CN113055617A - 图像传感器 - Google Patents

图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN113055617A
CN113055617A CN202110501366.7A CN202110501366A CN113055617A CN 113055617 A CN113055617 A CN 113055617A CN 202110501366 A CN202110501366 A CN 202110501366A CN 113055617 A CN113055617 A CN 113055617A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
coupled
source
transistor
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110501366.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113055617B (zh
Inventor
李扬
马成
刘洋
刘芳园
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co ltd
Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co ltd
Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co ltd, Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd filed Critical Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co ltd
Priority to CN202110501366.7A priority Critical patent/CN113055617B/zh
Publication of CN113055617A publication Critical patent/CN113055617A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113055617B publication Critical patent/CN113055617B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明提供一种图像传感器，包括至少两个相同的子像素单元，子像素单元包括电荷曝光转移结构和电容反馈跨导放大器，电容反馈跨导放大器包括积分电容、初始化晶体管和源极跟随器，隔直电容的两端分别与电荷曝光转移结构、源极跟随器的栅极耦接，源极跟随器的源极接入基准电压；积分电容的两端分别与源极跟随器的栅极和漏级耦接，用于对源极跟随器将要输出的信号进行积分放大，初始化晶体管的源极和漏级分别与积分电容的两端耦接，用于对积分电容进行复位。本发明将像素分为多个子像素单元进行分段驱动，并在每个子像素单元中配置CTIA，以此来降低CTIA输入端的寄生电容，从而降低CTIA的噪声，提升图像传感器的信噪比，提高成像效果。

Description

图像传感器
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，特别涉及一种基于CTIA像素架构的CMOS图像传感器。
背景技术
目前光谱成像在矿产资源勘测、生物医学鉴定、食品检测、大气研究等领域有着广泛的应用。光谱仪主要包括光源系统、分光成像系统和接收器件。元素的原子在激发光源的作用下发射谱线，谱线经过分光成像系统分光后形成光谱，每种元素都有自己的特征谱线，谱线的强度代表试样中元素的含量，将所分离的各个光谱通过图像传感器的感光阵列进行光电转换，再经过读出电路进行模数转换，最后进行数据处理和读出。
如今的光谱仪接收器件大多采用CMOS图像传感器，这使光谱仪具备了以前没有的特点，比如扫描速度快、定量分析精度高以及扫描的光谱范围宽。
现有的CMOS图像传感器，在每列像素的下侧配置一个电容反馈跨导放大器(Capacitive Transimpedance Amplifier，简称CTIA)，垂直方向上的各个像素单元输出信号短接，由一根金属线将信号传输到CTIA的输入端，将信号在CTIA的积分电容上积分放大，再向读出电路输入。
由于CTIA位于像素阵列的一侧，导致列总线过长，使CTIA输入端的寄生电容过大，CTIA的噪声过大，会降低CMOS图像传感器的信噪比，影响成像效果。
发明内容
本发明旨在克服现有技术存在的缺陷，提出以一种图像传感器，通过对像素进行分段驱动，并在每个子像素单元中配置CTIA，以此来降低CTIA输入端的寄生电容，从而降低CTIA的噪声，提升图像传感器的信噪比，提高成像效果。
具体地，本发明提供的图像传感器包括像素读出结构和像素读出电路，像素读出电路包括隔直电容，像素读出结构包括至少两个相同的子像素单元，子像素单元包括电荷曝光转移结构和电容反馈跨导放大器，电容反馈跨导放大器包括积分电容、初始化晶体管和源极跟随器，隔直电容的一端与电荷曝光转移结构耦接，另一端与源极跟随器的栅极耦接，用于阻隔直流；源极跟随器的源极接入基准电压，源极跟随器的漏级作为信号输出端；积分电容的两端分别与源极跟随器的栅极和漏级耦接，用于对源极跟随器将要输出的信号进行积分放大，初始化晶体管的源极和漏级分别与积分电容的两端耦接，用于对积分电容进行复位。
优选地，所述像素读出电路还包括与子像素单元数量相同的负载电流源，负载电流源与源极跟随器耦接，用于为源极跟随器提供偏置电流。
优选地，所述像素读出电路还包括与各子像素单元中源极跟随器耦接的可编程增益放大器，各源极跟随器将信号输出至可编程增益放大器，通过可编程增益放大器对各路信号进行加和放大输出。
优选地，所述像素读出电路进一步包括采样保持电路和A/D转换器，可编程增益放大器耦接、采样保持电路与A/D转换器依次耦接，经可编程增益放大器加和放大的信号通过采样保持电路进行模拟采样并读出，再通过A/D转换器进行数字转换。
优选地，电荷曝光转移结构包括像素全局复位晶体管、光电二极管、存储节点、第一电荷转移晶体管、第二电荷转移晶体管、浮动扩散节点和浮动扩散节点复位晶体管；像素复位晶体管的源极接入供电电压，像素复位晶体管的漏极耦接于第一电荷转移晶体管的源极，第一电荷转移晶体管的漏级与第二电荷转移晶体管的源极连接，第二电荷转移晶体管的漏级与浮动扩散节点耦接，浮动扩散节点复位晶体管的源极接入供电电压，浮动扩散节点复位晶体管的漏级与浮动扩散节点耦接，浮动扩散节点与隔直电容的一端耦接，光电二极管耦接于像素全局复位晶体管与第一电荷转移晶体管之间，存储节点耦接于第一电荷转移晶体管与第二电荷转移晶体管之间。
优选地，源极跟随器选用低阈值低噪声类型晶体管。
与现有技术相比，本发明能够取得以下技术效果：
1、将CTIA应用于每个子像素单元，使每个子像素单元均为CTIA像素结构，从而获得更大更可控的像素转换增益。
2、由于每个子像素单元中都配置一个CTIA，可以缩短CTIA输入端信号线的长度，因此CTIA输入端的电容很小，减小CTIA的输出噪声。
3、采用对像素进行分段控制与驱动的方法，对于感光面来说，不存在垂直方向上的空隙。相对于面阵图像传感器或由短二极管组成的线阵传感器在垂直方向上，光电二极管间存在空间上的物理空隙，因此，对于相同高度的图像传感器，本发明的像素结构会得到更大的满阱容量。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的图像传感器的整体架构示意图；
图2是根据本发明一个实施例的子像素单元的架构示意图；
图3是根据本发明一个实施例的像素阵列的架构示意图。
其中的附图标记包括：子像素单元1、CTIA2、像素复位晶体管GRST、光电二极管PD、第一电荷转移晶体管TX1、第二电荷转移晶体管TX2、存储节点MN、浮动扩散节点复位晶体管RST、浮动扩散节点FD、隔直电容C1、积分电容C2、初始化晶体管INIT、源极跟随器SF、负载电流源CS、可编程增益放大器PGA、采样保持电路S/H、A/D转换器ADC。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。
对于传统的图像传感器，一列像素单元共用一个CTIA，导致列总线过长，使CTIA输入端的寄生电容过大，CTIA的噪声过大，会降低CMOS图像传感器的信噪比，影响成像效果。本发明为了避免出现列总线过长的问题，采用对像素进行分段控制与驱动的方法，将一个像素分成几段进行驱动，每一段相当于一个子像素单元，每个子像素单元分别配置一个CTIA，从而缩短列总线的长度，使CTIA输入端的电容变得很小，使得CTIA的输出噪声很小，从而提升图像传感器的信噪比，提高成像效果。
本发明可以将一个像素分成多个结构相同的子像素单元，下面以分为两个子像素单元为例进行说明，分为更多的子像素单元同理可得。
图1示出了根据本发明一个实施例的图像传感器的整体架构。
如图1所示，图像传感器包括CTIA像素读出结构和像素读出电路，CTIA像素读出结构包括两个相同结构的子像素单元1，两个子像素单元1分别配置有CTIA2，使两个子像素单元1分别构成CTIA像素结构，两个子像素单元1分别同时驱动、同步输出。
图2示出了根据本发明一个实施例的子像素单元的架构。
如图2所示，子像素单元包括电荷曝光转移结构和CTIA，电荷曝光转移结构用于实现电荷的曝光、存储和转移，而CTIA用于对电荷曝光转移结构输出的信号进行积分放大。
电荷曝光转移结构包括像素复位晶体管GRST、光电二极管PD、第一电荷转移晶体管TX1、第二电荷转移晶体管TX2、存储二极管MN、浮动扩散节点复位晶体管RST和浮动扩散节点FD，
像素复位晶体管GRST的源极接入供电电压，像素复位晶体管GRST的漏极耦接于第一电荷转移晶体管TX1的源极，第一电荷转移晶体管TX1的漏级与第二电荷转移晶体管TX2的源极连接，第二电荷转移晶体管TX2的漏级与浮动扩散节点FD耦接，浮动扩散节点复位晶体管RST的源极接入供电电压，浮动扩散节点复位晶体管RST的漏级与浮动扩散节点FD耦接，光电二极管PD耦接于像素全局复位晶体管与第一电荷转移晶体管之间，存储节点耦接于第一电荷转移晶体管与第二电荷转移晶体管之间。
光电二极管PD用于累积光电效应产生的电荷，像素复位晶体管GRST用于对光电二极管PD进行复位，第一电荷转移晶体管TX1用于将光电二极管PD累积的电荷转移至存储节点MN，第二电荷转移晶体管TX2用于将存储节点MN存储的电荷转移至浮动扩散节点FD，复位晶体管RST用于对浮动扩散节点FD的电压进行复位。
在该晶体管栅极由低电平->高电平->低电平进行操作时，光电二极管曝光收集到的电荷转移到该晶体管下方的存储节点中。TX1也为由栅极电压控制的开关管，在该晶体管栅极由低电平->高电平->低电平进行操作时，在存储节点的电荷转移到浮动扩散节点FD上。RST为复位晶体管，在该晶体管栅极为高电平时，浮动扩散节点的电压被复位到一个高电位，清空浮动扩散节点FD上的电子。
像素读出电路包括隔直电容C1，隔直电容C1的两端分别与浮动扩散节点FD、所述CTIA耦接，用于阻隔直流。
CTIA包括积分电容C2、初始化晶体管INIT和源极跟随器SF，隔直电容C1的一端与浮动扩散节点FD耦接，另一端与源极跟随器SF的栅极耦接，源极跟随器SF的源极接入基准电压Vref，源极跟随器的漏级作为信号输出端；积分电容C2的两端分别与源极跟随器SF的栅极和漏级耦接，用于对源极跟随器SF将要输出的信号进行积分放大；初始化晶体管INIT的源极和漏级分别与积分电容C2的两端耦接，用于对积分电容C2进行复位。
当初始化晶体管INIT的栅极为高电平时，积分电容C2的两端被复位为Vref，这时将像素输出采样，得到复位电压；当初始化晶体管INIT为低电平时，浮动扩散节点FD上的电荷通过积分电容C2积分放大后输出到像素输出信号传输线此时再对像素输出电压进行采样，得到信号电压，即可运用相关双采样来降低放大器1/f噪声和复位噪声。
CTIA中的积分电容C2根据设计需求选取电容值或设计成可选电容，通过像素转换增益(Conversion Gain，简称CVG)的需求调节积分电容C2的大小。
由于CVG的大小与隔直电容C1、积分电容C2的相关，通过隔直电容C1、积分电容C2的选择，能够使图像传感器能得到更大的可控的CVG。
CTIA中的源极跟随器SF采用单管共源级放大器，以减小像素版图面积，达到减小噪声的目的。在本发明的一个示例中，单管共源级放大器采用低阈值低噪声类型晶体管，实现低噪声和大输出摆幅。
回看图1，像素读出电路还包括负载电流源CS和可编程增益放大器(ProgrammableGain Amplifier，简称PGA)，负载电流源CS的数量与子像素单元1的数量相同，且负载电流源CS与子像素单元1一一对应，每个负载电流源CS均与各自对应的子像素单元1中的源极跟随器SF耦接，用于为源极跟随器SF提供偏置电流，同时为像素输出信号传输线的寄生电容提供充电电流。
每个子像素单元1均有自己的像素输出信号传输线，通过各自的像素输出信号传输线将电压信号输出至PGA，通过PGA对各路电压信号进一步放大，并对各路电压信号进行加和。
图3示出了根据本发明一个实施例的像素阵列的架构。
如图3所示，像素读出电路进一步包括采样保持电路((Sample/Hold，简称S/H)和A/D转换器(Analog-to Digital Converter，简称ADC)，S/H与PGA耦接，A/D转换器与S/H耦接，经PGA加和放大的电压信号再通过S/H进行模拟采样并读出，最后通过ADC转换成数字信号输出至片外进行数据处理。
当多个像素(图3中为Pixel Unit)组成像素阵列时，组成每个像素的子像素单元配置有CTIA，每列像素配有PGA、S/H和ADC。
在现有技术中，列级CTIA的设计使CTIA输入端的信号线很长，导致寄生电容很大，因此会得到更大的噪声。由于每个子像素单元分别配置一个CTIA，缩短了输入端信号线的长度，使得CTIA输入端的电容很小，则CTIA的输出噪声很小。
本发明通过对像素进行分段控制与驱动，对于感光面来说，不存在垂直方向上的空隙。相对于面阵图像传感器或由短二极管组成的线阵传感器在垂直方向上，光电二极管间存在空间上的物理空隙，因此，对于相同高度的图像传感器，本发明提供的图像传感器会得到更大的满阱容量。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (6)

1.一种图像传感器，包括像素读出结构和像素读出电路，所述像素读出电路包括隔直电容，所述像素读出结构包括至少两个相同的子像素单元，所述子像素单元包括电荷曝光转移结构，其特征在于，所述子像素单元还包括电容反馈跨导放大器，所述电容反馈跨导放大器包括积分电容、初始化晶体管和源极跟随器，所述隔直电容的一端与所述电荷曝光转移结构耦接，另一端与所述源极跟随器的栅极耦接，用于阻隔直流；所述源极跟随器的源极接入基准电压，所述源极跟随器的漏级作为信号输出端；所述积分电容的两端分别与所述源极跟随器的栅极和漏级耦接，用于对所述源极跟随器将要输出的信号进行积分放大；所述初始化晶体管的源极和漏级分别与所述积分电容的两端耦接，用于对所述积分电容进行复位。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素读出电路还包括与所述子像素单元数量相同的负载电流源，所述负载电流源与所述源极跟随器耦接，用于为所述源极跟随器提供偏置电流。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述像素读出电路还包括与各子像素单元中的源极跟随器耦接的可编程增益放大器，各源极跟随器将信号输出至所述可编程增益放大器，通过所述可编程增益放大器对各路信号进行加和放大输出。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述像素读出电路进一步包括采样保持电路和A/D转换器，所述可编程增益放大器耦接、所述采样保持电路与所述A/D转换器依次耦接，经所述可编程增益放大器加和放大的信号通过所述采样保持电路进行模拟采样并读出，再通过所述A/D转换器进行数字转换。
5.如权利要求1～4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷曝光转移结构包括像素全局复位晶体管、光电二极管、存储节点、第一电荷转移晶体管、第二电荷转移晶体管、浮动扩散节点和浮动扩散节点复位晶体管；所述像素复位晶体管的源极接入供电电压，所述像素复位晶体管的漏极耦接于所述第一电荷转移晶体管的源极，所述第一电荷转移晶体管的漏级与所述第二电荷转移晶体管的源极连接，所述第二电荷转移晶体管的漏级与所述浮动扩散节点耦接，所述浮动扩散节点复位晶体管的源极接入供电电压，所述浮动扩散节点复位晶体管的漏级与所述浮动扩散节点耦接，所述浮动扩散节点与所述隔直电容的一端耦接，所述光电二极管耦接于所述像素全局复位晶体管与所述第一电荷转移晶体管之间，所述存储节点耦接于所述第一电荷转移晶体管与所述第二电荷转移晶体管之间。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述源极跟随器选用低阈值低噪声类型晶体管。
CN202110501366.7A 2021-05-08 2021-05-08 图像传感器 Active CN113055617B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110501366.7A CN113055617B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 图像传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110501366.7A CN113055617B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 图像传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113055617A true CN113055617A (zh) 2021-06-29
CN113055617B CN113055617B (zh) 2023-05-12

Family

ID=76518193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110501366.7A Active CN113055617B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 图像传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113055617B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114640808A (zh) * 2022-03-09 2022-06-17 大连理工大学 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101803368A (zh) * 2007-05-25 2010-08-11 宾夕法尼亚大学理事会 具有无开关有源像素的电流/电压模式图像传感器
TW201117611A (en) * 2009-11-06 2011-05-16 Cmos Sensor Inc Time delay integration based MOS photoelectric pixel sensing circuit
CN103439645A (zh) * 2013-09-05 2013-12-11 中国电子科技集团公司第四十四研究所 Ctia型cmos焦平面读出电路及测试方法
CN107770461A (zh) * 2016-08-17 2018-03-06 普里露尼库斯股份有限公司 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备
CN108419033A (zh) * 2018-03-01 2018-08-17 上海晔芯电子科技有限公司 基于拐点的hdr图像传感器像素结构及成像系统
CN110741628A (zh) * 2019-05-05 2020-01-31 深圳市汇顶科技股份有限公司 图像传感器及相关芯片、图像传感器操作方法及手持装置
US20200106980A1 (en) * 2018-09-27 2020-04-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Fast image sensor with pixel binning
CN111201708A (zh) * 2017-10-11 2020-05-26 浜松光子学株式会社 差动放大器、像素电路及固体摄像装置
CN112738359A (zh) * 2020-12-30 2021-04-30 长春长光辰芯光电技术有限公司 Ctia像素单元

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101803368A (zh) * 2007-05-25 2010-08-11 宾夕法尼亚大学理事会 具有无开关有源像素的电流/电压模式图像传感器
TW201117611A (en) * 2009-11-06 2011-05-16 Cmos Sensor Inc Time delay integration based MOS photoelectric pixel sensing circuit
CN103439645A (zh) * 2013-09-05 2013-12-11 中国电子科技集团公司第四十四研究所 Ctia型cmos焦平面读出电路及测试方法
CN107770461A (zh) * 2016-08-17 2018-03-06 普里露尼库斯股份有限公司 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备
CN111201708A (zh) * 2017-10-11 2020-05-26 浜松光子学株式会社 差动放大器、像素电路及固体摄像装置
CN108419033A (zh) * 2018-03-01 2018-08-17 上海晔芯电子科技有限公司 基于拐点的hdr图像传感器像素结构及成像系统
US20200106980A1 (en) * 2018-09-27 2020-04-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Fast image sensor with pixel binning
CN110741628A (zh) * 2019-05-05 2020-01-31 深圳市汇顶科技股份有限公司 图像传感器及相关芯片、图像传感器操作方法及手持装置
CN112738359A (zh) * 2020-12-30 2021-04-30 长春长光辰芯光电技术有限公司 Ctia像素单元

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
夏冠玉 等: "《基于CMOS图像传感的低噪声研究分析》" *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114640808A (zh) * 2022-03-09 2022-06-17 大连理工大学 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器
CN114640808B (zh) * 2022-03-09 2023-08-08 大连理工大学 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器像素单元

Also Published As

Publication number Publication date
CN113055617B (zh) 2023-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9955098B2 (en) Imaging element, imaging device, electronic device, and imaging method to improve speed of analog to digital conversion
US10129487B2 (en) Conversion gain modulation using charge sharing pixel
JP2965777B2 (ja) 固体撮像装置
US5097305A (en) Integrating photosensor and imaging system having wide dynamic range
US6747264B2 (en) Changeable gain amplifier, solid-state imaging device and optical signal reading method
US6445022B1 (en) Increasing pixel conversion gain in CMOS image sensors
KR100712950B1 (ko) 증폭형 고체 촬상 장치
US9807323B2 (en) Pixel circuit with constant voltage biased photodiode and related imaging method
CN107333074B (zh) 成像装置、成像方法及图像传感器读取方法
US10170514B2 (en) Image sensor
US9681074B2 (en) Pixel circuit including compensation unit, driving method thereof and detector
US20030201379A1 (en) Noise floor reduction in image sensors
CN102075703A (zh) 固态成像设备以及负载电流源电路
KR20080072539A (ko) 증폭형 고체 촬상장치
EP2556661B1 (en) Imaging array with improved noise characteristics
CN110771157A (zh) 固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子机器
US20090295969A1 (en) Solid-state imaging apparatus
EP1223746A2 (en) Active pixel image sensor with improved linearity
JP2008515297A (ja) 高感度固体イメージ・センサ
CN113055617B (zh) 图像传感器
US20200228744A1 (en) Pixel Sensing Circuit and Driving Method Therefor, Image Sensor, and Electronic Device
CN108848327B (zh) 硅基混成cmos-apd图像传感器系统
JPH01154678A (ja) 固体撮像装置
KR101194873B1 (ko) 넓은 다이나믹 레인지를 가지는 고감도 ｃｍｏｓ 영상 센서 장치
Değerli Design of fundamental building blocks for fast binary readout CMOS sensors used in high-energy physics experiments

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Office Buildings 1 and 5, Phase I, Optoelectronic Information Industry Park, No. 7691 Ziyou Road, Changchun Economic and Technological Development Zone, Jilin Province, 130000

Applicant after: Changchun Changguang Chenxin Microelectronics Co.,Ltd.

Applicant after: Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: No. 588, Yingkou Road, Jingkai District, Changchun City, Jilin Province, 130033

Applicant before: Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

Applicant before: Hangzhou Changguang Chenxin Microelectronics Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant