CN113060701A - 一种蒸发冷却微结构的制备方法 - Google Patents
一种蒸发冷却微结构的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113060701A CN113060701A CN202110479607.2A CN202110479607A CN113060701A CN 113060701 A CN113060701 A CN 113060701A CN 202110479607 A CN202110479607 A CN 202110479607A CN 113060701 A CN113060701 A CN 113060701A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- photoresist
- layer
- deposition layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00388—Etch mask forming
- B81C1/00396—Mask characterised by its composition, e.g. multilayer masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00539—Wet etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；将沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；再用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。本发明采用电沉积方法，实现高效、快速加工大面积的微结构，实现产业化生产；能够实现在同一个基片上同时加工出多个微结构。
Description
技术领域
本发明涉及电加工技术领域，具体地说是一种蒸发冷却微结构的制备方法。
背景技术
Omniphobic微结构是一种开口小内部大的盲孔状结构，实际运用于超疏水超疏油表面结构，具有自清洁、防污染等一系列优异性能。传统制备超疏结构的方法包括化学腐蚀法、溶液浸泡法、溶胶凝胶法、飞秒激光加工、化学气相沉积、静电纺丝以及相关的复合加工工艺等，但上述方法大都存在诸如化学污染、超净和高度真空操作条件等问题，且制备时间长，需要繁杂的加工步骤，从而制约了其广泛的应用。上述微结构的加工方法复杂、成本高，且难以满足大面积大规模制造的需求，所以需探索新型制备方法。
因此，开发出安全、高效且适合大面积大规模生产的超疏水表面微结构的制备方法具有重要意义。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种蒸发冷却微结构的制备方法，以实现高效、快速加工大面积的微结构，实现产业化生产。
为了达到上述目的，本申请提供如下技术方案。
一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：
101、在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；
104、步骤103完成后，将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；
105、将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；
106、干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；
108、在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，实现对第一金属的腐蚀溶解，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。
优选地，所述步骤103中光刻胶的厚度为20～40μm。
优选地，所述步骤105中，采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
优选地，所述步骤106还包括，沉积一层第二金属后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属的厚度与光刻胶的厚度相同。
优选地，所述步骤106中第二金属的材质与基片的材质相同。
优选地，所述基片为铜基片，所述第二金属为铜。
优选地，所述步骤108中通过控制刻蚀液的温度和时间，实现对第一金属不同程度的溶解。
优选地，所述步骤108中刻蚀液为选择性刻蚀液，能够溶解第一金属，且不会腐蚀底部的基片。
优选地，所述第一金属为镍，所述第一金属的厚度为30～50μm。
优选地，所述步骤108中刻蚀液为镍刻蚀液，实现对第一金属镍的腐蚀。
本发明所获得的有益技术效果：
1)本发明利用电化学原理加工，设备相对简单、操作简便、低成本、高效率，实现蒸发冷却微结构的产业化生产；加工中无切削力和切削热的作用，不产生变形和残余应力、加工硬化、毛刺、飞边等，加工表面质量好，加工范围广不受材料本身强度、硬度和韧性的限制，可加工高强度、高硬度和高韧性等难切削的金属材料；
2)本发明采用电沉积方法，利用金属离子阴极电沉积原理，高精度地把掩模版上的图形复制到光刻胶上，同时，在平板上可采用干膜光刻胶，使用覆膜方式涂覆光刻胶，省去了旋涂、前烘等步骤，节省了加工时间；此外，由于光刻胶是非金属材料，可以用有机溶剂溶解，不会对其他金属材料产生影响；
3)本发明中电沉积层的厚度和光刻胶的厚度，两个尺寸可根据蒸发冷却微结构的尺寸变化而变化；此时，只需改变电沉积层的厚度和化学刻蚀的时间即可，简单快速；由于电沉积适用于各种金属以及各类合金的加工，所以基片和电沉积层可以根据实际要求而改变，该制备方法适应性强。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下以本申请的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
根据下文结合附图对本申请具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本申请的上述及其他目的、优点和特征。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1是本公开一种实施例中蒸发冷却微结构制备方法的工艺流程图；
图2是本公开一种实施例中基片上电沉积第一金属的剖面图；
图3是本公开一种实施例中涂覆光刻胶的剖面图；
图4是本公开一种实施例中曝光的剖面图；
图5是本公开一种实施例中显影的剖面图；
图6是本公开一种实施例中沉积第二金属的剖面图；
图7是本公开一种实施例中去除多余光刻胶后的剖面图；
图8是本公开一种实施例中加入刻蚀液的剖面图；
图9是本公开一种实施例中蒸发冷却微结构的剖面图。
在以上附图中：1、基片；2、第一金属；3、光刻胶；4、曝光掩膜板；5、第二金属；6、刻蚀液；7、蒸发冷却微结构。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在下面的描述中，提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面理解本申请的实施例。因此，本领域技术人员应该清楚，可以对这里描述的实施例进行各种改变和修改而不脱离本申请的范围和精神。另外，为了清楚和简洁，实施例中省略了对已知功能和构造的描述。
应该理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“本实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“一个实施例”或“本实施例”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身并不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况，本文中术语“/和”是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况，另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。
本文中术语“至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含。
实施例1
如附图1所示，一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：
101、在基片1上表面电沉积一层第一金属2，形成沉积层，如附图2所示，其中，第一金属2的厚度为30～50μm。
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层，即沉积层的厚度为30～50μm。
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶3，如附图3所示，其中，光刻胶3的厚度为20～40μm。
104、步骤103完成后，将基片1放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板4进行曝光，如附图4所示。
105、将曝光处理后的基片1放入显影液中进行显影，如附图5所示，显影后进行清洗、干燥；采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
106、干燥后基片1的沉积层的表面沉积一层第二金属5，如附图6所示；沉积一层第二金属5后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属5的厚度与光刻胶3的厚度相同。
在一个实施例中，所述第二金属5的材质与基片1的材质相同。
可替换的，步骤106中，干燥后基片1的沉积层的表面镀一层第二金属5；镀一层第二金属5后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属5的厚度与光刻胶3的厚度相同。
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶3进行溶解，如附图7所示。
108、在光刻胶3溶解的位置中加入刻蚀液6，实现对第一金属2的腐蚀，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液6，如附图8所示，再经清洗、干燥，得到微结构，即蒸发冷却微结构7，如附图9所示；通过控制刻蚀液6的温度和时间，实现对第一金属2不同程度的溶解。
进一步的，所述刻蚀液6为选择性刻蚀液，能够溶解第一金属2，且不会腐蚀底部的基片1。
实施例2
基于上述实施例1，一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：
101、在基片1上表面电沉积一层第一金属2，形成沉积层，如附图2所示，其中，第一金属2的厚度为30μm。
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层。
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶3，如附图3所示，其中，光刻胶3的厚度为20μm。
104、步骤103完成后，将基片1放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板4进行曝光，如附图4所示。
105、将曝光处理后的基片1放入显影液中进行显影，如附图5所示，显影后进行清洗、干燥；采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
106、干燥后基片1的沉积层的表面沉积一层第二金属5，如附图6所示；沉积一层第二金属5后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属5的厚度与光刻胶3的厚度相同。
其中，所述第二金属5的材质与基片1的材质相同。
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶3进行溶解，如附图7所示，其中，溶剂为丙酮。
108、在光刻胶3溶解的位置中加入刻蚀液6，实现对第一金属2的腐蚀溶解，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液6，如附图8所示，再经清洗、干燥，得到微结构，即蒸发冷却微结构7，如附图9所示；通过控制刻蚀液6的温度和时间，实现对第一金属2不同程度的溶解。
进一步的，所述刻蚀液6为选择性刻蚀液，能够溶解第一金属2，且不会腐蚀底部的基片1。
实施例3
基于上述实施例1，一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：
101、在基片1上表面电沉积一层第一金属2，形成沉积层，如附图2所示，其中，第一金属2的厚度为50μm。
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层。
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶3，如附图3所示，其中，光刻胶3的厚度为40μm。
104、步骤103完成后，将基片1放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板4进行曝光，如附图4所示。
105、将曝光处理后的基片1放入显影液中进行显影，如附图5所示，显影后进行清洗、干燥；采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
106、干燥后基片1的沉积层的表面沉积一层第二金属5，如附图6所示；沉积一层第二金属5后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属5的厚度与光刻胶3的厚度相同。
其中，所述第二金属5的材质与基片1的材质相同。
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶3进行溶解，如附图7所示，其中，溶剂为丙酮。
108、在光刻胶3溶解的位置中加入刻蚀液6，实现对第一金属2的腐蚀溶解，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液6，如附图8所示，再经清洗、干燥，得到微结构，即蒸发冷却微结构7，如附图9所示；通过控制刻蚀液6的温度和时间，实现对第一金属2不同程度的溶解。
进一步的，所述刻蚀液6为选择性刻蚀液，能够溶解第一金属2，且不会腐蚀底部的基片1。
实施例4
如附图1所示，一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：
101、在铜基片上表面电沉积一层镍，形成沉积层，其中，镍的厚度为30～50μm。
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层。
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶，其中，光刻胶的厚度为20～40μm。
104、步骤103完成后，将铜基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光。
105、将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
106、干燥后基片的沉积层的表面沉积一层铜；沉积一层铜后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证铜的厚度与光刻胶的厚度相同。
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶进行溶解，其中，溶剂为丙酮。
108、在光刻胶溶解的位置中加入镍刻蚀液，实现对第一金属镍的腐蚀，待溶解至指定位置倒掉多余的镍刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构，即蒸发冷却微结构；通过控制镍刻蚀液的温度和时间，实现对镍沉积层不同程度的溶解。
基于上述实施例1-4制备方法加工得到的蒸发冷却微结构，具有超疏水超疏油的表面结构，具有自清洁、防污染等一系列优异性能；上述制备方法能够实现在同一个基片上同时加工出多个微结构。
上述蒸发冷却微结构的制备方法利用电化学原理加工，设备相对简单、操作简便、低成本、高效率，实现蒸发冷却微结构的产业化生产；采用电沉积方法，利用金属离子阴极电沉积原理，高精度地把掩模版上的图形复制到光刻胶上，同时，在平板上可采用干膜光刻胶，使用覆膜方式涂覆光刻胶，省去了旋涂、前烘等步骤，节省了加工时间；此外，由于光刻胶是非金属材料，可以用有机溶剂溶解，不会对其他金属材料产生影响；电沉积层的厚度和光刻胶的厚度，两个尺寸可根据蒸发冷却微结构的尺寸变化而变化；此时，只需改变电沉积层的厚度和化学刻蚀的时间即可，简单快速；由于电沉积适用于各种金属以及各类合金的加工，所以基片和电沉积层可以根据实际要求而改变，该制备方法适应性强。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，其并非因此限制本发明的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，通过常规的替代或者能够实现相同的功能在不脱离本发明的原理和精神的情况下对这些实施例进行变化、修改、替换、整合和参数变更均落入本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
101、在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；
104、步骤103完成后，将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；
105、将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；
106、干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；
108、在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。
2.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤103中光刻胶的厚度为20～40μm。
3.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤105中，采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。
4.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤106还包括，沉积一层第二金属后，对结构表面进行精密抛磨，同时保证第二金属的厚度与光刻胶的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤106中第二金属的材质与基片的材质相同。
6.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述基片为铜基片，所述第二金属为铜。
7.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤108中通过控制刻蚀液的温度和时间，实现对第一金属不同程度的溶解。
8.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤108中刻蚀液为选择性刻蚀液，能够溶解第一金属，且不会腐蚀底部的基片。
9.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属为镍，所述第一金属的厚度为30～50μm。
10.根据权利要求9所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤108中刻蚀液为镍刻蚀液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110479607.2A CN113060701A (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种蒸发冷却微结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110479607.2A CN113060701A (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种蒸发冷却微结构的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113060701A true CN113060701A (zh) | 2021-07-02 |
Family
ID=76568166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110479607.2A Pending CN113060701A (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种蒸发冷却微结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113060701A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101918617A (zh) * | 2007-12-31 | 2010-12-15 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 制造金属微结构的方法和通过该方法获得的微结构 |
| CN102043323A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制造掩膜版的方法 |
| CN102820405A (zh) * | 2012-07-17 | 2012-12-12 | 大连理工大学 | 一种led器件的硅基板与铜微热管集成制造方法 |
| CN103094096A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法 |
| CN105023842A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 太原理工大学 | 一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法 |
| CN105220185A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-06 | 广东工业大学 | 一种超疏油微柱阵列表面织构的制备方法 |
| CN105274490A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 广东工业大学 | 一种具有内凹式微孔的超疏油金属表面的制备方法 |
| AU2020102847A4 (en) * | 2020-10-19 | 2020-12-17 | Wuhan University Of Science And Technology | Preparation Method of Drag-reducing Copper Surface |
| CN112255715A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 江南大学 | 一种基于超薄金属薄膜实现宽带光吸收增强的方法及吸波装置 |
-
2021
- 2021-04-30 CN CN202110479607.2A patent/CN113060701A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101918617A (zh) * | 2007-12-31 | 2010-12-15 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 制造金属微结构的方法和通过该方法获得的微结构 |
| CN102043323A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制造掩膜版的方法 |
| CN103094096A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法 |
| CN102820405A (zh) * | 2012-07-17 | 2012-12-12 | 大连理工大学 | 一种led器件的硅基板与铜微热管集成制造方法 |
| CN105023842A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 太原理工大学 | 一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法 |
| CN105220185A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-06 | 广东工业大学 | 一种超疏油微柱阵列表面织构的制备方法 |
| CN105274490A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 广东工业大学 | 一种具有内凹式微孔的超疏油金属表面的制备方法 |
| AU2020102847A4 (en) * | 2020-10-19 | 2020-12-17 | Wuhan University Of Science And Technology | Preparation Method of Drag-reducing Copper Surface |
| CN112255715A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 江南大学 | 一种基于超薄金属薄膜实现宽带光吸收增强的方法及吸波装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| DONG EOK KIM 等: "Review of boiling heat transfer enhancement on micro/nanostructured surfaces", EXPERIMENTAL THERMAL AND FLUID SCIENCE, vol. 66, 6 April 2015 (2015-04-06), pages 173 - 196 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106736306B (zh) | 一种电子产品金属壳体及其表面处理方法 | |
| CN102320559B (zh) | 一种中空结构的微阵列电极的制备方法 | |
| HUE028044T2 (en) | A method for producing a conductive image on a non-conductive surface | |
| CN104597719B (zh) | 基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法 | |
| CN102766893A (zh) | 一种可图形化纳米多孔铜的制备方法 | |
| CN104191053A (zh) | 一种微细电解阴极活动模板的制备方法 | |
| KR100860306B1 (ko) | 전기화학적 식각을 이용한 마이크로사이즈 금속 식각방법 | |
| KR100750314B1 (ko) | 정밀 전주를 위한 메쉬형 음극드럼 및 이의 제조방법 | |
| TWI487443B (zh) | 基板結構的製造方法及以此方法製造的基板結構 | |
| CN107999908B (zh) | 一种微坑阵列的制作方法 | |
| CN113060701A (zh) | 一种蒸发冷却微结构的制备方法 | |
| CN101887214B (zh) | 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 | |
| CN110703373A (zh) | 一种精密金属反射光栅的制造方法 | |
| Patil et al. | Comparative study of FeCl3 and CuCl2 on geometrical features using photochemical machining of monel 400 | |
| CN113862770A (zh) | 一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法 | |
| CN109103301A (zh) | 一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法 | |
| JPH09217191A (ja) | 電鋳による貴金属の精密加工方法 | |
| CN109680306B (zh) | 基于机械打孔的fmm电铸母板制作方法 | |
| CN113319387B (zh) | 一种强化换热微结构的规模化制备方法 | |
| KR101412219B1 (ko) | 다단형 기판 제조 방법 | |
| CN114182202B (zh) | 电子器件金属图形的微加工方法 | |
| DE102011050722B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Aufbaus mit einer mikrostrukturierten Oberfläche | |
| Kumar et al. | Chemical Machining | |
| CN107871705A (zh) | 一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法 | |
| TWI754198B (zh) | 蝕刻基板之系統及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |