CN113050176A - 接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置，涉及通信技术领域。该接近检测电路包括：接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。本申请的方案用于解决现有额外设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。
Description
技术领域
本申请属于通信技术领域，具体涉及一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置。
背景技术
随着设计的迭代和变更，以及智能设备小型化的发展，智能设备的接近检测传感器往往受限于空间大小，与设备本体的金属中框天线或FPC天线复用。但由于天线本体一般距离射频PA、PMIC等热源较近，因此，温升环境的变化会影响测量：传感链路上的每个组件都有温度敏感性，温升会影响PCB的走线寄生电容以及传感器焊盘本体电容。环境条件的变化可以改变不同材料(覆盖层、粘合剂、铜层…)的性能，如厚度或介电常数，从而引起SX9331测量的电容的变化。而这些易受性可能会累积起来，如果漂移影响与预期的用户影响在同一数量级上，可能会产生不正确的接近报告或释放。
如此，目前提出了一种在主板端检测通道附近走一条参考通道作为检测通道主板端的环境基准，检测通道与参考通道走伪差分。然而在现有主板严苛的走线环境下，主板端的参考环境和检测环境并不能完全保持一致，针对不同主板端不同位置的单点热源，发生无法进行有效补偿的情况，从而无法得到正确的接近检测结果。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置，能够解决现有额外设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
第一方面，本申请的实施例提供了一种接近检测电路，包括：
接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；
其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。
第二方面，本申请的实施例提供了一种电子设备，包括如上所述的接近检测电路。
第三方面，本申请的实施例提供了一种接近检测处理方法，由如上所述的电子设备执行，包括：
在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；
根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
第四方面，本申请的实施例提供了一种接近检测处理装置，包括：
第一确定模块，用于在接近检测传感器启用的情况下，确定电子设备当前的工作状态；
第二确定模块，用于根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
第一处理模块，用于根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
第五方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。
第六方面，本申请实施例还提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。
第七方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第三方面所述的方法。
这样，本申请实施例中，在每个检测通道设置第一MOS管和第二MOS管，能够通过第一MOS管控制检测通道的通断，通过第二MOS管控制金属检测端的屏蔽。如此，该实施例的接近检测电路实现了检测通道与参考通道的通道合并与硬件兼容，可充分有效的利用接近检测传感器的检测通道作为系统资源，且能够更为精确地了解检测通道主板端的温升情况，具备更好的温漂补偿与抑制能力，保障接近检测准确性。
附图说明
图1为本申请实施例的接近检测电路的结构示意图；
图2为本申请实施例的接近检测处理方法的流程示意图；
图3为本申请实施例的轮询逻辑示意图；
图4为本申请实施例的失效通路检测逻辑示意图；
图5为本申请实施例的方法的应用示意图之一；
图6为本申请实施例的方法的应用示意图之二；
图7为本申请实施例的接近检测处理装置的结构示意图；
图8为本申请实施例的电子设备的结构示意图；
图9为本申请另一实施例的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的接近检测电路进行详细地说明。
本申请实施例的方法应用于用户设备，用户设备(User Equipment，UE)可以指接入终端、用户单元、用户站、移动站、移动台、远方站、远程终端、移动设备、用户终端、终端、无线通信设备、用户代理或用户装置。终端设备还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(Session Initiation Protocol，SIP)电话、无线本地环路(Wireless Local Loop，WLL)站、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备、可穿戴设备。
如图1所示，本申请实施例的接近检测电路，包括：
接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；
其中，每个检测通道包括：第一MOS管109和第二MOS管110，所述第一MOS管109的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管110的源漏极连接在所述检测通道与地之间。
这里，第一MOS管109又称为主板端MOS管，用于控制检测通道的通断；第二MOS管110又称为金属端MOS管，用于控制金属检测端的屏蔽。
本申请实施例的接近检测电路中，在每个检测通道设置第一MOS管109和第二MOS管110，能够通过第一MOS管109控制检测通道的通断，通过第二MOS管110控制金属检测端的屏蔽。如此，该接近检测电路实现了检测通道与参考通道的通道合并与硬件兼容，可充分有效的利用接近检测传感器的检测通道作为系统资源，且能够更为精确地了解检测通道主板端的温升情况，具备更好的温漂补偿与抑制能力，保障接近检测准确性。
应该知道的是，本申请实施例的接近检测电路是应用于电子设备中，由电子设备的主控制器的控制实现。
可选地，所述第一MOS管109的栅极接入第一控制信号，所述第二MOS管110的栅极接入第二控制信号，所述第一控制信号和所述第二控制信号均为主控制器产生的信号。
即，主控器产生第一控制信号输入第一MOS管109的栅极，控制该第一MOS管的通断；主控器产生第二控制信号输入第二MOS管110的栅极，控制该第二MOS管的通断。
可选地，如图1所示，所述每个检测通道还包括：
第一二极管和第二二极管；
其中，所述第一MOS管109的漏极与所述第一二极管的正极连接，所述第一MOS管109的源极与所述第一二极管的负极连接，所述第二MOS管110的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第二MOS管110的源极与所述第二二极管的负极连接。
另外，可选地，该实施例中，所述检测通道中的任意两个检测通道之间设置有第三MOS管112，所述第三MOS管112的栅极接入第三控制信号，所述第三控制信号为主控制器产生的信号。
这里，第三MOS管112为失效保护管。在检测通路失效时，主控制器能够控制对应的第三MOS管接通，来提升器件的可靠性。
可选地，如图1所示，所述每个检测通道还包括：
第一电阻101、走线102、电感103、电容104、弹片105、检测元件106、第二电阻108和第三电阻111；
其中，所述第一电阻101的第一端与所述接近检测传感器的端口连接，所述第一电阻101的第二端通过所述走线102与所述电感103的第一端连接，所述电感103的第二端分别连接所述电容104的第一端和所述第一MOS管109的漏极连接，所述电容104的第二端接地，所述第一MOS管109的栅极通过所述第二电阻108接电源端，所述第一MOS管109的源极分别连接所述第二MOS管110的漏极、所述弹片105的第一端以及所述第三电阻111的第一端，所述弹片105的第二端与所述检测元件106连接，所述第三电阻111的第二端接地。
这里，第一电阻101为通路限流电阻，用于通路限流与防静电释放(Electro-Static Discharge，ESD)。电感103为前后端隔离电感，用于高低频隔离。电容104为匹配电容，弹片105为连接弹片。检测元件106为检测金属片或柔性电路板(Flexible PrintedCircuit，FPC)，用于外部接近感应。第二电阻108为开关限流电阻，第三电阻111为负温度系数(Negative Temperature Coefficient，NTC)电阻。
此外，图1中仅示出了检测端口0对应的检测通道与检测端口1对应的检测通道之间的第三MOS管，检测端口0对应的检测通道与检测端口2对应的检测通道之间的第三MOS管。当然，检测端口0对应的检测通道与其它检测通道之间也设置有第三MOS管，并未一一示出。
可选地，如图1所示，本申请实施例的接近检测电路，检测通道中第一MOS管109的源极和第二MOS管110的漏极之间还可设置第四电阻，第一MOS管109的源极和第三MOS管112的漏极之间还可设置第五电阻。
本申请实施例的一种电子设备，包括上述实施例的接近检测电路。
可选地，所述电子设备还包括主控制器，所述主控制器产生的第一控制信号控制第一MOS管的通断，所述主控制器产生的第二控制信号控制第二MOS管的通断，所述主控制器产生的第三控制信号控制第三MOS管的通断。
如此，该电子设备，对于每个检测通道的第一MOS管和第二MOS管，能够实现通过第一MOS管来控制检测通道的通断，通过第二MOS管来控制金属检测端的屏蔽，实现了检测通道与参考通道的通道合并与硬件兼容，充分有效的利用接近检测传感器的检测通道作为系统资源，且能够更为精确地了解检测通道主板端的温升情况，具备更好的温漂补偿与抑制能力，保障接近检测准确性。
需要说明的是，该电子设备是包括了上述实施例的接近检测电路的，上述接近检测电路的实施例的实现方式适用于该电子设备，也能达到相同的技术效果。
如图2所示，本申请实施例的接近检测处理方法，应用于如上实施例所述的电子设备，包括：
步骤201，在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；
步骤202，根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
步骤203，根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
如此，执行上述步骤201-203的电子设备，对于启用的接近检测传感器，将先通过确定自身当前的工作状态，然后根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定使用当前工作状态的目标补偿策略，从而根据目标补偿策略对目标参数补偿后进行接近检测，保障接近检测的准确性。
其中，所述目标参数为主板端电压useful。
可选地，所述工作状态包括：
第一状态，处于所述第一状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者处于所述第一状态的电子设备的功耗小于或等于第二阈值；
第二状态，处于所述第二状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率大于第一阈值。
对应第一状态，步骤101中，确定所述电子设备当前的工作状态包括：
通过采集接近检测电路中第三电阻的温变率，并将所述温变率与第一阈值比较；若所述温变率小于或等于第一阈值，确定电子设备当前的工作状态为第一状态。或者，通过获取电子设备的功耗，并将所述功耗与第二阈值比较；若所述功耗小于或等于第二阈值，确定电子设备当前的工作状态为第一状态。故，此时经步骤102确定的目标补偿策略即为该第一状态对应的补偿策略。
而对应第二状态，在将所述温变率与第一阈值比较，所述温变率大于第一阈值时，确定电子设备当前的工作状态为第二状态。故，此时经步骤102确定的目标补偿策略即为该第二状态对应的补偿策略。
可选地，该实施例中，所述第一状态对应的补偿策略为：
在所述接近检测传感器上报临近度的情况下，确定发生接近检测误报事件时，对所述目标参数进行补偿。
这里，临近度是接近检测结果中的具体内容，用于表明外部接近的程度。接近检测传感器上报临近度，表示该接近检测传感器响应接近检测，即diff值(diff＝useful-average，useful值表征基于校准(offset)的动态实时值，average值表征useful值过往时隙内的均值特性)满足接近门限。
可选地，所述接近检测误报事件为采集到的所述目标参数的值大于第三阈值或内部饱和；
其中，所述目标参数的值是通过控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集的。
也就是说，第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者，功耗小于或等于第二阈值时，按照目标补偿策略，电子设备执行步骤103包括：在接近检测传感器上报临近度的情况下，由主控制器控制接近检测电路的第一MOS管断开(即关闭第一MOS管)以及第二MOS管接通(即开启第二MOS管，打开屏蔽)，实时采集目标参数的值，即主板端useful值；之后，对于发生接近检测误报事件，即主板端useful值大于第三阈值或内部饱和，会进行重新补偿主板端useful值。
当然，补偿完成后，电子设备会由主控制器控制第一MOS管接通以及第二MOS管断开(即关闭屏蔽)，系统进入正常的采集工作。
可选地，该实施例中，所述方法还包括：
在所述接近检测传感器上报临近度，且确定未发生接近检测误报事件时，接收所述接近检测传感器的接近检测结果。
这里，电子设备通过主控制器接收接近检测传感器的接近检测结果，如临近度，进一步可降低对应检测通道的天线的功率。
可选地，该实施例中，所述第二状态对应的补偿策略为：
控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集所述目标参数的值对所述目标参数进行补偿。
也就是说，第三电阻的温变率大于第一阈值时，考虑到主板端useful值受温度影响变化过快，按照目标补偿策略，电子设备执行步骤103包括：由主控制器控制接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集目标参数的值进行补偿，即动态实时补偿主板端useful值。
当然，该实施例中还能够设置检测周期和参考周期，在该检测周期内，检测通道仅用于接近检测的正常检测，无需进行补偿处理，而在参考周期内，采用本申请实施例的接近检测处理方法进行补偿检测。该实施例中，每个检测通道的轮询逻辑可以如图3所示。
可选地，该实施例中，所述方法还包括：
在启用所述接近检测传感器之前，对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理。
这样，在启用接近检测传感器之前，通过对检测通道进行失效检测，以便启用该接近检测传感器后，不会因检测通道的失效影响接近检测。
可选地，所述对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理，包括：
判断第一检测通道是否可获取所述接近检测传感器的标识；
若所述第一检测通道无法获取所述接近检测传感器的标识，降低与所述第一检测通道对应天线的功率；
若所述第一检测通道可获取所述接近检测传感器的标识，根据所述第一检测通道的失效类型进行处理。
如此，通过定位失效位置，根据失效位置能够准确采取使用的方式来减少失效对接近检测的影响。
其中，第一检测通道是满足预设失效条件的检测通道，预设失效条件包括外挂电容开路或短路导致补偿值offset超出第四阈值。此时，主控制器会控制第一MOS管断开，以及第二MOS管接通，重新更新offset。
该实施例中，接近检测传感器可为Sar Sensor(专为特殊吸收率应用而设计的智能电容式接近传感器)，对于第一检测通道无法获取该接近检测传感器的标识的情况，降低天线的功率至预设Sar值以下。
可选地，基于不同的失效类型，所述根据所述第一检测通道的失效类型进行处理，包括：
若所述第一检测通道的失效类型为金属端单通路失效，关闭所述第一检测通道的检测元件的发射功率；
若所述第一检测通道的失效类型为主板端单通路失效，控制所述第一检测通道的第一MOS管以及第二MOS管断开，并控制所述第一检测通道到所述第二检测通道的第三MOS管接通。
即，针对金属端单通路失效，会关闭该第一检测通道的检测元件的发射功率，对于Sar Sensor可防止天线功率异常导致sar值超标；针对主板端单通路失效，由主控制器控制该第一检测通道的第一MOS管以及第二MOS管断开，并控制该第一检测通道到第二检测通道的第三MOS管接通。
其中，对于主板端单通路失效，第二检测通道是距离第一检测通道最近的、未失效的检测通道。例如，第一检测通道为检测通道0(即对应接近检测传感器的检测端口0的检测通道)，由于检测通道1未失效，当检测通道0的失效为主板端单通路失效，则检测通道0的第一MOS管以及第二MOS管断开，且该检测通道0到检测通道1的第三MOS管接通，此时，检测通道0的弹片和检测元件接入检测通道1。
对于主板端单通路失效的检测通道，考虑到第三MOS管的启用，可选地，该实施例中，所述方法还包括：
在控制所述第一检测通道到所述第二检测通道的第三MOS管接通后，基于所述第一检测通道的检测元件和所述第一检测通道的检测元件，所述第二检测通道的接近检测采用串行嵌套的方式。
也就是，对于接入了第一检测通道的弹片和检测元件的第二检测通道，该第二检测通道的接近检测过程中，会基于第一检测通道的检测元件和第一检测通道的检测元件，采取串行嵌套的方式。
例如，延续上例，检测通道0板端单通路失效，则检测通道0通过对应的第三MOS管将其弹片和检测元件接入检测通道1后，下一周期检测通道1的接近检测处理中，串行嵌套式失效通路检测逻辑如图4所示，其中原通道是涉及检测通道1自身检测元件的通道，失效通道是涉及检测通道0检测元件的通道。其中失效通道的检测值是映射至检测通道0的。
下面，结合附图说明本申请实施例的方法基于Sar Sensor的具体实现：
如图5所示，501：初始化系统配置，配置Sar Sensor内部默认寄存器；
502：是否满足检测通路检测失效条件，是-执行512，否-执行503；
503：是否处于休眠模式，是-执行513，否-执行504；
504：NTC温变率变化>检测阈值，是-执行505，否-执行513；
505：第二MOS打开屏蔽；
506：第一MOS关闭；
507：Useful开启实时采样；
508：延时处理；
509：主板端Useful开启实时采样；
510：延时处理；
511：Useful＝Useful-Useful(动态的(dynamic))；
512：启用失效检测逻辑；
513：Sar Sensor是否上报临近度，是-执行514，否-执行518；
514：第二MOS打开屏蔽；
515：第一MOS关闭；
516：主板端Useful开启实时采样；
517：延时处理；
518：第二MOS打开屏蔽；
519：第一MOS开启；
520：Useful＝Useful-Useful(static)；
521：延时处理；
522：Useful变化是否大于温控阈值或内部饱和，是-执行524，否-执行523；
523：主控制器接收此临近度；
524：Useful＝Useful(实时)-useful(主板)；
525：天线降sar。
其中，失效检测逻辑如图6所示，601：进入失效检测；
602：是否获取Sar Sensor器件ID，是-执行603，否-执行604；
603：天线强制降sar；
604：是否为金属端单通路失效，是-执行605，否-执行606；
605：关闭对应检测元件的发射功率；
606：上报为主板端单通路失效，确认失效的检测通道k；
607：确定该失效的检测通道对应的第三MOS管和检测通道m；
608：检测通道k第一MOS关闭，第二MOS关闭；
609：等待检测通道m完成单周期正常轮询检测；
610：开启该第三MOS管；
611：下一周期进入检测通道m串行嵌套逻辑检测；
612：单周期检测值映射至检测通道k；
613：关闭该第三MOS管；
614：结束失效检测。
综上所述，本申请实施例的方法，基于将温度补偿通道与检测通道共体设计接近检测电路，进行接近检测处理，对于启用的接近检测传感器，将先通过确定自身当前的工作状态，然后根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定使用当前工作状态的目标补偿策略，从而根据目标补偿策略对目标参数补偿后进行接近检测，具备更好的温漂补偿与抑制能力，保障接近检测的准确性。同时，通道的失效检测逻辑，能够准确定位其失效位置，根据其失效位置能够准确采取不同的对应处理避免对接近检测的影响，更加灵活。
需要说明的是，本申请实施例提供的接近检测处理方法，执行主体可以为接近检测处理装置，或者该接近检测处理装置中的用于执行接近检测处理方法的控制模块。本申请实施例中以接近检测处理装置执行接近检测处理方法为例，说明本申请实施例提供的接近检测处理装置。
图7是本申请一个实施例的接近检测处理装置的框图。该接近检测处理装置包括：
第一确定模块710，用于在接近检测传感器启用的情况下，确定电子设备当前的工作状态；
第二确定模块720，用于根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
第一处理模块730，用于根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
可选地，所述工作状态包括：
第一状态，处于所述第一状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者处于所述第一状态的电子设备的功耗小于或等于第二阈值；
第二状态，处于所述第二状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率大于第一阈值。
可选地，所述第一状态对应的补偿策略为：
在所述接近检测传感器上报临近度的情况下，确定发生接近检测误报事件时，对所述目标参数进行补偿。
可选地，所述接近检测误报事件为采集到的所述目标参数的值大于第三阈值或内部饱和；
其中，所述目标参数的值是通过控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集的。
可选地，所述装置还包括：
接收模块，用于在所述接近检测传感器上报临近度，且确定未发生接近检测误报事件时，则接收所述接近检测传感器的接近检测结果。
可选地，所述第二状态对应的补偿策略为：
控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集所述目标参数的值对所述目标参数进行补偿。
可选地，所述装置还包括：
第二处理模块，用于在启用所述接近检测传感器之前，对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理。
可选地，所述第二处理模块包括：
判断子模块，用于判断第一检测通道是否可获取所述接近检测传感器的标识；
第一处理子模块，用于若所述第一检测通道无法获取所述接近检测传感器的标识，降低与所述第一检测通道对应天线的功率；
第二处理子模块，用于若所述第一检测通道可获取所述接近检测传感器的标识，根据所述第一检测通道的失效类型进行处理。
可选地，所述第二处理子模块包括：
第一处理单元，用于若所述第一检测通道的失效类型为金属端单通路失效，关闭所述第一检测通道的检测元件的发射功率；
第二处理单元，用于若所述第一检测通道的失效类型为主板端单通路失效，控制所述第一检测通道的第一MOS管以及第二MOS管断开，并控制所述第一检测通道到第二检测通道的第三MOS管接通。
可选地，所述装置还包括：
第三处理模块，用于在控制所述第一检测通道到所述第二检测通道的第三MOS管关闭后，基于所述第一检测通道的检测元件和所述第一检测通道的检测元件，所述第二检测通道的接近检测采用串行嵌套的方式。
该装置，对于启用的接近检测传感器，将先通过确定自身当前的工作状态，然后根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定使用当前工作状态的目标补偿策略，从而根据目标补偿策略对目标参数补偿后进行接近检测，保障接近检测的准确性。
本申请实施例中的接近检测处理装置可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。该装置可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本或者PDA等，非移动电子设备可以为服务器、网络附属存储器(Network Attached Storage，NAS)、个人计算机(personal computer，PC)、电视机(television，TV)、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例中的接近检测处理装置可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(Android)操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例提供的接近检测处理装置能够实现图1至图6的方法实施例中实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。
可选的，如图8所示，本申请实施例还提供一种电子设备800，包括处理器801，存储器802，存储在存储器802上并可在所述处理器801上运行的程序或指令，该程序或指令被处理器801执行时实现上述接近检测处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
需要注意的是，本申请实施例中的电子设备包括上述所述的移动电子设备和非移动电子设备。
图9为实现本申请各个实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。
该电子设备900包括但不限于：射频单元901、网络模块902、音频输出单元903、输入单元904、传感器905、显示单元906、用户输入单元907、接口单元908、存储器909、以及处理器910等部件。
本领域技术人员可以理解，电子设备900还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器910逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图9中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。
其中，处理器910，用于在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；
根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
可见，该电子设备对于启用的接近检测传感器，将先通过确定自身当前的工作状态，然后根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定使用当前工作状态的目标补偿策略，从而根据目标补偿策略对目标参数补偿后进行接近检测，保障接近检测的准确性。
应理解的是，本申请实施例中，输入单元904可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)9041和麦克风9042，图形处理器9041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元906可包括显示面板9061，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板9061。用户输入单元907包括触控面板9071以及其他输入设备9072。触控面板9071，也称为触摸屏。触控面板9071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备9072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。存储器909可用于存储软件程序以及各种数据，包括但不限于应用程序和操作系统。处理器910可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器910中。
本申请实施例还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现上述接近检测处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
其中，所述处理器为上述实施例中所述的电子设备中的处理器。所述可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等。
本申请实施例另提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现上述接近检测处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为系统级芯片、系统芯片、芯片系统或片上系统芯片等。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。
Claims (15)
1.一种接近检测电路，其特征在于，包括：
接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；
其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。
2.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：
第一二极管和第二二极管；
其中，所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一二极管的负极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的负极连接。
3.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述检测通道中的任意两个检测通道之间设置有第三MOS管。
4.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：
第一电阻、走线、电感、电容、弹片、检测元件、第二电阻和第三电阻；
其中，所述第一电阻的第一端与所述接近检测传感器的端口连接，所述第一电阻的第二端通过所述走线与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端分别连接所述电容的第一端和所述第一MOS管的漏极连接，所述电容的第二端接地，所述第一MOS管的栅极通过所述第二电阻接电源端，所述第一MOS管的源极分别连接所述第二MOS管的漏极、所述弹片的第一端以及所述第三电阻的第一端，所述弹片的第二端与所述检测元件连接，所述第三电阻的第二端接地。
5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的接近检测电路。
6.一种接近检测处理方法，应用于如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，包括：
在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；
根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述工作状态包括：
第一状态，处于所述第一状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者处于所述第一状态的电子设备的功耗小于或等于第二阈值；
第二状态，处于所述第二状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率大于第一阈值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一状态对应的补偿策略为：
在所述接近检测传感器上报临近度的情况下，确定发生接近检测误报事件时，对所述目标参数进行补偿。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述接近检测误报事件为采集到的所述目标参数的值大于第三阈值或内部饱和；
其中，所述目标参数的值是通过控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集的。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二状态对应的补偿策略为：
控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集所述目标参数的值对所述目标参数进行补偿。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
在启用所述接近检测传感器之前，对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理，包括：
判断第一检测通道是否可获取所述接近检测传感器的标识；
若所述第一检测通道无法获取所述接近检测传感器的标识，降低与所述第一检测通道对应天线的功率；
若所述第一检测通道可获取所述接近检测传感器的标识，根据所述第一检测通道的失效类型进行处理。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测通道的失效类型进行处理，包括：
若所述第一检测通道的失效类型为金属端单通路失效，关闭所述第一检测通道的检测元件的发射功率；
若所述第一检测通道的失效类型为主板端单通路失效，控制所述第一检测通道的第一MOS管以及第二MOS管断开，并控制所述第一检测通道到第二检测通道的第三MOS管接通。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：
在控制所述第一检测通道到所述第二检测通道的第三MOS管接通后，基于所述第一检测通道的检测元件和所述第一检测通道的检测元件，所述第二检测通道的接近检测采用串行嵌套的方式。
15.一种接近检测处理装置，其特征在于，包括：
第一确定模块，用于在接近检测传感器启用的情况下，确定电子设备当前的工作状态；
第二确定模块，用于根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
第一处理模块，用于根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
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