CN113054102A - 一种纳米仿生器件及其制备方法 - Google Patents
一种纳米仿生器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113054102A CN113054102A CN202110275434.2A CN202110275434A CN113054102A CN 113054102 A CN113054102 A CN 113054102A CN 202110275434 A CN202110275434 A CN 202110275434A CN 113054102 A CN113054102 A CN 113054102A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pulse generator
- bionic
- nano
- zno
- microelectrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 claims description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 3
- 230000003592 biomimetic effect Effects 0.000 claims 1
- 230000021363 nonassociative learning Effects 0.000 abstract description 6
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 6
- 230000013016 learning Effects 0.000 description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 206010052804 Drug tolerance Diseases 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 230000035045 associative learning Effects 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000004791 biological behavior Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002964 excitative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000026781 habituation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 210000000653 nervous system Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/257—Multistable switching devices, e.g. memristors having switching assisted by radiation or particle beam, e.g. optically controlled devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
一种纳米仿生器件，包括纳米仿生单元(1)、电压脉冲发生器(2)、紫外光脉冲发生器(3)，纳米仿生单元(1)由微电极对(4)和ZnO纳米线(5)组成，ZnO纳米线(5)搭接在微电极对(4)之间，电压脉冲发生器(2)通过导线连接在微电极对(4)两端，紫外光脉冲发生器(3)置于纳米仿生单元(1)上方。该器件的制备方法：制备ZnO纳米线；制备微电极对；将ZnO纳米线搭接在微电极对之间；键合ZnO纳米线；连接脉冲电压发生器并调节电压幅值和脉冲宽度；放置紫外光脉冲发生器并调节功率和脉冲宽度。本发明的纳米仿生器件的核心单元为纳米尺度，不需要外接其他电子元件，可独立工作实现非联想式学习的仿生，器件结构简单、制备方便。
Description
技术领域
本发明属于微电子器件领域，尤其涉及一种纳米突触仿生器件及其制备方法。
背景技术
学习是动物通过神经系统接受外界环境信息而影响自身行为的过程，包括联想式学习和非联想式学习。非联想式学习是指动物的行为变化仅由单一模式的刺激重复呈现而引起，与之相应在脑内引起单一感受系统的兴奋变化，包括习惯和敏化。非联想式学习是动物适应外部环境的重要机制，是在个体经验基础上实现的一种习得行为。
利用电子器件模拟动物的非联想式学习对神经形态计算至关重要。神经形态计算能够大幅提升数据处理能力和机器学习能力，被认为是高性能计算的理想选择。神经网络计算架构在神经元-突触-神经元连接方式的基础上构建存算一体、高度并行的分布式计算网络，提高了对复杂数据和智能任务的处理效率。
尽管有一些器件用来模拟非联想式学习，但模拟中用了较多的电子元件，不利于器件的集成和功耗的降低，因此，亟需一种结构微小、制备简单的仿生器件。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种可以模拟动物的习惯、敏化等非联想式学习特性，并可以模拟“趋利避害”的动物生存特性的纳米仿生器件。
为实现上述发明目的，本发明的技术方案具体如下：
一种纳米仿生器件，包括纳米仿生单元、电压脉冲发生器、紫外光脉冲发生器。纳米仿生单元由微电极对和ZnO纳米线组成，ZnO纳米线搭接在微电极对之间，电压脉冲发生器通过导线连接在微电极对两端，紫外光脉冲发生器置于纳米仿生单元上方。
进一步的，所述电压脉冲发生器输出电压幅度0.5-50伏，脉冲宽度50-5000毫秒。
进一步的，所述紫外光脉冲发生器由紫外光二极管和单片机控制电路组成，紫外光功率为1-5瓦，脉冲宽度为50-5000毫秒。
进一步的，所述微电极对间隔为1-3微米，电极材料为Au、Ti、Cu、Al中的一种。
进一步的，所述ZnO纳米线的长度为1.5-5微米，直径为50-1000纳米。
进一步的，所述紫外光脉冲发生器与纳米仿生单元的距离为5-20厘米。
本发明还提供上述纳米仿生器件的制备方法，包括：
(1)制备ZnO纳米线；
(2)制备微电极对；
(3)将ZnO纳米线搭接在微电极对之间；
(4)键合ZnO纳米线；
(5)连接脉冲电压发生器并调节电压幅值和脉冲宽度；
(6)放置紫外光脉冲发生器并调节功率和脉冲宽度；
通过上述步骤，即可模拟习惯、敏化、趋利避害等生物行为。
进一步的，所述ZnO纳米线采用水热法制备。
进一步的，所述微电极对的制备方法为紫外光刻、lift-off、电子束光刻方法中的一种。
进一步的，所述将ZnO纳米线搭接在微电极对之间的方法为滴加、旋涂、介电泳中的一种。
进一步的，所述键合ZnO纳米线的方法为超声键合、界面退火、电磁感应键合中的一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明的纳米仿生器件的核心单元为纳米尺度，不需要外接其他电子元件，可独立工作实现非联想式学习的仿生，器件结构简单、制备方便。
附图说明
图1为本发明的纳米仿生器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步详细说明。
实施例1
如图1所示，一种纳米仿生器件，包括纳米仿生单元1、电压脉冲发生器2、紫外光脉冲发生器3，纳米仿生单元1由微电极对4和ZnO纳米线5组成，ZnO纳米线5搭接在微电极对4之间，电压脉冲发生器2通过导线连接在微电极对4两端，紫外光脉冲发生器3置于纳米仿生单元1上方。
电压脉冲发生器2输出电压幅度50伏，脉冲宽度5000毫秒。紫外光脉冲发生器3由紫外光二极管和单片机控制电路组成，紫外光功率为5瓦，脉冲宽度为5000毫秒。微电极对4间隔为3微米，电极材料为Au、Ti、Cu、Al中的一种。ZnO纳米线5的长度为-5微米，直径为50-1000纳米。紫外光脉冲发生器3与纳米仿生单元1的距离为20厘米。
本发明的纳米仿生器件的核心单元为纳米尺度，不需要外接其他电子元件，可独立工作实现非联想式学习的仿生，器件结构简单、制备方便。
实施例2
本实施例与实施例1相比，区别在于，电压脉冲发生器2输出电压幅度0.5伏，脉冲宽度50毫秒。紫外光脉冲发生器3由紫外光二极管和单片机控制电路组成，紫外光功率为1瓦，脉冲宽度为50毫秒。微电极对4间隔为1微米，电极材料为Au、Ti、Cu、Al中的一种。ZnO纳米线5的长度为1.5微米，直径为50纳米。紫外光脉冲发生器3与纳米仿生单元1的距离为5厘米。
实施例3
纳米仿生器件的方法，包括如下步骤：
(1)制备ZnO纳米线；
(2)制备微电极对；
(3)将ZnO纳米线搭接在微电极对之间；
(4)键合ZnO纳米线；
(5)连接脉冲电压发生器并调节电压幅值和脉冲宽度；
(6)放置紫外光脉冲发生器并调节功率和脉冲宽度。
其中，ZnO纳米线采用水热法制备，微电极对的制备方法为紫外光刻、lift-off或电子束光刻方法；将ZnO纳米线搭接在微电极对之间的方法为滴加、旋涂或介电泳中；键合ZnO纳米线的方法为超声键合、界面退火或电磁感应键合中。
Claims (10)
1.一种纳米仿生器件，其特征在于，包括纳米仿生单元(1)、电压脉冲发生器(2)、紫外光脉冲发生器(3)，纳米仿生单元(1)由微电极对(4)和ZnO纳米线(5)组成，ZnO纳米线(5)搭接在微电极对(4)之间，电压脉冲发生器(2)通过导线连接在微电极对(4)两端，紫外光脉冲发生器(3)置于纳米仿生单元(1)上方。
2.根据权利要求1所述的纳米仿生器件，其特征在于，所述电压脉冲发生器(2)输出电压幅度0.5-50伏，脉冲宽度50-5000毫秒。
3.根据权利要求1所述的纳米仿生器件，其特征在于，所述紫外光脉冲发生器(3)由紫外光二极管和单片机控制电路组成，紫外光功率为1-5瓦，脉冲宽度为50-5000毫秒。
4.根据权利要求1所述的纳米仿生器件，其特征在于，所述微电极对(4)间隔为1-3微米，电极材料为Au、Ti、Cu、Al中的一种。
5.根据权利要求1所述的纳米仿生器件，其特征在于，所述ZnO纳米线(5)的长度为1.5-5微米，直径为50-1000纳米。
6.根据权利要求1所述的纳米仿生器件，其特征在于，所述紫外光脉冲发生器(3)与纳米仿生单元(1)的距离为5-20厘米。
7.一种制备权利要求1所述的纳米仿生器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)制备ZnO纳米线；
2)制备微电极对；
3)将ZnO纳米线搭接在微电极对之间；
4)键合ZnO纳米线；
5)连接脉冲电压发生器并调节电压幅值和脉冲宽度；
6)放置紫外光脉冲发生器并调节功率和脉冲宽度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述ZnO纳米线采用水热法制备，所述微电极对的制备方法为紫外光刻、lift-off、电子束光刻方法中的一种。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将ZnO纳米线搭接在微电极对之间的方法为滴加、旋涂、介电泳中的一种。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述键合ZnO纳米线的方法为超声键合、界面退火、电磁感应键合中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110275434.2A CN113054102A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种纳米仿生器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110275434.2A CN113054102A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种纳米仿生器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113054102A true CN113054102A (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=76512188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110275434.2A Pending CN113054102A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种纳米仿生器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113054102A (zh) |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101540287A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 |
| CN102730630A (zh) * | 2012-07-03 | 2012-10-17 | 清华大学 | 一种制造ZnO纳米结构和纳米紫外传感器的方法 |
| CN103088386A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-08 | 南京工业大学 | 一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 |
| GB201419992D0 (en) * | 2014-11-10 | 2014-12-24 | Provost Fellows Foundation Scholars & The Other Members Of Board Of The College Of The Holy And Undi | An associative memory learning device |
| CN104518088A (zh) * | 2014-11-25 | 2015-04-15 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品 |
| CN105668512A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-15 | 江苏师范大学 | 一种装配纳米电子器件的方法 |
| CN106057908A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-10-26 | 浙江大学 | 一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN106409975A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-15 | 北京工业大学 | 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法 |
| CN107123735A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-01 | 福州大学 | 一种低功耗柔性透明电子突触器件及其制备方法 |
| CN107564992A (zh) * | 2017-08-18 | 2018-01-09 | 上海理工大学 | 一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法 |
| CN108125677A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-06-08 | 深圳先进技术研究院 | 一种微电极及其制备方法 |
| CN108598853A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-28 | 吉林大学 | 一种锥形氧化锌紫外纳米激光器及其制备方法 |
| CN109473547A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-03-15 | 江苏师范大学 | 一种柔性突触仿生器件及其制备方法 |
| CN109904316A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-18 | 南京大学 | 一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法 |
| CN109920912A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-21 | 江苏师范大学 | 一种多功能突触仿生器件及其制备方法 |
| CN110246891A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-17 | 北京大学 | 一种突触晶体管、器件及其制造方法、运算阵列 |
| CN111367132A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-07-03 | 张启明 | 光子忆阻器及其制造方法 |
| CN112201696A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-01-08 | 西交利物浦大学 | 自驱动摩擦纳米发电突触晶体管 |
-
2021
- 2021-03-15 CN CN202110275434.2A patent/CN113054102A/zh active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101540287A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 |
| CN102730630A (zh) * | 2012-07-03 | 2012-10-17 | 清华大学 | 一种制造ZnO纳米结构和纳米紫外传感器的方法 |
| CN103088386A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-08 | 南京工业大学 | 一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 |
| GB201419992D0 (en) * | 2014-11-10 | 2014-12-24 | Provost Fellows Foundation Scholars & The Other Members Of Board Of The College Of The Holy And Undi | An associative memory learning device |
| CN104518088A (zh) * | 2014-11-25 | 2015-04-15 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品 |
| CN105668512A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-15 | 江苏师范大学 | 一种装配纳米电子器件的方法 |
| CN106057908A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-10-26 | 浙江大学 | 一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN106409975A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-15 | 北京工业大学 | 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法 |
| CN107123735A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-01 | 福州大学 | 一种低功耗柔性透明电子突触器件及其制备方法 |
| CN107564992A (zh) * | 2017-08-18 | 2018-01-09 | 上海理工大学 | 一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法 |
| CN108125677A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-06-08 | 深圳先进技术研究院 | 一种微电极及其制备方法 |
| CN108598853A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-28 | 吉林大学 | 一种锥形氧化锌紫外纳米激光器及其制备方法 |
| CN109473547A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-03-15 | 江苏师范大学 | 一种柔性突触仿生器件及其制备方法 |
| CN109904316A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-18 | 南京大学 | 一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法 |
| CN109920912A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-21 | 江苏师范大学 | 一种多功能突触仿生器件及其制备方法 |
| CN110246891A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-17 | 北京大学 | 一种突触晶体管、器件及其制造方法、运算阵列 |
| CN111367132A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-07-03 | 张启明 | 光子忆阻器及其制造方法 |
| CN112201696A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-01-08 | 西交利物浦大学 | 自驱动摩擦纳米发电突触晶体管 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 汪诚;樊菲;张斌;陈?: "高分子忆阻材料的设计、制备和神经突触仿生研究进展", 功能高分子学报, no. 03 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106981567B (zh) | 一种基于光电耦合忆阻器的人工突触器件及其调制方法 | |
| Shan et al. | Bioinspired kinesthetic system for human-machine interaction | |
| Mussa-Ivaldi et al. | New perspectives on the dialogue between brains and machines | |
| CN105913119B (zh) | 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法 | |
| Freeman | Definitions of state variables and state space for brain-computer interface: Part 1. Multiple hierarchical levels of brain function | |
| Shang et al. | A memristor-based circuit design for generalization and differentiation on Pavlov associative memory | |
| CN110110840A (zh) | 一种基于忆阻神经网络的联想记忆情感识别电路 | |
| Zendrikov et al. | Brain-inspired methods for achieving robust computation in heterogeneous mixed-signal neuromorphic processing systems | |
| CN109766845A (zh) | 一种脑电信号分类方法、装置、设备和介质 | |
| Lungarella et al. | Beyond gazing, pointing, and reaching: A survey of developmental robotics | |
| CN113054102A (zh) | 一种纳米仿生器件及其制备方法 | |
| Gerasimova et al. | Design of memristive interface between electronic neurons | |
| Zins et al. | Neuromorphic computing: A path to artificial intelligence through emulating human brains | |
| CN113504683A (zh) | 电致变色器件的制备方法与模仿人脑神经元传输信息的方法 | |
| CN112802963B (zh) | 一种人工嗅觉纤维及其制备方法 | |
| Birdi et al. | Study of artificial neural networks and neural implants | |
| KR102512332B1 (ko) | 신경세포의 신호전달 학습이 가능한 바이오닉 뉴럴 인공지능 프로세서 | |
| CN109920912B (zh) | 一种多功能突触仿生器件及其制备方法 | |
| Zendrikov et al. | Brain-inspired methods for achieving robust computation in heterogeneous mixed-signal neuromorphic processing systems | |
| MacLennan | Coordinating massive robot swarms | |
| Kumar et al. | Oxide-based Memory Devices as Artificial Dendrites for Neuromorphic Hardware | |
| Li et al. | Adaptive Biomimetic Neuronal Circuit System Based on Myelin Sheath Function | |
| Zhang et al. | Brain-Inspired Model and Neuromorphic Circuit Implementation for Feature-Affective Associative Memory Network | |
| CN113363386B (zh) | 一种基于p3ht纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法 | |
| Mannan et al. | Neuro-Memristive Circuit for Bio-Synaptic Plasticity |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210629 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |