CN109920912B - 一种多功能突触仿生器件及其制备方法 - Google Patents

一种多功能突触仿生器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种多功能突触仿生器件及其制备方法，从下至上依次包括栅极、硅衬底层及二氧化硅薄膜层，二氧化硅薄膜层的上表面分别设有第一中间电极及第二中间电极，该两电极通过二氧化钛纳米线相连接，第一中间电极及第二中间电极的上表面分别设有源极及漏极，该源极及漏极将第一中间电极及第二中间电极上的二氧化钛纳米线覆盖；制备时依次设置各层即可。本发明的突触仿生器件通过采用单根二氧化钛纳米线作为阻变单元，结构简单，功耗低，易于集成，且二氧化钛纳米线与电极可靠接触，器件性能稳定，能够模拟多种突触功能；同时，其制备方法简单，可操作性强。

Description

一种多功能突触仿生器件及其制备方法
技术领域
本发明属于人工神经技术领域，尤其涉及一种多功能突触仿生器件及其制备方法。
背景技术
突触是神经元之间在功能上发生联系的部位，也是信息传递的关键部位，中枢神经系统中任何反射活动，都需经过突触传递才能完成。突触仿生是开发类人电脑的关键，通过模拟神经突触处理和学习信息的方式，有望使现有计算机系统摆脱经典理论的限制，具有处理更加复杂逻辑问题的能力。传统突触仿生器件需要多种电路元件的参与，电路复杂功耗大，并且影响器件的集成度。忆阻器件能够根据所流经电荷的变化改变自身阻态，这种在外界刺激信号下的阻态变化与人脑突触在生物电信号刺激下的塑性响应极其类似，是已知的功能最接近神经突触的器件。目前，利用忆阻器件进行突触仿生大都集中于对单一突触功能的模拟，专利“一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法”(申请号：201510255588.X，公布号：CN104934534A)模拟了突触对电脉冲时间关联可塑性的学习规则。然而，人脑神经突触不但具有学习、记忆功能，还具有高速信息处理和低能耗驱动等多种能力，因此，设计和开发多功能突触仿生器件对人工智能计算机的发展意义重大。
发明内容
发明目的：本发明的第一目的是提供一种结构简单且功能多样化的突触仿生器件；
本发明的第二目的是提供该突触仿生器件的制备方法。
技术方案：本发明的多功能突触仿生器件，其从下至上依次包括栅极、硅衬底层及二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层的上表面分别设有第一中间电极及第二中间电极，第一中间电极及第二中间电极通过二氧化钛纳米线相连接，第一中间电极及第二中间电极的上表面分别设有源极及漏极，该源极及漏极将第一中间电极及第二中间电极上的二氧化钛纳米线覆盖。
本发明通过在二氧化硅薄膜层上分别设置第一中间电极及第二中间电极，并采用二氧化钛纳米线将两者相连接，利用氧空位在二氧化钛纳米线中的迁移运动产生阻变特性，进而能够模拟突触行为，且制备的突触仿生器件结构简单、集成度高、功耗小。
进一步说，第一中间电极及第二中间电极分别设于二氧化硅薄膜层的两侧，间距1-3μm。二氧化钛纳米线的长度为1.5-4μm。
再进一步说，硅衬底层的电阻率为0.001-10Ωcm，厚度为200-500μm。二氧化硅薄膜层的厚度为30-100nm。第一中间电极或第二中间电极为铜、铂或金，厚度为50-80nm。源极、漏极或栅极为铜、铂、金或铝，厚度为50-200nm。栅极、源极及漏极上分别延伸设有与电源相连通的引线端口。
本发明制备上述多功能突触仿生器件的方法，包括如下步骤：分别在硅衬底层上设置二氧化硅薄膜层及栅极，随后在二氧化硅薄膜层上设置第一中间电极及第二中间电极，将二氧化钛纳米线搭接于第一中间电极及第二中间电极上，再分别覆盖源极和漏极，并采用高频超声波将二氧化钛纳米线一端固定设于源极和第一中间电极间、另一端固定设于漏极和第二中间电极间。
更进一步说，制备时采用的高频超声波的频率为60-150kHz，能量为1-10J。
有益效果：与现有技术相比，本发明的显著优点为：该突触仿生器件通过采用单根二氧化钛纳米线作为阻变单元，结构简单，功耗低，易于集成，且二氧化钛纳米线与电极可靠接触，器件性能稳定，能够模拟多种突触功能；同时，其制备方法简单，可操作性强。
附图说明
图1为本发明的突触仿生器件的结构示意图；
图2为本发明的突触仿生器件与脉冲电源相连接的示意图；
图3为本发明实施例的仿生器件模拟突触学习行为的特性曲线图；
图4为本发明的突触仿生器件与脉冲电源及直流电源相连接的示意图；
图5为本发明实施例的仿生器件模拟突触双脉冲易化行为的特性曲线图；
图6为本发明实施例的仿生器件模拟滤波行为的特性曲线图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明的技术方案做进一步详细说明。
实施例1
如图1所示，该实施例的仿生器件从下至上依次包括铜栅极1，电阻率为0.001-10Ωcm、厚度为200-500μm的硅衬底层2及厚度为30-100nm的二氧化硅薄膜层3。其中，二氧化硅薄膜层3的上表面分别设有间距为1-3μm的第一铜中间电极4及第二铜中间电极5，第一铜中间电极4及第二铜中间电极5通过长度为1.5-4μm的二氧化钛纳米线6相连接，第一铜中间电极4及第二铜中间电极5的上表面分别设有铜源极7及铜漏极8。第一铜中间电极4及第二铜中间电极5的厚度为50-80nm，铜源极7、铜漏极8及铜栅极1的厚度为50-200nm。
该仿生器件的制备方法包括如下步骤：
(1)分别在硅衬底层2上设置二氧化硅薄膜层3及铜栅极1，并在二氧化硅薄膜层3上设置第一铜中间电极4及第二铜中间电极5；
(2)采用介电泳方法在第一铜中间电极4及第二铜中间电极5之间搭接单根二氧化钛纳米线，其中，介电泳电压为5V的正弦交流电，频率为103Hz，电泳液为乙醇；
(3)采用套刻方法在第一铜中间电极4及第二铜中间电极5表面制备铜源极7和铜漏极8，并使铜源极7和铜漏极8覆盖二氧化钛纳米线的端部；
(4)采用高频超声波通过焊头分别作用于铜源极7、第一铜中间电极4和二氧化钛纳米线的接触面，铜漏极8、第二铜中间电极5和二氧化钛纳米线的接触面，在频率为150kHz、能量为1J条件下将二氧化钛固定于铜源极7、铜漏极8下端，并与铜漏极8和铜漏极8形成可靠接触。
在使用时，铜源极7的引线端口和铜漏极8的引线端口分别与脉冲电源相连接，如图2所示，即将幅值为10V，脉宽为50ms的脉冲电压作用于源极，源极用于模拟突触前，漏极用于模拟突触后，脉冲电源用于模拟突触前刺激，二氧化钛纳米线的电导变化用于模拟突触权重。图3模拟了突触的学习-遗忘-再学习过程，开始的连续100个脉冲刺激作为人工神经突触的训练过程，这类似于人脑的学习过程，撤去脉冲刺激后，器件的权重逐渐降低，类似于人脑的遗忘过程。经过一段时间后，记忆量的衰减变得非常缓慢，最终保持在初始记忆量的30％，表现出长程可塑性。当再次施加脉冲时，只需要较少脉冲数，突触器件就可以到达遗忘之前的记忆量，类似于人脑的再学习过程。这种学习-遗忘-再学习的过程可被用于未来人工神经网络的学习和识别功能中。
实施例2
该实施例的仿生器件从下至上依次包括铂栅极1，电阻率为0.001-10Ωcm、厚度为200-500μm的硅衬底层2及厚度为30-100nm的二氧化硅薄膜层3。其中，二氧化硅薄膜层3的上表面分别设有间距为1-3μm的第一铂中间电极4及第二铂中间电极5，第一铂中间电极4及第二铂中间电极5通过长度为1.5-4μm的二氧化钛纳米线6相连接，第一铂中间电极4及第二铂中间电极5的上表面分别设有铂源极7及铂漏极8。第一铂中间电极4及第二铂中间电极5的厚度为50-80nm，铂源极7、铂漏极8及铂栅极1的厚度为50-200nm。
该仿生器件的制备方法包括如下步骤：
(1)分别在硅衬底层2上设置二氧化硅薄膜层3及铂栅极1，并在二氧化硅薄膜层3上设置第一铂中间电极4及第二铂中间电极5；
(2)采用介电泳方法在第一铂中间电极4及第二铂中间电极5之间搭接单根二氧化钛纳米线；其中，介电泳电压为30V的正弦交流电，频率为103Hz，电泳液为乙醇和丙酮的混合液；
(3)采用套刻方法在第一铂中间电极4及第二铂中间电极5表面制备铂源极7和铂漏极8，并使铂源极7和铂漏极8覆盖二氧化钛纳米线的端部；
(4)采用高频超声波通过焊头分别作用于铂源极7、第一铂中间电极4和二氧化钛纳米线的接触面，铂漏极8、第二铂中间电极5和二氧化钛纳米线的接触面，在频率为60kHz、能量为10J条件下将二氧化钛固定于铂源极7、铂漏极8下端，并与铂源极7和铂漏极8形成可靠接触。
在使用时，铂源极7的引线端口与脉冲电源的一端连接，脉冲电源的另一端与铂栅极1的引线端口相连接，铂源极7的引线端口同时与直流电源的一端相连接，直流电源的另一端与铂漏极8相连接，如图4所示，即将幅值为10V，脉宽为50ms，间隔时间为50ms的两个脉冲电压先后作用于栅极，20V直流电压作用于源极，栅极用于模拟突触前，漏极用于模拟突触后，脉冲电源用于模拟突触前刺激，直流电源用于供给源极能量，二氧化钛纳米线的电导变化用于模拟突触权重。图5给出了在栅极上施加两个相同的脉冲刺激后所诱发的突触反应情况，模拟突触的短时程突触可塑性。第二次刺激后得到的兴奋后突触电流明显增加，两次电流尖峰峰值之比为140％，模拟了突触的双脉冲易化行为。
实施例3
该实施例的仿生器件从下至上依次包括金栅极1，电阻率为0.001-10Ωcm、厚度为200-500μm的硅衬底层2及厚度为30-100nm的二氧化硅薄膜层3。其中，二氧化硅薄膜层3的上表面分别设有间距为1-3μm的第一金中间电极4及第二金中间电极5，第一金中间电极4及第二金中间电极5通过长度为1.5-4μm的二氧化钛纳米线6相连接，第一金中间电极4及第二金中间电极5的上表面分别设有金源极7及金漏极8。第一金中间电极4及第二金中间电极5的厚度为50-80nm，金源极7、金漏极8及金栅极1的厚度为50-200nm。
该仿生器件的制备方法包括如下步骤：
(1)分别在硅衬底层2上设置二氧化硅薄膜层3及金栅极1，并在二氧化硅薄膜层3上设置第一金中间电极4及第二金中间电极5；
(2)采用介电泳方法在第一金中间电极4及第二金中间电极5之间搭接单根二氧化钛纳米线；其中，介电泳电压为15V的正弦交流电，频率为105Hz，电泳液为丙酮；
(3)采用套刻方法在第一金中间电极4及第二金中间电极5表面制备金源极7和金漏极8，并使金源极7和金漏极8覆盖二氧化钛纳米线的端部；
(4)采用高频超声波通过焊头分别作用于金源极7、第一金中间电极4和二氧化钛纳米线的接触面，金漏极8、第二金中间电极5和二氧化钛纳米线的接触面，在频率为100kHz、能量为3J条件下将二氧化钛固定于金源极7、金漏极8下端，并与金源极7和金漏极8形成可靠接触。
在使用时，金源极7的引线端口与脉冲电源的一端连接，脉冲电源的另一端与金栅极1的引线端口相连接，金源极7的引线端口同时与直流电源的一端相连接，直流电源的另一端与金漏极8相连接，如图4所示，即将幅值为10V，脉宽为50ms的脉冲电压作用于栅极，20V直流电压作用于源极，栅极用于模拟突触前，漏极用于模拟突触后，脉冲电源用于模拟突触前刺激，直流电源用于供给源极能量，二氧化钛纳米线的电导变化用于模拟突触权重。通过改变脉冲刺激的频率，模拟突触在信息传输中的滤波行为。图6给出了脉冲频率为1-5Hz时，突触后电流的变化情况，可见频率越高，响应电流越大，模拟了突触在短时间内连续刺激下可以促进突触响应的滤波行为。
对比例1
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于不覆盖源极7和漏极8。其他制备方法与实施例1基本相同。
在使用时，分别将第一中间电极4和第二中间电极5与脉冲电源相连接。将该对比例制备的柔性突触仿生器件进行检测发现，将该器件放置6个月后，器件无法正常工作。由此可知，覆盖源极7和漏极8能够有效保护二氧化钛与电极的接触点，增大器件可靠性。
对比例2
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于不采用高频超声波固定二氧化钛纳米线。制备方法与实施例1基本相同。
将该对比例制备的柔性突触仿生器件进行检测发现，将该器件在连续脉冲刺激10000次以上，器件无法正常工作。由此可知，通过采用高频超声波可以有效固定二氧化钛纳米线，实现二氧化钛纳米线与电极的可靠电学接触，提高器件的使用寿命。
对比例3
基本步骤与实施例1相同，不同之处在于采用氧化锌纳米线将第一中间电极和第二中间电极进行相连接。
将该对比例制备的突触仿生器件进行检测发现，将该器件在实施例1所用的测试脉冲刺激下，电流始终逐渐减小，没有类似突触的学习-遗忘-再学习过程和记忆行为，原因在于氧化锌纳米线中载流子的输运机制与二氧化钛纳米线不同。

Claims (9)

1.一种多功能突触仿生器件，其特征在于：该突触仿生器件从下至上依次包括栅极(1)、硅衬底层(2)及二氧化硅薄膜层(3)，所述二氧化硅薄膜层(3)的上表面分别设有第一中间电极(4)及第二中间电极(5)，第一中间电极(4)及第二中间电极(5)通过单根二氧化钛纳米线(6)相连接，第一中间电极(4)及第二中间电极(5)的上表面分别设有源极(7)及漏极(8)，该源极(7)及漏极(8)将第一中间电极(4)及第二中间电极(5)上的二氧化钛纳米线(6)覆盖；所述栅极(1)、源极(7)及漏极(8)上分别延伸设有与电源相连通的引线端口；所述源极(7)的引线端口与脉冲电源的一端连接，脉冲电源的另一端与栅极(1)的引线端口相连接，源极(7)的引线端口同时与直流电源的一端相连接，直流电源的另一端与漏极(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述第一中间电极(4)及第二中间电极(5)分别设于二氧化硅薄膜层(3)的两侧，间距1-3μm。
3.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述硅衬底层(2)的电阻率为0.001-10Ωcm，厚度为200-500μm。
4.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述二氧化硅薄膜层(3)的厚度为30-100nm。
5.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述第一中间电极(4)或第二中间电极(5)为铜、铂或金，厚度为50-80nm。
6.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述源极(7)、漏极(8)或栅极(1)为铜、铂、金或铝，厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的多功能突触仿生器件，其特征在于：所述二氧化钛纳米线(6)的长度为1.5-4μm。
8.一种制备权利要求1所述多功能突触仿生器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在硅衬底层(2)的两侧分别设置二氧化硅薄膜层(3)及栅极(1)，随后在二氧化硅薄膜层(3)上设置第一中间电极(4)及第二中间电极(5)，将单根二氧化钛纳米线(6)搭接于第一中间电极(4)及第二中间电极(5)上，再分别覆盖源极(7)和漏极(8)，并采用高频超声波将二氧化钛纳米线(6)一端固定设于源极(7)和第一中间电极(4)间、另一端固定设于漏极(8)和第二中间电极(5)间。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述高频超声波的频率为60-150kHz，能量为1-10J。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054102A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 江苏师范大学 一种纳米仿生器件及其制备方法
CN115014584B (zh) * 2022-06-05 2024-04-05 江苏师范大学 一种皮肤触觉仿生系统及其制备方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101540287A (zh) * 2009-04-23 2009-09-23 中国科学院微电子研究所 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法
CN101882621A (zh) * 2010-05-27 2010-11-10 复旦大学 一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法
CN102569072A (zh) * 2012-02-15 2012-07-11 合肥工业大学 一种通过沉积氧化钼制备电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管的方法
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
CN104681675A (zh) * 2014-12-29 2015-06-03 温州生物材料与工程研究所 一种石墨烯/氧化锌异质结发光二极管及其制造方法
CN104795493A (zh) * 2015-04-21 2015-07-22 东北师范大学 一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法
CN105552223A (zh) * 2015-12-25 2016-05-04 山东科技大学 一种基于Sr(Ti1-xMgx)O3-x的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法
CN105810750A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种碳纳米管神经元器件及其制作方法
CN105990425A (zh) * 2015-02-04 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
CN106992249A (zh) * 2017-02-22 2017-07-28 北京航空航天大学 一种具有量子电导效应的离子型忆阻器
CN108470771A (zh) * 2018-04-11 2018-08-31 北京邮电大学 一种纳米线晶体管
CN108933178A (zh) * 2018-07-06 2018-12-04 福州大学 一种电子突触器件及制作方法
CN108987565A (zh) * 2018-04-17 2018-12-11 张晗 基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件及其制备方法
CN109037388A (zh) * 2018-07-11 2018-12-18 深圳大学 一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法
CN109473547A (zh) * 2018-10-29 2019-03-15 江苏师范大学 一种柔性突触仿生器件及其制备方法
CN109473548A (zh) * 2018-10-19 2019-03-15 南开大学 基于p3ht纳米线的三端仿生突触电子器件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2312490T3 (es) * 2000-12-11 2009-03-01 President And Fellows Of Harvard College Dispositivo que contiene manosensores para detectar un analito y su metodo de fabricacion.
US9170228B2 (en) * 2007-06-08 2015-10-27 Bharath R. Takulapalli Nano structured field effect sensor and methods of forming and using same
US9147615B2 (en) * 2014-02-14 2015-09-29 International Business Machines Corporation Ambipolar synaptic devices

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101540287A (zh) * 2009-04-23 2009-09-23 中国科学院微电子研究所 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法
CN101882621A (zh) * 2010-05-27 2010-11-10 复旦大学 一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法
CN102569072A (zh) * 2012-02-15 2012-07-11 合肥工业大学 一种通过沉积氧化钼制备电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管的方法
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
CN105810750A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种碳纳米管神经元器件及其制作方法
CN104681675A (zh) * 2014-12-29 2015-06-03 温州生物材料与工程研究所 一种石墨烯/氧化锌异质结发光二极管及其制造方法
CN105990425A (zh) * 2015-02-04 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
CN104795493A (zh) * 2015-04-21 2015-07-22 东北师范大学 一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法
CN105552223A (zh) * 2015-12-25 2016-05-04 山东科技大学 一种基于Sr(Ti1-xMgx)O3-x的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法
CN106992249A (zh) * 2017-02-22 2017-07-28 北京航空航天大学 一种具有量子电导效应的离子型忆阻器
CN108470771A (zh) * 2018-04-11 2018-08-31 北京邮电大学 一种纳米线晶体管
CN108987565A (zh) * 2018-04-17 2018-12-11 张晗 基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件及其制备方法
CN108933178A (zh) * 2018-07-06 2018-12-04 福州大学 一种电子突触器件及制作方法
CN109037388A (zh) * 2018-07-11 2018-12-18 深圳大学 一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法
CN109473548A (zh) * 2018-10-19 2019-03-15 南开大学 基于p3ht纳米线的三端仿生突触电子器件
CN109473547A (zh) * 2018-10-29 2019-03-15 江苏师范大学 一种柔性突触仿生器件及其制备方法

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