，所述平移机构用于移动所述图像传感器。

在本发明其他的实施例中，所述被移动元件还可以包括射频发生器、棱镜、光栅或波导。

本发明实施例的电子设备中，通过前述实施例提供的平移机构移动所述图像传感器以实现快速消抖，与移动镜头的方式相比，图像传感器的尺寸更小、重量更低，通过移动图像传感器实现快速消抖，有利于节约成本、提高快速消抖的便利性和稳定性，且本发明提供的平移机构具有行程大、移动精度高的优点，从而有利于实现对图像传感器的精密平移，进而提高所述成像组件用于快速消抖的有效性和精确性，相应提高成像质量，例如：提高成像清晰度，相应提高了所述电子设备的拍摄质量，还有利于提高用户的使用感受度。

具体地，所述电子设备可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。

上文描述了本发明实施例提供的多个实施例方案，各实施例方案介绍的各可选方式可在不冲突的情况下相互结合、交叉引用，从而延伸出多种可能的实施例方案，这些均可认为是本发明实施例披露、公开的实施例方案。

虽然本发明实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围包括准。

Claims (21)

1.一种平移机构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的至少一个平移单元，所述平移单元包括：

设置在所述衬底上的固定结构和滑动结构；

位于所述衬底表面的下电极，所述下电极位于所述固定结构的一侧；

上电极，包括与所述下电极相对的弹性部和与所述固定结构连接的固定部；所述弹性部一端连接所述固定部，另一端连接所述滑动结构；其中，所述弹性部包括多个间隔的弯折结构，所述弯折结构的底部与所述下电极的距离小于或等于预设值；

位于所述上电极与所述下电极之间的隔离层。

2.如权利要求1所述的一种平移机构，其特征在于，所述弹性部上开设有孔槽结构，所述孔槽结构的深度小于或等于所述上电极的厚度。

3.如权利要求2所述的一种平移机构，其特征在于，所述弹性部包括若干个相互连接的顶部电极和弯折结构，所述弯折结构包括底部电极和位于底部电极两侧的侧壁电极。

4.如权利要求3所述的一种平移机构，其特征在于，所述孔槽结构开设于所述顶部电极和所述弯折结构的底部电极上。

5.如权利要求2所述的一种平移机构，其特征在于，所述上电极的厚度不小于2um，所述上电极的顶部电极下表面与所述下电极的顶面之间的距离不大于10um。

6.如权利要求1所述的一种平移机构，其特征在于，所述预设值的范围包括0.05um-5um。

7.如权利要求1所述的一种平移机构，其特征在于，所述平移单元还包括，位于所述滑动结构底部的降摩擦结构。

8.如权利要求1所述的一种平移机构，其特征在于，所述平移单元还包括，位于所述滑动结构背离所述弹性部一侧的限位结构，所述限位结构固定在所述衬底上。

9.如权利要求1所述的一种平移机构，其特征在于，被移动元件位于所述平移单元上方，且与所述平移单元的滑动结构固定连接。

10.如权利要求9所述的一种平移机构，其特征在于，所述平移机构包括多个相隔离的平移单元，至少一组弹性部的延伸方向相互垂直的平移单元作为一平移单元模块，多个所述平移单元模块环绕在被移动元件的边缘内部；在所述平移单元模块内，所述滑动结构位于所述平移单元朝向所述被移动元件的边缘的一侧。

11.如权利要求9所述的一种平移机构，其特征在于，所述平移机构包括多个相隔离的平移单元，至少一组弹性部的延伸方向相反的平移单元作为一平移单元模块，多个所述平移单元模块层叠设置，且不同平移单元模块的弹性部的延伸方向相互垂直，其中，被移动元件位于顶层的平移单元上方，且与顶层的平移单元的滑动结构固定连接。

12.如权利要求10或11所述的一种平移机构，其特征在于，所述平移机构包括至少两个平移单元模块，且两个平移单元模块中，至少包括一弹性部具有第一延伸方向的第一平移单元，一弹性部具有第二延伸方向的第二平移单元，一弹性部具有第三延伸方向的第三平移单元和一弹性部具有第四延伸方向的第四平移单元，其中，第一延伸方向和所述第二延伸方向相反，第三延伸方向和所述第四延伸方向相反，且第一延伸方向与所述第三延伸方向垂直。

13.一种如权利要求1-12任一项所述的平移机构的平移方法，其特征在于，包括：

执行驱动处理，向所述上电极加载第一驱动信号，向所述下电极加载第二驱动信号，使所述上电极和所述下电极吸合，使所述上电极的弹性部向滑动结构一侧延伸，带动所述滑动结构移动至预设位置；

或者，执行驱动处理，释放所述上电极加载的第一驱动信号，和/或，释放所述下电极加载的第二驱动信号，使上电极和下电极恢复初始状态，带动所述滑动结构还原至初始位置。

14.如权利要求13所述的一种平移机构的平移方法，其特征在于，所述平移机构中，弹性部具有第一延伸方向的平移单元为第一平移单元，弹性部具有第二延伸方向的平移单元为第二平移单元，弹性部具有第三延伸方向的平移单元为第三平移单元，弹性部具有第四延伸方向的平移单元为第四平移单元，其中，第一延伸方向和所述第二延伸方向相反，第三延伸方向和所述第四延伸方向相反；所述方法包括：

执行驱动处理，向所述第一平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第一平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第一平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第一平移单元的滑动结构向第一延伸方向移动；

和/或，

执行驱动处理，向所述第二平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第二平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第二平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第二平移单元的滑动结构向第二延伸方向移动；

和/或，

执行驱动处理，向所述第三平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第三平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第三平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第三平移单元的滑动结构向第三延伸方向移动；

和/或，

执行驱动处理，向所述第四平移单元的上电极加载第一驱动信号，向所述第四平移单元的下电极加载第二驱动信号，使所述第四平移单元的上电极和下电极吸合，使所述第四平移单元的滑动结构向第四延伸方向移动。

15.如权利要求13或14所述的一种平移机构的平移方法，其特征在于，所述第一驱动信号的电位类型不同于所述第二驱动信号，所述第一驱动信号与所述第二驱动信号的电位差为0.5V～100V。

16.一种平移机构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底，以及在所述衬底上形成有固定结构、位于固定结构一侧的下电极，和位于所述下电极上，且与所述固定结构顶面齐平的牺牲层；

形成保形覆盖在所述固定结构顶面和所述牺牲层顶面的上电极；

去除所述牺牲层，形成上电极，所述上电极悬空部分为弹性部，所述上电极与固定结构连接的部分为固定部；

在所述弹性部背离所述固定部的一端形成滑动结构。

17.如权利要求16所述的平移机构的形成方法，其特征在于，在所述上电极上形成孔槽结构，所述孔槽结构的深度小于或等于所述上电极的厚度。

18.如权利要求16所述的平移机构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层顶面包括多个倒梯形凹槽结构，以使形成的所述上电极包括若干个弯折结构，所述弯折结构包括底部电极和位于底部电极两侧的侧壁电极。

19.如权利要求17所述的平移机构的形成方法，所述孔槽结构的深度等于所述上电极的厚度，所述去除所述牺牲层，形成上电极的步骤具体为：以所述上电极上的孔槽结构和所述牺牲层的侧壁为切入口，刻蚀去除所述牺牲层。

20.一种电子设备，其特征在于，包括：

被移动元件；

如权利要求1-12任一项所述的平移机构；

其中，所述被移动元件位于所述平移机构上。

21.如权利要求20所述的电子设备，其特征在于，所述被移动元件包括图像传感器、射频发生器、棱镜、光栅或波导。

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