CN112996947A - 具有硅、锆和氧的导电溅射靶 - Google Patents

具有硅、锆和氧的导电溅射靶 Download PDF

Info

Publication number
CN112996947A
CN112996947A CN201980073212.3A CN201980073212A CN112996947A CN 112996947 A CN112996947 A CN 112996947A CN 201980073212 A CN201980073212 A CN 201980073212A CN 112996947 A CN112996947 A CN 112996947A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
sputtering
silicon
particles
sizr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980073212.3A
Other languages
English (en)
Inventor
I·卡雷蒂吉安加斯普罗
W·C·S·德博斯谢尔
D·K·德布鲁恩
G·国彬
F·法克
H·埃利亚诺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solay Advanced Coating Industry Co ltd
Original Assignee
Solay Advanced Coating Industry Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solay Advanced Coating Industry Co ltd filed Critical Solay Advanced Coating Industry Co ltd
Publication of CN112996947A publication Critical patent/CN112996947A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/481—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing silicon, e.g. zircon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0676—Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/06—Metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/18—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C01G25/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/765—Tetragonal symmetry
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

用于溅射的靶(100)，其包含SiZrxOy，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(1+x)，其中所述靶的XRD图谱具有如下峰：在28.29°±0.3°处的硅2θ峰，或在30.05°±0.3°处的四方相ZrO2的2θ峰。所述靶具有低的电阻率，其低于1000ohm.cm，优选低于100ohm.cm，更优选低于10ohm.cm，甚至低于1ohm.cm。

Description

具有硅、锆和氧的导电溅射靶
技术领域
本发明涉及氧化硅锆溅射靶的领域。更具体地，本发明涉及导电的氧化硅锆溅射靶，并且涉及制造此类靶的方法。
背景技术
许多应用(例如表面保护、光学、摩擦学等)要求存在覆盖基底的一层或多层材料，其对基底表面赋予特定和预定的性质。适合于许多类型的材料和特定应用的典型技术是通过溅射沉积材料。
借助于溅射的材料沉积技术为人所知已经有几十年。典型地，在低压腔室中产生等离子体，在所述低压腔室中存在惰性气体(例如氩气)或活性气体(例如氧气或氮气)，并在所谓的“溅射靶”(包含待沉积的材料)和要在其上沉积溅射材料层的“基底”之间施加高电压。气体原子可被电离，并且溅射靶被气体原子轰击，使得原子从溅射靶中释放出来并移动到基底，它们沉积在该基底上。
典型使用三种电源：直流电源、交流或脉冲电源(在kHz范围内，例如频率为1至100kHz)和射频电源(在MHz范围内，例如，频率为0.3至100MHz)。当溅射靶包含导电溅射材料时，典型使用直流电源。当沉积层具有低的电导率或者其为电介质时，典型使用交流电源。尽管高频电源(射频电源)能够溅射具有低电导率的材料，但由于驻波效应，溅射面积受限。此外，沉积变得不均匀，并且对于相同的功率水平，溅射速率典型地明显低于直流工艺。
因此难以获得某些类型的层，例如介电层。例如，经常需要氧化膜，因为能够以可选择的透明度制造它们，这使得它们适合于光学应用，例如透镜、滤光片等。非晶态膜是优选的，因为它们通常是耐久的并且耐磨损。然而，由于以下所述原因，氧化膜的沉积是困难。
通过用包括氧气的气体混合物溅射金属靶，有可能通过沉积来提供氧化物层。然而，这可导致严重的磁滞行为，从而导致工艺不稳定。对于某些应用，相对较高的氧气量可能导致溅射速率下降。以下文献公开了使用陶瓷靶可以减轻磁滞行为，并且其膜沉积速率是使用金属靶的溅射过程的三倍：“OBERSTE-BERGHAUS et al，Film Properties ofZirconium Oxide Top Layers from Rotatable Targets,2015Society of VacuumCoaters,58th Annual Technical Conference Proceedings,Santa Clara,CA April 25-30,2015,p.228-234”。
气体混合物中的氧气还可能在靶上引起寄生电弧。如US2012055783所公开的，陶瓷靶可允许使用准非反应性溅射，这可减少电弧(arcing)。
然而，提供基于非导电靶材料的溅射涂层是一项挑战，并且可能需要高频电源系统。通过靶电容性地耦合信号可允许在靶表面上建立自偏压，以便从靶前方的振荡电子产生的等离子体中吸引正离子。射频溅射需要额外的调整，以便将功率耦合到非导电靶，例如电子匹配单元或特殊形状和分布的电极，以便为溅射提供均匀的电场，如EP3032566中所公开的。在旋转圆柱形磁控管的情形中，功率输送进一步被限制在对应于靶管末端的位置，这可能严重影响等离子体密度的均匀性，并因此严重影响沿靶管的溅射速率。此外，与直流或交流溅射相比，实现类似溅射速率的射频溅射设备要昂贵得多。
发明内容
本发明的目的是提供良好的溅射靶及其制造方法，其允许以与工业和大面积涂覆系统兼容的方式提供包括硅和锆的氧化物或氮氧化物的层。
通过根据本发明的方法和装置实现了上述目的。
在第一方面，本发明提供了一种溅射靶，其包含SiZrxOy，其中x(对于Zr)高于0.02但不高于5，并且y(对于O)高于0.03但不高于2*(1+x)。根据本发明实施方案的靶的XRD图谱具有如下峰：在28.29°±0.30°处的硅2θ峰，和/或在30.05°±0.30°处的四方相ZrO2峰。
根据本发明的实施方案的靶可以是SiZrxOy靶，这是指大部分靶材料是SiZrxOy。
根据本发明实施方案的靶可以具有层状结构。
在根据本发明实施方案的靶中，SiZrxOy部分具有由材料的微观溅片(splat)组成的层状结构。层状结构包括细小的可分辨的层(在微观水平)，称为层片(lamellae)。在本发明中，层片是由以熔融形式喷射到靶的背衬基底上的原材料的溅片形成。在本发明的实施方案中，层片可以是厚度介于0.1μm和10μm之间的层。层片的组成取决于已被喷射的原材料。
在本发明的实施方案中，层状结构归因于喷涂工艺，例如但不限于，热喷涂工艺。
在本发明的实施方案中，靶包含超过90％的Si、Zr和O元素。靶可以包含50at％或更多的SiZrxOy化合物。在本发明的实施方案中，靶的电阻率低于1000ohm.cm，优选低于100ohm.cm，更优选低于10ohm.cm，甚至低于1ohm.cm。本发明的实施方案的优点是所述靶呈现出足够高的电导率，以致其可以与低频交流溅射工艺或甚至直流溅射工艺一起使用，适合于提供光学涂层。
在根据本发明的特定实施方案的靶中，x可以高于0.05但低于1，优选地在0.1和0.5之间，并且y可以高于0.1但低于2*(0.6+x)，优选地在0.2和2*(0.3+x)之间。本发明实施方案的优点是可以精确地控制折射率n。
根据本发明实施方案的靶可以包含由Si组成的层片和由ZrOZ组成的层片，其中z高于0.25但是低于或等于2。在特定的实施方案中，由ZrOZ组成的层片可以包含亚氧化的氧化锆。本发明实施方案的优点是：层片的亚氧化组成可以降低靶的电阻率并且可以减少电弧。
根据本发明实施方案的靶可包含至少1wt％的由混合氧化物化合物例如SiZrnOm组成的层片，其中n和m提供亚氧化组成。
本发明实施方案的优点是能够获得高的溅射速率。
根据本发明实施方案的靶可进一步包含金属颗粒。本发明实施方案的优点是：通过调节靶中包括的金属颗粒的类型和量，能够获得靶的可控且低的电阻。
在第二方面，本发明提供一种制造溅射用导电SiZrxOy靶的方法，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2(x+1)。该方法包括：
-提供粉末，该粉末包含锆颗粒以及氧化硅或亚氧化硅颗粒；和/或包含硅颗粒以及氧化锆或亚氧化锆颗粒；和/或包含亚氧化硅以及亚氧化锆的颗粒；和/或包含氧化硅锆化合物的颗粒，
-提供背衬基底，以及
-将熔融形式的粉末喷射到背衬基底上，其量使得以SiZrxOy的组成获得溅射靶，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2(x+1)，以及冷却和凝固所喷射的粉末。
本发明实施方案的优点是：可以提供导电溅射靶用以提供氧化硅锆层。本发明实施方案的优点还在于：可以在纯氮气中或者在氮气/氩气反应性气氛中进行导电溅射靶以提供氮氧化硅锆层，气体混合物中很少或不使用氧气。一个优点是可以减少火灾隐患，因为锆粉末本身不可获得。
根据本发明实施方案的方法可包括喷涂，例如热喷涂，用于喷射粉末。
在所附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本发明的特定和优选方面。来自从属权利要求的特征可以酌情与独立权利要求的特征以及与其它从属权利要求的特征相结合，而不仅仅如权利要求中明确所述。
参考下文所述的实施方案，本发明的这些和其它方面将变得清楚并得到阐明。
附图说明
图1示出了根据本发明实施方案的溅射靶的横截面，其中靶材料在背衬基底的顶部。
图2是根据本发明实施方案的制造靶的工艺的示意图。
图3示出了根据本发明实施方案的从来自两个靶的靶材料获得的XRD图。
图4示出了图3的XRD图的放大部分，示出了对应于氧化锆的不同相的两个峰。
图5示出了热喷涂的高纯度硅粉的比较例的XRD图。
图6和图7示出了根据本发明实施方案的靶的横截面的不同放大倍数的两个电子显微镜图像，其示出了溅片或层片。
图8至图11示出了用于测量根据本发明实施方案的靶的电阻率(图8和图9)和电阻(图10和图11)的不同设置。
附图仅仅是示意性的而非限制性的。在附图中，出于说明性目的，一些要素的尺寸可能被放大并且没有按比例绘制。
权利要求中的任何附图标记不应被解释为限制范围。
在不同的附图中，相同的附图标记指代相同或相似的要素。
具体实施方式
将针对特定实施方案并参考某些附图来描述本发明，但是本发明不限于此，而是仅由权利要求书来限定。尺寸和相对尺寸并不对应于实施本发明的实际缩减。
在说明书和权利要求书中，术语第一、第二等用于区分相似的要素，而不一定用于描述在时间、空间、等级或任何其它方式上的顺序。应当理解，如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，并且本文所述的本发明实施方案能够以不同于本文所述或所示的其它顺序来操作。
此外，说明书和权利要求书中的术语顶部、下方等用于描述性目的，而不必用于描述相对位置。应当理解的是，如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，并且本文所述的本发明的实施方案能够以不同于本文所述或示出的其它取向来操作。
应当注意，权利要求中使用的术语“包含”不应被解释为局限于其后列出的装置；它不排除其它要素或步骤。因此，应解释为指定存在所提及的所述特征、整数、步骤或组件，但并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤或组件或其组。因此，表述“包含装置A和B的设备”的范围不应局限于仅由组件A和B组成的设备；而是它也可以包括仅由组件A和B组成的设备。这意味着，对于本发明，设备的唯一相关组件是A和B。
在整个说明书中，对“一个实施方案”或“实施方案”的引用是指结合该实施方案描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施方案中。因此，在整个说明书中各处出现的短语“在一个实施方案中”或“在实施方案中”不一定都是指同一实施方案，而是可以指同一实施方案。此外，在一个或多个实施方案中，特定特征、结构或特性可以以任何适当的方式组合，本领域的普通技术人员从本公开的内容将清楚这一点。
类似地，应当理解，在本发明的示例性实施方案的描述中，有时将本发明的各种特征组合在单个实施方案、附图或其描述中，以简化本公开并且帮助理解各个发明方面中的一个或多个。然而，本公开方法不应被解释为反映如下的意图：要求保护的发明所需特征多于每个权利要求中明确叙述的特征。相反，如所附权利要求所反映的，本发明的方面不在于单个上述公开实施方案的所有特征。因此，在详细描述之后的权利要求书在此被明确地并入该详细描述中，且每个权利要求独立地作为本发明的不同实施方案。
此外，虽然本文描述的一些实施方案包括其他实施方案中所包括的一些特征而非其他特征，但是不同实施方案的特征组合应在本发明的范围内，并形成不同的实施方案，如本领域技术人员将理解的那样。例如，在以下权利要求中，任何要求保护的实施方案都能够以任何组合使用。
在本文提供的说明书中，列出了许多具体细节。然而，应当理解，可以在没有这些具体细节的情况下实施本发明的实施方案。在其它情况下，未详细示出公知的方法、结构和技术，以免混淆对本说明书的理解。
在本发明的实施方案中，当提及氧化硅锆(SZO)的组成时，指的是包含Si，每个Si原子x个Zr原子，和每个Si原子y个O原子的组成，其中x和y不同于0。
包含硅锆氧化物的溅射靶能够为基底提供具有特定机械、光学和化学性能的氧化物或氮氧化物硅锆涂层。溅射涂层的一些应用可以是作为光学叠层或紫外线截止滤光片的保护性外涂层，作为可以改善光学叠层的功能性的高折射率层(例如作为防反射涂层)等。
用作靶材料的硅锆氧化物的问题在于该材料通常具有高电阻，这使得靶电绝缘。电绝缘靶的缺点是不能以直流或中频交流溅射，而是需要射频溅射。
本发明涉及溅射靶及其制造，该靶包含SiZrxOy，当用于溅射时，其可以提供具有良好的耐化学性和耐磨性的层，例如光学层(例如具有预定且可控折射率的层)。
在第一方面，本发明提供了一种包括SiZrxOy或由SiZrxOy制成的溅射靶，其中Zr的量x高于0.02但不高于5个Zr原子/Si原子，并且氧的量y高于0.03但不高于2*(1+x)个O原子/Si原子(或0.02<x≤5和0.03<y≤2*(1+x))。例如，该组成可以更优选为0.05<x<1和0.1<y<2*(0.6+x)，例如0.1<x<0.5和0.2<y<2*(0.3+x)。可以对组成进行调节以实现期望的光学性能的平衡(例如，非吸收性并且具有期望的折射率)、机械性能(例如，低的摩擦和较高的硬度)和化学性能(例如，具有较高的耐腐蚀性)。
本发明的靶是导电的。例如，此类靶的电阻率可低于1000ohm.cm，优选低于100ohm.cm，更优选低于10ohm.cm，甚至低于1ohm.cm。因此，这些靶可以有利地以如下方式溅射：标准直流，或脉冲直流，或以5Hz和500kHz之间且典型100Hz和100kHz之间的中频交流。这允许甚至在基底的大表面积上以高速度形成均匀膜。
靶材料可具有层状结构。它们可通过喷涂例如热喷涂制备。
图1示出了靶100或其局部的横截面，示出了在背衬基底105上方的具有预定厚度的靶材料104。靶材料包含SiZrxOy，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(1+x)，电阻率低于1000ohm.cm，优选低于100ohm.cm，更优选低于10ohm.cm，甚至低于1ohm.cm。
在本发明的实施方案中，如图1所示，SiZrxOy靶100包括异质组成的层片101、102，其尺寸将取决于靶的组成。这些层片可包括溅片或由溅片组成，并且可包括硅(例如纯硅)、氧化锆(ZrOZ，其中z高于0.05，例如高于0.25，但低于或等于2)、或硅与氧化锆的组合。注意，图中的相对尺寸不是按比例的，而是被放大以显示层片。
此外，靶可包括具有亚氧化Si组成、亚氧化Zr组成或两者的组合的层片。
在特定的实施方案中，包括ZrOZ的层片包含ZrOZ的亚氧化组成。“亚氧化组成”是指其中氧量减少(与化学计量比数量相比)的氧化物组成，例如在ZrOZ中，z可以严格低于2，优选约1.9，最优选约1.8。亚氧化组成缺氧，导致氧空位，这也可能导致自由电荷载流子和导电性。因此，由于该亚氧化材料的存在，靶可呈现高的离子导电率。
可通过使用具有定制的电阻率的包括Si的靶来调节涂层的电阻率，例如具有高纯度Si的层片或包括B掺杂硅的层片。
由于存在金属颗粒，例如Ti、Zr、Nb、W、Cu、Al、B等，因此根据本发明实施方案的靶还可呈现高的电导率。
另外，减小与相邻层片(例如，与硅层片)的电阻率差异也减少或防止了电弧现象。
在本发明的一些实施方案中，靶在微观水平上呈现良好且均匀的混合，这改善了靶溅射的均匀性。
在本发明的实施方案中，靶还可包含至少1重量％的SiZrnOm混合氧化物化合物。在一些实施方案中，它可以是亚氧化化合物，其中n和m提供亚氧化组成。
在本发明的实施方案中，靶具有层状结构，其典型由于制造靶的喷涂过程而产生。在陶瓷的、不可塑性变形的颗粒的特定情况下，热喷涂可以提供层状结构。然而，本发明不限于喷涂，并且其它技术(例如激光熔覆工艺)也可提供层状结构。不同的层片可具有不同的结晶度、不同的密度等。层片可由平均体积为0.0001mm3的微观材料溅片形成，取决于靶制造条件(例如，喷涂颗粒的粉末)。
在一些实施方案中，层片包括先前描述的纯Si和/或氧化锆的层片101、102，优选亚氧化的氧化锆，和/或混合氧化物化合物的层片，例如，SiZrnOm混合氧化物化合物。
通过喷涂产生的具有层状结构的靶通常包括粗糙化的表面和/或孔，这改善了基底颗粒的溅射。
在一些实施方案中，靶的表面可被抛光以减小其粗糙度以及在溅射期间的可能后续问题(诸如电弧)。例如，在本发明的一些实施方案中，对于SiZrxOy靶，获得了低于20％，优选低于15％，优选为10％，且最优选低于5％的孔隙率，这可能有利于降低沉积期间的热应力。
本发明的靶可以是管状(例如棱柱形、圆柱形等)或平面靶，本发明不受任何具体靶形状的限制。背衬基底105可以例如包括不锈钢或由不锈钢制成，并且其可以任选地包括诸如冷却系统等的其它特征。另外，可以包括粘结层或涂层106以促进靶材料的附着。粘结层106可以是技术人员已知的任何合适的层。本发明还可以提供没有背衬基底的自支撑平面靶。
在一些实施方案中，靶呈现的结构使得当在其上进行XRD分析时，图谱呈现特定的Si相关的峰和氧化锆相关的峰。具体的XRD图谱分析如下进行。具体而言，靶可呈现Si峰和/或与氧化锆的四方和单斜峰相关的峰，特别是在30.05°±0.3°和31.2°±0.3°的2θ角位置处。
本发明的靶可用于通过溅射在基底上获得材料层。例如，根据本发明一些实施方案的溅射靶可用于反应溅射工艺中；例如，含有反应性气体，所述反应性气体优选为氧气、氮气或两者的混合物。基底可以是任何合适的基底，例如玻璃、塑料等。
反应溅射是优选的，因为它允许从亚化学计量比的靶材料开始控制和提供期望的化学计量比组成。另外，控制沿靶长度的反应性气体流动可有助于获得具有更高的厚度均一性的层，例如，可在基底上的大面积上获得非常均匀的膜。还可以很好地控制沉积层的厚度。反应溅射包括在反应性气体(例如包括氧气和/或氮气)中进行溅射过程。所述靶可包含具有硅(例如纯硅)和锆氧化物(例如亚氧化的氧化物)的混合物的层片。如果靶仅由氧化物组合物构成，尽管有可能获得透明薄膜，但靶是不导电的并且沉积缓慢，而如果靶完全为非氧化的(non-oxidic)，则反应气体应含有高浓度的氧气和/或氮气，并且溅射难以控制。
根据本发明的一些实施方案，所述靶可用于形成透明层，其光学特性可根据靶组成和溅射期间存在的反应性气体类型而变化。例如，折射率n可以在1.5和2.0之间调节。该层可包含SZO化合物，且可以调节Si和Zr的相对量以及它们各自的氧化物以获得预定折射率n。也可以用氮化物模式溅射SZO陶瓷靶以便在不含氧气的气体混合物中生长硅锆氮氧化物透明膜，从而不会产生氧气滞后，并具有更好的工艺稳定性。例如，该靶还可用于大面积玻璃涂层，例如用于抗反射涂层、低发射率或热反射应用，或其它类型的光学涂层。
根据本发明的一些实施方案的靶可用于形成具有更高抗划伤性和耐磨性的层(例如，光学层，如透明层)，因其为Si和Zr的混合物。该层可呈现不同程度的结晶度，例如，它可能是非晶态的，从而改善化学稳定性(因为不存在晶界，因此腐蚀性元素的扩散路径更少)。
还可以例如通过改变环境气体中的氧气和/或氮气的量来获得具有可控的光学和机械性质的多层膜。例如，顶层可以表现出更高的耐腐蚀性和耐磨性，可为非晶态等，而顶层和基底之间的层可具有不同的性质。
可以用根据本发明实施方案的单个靶并且任选地以单一步骤有利地获得具有这些性质的一个或多个层，从而允许简单的装置和溅射基底的快速处理。
在本发明的一些实施方案中，靶的微观结构表现出组成和晶粒尺寸的高均匀性，晶粒尺寸典型小于100nm(而层片通常在微米范围内)。在整个靶厚度上的改善的均匀性和较小的晶粒尺寸，以及靶层的良好导热性，将确保在溅射过程中在靶层厚度的逐渐减小的整个过程中维持这种稳定的行为。由于溅射材料性质的局部变化而产生的不合意的影响(例如，诸如电弧)也大大减少，并导致最终产品的溅射沉积层中的均匀性得到改善。由于较高的靶厚度，因此可以在溅射过程中使用如此提供的溅射靶显著更长的时间。这导致每个溅射靶的工作时间更长，这进而使得能够进行更长的溅射涂覆，而无需停止溅射过程来更换溅射靶。
在第二方面，本发明提供制造根据本发明第一方面的实施方案的溅射靶的方法。
该方法包括将至少SZO材料喷射在背衬基底上的步骤。该材料优选以粉末形式提供，并且通过例如热喷涂将其提供在基底上。可以将粉末熔融并喷射到背衬基底上，喷射的材料在此处冷却并凝固，从而获得包括SiZrxOy或由SiZrxOy制成的导电溅射靶，其中Zr的量x高于0.02但低于或不高于5，并且氧的量y高于0.03但不高于2*(1+x)。
靶是由例如粉末形式的源材料制成。在一些实施方案中，源材料主要由Si、Zr和O组成，例如至少80％、90％、95％、99％甚至更高，例如为以下形式：
·Si和ZrOZ(0.25<z<＝2)，
·或Zr和SiOz(0.25<z<＝2)，
·或SiOv和ZrOw(0.1<v<＝1.9；0.1<w<＝2-v)，
·或SiZraOb化合物，其中a和b可以但不必分别等于最终组成中的x和y，例如，该化合物可以补充以金属或亚氧化的Si和/或Zr，
·或这些材料的组合。
图2的简图示出了根据本发明实施方案的方法的步骤和任选步骤。该方法包括以下步骤：提供201粉末，该粉末包含硅和锆的氧化物或亚氧化物；和/或锆和硅的氧化物或亚氧化物颗粒；和/或硅亚氧化物和锆亚氧化物；和/或粉状的硅-锆氧化物作为单独或复合的材料。这可以包括提供211例如粉末形式的硅((亚)氧化物)颗粒和锆((亚)氧化物)颗粒。
本发明实施方案的优点是，不一定需要使用粉末形式的纯锆，从而减少了火灾隐患，因为本发明可以使用锆的氧化物或化合物，它们不易燃或根本不可燃。本发明实施方案的优点还在于，可以在纯氮或氮/氩反应性气氛中溅射导电溅射靶，以提供氮氧化硅锆层，而在气体混合物中很少或不使用氧气。
该方法进一步包括提供202背衬基底，其可以是平面基底、管状(例如，棱柱形、圆柱形)基底等。例如，其可以是不锈钢背衬基底，或铜、钼或钛背衬基底，其任选可以包括冷却系统。
该方法还包括：例如通过喷涂213，例如热喷射，以使最终靶具有组成SiZrxOy的量将颗粒喷射203在背衬基底上,其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(1+x)。
热喷射工艺包括使至少部分熔融的源材料(包含金属态或氧化态的Si、Zr；还可能有Al、Cu等金属组分)的液滴加速并喷射到溅射背衬基底上，它们在在此处撞击时变平并凝固形成涂层。原料粉末颗粒的尺寸范围典型为10至200微米并且可以自由流动，这允许在通过气体(典型为氩气)携带穿过进料软管和喷射器到达喷涂装置的同时将这些粉末均匀地供给到喷涂设备中。在本发明的实施方案中，可施加不同类型的热喷涂，例如火焰喷涂、等离子体喷涂、甚至冷喷涂(如果颗粒是可塑性变形的，例如金属颗粒)或HVOF。
可以在靶生产期间控制溅射工艺的环境，这允许控制原料基础材料的氧化程度和还原程度。
不同于通过烧结和粘结工艺制成的现有技术的可溅射靶，本发明的方法允许以高功率密度和沉积速率在溅射中使用靶，因为存在对背衬基底的最佳附着力，这可能是由于粘结材料的存在。此外，喷涂过程允许良好地控制靶材料的厚度和组成。
因此，该方法允许获得204具有根据第一方面的实施方案的组成的SZO导电靶。其可以包括获得214亚氧化的SZO组成。例如，这可以通过提供亚氧化的氧化物颗粒作为源材料来完成，或者例如可以在热喷涂期间发生。更详细地，氧可能因加热而损失。在一些实施方案中，氧无法重新获得。这导致亚氧化SZO组成。例如，在一些实施方案中，热喷涂有利地允许使用氧化物材料的粉末，同时允许通过热效应(例如加热所述氧化物粉末)减少氧化物中的氧量，从而在最终靶上获得214亚氧化的化合物，因此减小其电阻。
根据本发明的实施方案的方法可以提供如图1所示的靶100，其包括背衬基底105和用于溅射的材料的沉积顶部涂层104。顶部涂层104的厚度可为1mm，然而优选几毫米，例如至少4mm，或4mm至12mm，或甚至更高。例如，可提供6mm或9mm。
该方法可包括获得224靶，该靶包括纯Si层片和ZrOZ层片，优选具有亚氧化的组成。可以通过粉末颗粒的尺寸控制层片的尺寸。对于每种材料，层片的尺寸可能会根据其浓度而增加。可以主要通过控制原料来控制组成。
在一些实施方案中，提供粉末的步骤包括提供其它金属的颗粒，例如Ti、Zr、Nb、W、Cu、Al、B等。该粉末也可以被熔融并溅射，从而获得具有低电阻率的根据本发明实施方案的靶。
该方法可包括其它步骤，例如提供背衬基底的冷却(例如，通过使用包括冷却系统的背衬基底，或通过提供外部冷却)，和/或提供中间衔接层用于改善靶材料对背衬基底的附着。
溅射靶基底可以由背衬基底105和任选的粘结涂层构成，例如金属，例如包含Al、Cu、Ni或其它金属元素或其混合物，例如Ni-Al合金。在一些实施方案中，该方法包括提供此粘结涂层106。
示例靶的分析
图3示出了两个35英寸Si:ZrOZ靶的“粉末XRD”的XRD图谱，其中z为约1.85，其大致对应于SiZrxOy中的x接近0.23且y值接近0.42的靶组成。通过喷涂Si和锆氧化物粉末(包括单斜ZrO2粉末)制造靶。将两个靶的测量结果都图形化，并且在位置上基本重叠。
在Cu K-α辐射下进行XRD峰的测量。其显示仅存在Si和ZrO2的峰。检测到单斜m-ZrO2相和四方t-ZrO2相。这些峰的局部在图4中示出，对应于图3的放大部分301。未检测到SiO2峰，也未检测到与其它Si-O相有关的峰。
特别地，对图4的峰的分析表明，尽管原料是单斜ZrO2粉末，但存在四方t-ZrO2相。表明该相是由于热喷涂而形成的。另外，分别在～30°和～31.2°的位置处的四方相和单斜相之间的相对强度r通常为r≥0.1。在此特定实例中，相对强度t-ZrO2/m-ZrO2接近于1。
通过谢乐(Scherrer)分析获得的晶粒尺寸，对于ZrO2为约20nm，对于Si为约40nm。
图5示出从热喷涂的纯硅粉获得的XRD图谱。在图3中的喷涂SZO靶的情况下，检测到相同的Si XRD峰，并且还观察到相同的K-α2线峰劈裂。
图6和图7示出背散射电子(BSE)模式中的两个电子显微镜(EM)图像。它们分别是在50×和100×放大倍数下的同一靶的两幅图像。这些图像代表了典型的靶微观结构，其中灰度值映射了材料的Z(原子质量)。较重原子提供更多的散射和较亮的图像，而较轻元素提供较暗的图像。图6示出了涂层的特征层状结构以及Si(深灰色)和ZrOZ材料(白色)的均匀分布。尤其是图7的图像(标尺为200μm)示出更高的对比度，解释了Si和ZrOZ的分离溅片以及一些孔隙(黑点)。
通过改变制备方法和改变含Si颗粒与含Zr颗粒的相对浓度，制备了一系列SiZrxOy靶样品。在这一系列样品中，获得了SiZrxOy靶组成的变化，其中x高于0.04且低于0.5，而y值介于0.1和1之间。
另外，通过不同方法测量了材料厚度为约9mm的的示例性靶的靶材料的电阻率和电阻，如图8至图11所示。将靶100放置在载体背衬上(例如载体背衬管107)，并将不同的探针施加到靶的表面。
测量电阻率的4点法(其设置如图8所示)基于4点探针1001，包括提供电压V的电压源和提供电流I的电流源。电阻率由以下方程得出：
Figure BDA0003053175210000141
其中，参数t和s分别是靶的厚度和触点之间的间隔。这可简化为：
ρ＝2*π*s*V/I
使用1.59mm的触点之间的间隔，通过4点法测量的最小和最大实测电阻率为ρ最小：2Ω·cm，ρ最大：3Ω·cm。
测量电阻率的3点法(其设置如图9所示)是基于通过预定区域(在本实施例中由圆板1101提供的圆形区域)发送电流并测量靶的电流和电压，在这种情况下通过圆板1101的中心1102测量。电阻率由下式得出：
V/I＝R＝ρ·D/S
其中D为厚度(cm)以及S为接触表面(cm2)。
结果为：ρ最小：1Ω·cm，ρ最大：3Ω·cm。
2点法(其设置如图10所示)仅以预定距离d(在该情形中为10mm)测量两个探针1201、1202(具有钢尖的探针或镀Ni的黄铜探针)之间的电阻。以下是电阻测量的结果：
镀Ni的黄铜，最小值：100Ω，最大值：400Ω
钢尖,最小值：200Ω，最大值：300Ω
假设电阻率为2Ω·cm，电阻的理论模拟为约300Ω。
单点法(其设置如图11所示)是基于使用探针1301测量靶表面和背衬管之间的电阻。以下是电阻测量的结果：
镀Ni的黄铜，最小值：60Ω，最大值：200Ω
钢尖，最小值：80Ω，最大值：160Ω
2Ω·cm的理论模拟：R～200Ω
因此表明，通过本发明获得的示例性靶的电阻率低于10Ω·cm(甚至低于3Ω·cm)。因此，所述靶可以被认为是导电的。

Claims (11)

1.用于溅射的靶(100)，其包含SiZrxOy，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(1+x)，其中所述靶的XRD图谱具有如下峰：在28.29°±0.3°处的硅2θ峰，或在30.05°±0.3°处的四方相ZrO2的2θ峰。
2.根据权利要求1所述的靶(100)，其包含至少50at％的SiZrxOy。
3.根据前述权利要求中任一项所述的靶(100)，其中所述SiZrxOy部分具有由微观材料溅片组成的层状结构。
4.根据前述权利要求中任一项所述的靶(100)，其中所述靶包含超过90％的Si、Zr和O元素。
5.根据权利要求4所述的靶(100)，其电阻率低于1000ohm.cm，优选低于100ohm.com，更优选低于10ohm.cm，甚至小于1ohm.cm。
6.根据前述权利要求中任一项所述的靶，其中x高于0.05但低于1，优选在0.1和0.5之间，并且y高于0.1但低于2*(0.6+x)，优选在0.2和2*(0.3+x)之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的靶，其中所述靶(100)包含由Si组成的层片(101、102)和由ZrOZ组成的层片，其中z高于0.05但低于或等于2。
8.根据前述权利要求中任一项所述的靶，其中所述靶(100)包含至少1wt％的由混合氧化物化合物组成的层片。
9.根据前述权利要求中任一项所述的靶，其中所述靶(100)还包含金属颗粒。
10.一种制造(204)用于溅射的导电SiZrxOy靶的方法，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(x+1)，该方法包括：
-提供(201)粉末，该粉末包含锆颗粒以及氧化硅或亚氧化硅颗粒；和/或包含硅颗粒以及氧化锆或亚氧化锆颗粒；和/或包含亚氧化硅颗粒以及亚氧化锆颗粒；和/或包含硅/锆的氧化物化合物的颗粒，
-提供背衬基底(202)，以及
-将熔融形式的粉末喷射(204)到背衬基底上，其量使得以SiZrxOy的组成获得溅射靶，其中x高于0.02但不高于5，并且y高于0.03但不高于2*(1+x)，以及冷却和凝固所喷射的粉末。
11.根据前述权利要求所述的方法，其中喷射粉末包括喷涂(213)。
CN201980073212.3A 2018-11-12 2019-11-12 具有硅、锆和氧的导电溅射靶 Pending CN112996947A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE20185796A BE1026850B1 (nl) 2018-11-12 2018-11-12 Geleidende sputter doelen met silicium, zirkonium en zuurstof
BE2018/5796 2018-11-12
PCT/EP2019/081074 WO2020099438A1 (en) 2018-11-12 2019-11-12 Conductive sputter targets with silicon, zirconium and oxygen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112996947A true CN112996947A (zh) 2021-06-18

Family

ID=65363017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980073212.3A Pending CN112996947A (zh) 2018-11-12 2019-11-12 具有硅、锆和氧的导电溅射靶

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11739415B2 (zh)
EP (1) EP3880861A1 (zh)
JP (1) JP2022507213A (zh)
KR (1) KR20210090233A (zh)
CN (1) CN112996947A (zh)
BE (1) BE1026850B1 (zh)
WO (1) WO2020099438A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE1028481B1 (nl) 2020-07-14 2022-02-14 Soleras Advanced Coatings Bv Sputterdoel met grote densiteit
BE1028482B1 (nl) 2020-07-14 2022-02-14 Soleras Advanced Coatings Bv Vervaardiging en hervullen van sputterdoelen
BE1029590B1 (nl) 2021-07-16 2023-02-14 Soleras Advanced Coatings Jiangyin Co Ltd Geleidende sputterdoelen van silicium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5110637A (en) * 1988-03-03 1992-05-05 Asahi Glass Company Ltd. Amorphous oxide film and article having such film thereon
CN101519768A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 应用材料公司 铁含量低的喷涂Si-或Si∶Al-靶
CN105593400A (zh) * 2013-10-07 2016-05-18 贺利氏德国有限责任两合公司 金属氧化物靶及其制造方法
JP2018040032A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
CN108431292A (zh) * 2015-12-23 2018-08-21 万腾荣先进材料德国有限责任公司 基于氧化锆的溅射靶材

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354446A (en) * 1988-03-03 1994-10-11 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production
KR20160098513A (ko) 2008-07-08 2016-08-18 솔레라스 어드밴스드 코팅스 비브이비에이 제1 및 제2 상을 포함하는 산화물 스퍼터 타깃의 제조 방법
FR2944293B1 (fr) 2009-04-10 2012-05-18 Saint Gobain Coating Solutions Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible
EP3032566B1 (en) 2014-12-08 2019-11-06 Soleras Advanced Coatings bvba Cylindrical structure for use in an RF sputter process and a sputtering system comprising same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5110637A (en) * 1988-03-03 1992-05-05 Asahi Glass Company Ltd. Amorphous oxide film and article having such film thereon
CN101519768A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 应用材料公司 铁含量低的喷涂Si-或Si∶Al-靶
CN105593400A (zh) * 2013-10-07 2016-05-18 贺利氏德国有限责任两合公司 金属氧化物靶及其制造方法
CN108431292A (zh) * 2015-12-23 2018-08-21 万腾荣先进材料德国有限责任公司 基于氧化锆的溅射靶材
JP2018040032A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210395878A1 (en) 2021-12-23
BE1026850A1 (nl) 2020-07-03
EP3880861A1 (en) 2021-09-22
KR20210090233A (ko) 2021-07-19
BE1026850B1 (nl) 2020-07-07
JP2022507213A (ja) 2022-01-18
WO2020099438A1 (en) 2020-05-22
US11739415B2 (en) 2023-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112996947A (zh) 具有硅、锆和氧的导电溅射靶
KR101728923B1 (ko) 열 투사에 의한 타겟의 제조 방법
US6334938B2 (en) Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index
Ramachandran et al. Microstructure, adhesion, microhardness, abrasive wear resistance and electrical resistivity of the plasma sprayed alumina and alumina–titania coatings
KR101754430B1 (ko) 몰리브덴을 기재로 한 타겟 및 열 투사에 의한 타겟의 제조 방법
CN110770185B (zh) 着色窗玻璃及其制备方法
CN108431292B (zh) 基于氧化锆的溅射靶材
US20200131623A1 (en) Target for obtaining coloured glazing
EP3375904B1 (en) Cylindrical titanium oxide sputtering target and process for manufacturing the same
BE1030855B1 (nl) Geleidend sputterdoel en methode om daarmee een laag af te zetten
CN116829760A (zh) 钨低价氧化物陶瓷靶
CN115700294A (zh) 导电硅溅射靶
Branland et al. Microstructure and electrical properties of RF and DC plasma-sprayed TiO2 coatings

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination