CN113053328A - 发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法。所述发光器件，包括：发光结构与锁存电路；锁存电路与发光结构电连接；锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路；数据写入电路的控制端接收寻址信号，数据写入电路的第一端分别与存储电路的第一端、驱动电路的控制端连接，数据写入电路的第二端接收数据信号，数据信号包括数据电压，驱动电路的第一端与发光结构的第一电极连接，驱动电路的第二端与存储电路的第二端连接；当寻址信号控制数据写入电路导通时，数据电压写入存储电路，存储电路保持数据电压，驱动电路在数据电压的控制下驱动发光结构发光。根据本发明的实施例，可以避免由于亮度的损失而增加发光结构的瞬时电流。

Description

发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法。

背景技术

随着数字显示技术的发展，液晶显示已经成为主流，液晶显示技术也得到了空前的发展。为了更进一步提高画质，也涌现了很多新的技术，例如，使用LED(发光二极管)背光源。伴随着直下式LED背光的发展，在液晶显示装置的画质处理中，为了能更精确还原画面的场景，达到色彩逼真和高画质质量，最常采用的技术就是Local Dimming(区域调光)技术。所谓Local Dimming，就是将LCD(液晶显示器)的背光划分成多个背光区域(Block)，每个区域可以包括一个LED，也可以包括多个LED，按画面上不同区域的明暗度来调整背光的明暗程度，以此来达到增强画质，降低功耗的目的。

Local Dimming技术使用的驱动方式主要分为被动矩阵驱动方式和主动矩阵驱动方式，被动矩阵驱动方式又分为静态驱动和扫描驱动。静态驱动为驱动芯片的一个芯片通道控制一个背光区域，动态驱动为一个芯片通道控制多个背光区域，通过扫描式(分时复用)的方法实现对每个背光区域的控制。动态驱动存在芯片通道分时复用时，芯片通道复用越多，驱动芯片数量越少，可以节约驱动芯片，但是，单位时间点亮的背光区域就越少，背光亮度降低就越多，需要提升每个背光区域的平均电流值来补偿亮度损失，能耗比较大。

发明内容

本发明提供一种发光器件及其驱动方法和发光基板及其驱动方法，以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种发光器件，包括：发光结构与锁存电路；所述锁存电路与所述发光结构电连接；

所述锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路；所述数据写入电路的控制端被配置为接收寻址信号，所述数据写入电路的第一端分别与所述存储电路的第一端、所述驱动电路的控制端连接，所述数据写入电路的第二端用于接收数据信号，所述数据信号包括数据电压，所述驱动电路的第一端与所述发光结构的第一电极连接，所述驱动电路的第二端与所述存储电路的第二端连接；

当所述寻址信号控制所述数据写入电路导通时，所述数据电压写入所述存储电路，所述存储电路用于保持所述数据电压，所述驱动电路在所述数据电压的控制下产生用于驱动所述发光结构发光的驱动电流；

所述数据写入电路、所述驱动电路与所述发光结构位于同一封装结构中，所述存储电路位于所述封装结构的内部，或所述存储电路位于所述封装结构的外部。

在一个实施例中，所述发光结构包括衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层与反射层；所述反射层的材料包括导电材料；

所述第一半导体层位于所述衬底上，所述第一半导体层包括第一区域与第二区域，所述第一区域与第二区域相邻；所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述发光层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；所述反射层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，所述反射层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域。

在一个实施例中，所述数据写入电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接至所述数据写入电路的控制端，所述第一晶体管的第一极连接至所述数据写入电路的第一端，所述第一晶体管的第二极连接至所述数据写入电路的第二端；

所述驱动电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接至所述驱动电路的控制端，所述第二晶体管的第一极连接至所述驱动电路的第一端，所述第二晶体管的第二极连接至所述驱动电路的第二端；

所述存储电路包括电容，所述电容的第一电极连接至所述存储电路的第一端，所述电容的第二电极连接至所述存储电路的第二端。

在一个实施例中，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管；

所述发光结构的第二电极用于接收第一电源信号；所述第二晶体管的第二极与所述电容的第二电极用于接收第二电源信号；所述第一电源信号的电平值大于所述第二电源信号的电平值。

在一个实施例中，所述电容位于所述封装结构的内部，所述电容在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述第一晶体管在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第二晶体管的栅极与第二极在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第二晶体管的第一极在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第一区域，另一部分位于所述第二区域；

所述锁存电路还包括第一导电部、第二导电部、第三导电部、第四导电部与第五导电部；

所述第一导电部在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第二区域，所述第一导电部位于所述第一半导体层与所述第二晶体管的第一极之间；所述第二导电部与所述第一晶体管的栅极连接，所述第三导电部位于所述反射层远离所述第二半导体层的一侧，所述第四导电部与所述第一晶体管的第二极连接，所述第五导电部分别与所述电容的第二电极、所述第二晶体管的第二极连接；所述电容的第一电极与所述第二晶体管的栅极相接触。

在一个实施例中，所述的发光器件还包括封装层；

所述封装层至少包覆所述发光结构的侧面、所述锁存电路的侧面以及所述锁存电路远离所述衬底的一面，所述封装层暴露所述第二导电部、所述第三导电部、所述第四导电部与所述第五导电部。

在一个实施例中，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一极用于接收第一电源信号；

所述发光结构的第二电极用于接收第二电源信号；所述第一电源信号的电平值大于所述第二电源信号的电平值。

在一个实施例中，所述电容位于所述封装结构的内部，所述电容在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述第一晶体管与所述第二晶体管在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述锁存电路还包括第一导电部、第二导电部、第三导电部、第四导电部与第五导电部；

所述第一导电部在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第一导电部位于所述反射层与所述第二晶体管的第二极之间；所述第二导电部与所述第一晶体管的栅极连接；所述第三导电部分别与所述电容的第二电极、所述第二晶体管的第一极连接；所述电容的第一电极与所述第二晶体管的栅极相接触；所述第四导电部与所述第一晶体管的第二极连接，所述第五导电部在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第二区域，所述第五导电部位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧。

在一个实施例中，所述的发光器件还包括封装层；

所述封装层至少包覆所述发光结构的侧面、所述锁存电路的侧面以及所述锁存电路远离所述衬底的一面，所述封装层暴露所述第二导电部、所述第三导电部、所述第四导电部与所述第五导电部。

在一个实施例中，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种发光基板，包括至少一个发光区，所述显示装置还包括：扫描线、数据线与上述的发光器件；

同一个所述发光区包括至少一个所述发光器件；同一个所述发光区中的所有所述发光器件连接至同一条所述扫描线以及同一条所述数据线，所述扫描线被配置为传输所述寻址信号，所述数据线被配置为传输所述数据信号；

不同所述发光区中的所有所述发光器件连接至同一条所述数据线；所述数据线在不同时间段传输不同所述发光区中的所述发光器件的数据信号。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种发光器件的驱动方法，用于驱动上述的发光器件，所述方法，包括：

所述数据写入电路接收所述寻址信号与所述数据信号；当所述寻址信号控制所述数据写入电路导通时，所述数据电压写入所述存储电路；

所述存储电路保持所述数据电压，直至所述数据写入电路将下一个数据电压写入所述存储电路；

所述驱动电路在所述数据电压的控制下产生用于驱动所述发光结构发光的驱动电流。

根据本发明实施例的第四方面，提供一种发光基板的驱动方法，用于驱动上述的显示装置，所述方法，包括：

在同一时间段内，同一个所述发光区中的所有所述发光器件在所述数据电压的控制下发光；

在不同时间段，连接至同一条所述数据线的不同所述发光区中的所有所述发光器件在对应的所述数据电压的控制下发光。

根据上述实施例可知，发光器件包括发光结构与锁存电路，锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路，当寻址信号控制数据写入电路导通时，数据电压写入存储电路，存储电路保持数据电压，驱动电路在数据电压的控制下产生用于驱动发光结构发光的驱动电流，也就是，锁存电路可以锁存数据电压，在锁存电路保持数据电压时，可以使发光结构持续发光，延长发光结构的发光时长，可以避免由于亮度的损失而增加发光结构的瞬时电流。而且，由于数据写入电路、驱动电路与发光结构位于同一封装结构中，可以突破选择发光器件的基板的局限性，拓展了应用场景。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明实施例示出的一种发光器件的结构示意图；

图2是根据本发明实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图3是根据本发明实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图4是根据本发明实施例示出的一种电容充电示意图；

图5是根据本发明实施例示出的一种电容放电示意图；

图6是根据本发明实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图7是根据本发明实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图8是根据本发明实施例示出的一种发光基板的结构示意图；

图9是根据本发明实施例示出的另一种发光基板的结构示意图；

图10是根据本发明实施例示出的一种发发光器件的驱动方法的流程图；

图11是根据本发明实施例示出的一种发光基板的驱动方法的流程图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

本发明实施例提供一种发光器件。该发光器件，包括：发光结构与锁存电路；所述锁存电路与所述发光结构电连接。

在本实施例中，所述锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路；所述数据写入电路的控制端被配置为接收寻址信号，所述数据写入电路的第一端分别与所述存储电路的第一端、所述驱动电路的控制端连接，所述数据写入电路的第二端用于接收数据信号，所述数据信号包括数据电压，所述驱动电路的第一端与所述发光结构的第一电极连接，所述驱动电路的第二端与所述存储电路的第二端连接。

当所述寻址信号控制所述数据写入电路导通时，所述数据电压写入所述存储电路，所述存储电路用于保持所述数据电压，所述驱动电路在所述数据电压的控制下产生用于驱动所述发光结构发光的驱动电流。

所述数据写入电路、所述驱动电路与所述发光结构位于同一封装结构中，所述存储电路位于所述封装结构的内部，或所述存储电路位于所述封装结构的外部。

在本实施例中，发光器件包括发光结构与锁存电路，锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路，当寻址信号控制数据写入电路导通时，数据电压写入存储电路，存储电路保持数据电压，驱动电路在数据电压的控制下产生用于驱动发光结构发光的驱动电流，也就是，锁存电路可以锁存数据电压，在锁存电路保持数据电压时，可以使发光结构持续发光，延长发光结构的发光时长，可以避免由于亮度的损失而增加发光结构的瞬时电流。而且，由于数据写入电路、驱动电路与发光结构位于同一封装结构中，可以突破选择发光器件的基板的局限性，拓展了应用场景。

以上对本发明实施例提供的发光器件进行了简要的介绍，下面对本发明实施例提供的发光器件进行详细的介绍。

本发明实施例还提供一种发光器件。该发光器件，如图1所示，包括：发光结构11与锁存电路12。锁存电路12与发光结构11电连接。

在本实施例中，如图1所示，锁存电路12包括数据写入电路121、存储电路122与驱动电路123。数据写入电路121的控制端被配置为接收寻址信号，数据写入电路121的第一端分别与存储电路122的第一端、驱动电路123的控制端连接。寻址信号用于控制数据写入电路121的导通与关闭。数据写入电路121的第二端用于接收数据信号，数据信号包括数据电压。

在本实施例中，如图1所示，驱动电路123的第一端与发光结构11的第一电极连接，驱动电路123的第二端与存储电路122的第二端连接。

在本实施例中，如图1所示，数据写入电路121包括第一晶体管M1，第一晶体管M1的栅极连接至数据写入电路121的控制端，第一晶体管M1的第一极连接至数据写入电路121的第一端，第一晶体管M1的第二极连接至数据写入电路121的第二端。

在本实施例中，第一晶体管M1为N型晶体管，第一晶体管M1的第一极为漏极，第一晶体管M1的第二极为源极。

在本实施例中，驱动电路123包括第二晶体管M2，第二晶体管M2的栅极连接至驱动电路123的控制端，第二晶体管M2的第一极连接至驱动电路123的第一端，第二晶体管M2的第二极连接至驱动电路123的第二端。第二晶体管M2的第二极用于接收第二电源信号。

在本实施例中，第二晶体管M2为N型晶体管，第二晶体管M2的第一极为漏极，第二晶体管M2的第二极为源极。

在本实施例中，存储电路122包括电容C，电容C的第一电极P1连接至存储电路122的第一端，电容C的第二电极P2连接至存储电路122的第二端。电容C的第二电极P2用于接收第二电源信号。

在本实施例中，发光结构11的第一电极为负极，发光结构11的第二电极为正极。发光结构11的第二电极用于接收第一电源信号VCC。第一电源信号VCC的电平值大于第二电源信号的电平值。第一电源信号VCC可以为接地信号。

在本实施例中，当寻址信号控制数据写入电路121导通时，数据电压写入存储电路122，存储电路122用于保持数据电压，驱动电路123在数据电压的控制下产生用于驱动发光结构11发光的驱动电流。当寻址信号控制数据写入电路121关闭时，数据电压不能被写入存储电路122。

在本实施例中，如图2所示，发光结构11包括衬底21、第一半导体层22、发光层23、第二半导体层24与反射层25。

在本实施例中，衬底21的材料为蓝宝石。当然，衬底21的材料也可以是硅、碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)。

在本实施例中，第一半导体层22为P型半导体层和N型半导体层中的一种，第二半导体层24为P型半导体层和N型半导体层中的另一种。本实施例中以第一半导体层22为N型半导体层、第二半导体层24为P型半导体层为例进行说明。

在本实施例中，反射层25的材料包括导电材料。即反射层25既可以对光进行反射，还可以导电。

在本实施例中，第一半导体层22位于衬底21上，第一半导体层22包括第一区域Q1与第二区域Q2，第一区域Q1与第二区域Q2相邻。

在本实施例中，发光层23位于第一半导体层22远离衬底21的一侧，发光层23在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。

在本实施例中，第二半导体层24位于发光层23远离第一半导体层22的一侧，第二半导体层24在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。

在本实施例中，反射层25位于第二半导体层24远离发光层23的一侧，反射层25在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。

在本实施例中，如图2所示，电容C位于封装结构的内部，电容C在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。电容C可位于第一晶体管M1与第二晶体管M2之间。

在本实施例中，如图2所示，第一晶体管M1在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1，第二晶体管M2的栅极与源极在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1，第二晶体管M2的漏极在第一半导体层22上的投影的部分位于第一区域Q1，另一部分位于第二区域Q2。

需要说明的是，第一晶体管M1的栅极与反射层25之间存在绝缘层(未示出)，图2中所示的各个膜层之间的缝隙之间可填充有绝缘层。

在本实施例中，第一晶体管M1与第二晶体管M2可为氮化镓型晶体管，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，第一晶体管M1的栅极G1、源极S1与漏极D1位于第一N型衬底Sub1上，第二晶体管M2的栅极G2、源极S2与漏极D2位于第二N型衬底Sub2上。

在本实施例中，发光结构包括发光二极管LED，例如，发光二极管LED为MicroLED或MiniLED。发光结构可为倒装结构，但不限于此。例如，发光结构也可为正装结构。

在本实施例中，如图2所示，锁存电路12还包括第一导电部E1、第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5。

在本实施例中，如图2所示，第一导电部E1在第一半导体层22上的投影的部分位于第二区域Q2，第一导电部E1位于第一半导体层22与第二晶体管M2的漏极之间，第一导电部E1一端与第一半导体层22接触，另一端与第二晶体管M2的漏极接触，第一导电部E1为发光结构11的负极，第一导电部E1实现了发光结构11的负极与第二晶体管M2的漏极之间的电连接。

在本实施例中，如图2所示，第二导电部E2与第一晶体管M1的栅极连接。

在本实施例中，如图2所示，第三导电部E3位于反射层25远离第二半导体层24的一侧，第三导电部E3与反射层25接触，第二半导体层24为发光结构11的正极，第三导电部E3用于传输第一电源信号VCC，第三导电部E3实现了将第一电源信号VCC传输至发光结构11的正极。

在本实施例中，如图2所示，第四导电部E4与第一晶体管M1的源极连接。第四导电部E4用于将数据信号传输至第一晶体管M1的源极。

在本实施例中，如图2所示，第五导电部E5分别与电容C的第二电极P2、第二晶体管M2的源极连接，电容C的第一电极P1与第二晶体管M2的栅极相接触。第五导电部E5还用于接收第二电源信号，即电容C的第二电极P2、第二晶体管M2的源极用于接收第二电源信号。

在本实施例中，发光器件还包括封装层31。封装层31至少包覆发光结构11的侧面、锁存电路12的侧面以及锁存电路12远离衬底21的一面。

在本实施例中，如图3所示，封装层31暴露第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5。

在本实施例中，数据写入电路121、驱动电路123与发光结构11位于同一封装结构中，存储电路122位于封装结构的内部。封装结构暴露第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5，以便通过第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5分别与外界进行电连接。

而且，与相关技术中将数据写入电路121、驱动电路123集成在玻璃基板或PCB(印刷电路板)上相比，本实施例中的发光器件可不受基板的限制，例如，本实施例中的发光器件不但可应用于玻璃基板或PCB上，还可应用于FPC(柔性电路板)上。

在本实施例中，第一晶体管M1的阈值电压与第二晶体管M2的阈值电压可为2～4伏特。阈值电压由晶体管的性质与内部结构决定。第一晶体管M1的阈值电压Vth与第二晶体管M2的阈值电压Vth相同。

在本实施例中，因为第一晶体管M1的阈值电压Vth与第二晶体管M2的阈值电压Vth至少为2V，同时需满足第一晶体管M1与第二晶体管M2的开启，因此，数据信号Vsource的第一高电平需大于2*Vth，寻址信号Vgate的第二高电平需大于(Vsource+2*Vth)，寻址信号Vgate的第二高电平要小于或等于第一晶体管M1支持的最大输入电压，最大输入电压一般为50伏特。根据第一晶体管M1的材料的不同，第一晶体管M1的阈值电压和最大输入电压各自有不同值。数据信号Vsource的第一低电平与寻址信号Vgate的第二低电平为0伏特。

在本实施例中，当寻址信号Vgate为第二高电平，数据信号Vsource为第一高电平时，第一晶体管M1的栅源电压Vgs1大于第一晶体管M1的阈值电压Vth，即Vgs1>Vth，第一晶体管M1导通，第二晶体管M2的栅源电压Vgs2等于数据信号Vsource的电平值，即Vgs2＝Vsource，第二晶体管M2的栅源电压Vgs2大于第二晶体管M2的阈值电压Vth，即Vgs2>Vth，第二晶体管M2导通，发光结构11发光，同时，对电容C进行充电，电容C两端的电压Vc等于数据信号Vsource的电平值，即Vc＝Vgs2＝Vsource。

在本实施例中，当Vgate为第二低电平时，Vgs1<Vth，第一晶体管M1截止，电容C开始放电，维持第二晶体管M2的栅源电压Vgs2等于数据电压Vsource，第二晶体管M2维持导通状态，发光结构11导通，并发光，电容C放电直至下一次Vgate为第二高电平。在该阶段，发光结构11持续发光。

在本实施例中，当寻址信号Vgate为第二高电平，数据信号Vsource为第一低电平时，Vgs1>Vth，第一晶体管M1导通，Vgs2<Vth，第二晶体管M2截止，发光结构11截止，停止发光。

在本实施例中，发光结构11实际只有两种状态，导通状态和截止状态，发光结构11为导通状态时发光，通过控制导通状态和截止状态在单位时间内的不同占比，可以实现不同显示亮度的调节。

在本实施例中，电容C的时间常数τ＝RCs，其中，R为电阻，Cs为电容C的电容值，V0为电容C上的初始电压值，V1为电容C最终可充到或者放到的末态电压值，Vt为t时刻电容C上的电压值，则：

Vt＝V0+(V1-V0)×[1-e^(-t/τ)] (1)

如图4所示，图4为电容C的充电时间图，横轴为时间，纵轴为电压，V0＝0，V1＝Vgs2，有效时间为(T1-Tth)，其中Tth＝τ*ln[V1/(V1-Vth)]，T1≈5τ＝0.98*Vgs2，电容C充/放电时间默认为(3-5)τ即充电/放电完成。

如图5所示，图5为电容C的放电时间图，横轴为时间，纵轴为电压，V0＝Vgs2，V1＝0，有效时间为Tth，其中Tth＝τ*ln[V0/(V0-Vth)]。

若需实现X bit的亮度调节，所需的数据频率(Fdata)最少需要1/(2^X*(1/T1))Hz，其中T1≈5τ。X为正整数。

在本实施例中，发光器件包括发光结构11与锁存电路12，锁存电路12包括数据写入电路121、存储电路122与驱动电路123，当寻址信号Vgate控制数据写入电路121导通时，数据电压写入存储电路122，存储电路122保持数据电压，驱动电路123在数据电压的控制下产生用于驱动发光结构11发光的驱动电流，也就是，锁存电路12可以锁存数据电压，在锁存电路12保持数据电压时，可以使发光结构11持续发光，延长发光结构11的发光时长，可以避免由于亮度的损失而增加发光结构11的瞬时电流。而且，由于数据写入电路121、驱动电路123与发光结构11位于同一封装结构中，可以突破选择发光器件的基板的局限性，拓展了应用场景。

本发明实施例还提供一种发光器件。该发光器件，如图6所示，包括：发光结构11与锁存电路12。锁存电路12与发光结构11电连接。

在本实施例中，如图6所示，第一晶体管M1为P型晶体管，第一晶体管M1的第一极为源极，第一晶体管M1的第二极为漏极。

在本实施例中，如图6所示，第二晶体管M2为P型晶体管，第二晶体管M2的第一极为源极，第二晶体管M2的第二极为漏极，第二晶体管M2的第一极用于接收第一电源信号VCC。

在本实施例中，如图6所示，发光结构11的第一电极为正极，发光结构11的第二电极为负极，发光结构11的第二电极用于接收第二电源信号。第二电源信号可以为接地信号。

在本实施例中，如图6所示，第二晶体管M2的源极用于接收第一电源信号VCC。

在本实施例中，如图7所示，电容C位于封装结构的内部，电容C在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。

在本实施例中，如图7所示，第一晶体管M1与第二晶体管M2在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1。

在本实施例中，如图7所示，第一晶体管M1的栅极G1、源极S1与漏极D1位于第一P型衬底Sub3上，第二晶体管M2的栅极G2、源极S2与漏极D2位于第二P型衬底Sub4上。

在本实施例中，如图7所示，第一导电部E1在第一半导体层22上的投影位于第一区域Q1，第一导电部E1位于反射层25与第二晶体管M2的漏极D2之间，第一导电部E1用于将发光结构11的正极与第二晶体管M2的漏极D2电连接。

在本实施例中，如图7所示，第二导电部E2与第一晶体管M1的栅极G1连接，第二导电部E2用于将寻址信号Vgate传输至第一晶体管M1的栅极。

在本实施例中，如图7所示，第三导电部E3分别与电容C的第二电极P2、第二晶体管M2的源极连接，第三导电部E3用于传输第一电源信号VCC。

在本实施例中，如图7所示，电容C的第一电极P1与第二晶体管M2的栅极相接触。

在本实施例中，如图7所示，第四导电部E4与第一晶体管M1的漏极D1连接，用于将数据信号Vsource传输至第一晶体管M1的漏极D1。

在本实施例中，如图7所示，第五导电部E5在第一半导体层22上的投影的部分位于第二区域Q2，第五导电部E5位于第一半导体层22远离衬底21的一侧。第五导电部E5一端与发光结构11的负极电连接，另一端用于接收第二电源信号。

在本实施例中，封装层31暴露第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5，以便通过第二导电部E2、第三导电部E3、第四导电部E4与第五导电部E5分别与外界进行电连接。

在本实施例中，与上述实施例相似的是，当第一晶体管M1导通时，通过数据信号Vsource可控制发光结构11的发光亮度，同时对电容C进行充电。当第一晶体管M1截止后，电容C可以放电，发光结构11可持续发光。当第一晶体管M1导通、第二晶体管M2截止时，可以控制发光结构11截止。其中，在本实施例中的第一晶体管M1与第二晶体管M2的导通条件与上述实施例中第一晶体管M1与第二晶体管M2导通条件不同，在本实施例中的第一晶体管M1与第二晶体管M2的截止条件与上述实施例中第一晶体管M1与第二晶体管M2截止条件不同。本实施例中的第一晶体管M1与第二晶体管M2的导通条件以及截止条件在此不再赘述。

本发明实施例还提供一种发光器件。在本实施例中，与上述实施例不同的是，在本实施例中，存储电路122位于封装结构的外部。即电容C位于封装结构的外部。

在本实施例中，锁存电路12还包括第六导电部与第七导电部，第六导电部的第一端与数据写入电路121的第一端连接，第六导电部的第二端与存储电路122的第一端连接，第七导电部的第一端与驱动电路123的第二端连接，第七导电部的第二端与存储电路122的第二端连接。封装层31暴露第六导电部的第二端与第七导电部的第二端。

在本实施例中，由于电容C位于封装结构的外部，因此，可以有利于调整电容C的电容值，以调整数据频率。

本发明实施例还提供一种发光基板。该发光基板包括至少一个发光区，如图8所示，发光基板还包括：扫描线81、电源线82、数据线83与上述的发光器件84。数据线83与驱动芯片(未示出)连接。

在本实施例中，同一个发光区包括至少一个发光器件。如图8所示，同一个发光区可包括一个发光器件84。

在本实施例中，如图8所示，发光器件84沿第一方向L1与第二方向L2阵列排布。发光区也沿第一方向L1与第二方向L2阵列排布。扫描线81与电源线82沿第一方向L1延伸，数据线83沿第二方向L2延伸。扫描线81用于传输寻址信号Vgate，电源线82用于传输第一电源信号VCC，数据线83用于传输数据信号Vsource。

在本实施例中，如图8所示，在第一方向L1上位于同一排的发光器件84连接至同一条扫描线81，在第二方向上，位于不同排的发光器件84连接至不同的扫描线81。

在本实施例中，如图8所示，在第二方向L2上，位于同一排的发光器件84连接至同一条数据线83，在第一方向L1上，位于不同排的发光器件84连接至不同的数据线83。

在本实施例中，同一个发光区中的所有发光器件84连接至同一条扫描线81以及同一条数据线83。这样，可以实现对同一个发光区中的所有发光器件84的同步控制。

在本实施例中，在第二方向L2上，位于同一排的不同发光区中的所有发光器件84连接至同一条数据线83，数据线83在不同时间段传输不同发光区中的发光器件84的数据信号Vsource。这样，可以通过同一条数据线对不同发光区实现分时控制，可以节约数据线的数目，可以提高单位时间内的扫描频率，进而可以节约驱动芯片。

在本实施例中，如图8所示，当在第二方向L2上的第一条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二高电平时，在第一方向L1上排列的第1、2、3条数据线83分别给在第二方向L2上的第一排的发光器件84提供数据信号Vsource，数据信号Vsource是驱动芯片通过处理从系统芯片或FPGA芯片获取的图像信号获得。同时，在第二方向L2上的第二条扫描线81与第三条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二低电平，上述的数据线83传输的数据信号Vsource对除第二方向L2上的第一排的发光器件84外的其余发光器件84没有影响。

当在第二方向L2上的第二条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二高电平时，在第一方向上排列的第1、2、3条数据线83分别给在第二方向L2上的第二排的发光器件84提供数据信号Vsource，同时，在第二方向L2上的第一条扫描线81与第三条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二低电平，上述的数据线83传输的数据信号Vsource对除第二方向L2上的第二排的发光器件84外的其余发光器件84没有影响。由于在第二方向L2上的第一排的发光器件84的锁存电路12已存储数据电压，因此，在第二方向L2上的第一排的发光器件84可持续发光，直至下一次在第二方向L2上的第一条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二高电平。依次类推，可以实现第二方向L2上的所有排发光器件84的扫描及锁存。

在其他实施例中，如图9所示，同一个发光区包括两个发光器件84。在第一方向L2上，每相邻两个发光器件84位于同一发光区中。当沿第二方向L2排列的第一条扫描线81传输的寻址信号Vgate为第二高电平时，沿第一方向L1排列的数据线83中的第一条数据线83给在第二方向L2上沿第一方向L1排列的第一排中的两个发光器件84提供数据信号Vsource，沿第一方向L1排列的数据线83中的第二条数据线83给在第二方向L2上沿第一方向L1排列的第一排中的另外两个发光器件84提供数据信号Vsource。同一发光区中的两个发光器件84发光状态相同。如图9的扫描方式与图8扫描方式相似，在此不再赘述。

本发明实施例还提供一种发光器件的驱动方法。该驱动方法用于驱动上述的发光器件。如图10所示，方法，包括以下步骤1001～1003：

在步骤1001中，数据写入电路121接收寻址信号Vgate与数据信号Vsource，当寻址信号Vgate控制数据写入电路121导通时，数据电压写入存储电路122。

在步骤1002中，存储电路122保持数据电压，直至数据写入电路121将下一个数据电压写入存储电路122。

在步骤1003中，驱动电路123在数据电压的控制下产生用于驱动发光结构11发光的驱动电流。

本发明实施例还提供一种发光基板的驱动方法。该发光基板的驱动方法用于驱动上述的发光基板。如图11所示，方法，包括以下步骤1101～1102：

在步骤1101中，在同一时间段内，同一个发光区中的所有发光器件在数据电压的控制下发光。

在步骤1102中，在不同时间段，连接至同一条数据线的不同发光区中的所有发光器件在对应的数据电压的控制下发光。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (13)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：发光结构与锁存电路；所述锁存电路与所述发光结构电连接；

所述锁存电路包括数据写入电路、存储电路与驱动电路；所述数据写入电路的控制端被配置为接收寻址信号，所述数据写入电路的第一端分别与所述存储电路的第一端、所述驱动电路的控制端连接，所述数据写入电路的第二端用于接收数据信号，所述数据信号包括数据电压，所述驱动电路的第一端与所述发光结构的第一电极连接，所述驱动电路的第二端与所述存储电路的第二端连接；

当所述寻址信号控制所述数据写入电路导通时，所述数据电压写入所述存储电路，所述存储电路用于保持所述数据电压，所述驱动电路在所述数据电压的控制下产生用于驱动所述发光结构发光的驱动电流；

所述数据写入电路、所述驱动电路与所述发光结构位于同一封装结构中，所述存储电路位于所述封装结构的内部，或所述存储电路位于所述封装结构的外部。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构包括衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层与反射层；所述反射层的材料包括导电材料；

所述第一半导体层位于所述衬底上，所述第一半导体层包括第一区域与第二区域，所述第一区域与第二区域相邻；所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述发光层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；所述反射层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，所述反射层在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述数据写入电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接至所述数据写入电路的控制端，所述第一晶体管的第一极连接至所述数据写入电路的第一端，所述第一晶体管的第二极连接至所述数据写入电路的第二端；

所述驱动电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接至所述驱动电路的控制端，所述第二晶体管的第一极连接至所述驱动电路的第一端，所述第二晶体管的第二极连接至所述驱动电路的第二端；

所述存储电路包括电容，所述电容的第一电极连接至所述存储电路的第一端，所述电容的第二电极连接至所述存储电路的第二端。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管；

所述发光结构的第二电极用于接收第一电源信号；所述第二晶体管的第二极与所述电容的第二电极用于接收第二电源信号；所述第一电源信号的电平值大于所述第二电源信号的电平值。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述电容位于所述封装结构的内部，所述电容在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述第一晶体管在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第二晶体管的栅极与第二极在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第二晶体管的第一极在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第一区域，另一部分位于所述第二区域；

所述锁存电路还包括第一导电部、第二导电部、第三导电部、第四导电部与第五导电部；

所述第一导电部在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第二区域，所述第一导电部位于所述第一半导体层与所述第二晶体管的第一极之间；所述第二导电部与所述第一晶体管的栅极连接，所述第三导电部位于所述反射层远离所述第二半导体层的一侧，所述第四导电部与所述第一晶体管的第二极连接，所述第五导电部分别与所述电容的第二电极、所述第二晶体管的第二极连接；所述电容的第一电极与所述第二晶体管的栅极相接触。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括封装层；

所述封装层至少包覆所述发光结构的侧面、所述锁存电路的侧面以及所述锁存电路远离所述衬底的一面，所述封装层暴露所述第二导电部、所述第三导电部、所述第四导电部与所述第五导电部。

7.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一极用于接收第一电源信号；

所述发光结构的第二电极用于接收第二电源信号；所述第一电源信号的电平值大于所述第二电源信号的电平值。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述电容位于所述封装结构的内部，所述电容在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述第一晶体管与所述第二晶体管在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域；

所述锁存电路还包括第一导电部、第二导电部、第三导电部、第四导电部与第五导电部；

所述第一导电部在所述第一半导体层上的投影位于所述第一区域，所述第一导电部位于所述反射层与所述第二晶体管的第二极之间；所述第二导电部与所述第一晶体管的栅极连接；所述第三导电部分别与所述电容的第二电极、所述第二晶体管的第一极连接；所述电容的第一电极与所述第二晶体管的栅极相接触；所述第四导电部与所述第一晶体管的第二极连接，所述第五导电部在所述第一半导体层上的投影的部分位于所述第二区域，所述第五导电部位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，还包括封装层；

所述封装层至少包覆所述发光结构的侧面、所述锁存电路的侧面以及所述锁存电路远离所述衬底的一面，所述封装层暴露所述第二导电部、所述第三导电部、所述第四导电部与所述第五导电部。

10.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

11.一种发光基板，其特征在于，包括至少一个发光区，所述发光基板还包括：扫描线、数据线与权利要求1至10任一项所述的发光器件；

同一个所述发光区包括至少一个所述发光器件；同一个所述发光区中的所有所述发光器件连接至同一条所述扫描线以及同一条所述数据线，所述扫描线被配置为传输所述寻址信号，所述数据线被配置为传输所述数据信号；

不同所述发光区中的所有所述发光器件连接至同一条所述数据线；所述数据线在不同时间段传输不同所述发光区中的所述发光器件的数据信号。

12.一种发光器件的驱动方法，其特征在于，用于驱动权利要求1至10任一项所述的发光器件，所述方法，包括：

所述数据写入电路接收所述寻址信号与所述数据信号；当所述寻址信号控制所述数据写入电路导通时，所述数据电压写入所述存储电路；

所述存储电路保持所述数据电压，直至所述数据写入电路将下一个数据电压写入所述存储电路；

所述驱动电路在所述数据电压的控制下产生用于驱动所述发光结构发光的驱动电流。

13.一种发光基板的驱动方法，其特征在于，用于驱动权利要求11所述的发光基板，所述方法，包括：

在同一时间段内，同一个所述发光区中的所有所述发光器件在所述数据电压的控制下发光；

在不同时间段，连接至同一条所述数据线的不同所述发光区中的所有所述发光器件在对应的所述数据电压的控制下发光。

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