CN113013210B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113013210B
CN113013210B CN202110192306.1A CN202110192306A CN113013210B CN 113013210 B CN113013210 B CN 113013210B CN 202110192306 A CN202110192306 A CN 202110192306A CN 113013210 B CN113013210 B CN 113013210B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
electrochromic
electrode structure
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110192306.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113013210A (zh
Inventor
樊星
孔超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110192306.1A priority Critical patent/CN113013210B/zh
Publication of CN113013210A publication Critical patent/CN113013210A/zh
Priority to US17/552,334 priority patent/US20220271105A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN113013210B publication Critical patent/CN113013210B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
    • G02F1/1516—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/157—Structural association of cells with optical devices, e.g. reflectors or illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
    • G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
    • G02F1/1524—Transition metal compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括：基板、层叠在基板上的发光器件层和电致变色功能层发光器件层包括多个发光器件，电致变色功能层包括多个电致变色功能器件，每个像素单元包括一个发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个电致变色功能器件；电致变色功能器件在基板的正投影与对应的有效发光区在基板的正投影至少部分交叠。本申请提供的显示基板中，电致变色功能器件与有效发光区对应设置，可以将相邻像素单元的电流串扰产生的光线尽可能地控制在显示器件内部，达到了改善低灰阶串扰的目的，进而提升显示面板的显示均匀性。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting Diodes，OLED)由于具有驱动电压信号低、响应速度快、色域广、自发光等独特优点，被广泛认为将是最具潜力的显示和照明技术。
通常，对于OLED显示器件而言，RGB三色的启亮电压，B(蓝色像素)的电压最大，G(绿色像素)的电压以及R(红色像素)的电压较小。由于发光器件层的各传输层都可能存在载流子迁移，当在蓝色有机发光材料的两端施加较大电压时，大部分电流会流向蓝色有机发光材料，点亮蓝色像素；但是还有小部分电流会流向绿色有机发光材料和红色有机发光材料，从而将绿色像素和红色像素点亮，最终导致低灰阶串扰(crosstalk)。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有显示面板容易产生低灰阶串扰的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种显示基板，包括若干阵列排列的像素单元，所述显示基板包括：基板、层叠在所述基板上的发光器件层和电致变色功能层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述电致变色功能层包括多个电致变色功能器件，每个像素单元包括一个所述发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个所述电致变色功能器件；所述电致变色功能器件在所述基板的正投影与对应的有效发光区在所述基板的正投影至少部分交叠。
可选地，当像素单元未接收到驱动电压信号时，所述电致变色功能器件用于在电信号的控制下，吸收对应的像素单元发出的光线；或者，在电信号的控制下，增加对对应的像素单元发出的光线的折射；以及，当像素单元接收到驱动电压信号时，所述电致变色功能层还用于在电信号的控制下，对对应的像素单元发出的光线进行透射。
可选地，所述电致变色功能层位于所述发光器件层与所述基板之间；所述发光器件层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的阳极层、发光层和阴极层；所述电致变色功能层包括第一电极层、电致变色层和第二电极层，所述第一电极层、所述电致变色层以及所述第二电极层沿远离所述基板的方向依次层叠于所述基板上；所述第二电极层复用所述阳极层，所述阳极层形成于所述电致变色层背离所述基板的一侧；所述阳极层为透明电极。
可选地，所述第一电极层包括多个第一电极结构和多个第二电极结构；所述基板包括驱动电路和控制电路；对应于单个所述像素单元，所述第一电极层包括相互独立的所述第一电极结构和所述第二电极结构；所述第一电极结构连接控制电路，用于接收所述控制电路输出的电信号，所述第二电极结构连接所述驱动电路，用于接收所述驱动电路输出的驱动电压信号；所述电致变色层位于第一电极结构背离所述基板的一侧，所述阳极层包括多个阳极，所述电致变色层包括多个电致变色结构；每个所述电致变色结构在所述基板的正投影位于对应的所述阳极在所述基板的正投影的内部，所述阳极与对应的所述第二电极结构电连接；和/或，所述阳极为透明电极。
可选地，当像素单元接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，呈透明状态；当像素单元未接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，呈遮光状态。
可选地，所述电致变色层的材料包括氧化依、氧化钨或氧化钼中的至少一种。
可选地，所述电致变色层的材料包括电光材料；当所述第一电极结构接收的所述电信号的电压值与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的电压值不相等时，所述电致变色层增加对所述目标像素发出的光线的折射。
可选地，所述显示基板还包括平坦化层；所述平坦化层设置于所述第一电极结构、第二电极结构以及所述电致变色层远离所述基板的一侧；所述阳极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二电极结构电连接。
可选地，所述电致变色功能层位于所述发光器件层背离所述基板的一侧；所述电致变色功能层包括依次层叠布置的第三电极层、电致变色层和第四电极层，所述第三电极层位于所述电致变色层朝向所述基板的一侧。
可选地，当像素单元接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第三电极层接收的所述电信号与所述第四电极层接收的所述电信号的控制下，呈透明状态；当像素单元未接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第三电极层接收的所述电信号与所述第四电极层接收的所述电信号的控制下，呈遮光状态。
可选地，所述显示基板还包括封装层；所述封装层位于所述发光器件层和所述第三电极层之间，且覆盖所述发光器件层。
第二个方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括如第一个方面所述的显示基板。
第三个方面，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述电致变色功能层包括多个电致变色功能器件；每个像素单元包括一个所述发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个所述电致变色功能器件；所述电致变色功能器件在所述基板的正投影与对应的有效发光区在所述基板的正投影至少部分交叠。
可选地，所述在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层，包括：
在所述基板上制备第一电极层；所述第一电极层包括对应于各像素单元的第一电极结构和第二电极结构；
在所述第一电极结构背离所述基板的一侧制备电致变色层；
制作平坦化层，以平坦化所述第一电极层和所述电致变色层；
在所述平坦化层背离所述基板的一侧制备发光器件层；所述发光器件层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层形成于所述电致变色层背离所述基板的一侧，所述阳极层通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二电极结构电连接。
可选地，所述在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层，包括：
在所述基板上制备平坦化层；
在所述平坦化层背离所述基板的一侧制备发光器件层；
在所述发光器件层背离所述基板的一侧依次制备封装层和电致变色功能层；所述电致变色功能层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的第三电极层、电致变色层和第四电极层，所述第三电极层位于所述封装层背离所述基板的一侧。
本申请实施例的技术方案带来的有益技术效果至少包括：
本申请实施例提供的显示基板，电致变色功能器件与有效发光区对应设置，利用电致变色功能器件可以将相邻像素单元的电流串扰产生的光线尽可能地控制在显示器件内部，达到了改善低灰阶串扰的目的，进而提升显示面板的显示均匀性。
本申请实施例提供的显示基板，通过在对应于像素单元有效发光区的位置设置电致变色功能层，电致变色功能层能够在电信号的控制下，吸收目标像素发出的光线，由于本申请实施例中未接收到驱动电压信号的像素单元发出的光线为发生串扰时的光线，这样，通过电致变色功能层能够吸收串扰的光线，进而将串扰的光线控制在器件内部，达到了改善低灰阶串扰的目的，进而提升显示面板的显示均匀性。
本申请实施例提供的显示基板，通过在对应于像素单元有效发光区的位置设置电致变色功能层，电致变色功能层能够在电信号的控制下，对目标像素发出的光线进行折射，由于本申请实施例中未接收到驱动电压信号的像素单元发出的光线为发生串扰时的光线，这样，通过电致变色功能层能够折射串扰的光线，达到了减弱低灰阶串扰的目的，从而提升显示面板的显示均匀性。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示基板的电致变色功能层在基板上的正投影的分布示意图；
图3为本申请实施例提供的一种显示基板的具体结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种显示基板的具体结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图6为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法中步骤S200的具体流程图；
图7为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法中步骤S200的具体流程图。
图中：
100-基板；
200-电致变色功能层；
210-电致变色层；
220-第一电极层；221-第一电极结构；222-第二电极结构；
230-第三电极层；
240-第四电极层；
300-发光器件层；310-阳极层；320-发光层；330-阴极层；340-像素定义层；
400-平坦化层；
500-封装层；
600-触控层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
结合图1和图2所示，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括若干阵列排列的像素单元，每一像素单元均包括有效发光区(即图1中的开口区)和非显示区。该显示基板还包括：基板100、层叠在基板100上的发光器件层300和电致变色功能层200。
具体地，发光器件层300包括多个发光器件，电致变色功能层包括多个电致变色功能器件，每个像素单元包括一个发光器件和一个有效发光区，至少有一个像素单元包括一个电致变色功能器件。本申请实施例中以每个像素单元均包括一个电致变色功能器件为例进行示例性说明。
为了便于描述，本申请实施例中将未接收到驱动电压信号的像素单元命名为目标像素，即此时目标像素自身并不发光，但由于低灰阶串扰的存在，该目标像素会接收到相邻正常发光像素的小部分电流而被点亮。同时，将接收到驱动电压信号的像素单元命名为正常发光像素。
电致变色功能器件在基板的正投影与对应的有效发光区在基板的正投影至少部分交叠，使得电致变色功能器件的位置与开口区的位置对应，电致变色功能层200用于在电信号的控制下，吸收目标像素因相邻正常发光像素的电流串扰而发出的光线，从而避免低灰阶串扰导致的显示不均的问题。
可以理解的是，本申请实施例中通过驱动电压信号实现像素单元的正常发光，通过电信号实现电致变色功能层200的状态变化。此外，吸收目标像素发出的光线包括吸收发光器件从开口区直接射出的光线，或者包括吸收发光器件层300向基板100方向射出的光线。
可选地，基板100包括基底层、缓冲层以及形成于缓冲层上的开关器件层，开关器件层可以用于控制各像素单元的发光状态。
本申请实施例提供的显示基板，通过在对应于像素单元开口区的位置设置电致变色功能层200，电致变色功能层200能够在电信号的控制下，吸收目标像素发出的光线，由于本申请实施例中目标像素为未接收到驱动电压信号的像素单元，即目标像素发出的光线为发生串扰时的光线，这样，通过电致变色功能层200能够吸收串扰的光线，进而将串扰的光线控制在器件内部，达到了改善低灰阶串扰的目的，进而提升显示面板的显示均匀性。
作为另一种可选的实施方式，继续参阅图1，电致变色功能层200还用于在电信号的控制下，增加对目标像素发出的光线的折射，从而减弱目标像素发出的光线强度。
本实施例中，同样采用电信号实现电致变色功能层200的状态变化。当电致变色功能层200接收到电信号时，电致变色功能层200的状态发生变化(例如：折射率变大)，从而可以增加对目标像素的发出的光线的折射，从而减弱实际从开口区射出的光线，尽可能地减少目标像素因相邻像素的电流串扰而导致的低灰阶串扰。
本实施例提供的显示基板，通过在对应于像素单元开口区的位置设置电致变色功能层200，电致变色功能层200能够在电信号的控制下，增加对目标像素发出的光线的折射，由于本申请实施例中目标像素为未接收到驱动电压信号的像素单元，即目标像素发出的光线为发生串扰时的光线，这样，通过电致变色功能层200能够折射串扰的光线，达到了减弱低灰阶串扰的目的，从而提升显示面板的显示均匀性。
在一些可能的实现方式中，为了不影响正常发光像素在驱动电压信号的控制下正常发光，电致变色功能层200还用于在电信号的控制下，对正常发光像素发出的光线进行透射。
具体地，电致变色功能层200在电信号的控制下，可以切换为供正常发光像素发出的光线透过，不影响到正常发光像素的发光亮度，同时对于目标像素因电流串扰而发出的光线进行吸收或者折射，从而可以避免或者减弱相邻像素单元之间的低灰阶串扰，进一步提升显示效果。
示例性的，本申请实施例中的正常发光像素可以为蓝色像素单元，目标像素可以为绿色像素单元或者红色像素单元。
在一些可能的实施方式中，如图3所示，电致变色功能层200位于发光器件层300与基板100之间，发光器件层300包括沿远离基板100的方向依次层叠的阳极层310、发光层320和阴极层330。此外，发光器件层300还包括像素定义层340，为了便于描述，本申请实施例中的发光器件层300仅指层叠的阳极层310、发光层320和阴极层330。
其中，电致变色功能层200包括第一电极层220、电致变色层210和第二电极层(图中未示出)，第一电极层220、电致变色层210以及第二电极层沿远离基板100的方向依次层叠于基板100上。本申请实施例中，电致变色功能层200与发光器件层300组成光学微腔，电致变色层210在第一电极层220和第二电极层接收到的电信号的作用下，控制电致变色层210的透光状态变化，从而吸收或者减弱目标像素发出的光线，实现破坏或者减弱光学微腔效应，避免或者减少目标像素因相邻像素的电流串扰而发出的光线。
为了降低工艺制备难度，本申请实施例中第二电极层复用阳极层310，即第二电极层由发光器件层300中的阳极层310代替，或者还可以理解为阳极层310由第二电极层代替。
为了便于理解，本申请实施例中保留阳极层310，即保留完整的发光器件层300结构(阳极层310、发光层320和阴极层330)，由阳极层310代替电致功能层中的第二电极层为例进行示例性说明。可以理解的是，阳极层310形成于电致变色层210背离基板100的一侧，可以同时作为电致变色层210和发光层320的电极。
进一步地，由于阳极层310复用电致变色功能层200的第二电极层，即阳极层310和阴极层330均用于接收预设的驱动电压信号，以控制发光层320发光。例如，只有当阳极层310接收到正极性的驱动电压信号，同时阴极层330接收到负极性的驱动电压信号时，对应的像素单元才会正常发光，此时认为该像素单元接收到了驱动电压信号，并称之为正常发光像素；否则，对于阳极层310和阴极层330中的任意一个电极层未接收到预设的驱动电压信号时，本申请实施例中可以认为该像素单元即为目标像素。
此外，第一电极层220接收电信号，由阳极层310的驱动电压信号和第一电极层220的电信号共同控制电致变色层210的透光状态变化。
为了不影响正常发光像素的出光，阳极层310包括多个阳极，阳极采用透明电极，透明电极的材料包括但不局限于ITO(氧化铟锡)。透明电极不影响出光效果，使得正常发光像素朝基板100方向发光的这一部分光线最终能从开口区射出。
可选地，不同颜色的像素单元的透明电极的材料可以相同，也可以不相同，具体可以根据实际需要和工艺要求确定。
可选地，第一电极层220中的各电极均为反射电极，反射电极的材料可以采用依次层叠的ITO、Ag(银)和ITO。其中Ag的厚度较大，以增强反射效果。本实施例中的第一电极层220主要用于避免光线进入基板100造成的光线损失，同时由第一电极层220、电致变色层210、阳极层310、发光层320以及阴极层330形成光学微腔，可以将正常发光像素朝基板100方向发出的光线、经光学微腔反射后最终从开口区射出。
本实施例中，通过将电致变色功能层200形成于发光器件层300与基板100之间，使得该电致变色层210可以破坏或者减弱电致变色功能层200与发光器件层300组成的光学微腔效应，从而吸收或者减弱目标像素朝基板100方向发出的光线，避免相邻像素单元之间的低灰阶串扰问题，从而提升显示效果；第二电极层复用阳极层310，可以简化制备工艺，提升工艺效率，节约显示面板的制造成本。
在一些可能的实施方式中，继续参阅图3，第一电极层220包括多个第一电极结构221和多个第二电极结构222。为了便于为阳极层310和第二电极结构222供电，在基板100内可以制备相应的驱动电路，其中，驱动电路可以位于基板100中的开关器件层中，以便于实现对各像素单元发光的精确控制；具体实施时，也可以在基板100内预先制作出控制电路，以对第一电极结构221供电，当然，该控制电路也可以不制作在基板100内，而采用单独设置的外部控制电路对第一电极结构221供电。
对应于单个像素单元，第一电极层220包括相互独立的第一电极结构221和第二电极结构222，即第一电极结构221与第二电极结构222之间不导电。其中，第一电极结构221连接控制电路，用于接收控制电路输出的电信号；第二电极结构222连接驱动电路，用于接收驱动电路输出的驱动电压信号。
电致变色层210位于第一电极结构221背离基板100的一侧，电致变色层包括多个电致变色结构，电致变色结构与开口区对应。对于单个像素单元，每个电致变色结构在基板的正投影位于对应的阳极在基板的正投影的内部且阳极与第二电极结构222电连接，使得电致变色层210的两侧分别接收第一电极结构221的电信号、以及第二电极结构222的驱动电压信号。
可选地，当像素单元接收到驱动电压信号时，电致变色层210用于在第一电极结构221接收的电信号与第二电极结构222(相当于阳极层310)接收的驱动电压信号的控制下呈透明状态，使得正常发光像素出光的光线不受电致变色层210的影响。
同时，当像素单元未接收到驱动电压信号时，电致变色层210用于在第一电极结构221接收的电信号与第二电极结构222接收的驱动电压信号的控制下呈遮光状态，即电致变色层210呈遮光状态之后破坏了原有的光学微腔，导致这一部分光线无法经光学微腔内反射后射出并且被呈遮光状态的电致变色层210吸收，使得目标像素因电流串扰而射向基板100方向的光线无法经光学微腔反射后从开口区射出。
需要说明的是，针对目标像素，本实施例中可以设定阴极层330没有接收到预设的驱动电压信号；或者，阳极层310接收到的驱动电压信号和阴极层330接收到的驱动电压信号不足以激发发光层320发光(例如：阳极层310和阴极层330的驱动电压信号的极性相同)。
可选地，第一电极结构221接收到的电信号对应的电压值与第二电极结构222接收到的驱动电压信号对应的电压值不相等时，电致变色层210呈遮光状态；第一电极结构221接收到的电信号对应的电压值与第二电极结构222接收到的驱动电压信号对应的电压值相等(极性和大小均相同)时，电致变色层210呈透明状态。
示例性的，假设某个像素单元点亮(以图3中左侧的像素单元为例)，则对应的阴极层330接收到的驱动电压信号对应的电压值为-5V，阳极层310(第二电极结构222)接收到的驱动电压信号对应的电压值为+5V，第一电极结构221接收到的电信号对应的电压值为+5V。此时，该像素单元对应的电致变色层210呈透明状态，同时发光层320呈发光状态，该像素单元正常出光，为正常发光像素。
示例性的，假设某个像素单元不点亮(以图3中右侧的像素单元为例)，仅需在上述示例的基础上改变阳极层310(第二电极结构222)接收到的驱动电压信号的极性，设定该像素单元的阳极层310的电压值为-5V，阴极层330的电压值为-5V不变，第一电极结构221的电压值为+5V不变。此时，该像素单元对应的电致变色层210两侧存在电压差，使得其呈遮光状态，同时发光层320两侧不存在电压差，该像素单元对应的发光层320不发光。
可选地，电致变色层210的材料包括氧化依、氧化钨或氧化钼等无机电致变色材料中的至少一种。此外还可以为有机的电致变色材料。其中，对于不同颜色的像素单元的电致变色材料可以相同，也可以不相同，具体可以根据实际需要和工艺要求确定。
在一些可能的实施方式中，继续参阅图3，为了实现电致变色功能层200在电信号的控制下，对目标像素发出的光线进行折射，电致变色层210的材料可以为电光材料。电光材料是具有电光效应的光学功能材料，在外加电场的作用下，电光材料的折射率可以发生变化。
可选地，本申请实施例中的电光材料可以是氛化磷酸二氢钾(DKDP)、磷酸二氢胺(ADP)或者钮酸锉(LT)晶体中的一种或者多种的组合。
具体地，针对目标像素，当第一电极结构221接收的电信号的电压值与第二电极结构222接收的驱动电压信号的电压值不相等时，电致变色层210增加对目标像素发出的光线的折射，从而减弱了由第一电极结构221、电致变色层210、阳极层310、发光层320以及阴极层330形成的光学微腔效应，从而减少了目标像素经光学微腔射出开口区的光线，减少了显示面板的低灰阶串扰问题。
示例性的，假设某个像素单元不点亮(以图3中右侧的像素单元为例)，仅需在上述示例的基础上改变阳极层310(第二电极结构222)接收到的驱动电压信号的极性，设定该像素单元的阳极层310的电压值为-5V，阴极层330的电压值为-5V，第一电极结构221的电压值为+5V。此时，该像素单元对应的电致变色层210两侧存在电压差，采用电光材料的电致变色层210的折射率发光状态，从而减少了目标像素经光学微腔射出开口区的光线，从而起到减弱相邻像素单元的低灰阶串扰问题。
在一些可能的实施方式中，继续参阅图3，显示基板的基板100与发光器件层300之间除了电致变色功能层200之外，还包括平坦化层400，平坦化层400设置于第一电极结构221、第二电极结构222以及电致变色层210远离基板100的一侧。
为了便于阳极层310与第二电极结构222连接，可以在平坦化层400对应于第二电极结构222的区域开设过孔，在制备阳极层310时一并填充过孔，从而实现阳极层310与第二电极结构222电连接。
在另一些可能的实施方式中，如图4所示，电致变色功能层200还可以位于发光器件层300背离基板100的一侧。其中，电致变色功能层200包括依次层叠布置的第三电极层230、电致变色层210和第四电极层240，第三电极层230位于电致变色层210朝向基板100的一侧。
进一步地，为了不影响正常发光像素的出光，第三电极层230和第四电极层240包括的对应于像素单元的多个电极均为透明电极，透明电极的材料包括但不局限于ITO。
本实施例中，电致变色功能层200位于发光器件层300之上，有利于工艺制作；并且通过第三电极层230和第四电极层240连接电信号，即可控制电致变色层210的透光状态的切换，从而可以实现对目标像素出光的光线的吸收，同时可供正常发光像素出光的光线透射出。
可选地，基板100与发光器件层300之间还包括平坦化层400，该平坦化层400可以作为发光器件层300与开关器件层之间的绝缘层，同时平坦化开关器件层。
可选地，当像素单元接收到驱动电压信号时，电致变色层210用于在第三电极层230接收的电信号与第四电极层240接收的电信号的控制下呈透明状态，使得正常发光像素出光的光线不受电致变色层210的影响。
同时，当像素单元未接收到驱动电压信号时，电致变色层210用于在第三电极层230接收的电信号与第四电极层240接收的电信号的控制下呈遮光状态，从而吸收目标像素因相邻像素的电流串扰而射出的光线，进而解决了低灰阶串扰问题，提升了显示面板的显示效果。
可选地，第三电极层230接收到的电信号对应的电压值与第四电极层240接收到的电信号对应的电压值不相等时，电致变色层210呈遮光状态；第三电极层230接收到的电信号对应的电压值与第四电极层240接收到的电信号对应的电压值相等(极性和大小均相同)时，电致变色层210呈透明状态。
可选地，第三电极层230和第四电极层240均可通过过孔引出并与外部的控制电路连接。
可选地，继续参阅图4，在电致变色功能层200背离发光器件层300的一侧还设置有其他的膜层，例如：触控层600。其中，触控层600可以包覆电致变色功能层200。
在一些可能的实施方式中，继续参阅图4，对于电致变色层210位于发光器件层300背离基板100的一侧的情形时，显示基板除了基板100、平坦化层400、发光器件层300之外，还包括封装层500。
具体地，封装层500位于发光器件层300和第三电极层230之间，且覆盖发光器件层300，即封装层500可起到保护基板100和发光器件层300的作用，使得电致变色功能层200的制备过程不会影响到发光器件层300的结构，器件的结构设计更加灵活。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括本申请实施例中前述的显示基板。其中，本申请实施例中的显示装置包括显示面板、电视、手机以及平板电脑等设备。
本申请实施例提供的显示装置，包括了本申请前述实施例中的显示基板，该显示基板通过在对应于像素单元开口区的位置设置电致变色功能层200，在电信号的控制下电致变色功能层200的透光状态可以发生变化，透光状态变化后的电致变色功能层200可以吸收或者折射目标像素发出的光线，从而避免或者减少目标像素产生的低灰阶串扰，进而提升显示面板的显示均匀性。
基于同一发明构思，如图5所示，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括步骤S100和S200：
S100，提供一基板100。
可选地，基板100作为发光器件层300和功能器件层的载体，具体可以包括基底层、缓冲层以及形成于缓冲层上的开关器件层，开关器件层可以用于控制各像素单元的发光状态。
S200，在基板100上制备发光器件层300和电致变色功能层200；发光器件层300包括多个发光器件，电致变色功能层200包括多个电致变色功能器件；每个像素单元包括一个发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个电致变色功能器件；电致变色功能器件在基板100的正投影与对应的有效发光区在基板100的正投影至少部分交叠。
可选地，根据电致变色层210与发光器件层300之间的相对位置不同，可以在基板100上对应于开口区的位置先制备电致变色功能层200，然后制备电致发光器件层300。当然，也可以在基板100上制备发光器件层300之后，然后再在发光器件层300上对应于开口区的位置制备发光器件层300。
进一步地，发光器件层300包括多个目标像素，目标像素为未接收到驱动电压信号的像素单元，即此时目标像素自身并不发光，但由于低灰阶串扰的存在，该目标像素会接收到相邻正常发光像素的小部分电流而被点亮。电致变色功能层200的位置与开口区的位置对应，电致变色功能层200用于在电信号的控制下，吸收或者折射目标像素因相邻正常发光像素的电流串扰而发出的光线，从而避免低灰阶串扰导致的显示不均的问题。
本实施例提供的显示基板的制备方法，通过在基板100上制备发光器件层300和电致变色功能层200，由于电致变色功能层200的透光状态在电信号的控制下可以发生变化，透光状态变化后的电致变色功能层200能够吸收或者折射目标像素发出的光线，从而避免或者减少目标像素因相邻像素单元之间的低灰阶串扰，进而提升显示面板的显示均匀性。
在一些可能的实施方式中，如图6所示，上述步骤S200中，在基板100上制备发光器件层300和电致变色功能层200，包括步骤S201～S204：
S201，在基板100上制备第一电极层220；第一电极层220包括对应于各像素单元的第一电极结构221和第二电极结构222。
可选地，第一电极层220中的第一电极结构221和第二电极结构222相互独立。对应于单个像素单元，相互独立的第一电极结构221和第二电极结构222可由全面成膜电极层经图形化工艺得到。其中，第一电极结构221连接控制电路，用于接收控制电路输出的电信号；第二电极结构222连接驱动电路，用于接收驱动电路输出的驱动电压信号。
S202，在第一电极结构221背离基板100的一侧制备电致变色层210。
可选地，电致变色层210可通过全面成膜工艺并结合图形化工艺制备得到，也可以直接在第一电极结构221上采用喷墨打印工艺制备得到。电致变色层210在电信号的控制下其透光状态可以发生变化。其中，全面成膜工艺包括但不限于物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或者溅射等，具体的工艺类型可以根据膜层的材料和工艺要求进行选择。
可选地，电致变色层210的材料包括氧化依、氧化钨或氧化钼等无机电致变色材料，此外还可以为有机的电致变色材料。其中，对于不同颜色的像素单元的电致变色材料可以相同，也可以不相同，具体可以根据实际需要和工艺要求确定。
S203，制作平坦化层400，以平坦化第一电极层220和电致变色层210。
可选地，在电致变色层210制备完成之后，通过制备平坦化层400，以实现第一电极层220和电致变色层210的平坦化。平坦化层400可采用全面成膜工艺制备得到，保证平坦化层400背离基板100的一侧与电致变色层210背离基板100的一侧平齐即可。
S204，在平坦化层400背离基板100的一侧制备发光器件层300；发光器件层300包括沿远离基板100的方向依次层叠的阳极层310、发光层320和阴极层330，阳极层310形成于电致变色层210背离基板100的一侧，阳极层310通过贯穿平坦化层400的过孔与第二电极结构222电连接。
可选地，在制备阳极层310之前，需要在平坦化层400中开设过孔，在阳极层310全面成膜过程中对过孔进行填充，从而实现阳极层310与第二电极结构222之间的电连接。然后通过图形化工艺形成阳极层310。在阳极层310制备完成之后，可以制备像素定义层340，然后通过蒸镀工艺制备发光层320和阴极层330。
在一些可能的实施方式中，如图7所示，上述步骤S200中，在基板100上制备发光器件层300和电致变色功能层200，包括步骤S211～S213：
S211，在基板100上制备平坦化层400。
可选地，基板100作为发光器件层300和功能器件层的载体，具体可以包括基底层、缓冲层以及形成于缓冲层上的开关器件层，开关器件层可以用于控制各像素单元的发光状态。平坦化层400可在基板100的开关器件层上采用全面成膜工艺制备得到。
S212，在平坦化层400背离基板100的一侧制备发光器件层300。
可选地，发光器件层300包括依次层叠的阳极层310、发光层320和阴极层330，阳极层310形成于平坦化层400背离基板100的一侧。通过图形化工艺形成阳极层310。在阳极层310制备完成之后，可以制备像素定义层340，然后通过蒸镀工艺制备发光层320和阴极层330。
S213，在发光器件层300背离基板100的一侧依次制备封装层500和电致变色功能层200；电致变色功能层200包括沿远离基板100的方向依次层叠的第三电极层230、电致变色层210和第四电极层240，第三电极层230位于封装层500背离基板100的一侧。
可选地，在发光器件层300制备完成之后，在发光器件层300背离基板100的一侧制备封装层500。然后在封装层500背离基板100的一侧制备电致变色功能层200。其中，电致变色功能层200包括层叠布置的第三电极层230、电致变色层210和第四电极层240，第三电极层230位于封装层500背离基板100的一侧，通过第三电极层230和第四电极层240连接电信号，即可控制电致变色层210的透光状态的切换，从而可以实现对目标像素出光的光线的吸收，同时可供正常发光像素出光的光线透射出。
可选地，在封装层500上对应于开口区的位置先制备第三电极层230，然后在第三电极层230上制备电致变色层210，最后在电致变色层210上制备第四电极层240。其中，可以分步对第三电极层230、电致变色层210和第四电极层240进行图形化，也可以在第四电极层240制备完成之后一并图形化得到电致变色功能层200。
本申请各实施例至少具有以下技术效果：
1、通过在对应于像素单元开口区的位置设置电致变色功能层200，在电信号的控制下电致变色功能层200的透光状态可以发生变化，透光状态变化后的电致变色功能层200可以吸收目标像素发出的光线，避免目标像素因相邻像素单元之间的低灰阶串扰，进而提升显示面板的显示均匀性。
2、通过在对应于像素单元开口区的位置设置电致变色功能层200，在电信号的控制下电致变色功能层200的透光状态可以发生变化，透光状态变化后的电致变色功能层200可以对目标像素发出的光线进行折射，减少目标像素因相邻像素单元之间的低灰阶串扰，从而提升显示面板的显示均匀性。
3、通过将电致变色功能层200形成于发光器件层300与基板100之间，使得该电致变色层210可以破坏或者减弱电致变色功能层200与发光器件层300组成的光学微腔效应，从而吸收或者减弱目标像素朝基板100方向发出的光线，避免相邻像素单元之间的低灰阶串扰问题，从而提升显示效果；第二电极层复用阳极层310，可以简化制备工艺，提升工艺效率，节约显示面板的制造成本。
4、针对目标像素，电致变色层210用于在第一电极结构221接收的电信号与第二电极结构222接收的驱动电压信号的控制下呈遮光状态，即电致变色层210呈遮光状态之后破坏了原有的光学微腔，导致这一部分光线无法经光学微腔内反射后射出并且被呈遮光状态的电致变色层210吸收，使得目标像素因电流串扰而射向基板100方向的光线无法经光学微腔反射后从开口区射出。
5、针对目标像素，第一电极结构221接收的电信号的电压值与第二电极结构222接收的驱动电压信号的电压值不相等时，电致变色层210对目标像素发出的光线进行折射，从而减弱了由第一电极结构221、电致变色层210、阳极层310、发光层320以及阴极层330形成的光学微腔效应，从而减少了目标像素经光学微腔射出开口区的光线，减少了显示面板的低灰阶串扰问题。
6、电致变色功能层200位于发光器件层300之上，有利于工艺制作；并且通过第三电极层和第四电极层连接电信号，即可控制电致变色层210的透光状态的切换，从而可以实现对目标像素出光的光线的吸收，同时可供正常发光像素出光的光线透射出。
7、针对目标像素，电致变色层210用于在第三电极层接收的电信号与第四电极层接收的所述电信号的控制下呈遮光状态，从而吸收目标像素因相邻像素的电流串扰而射出的光线，进而解决了低灰阶串扰问题，提升了显示面板的显示效果。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示基板，包括若干阵列排列的像素单元，其特征在于，所述显示基板包括：基板、层叠在所述基板上的发光器件层和电致变色功能层；若干阵列排布的像素单元包括若干蓝色像素单元、若干绿色像素单元和若干红色像素单元；
所述发光器件层包括多个发光器件，所述电致变色功能层包括多个电致变色功能器件，每个像素单元包括一个所述发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个所述电致变色功能器件；
所述电致变色功能器件在所述基板的正投影与对应的有效发光区在所述基板的正投影至少部分交叠；其中：
所述蓝色像素单元接收到驱动电压信号，所述绿色像素单元或所述红色像素单元未接收到驱动电压信号；
所述电致变色功能器件用于在电信号的控制下，吸收所述绿色像素单元或所述红色像素单元发出的光线；或者，在电信号的控制下，增加对所述绿色像素单元或所述红色像素单元发出的光线的折射；
以及，所述电致变色功能器件用于在电信号的控制下，对所述蓝色像素单元发出的光线进行透射；
所述电致变色功能层位于所述发光器件层与所述基板之间；所述发光器件层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的阳极层、发光层和阴极层；
所述电致变色功能层包括第一电极层、电致变色层和第二电极层，所述第一电极层、所述电致变色层以及所述第二电极层沿远离所述基板的方向依次层叠于所述基板上；
所述第二电极层复用所述阳极层，所述阳极层形成于所述电致变色层背离所述基板的一侧；
所述第一电极层包括多个第一电极结构和多个第二电极结构；所述基板包括驱动电路和控制电路；
对应于单个像素单元，所述第一电极层包括相互独立的所述第一电极结构和所述第二电极结构；
所述第一电极结构连接控制电路，用于接收所述控制电路输出的电信号，所述第二电极结构连接所述驱动电路，用于接收所述驱动电路输出的驱动电压信号；
所述电致变色层位于第一电极结构背离所述基板的一侧，所述阳极层包括多个阳极，所述电致变色层包括多个电致变色结构；
每个所述电致变色结构在所述基板的正投影位于对应的所述阳极在所述基板的正投影的内部，所述阳极与对应的所述第二电极结构电连接；
当像素单元接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，且所述第一电极结构接收到的电信号对应的电压值与所述第二电极结构接收到的驱动电压信号对应的电压值相等时，呈透明状态；
当像素单元未接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，且所述第一电极结构接收到的电信号对应的电压值与所述第二电极结构接收到的驱动电压信号对应的电压值不相等时，呈遮光状态。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阳极为透明电极。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述电致变色层的材料包括氧化依、氧化钨或氧化钼中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述电致变色层的材料包括电光材料；
当所述第一电极结构接收的所述电信号的电压值与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的电压值不相等时，所述电致变色层增加对目标像素发出的光线的折射。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括平坦化层；所述平坦化层设置于所述第一电极结构、第二电极结构以及所述电致变色层远离所述基板的一侧；
所述阳极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二电极结构电连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述电致变色功能层包括多个电致变色功能器件；每个像素单元包括一个所述发光器件和一个有效发光区，至少一个像素单元包括一个所述电致变色功能器件；所述电致变色功能器件在所述基板的正投影与对应的有效发光区在所述基板的正投影至少部分交叠；其中：蓝色像素单元接收到驱动电压信号，绿色像素单元或红色像素单元未接收到驱动电压信号；所述电致变色功能器件用于在电信号的控制下，吸收所述绿色像素单元或所述红色像素单元发出的光线；或者，在电信号的控制下，增加所述绿色像素单元或所述红色像素单元发出的光线的折射；以及，所述电致变色功能器件用于在电信号的控制下，对所述蓝色像素单元发出的光线进行透射；
所述在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层，包括：
在所述基板上制备第一电极层；所述第一电极层包括对应于各像素单元的第一电极结构和第二电极结构；
在所述第一电极结构背离所述基板的一侧制备电致变色层；
制作平坦化层，以平坦化所述第一电极层和所述电致变色层；
在所述平坦化层背离所述基板的一侧制备发光器件层；所述发光器件层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层形成于所述电致变色层背离所述基板的一侧，所述阳极层通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二电极结构电连接；
当像素单元接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，且所述第一电极结构接收到的电信号对应的电压值与所述第二电极结构接收到的驱动电压信号对应的电压值相等时，呈透明状态；
当像素单元未接收到驱动电压信号时，所述电致变色层用于在所述第一电极结构接收的所述电信号与所述第二电极结构接收的所述驱动电压信号的控制下，且所述第一电极结构接收到的电信号对应的电压值与所述第二电极结构接收到的驱动电压信号对应的电压值不相等时，呈遮光状态。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上制备发光器件层和电致变色功能层，包括：
在所述基板上制备平坦化层；
在所述平坦化层背离所述基板的一侧制备发光器件层；
在所述发光器件层背离所述基板的一侧依次制备封装层和电致变色功能层；所述电致变色功能层包括沿远离所述基板的方向依次层叠的第三电极层、电致变色层和第四电极层，所述第三电极层位于所述封装层背离所述基板的一侧。
CN202110192306.1A 2021-02-19 2021-02-19 显示基板及其制备方法、显示装置 Active CN113013210B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110192306.1A CN113013210B (zh) 2021-02-19 2021-02-19 显示基板及其制备方法、显示装置
US17/552,334 US20220271105A1 (en) 2021-02-19 2021-12-15 Display substrate, method of forming display substrate and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110192306.1A CN113013210B (zh) 2021-02-19 2021-02-19 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113013210A CN113013210A (zh) 2021-06-22
CN113013210B true CN113013210B (zh) 2023-12-26

Family

ID=76404052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110192306.1A Active CN113013210B (zh) 2021-02-19 2021-02-19 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220271105A1 (zh)
CN (1) CN113013210B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114740667B (zh) * 2022-04-22 2023-11-07 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示模组和显示装置
CN115167052A (zh) * 2022-07-18 2022-10-11 重庆长安汽车股份有限公司 基于光线控制的显示基板、制作方法、显示屏及车辆
CN116387339B (zh) * 2023-05-30 2023-08-15 季华实验室 Micro LED混合出光结构及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106098737A (zh) * 2016-07-05 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置
CN107425043A (zh) * 2017-08-04 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及控制方法、显示装置
CN108987451A (zh) * 2018-08-01 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其控制方法和显示装置
CN110676300A (zh) * 2019-10-30 2020-01-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111142302B (zh) * 2018-11-02 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法及调整其环境光反射强度的方法
CN110752241B (zh) * 2019-10-31 2023-01-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113130607B (zh) * 2021-04-02 2023-08-25 维沃移动通信有限公司 显示装置、电子设备、控制方法、装置和可读存储介质
CN113725270A (zh) * 2021-08-27 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106098737A (zh) * 2016-07-05 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置
CN107425043A (zh) * 2017-08-04 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及控制方法、显示装置
CN108987451A (zh) * 2018-08-01 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其控制方法和显示装置
CN110676300A (zh) * 2019-10-30 2020-01-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113013210A (zh) 2021-06-22
US20220271105A1 (en) 2022-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113013210B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US10879320B2 (en) Organic light-emitting display panel and display apparatus
KR101993335B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4397860B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4262902B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
CN107425043B (zh) 有机发光显示器件及控制方法、显示装置
KR101649224B1 (ko) 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치
US20180331161A1 (en) Oled display substrate and display device
KR20140087898A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20140106868A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20040046173A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20050068794A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20120109305A (ko) 발광 장치
CN109859644B (zh) 显示面板及显示模组
KR20140062258A (ko) 투명 유기발광소자
CN107331693B (zh) 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
KR20120042549A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN113241361B (zh) Oled显示面板
CN114005861A (zh) 显示基板以及显示装置
US11276740B2 (en) Semiconductor device and display device
CN101751832B (zh) 有机发光二极管显示器
KR102035496B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2000058270A (ja) 光学素子および有機ｅｌディスプレイ
CN109887981B (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法
JP2006318842A (ja) 発光装置及び発光型ディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant