CN112996314A - 电子装置壳体及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电子装置壳体及其制作方法，电子装置壳体包括基体、第一金属层及第二金属层，基体不具有可激光活化物，基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；第一金属层形成在粗糙结构表面；第二金属层为天线层，第二金属层形成在第一金属层表面。本发明的电子装置壳体使用的基体不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本。另外，通过在基体表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构还可以提高天线层相对基体的附着力。

Description

电子装置壳体及其制作方法

技术领域

本发明涉及激光成型工艺技术领域，特别是涉及一种电子装置壳体及其制作方法。

背景技术

LDS是指利用计算机按照导电图形的轨迹控制激光的运动，将激光投照到模塑成型的三维塑料器件上，并在较短时间内活化出电路图案的技术。然而LDS工艺适用的材料是一种包含有可激光活化物的特殊改性材料，其经过激光照射后可激光活化物活化释放出金属粒子,目前，LDS工艺可以在激光照射后的改性塑料上直接形成金属镀层。故，在现有技术中，在电子装置壳体上成型天线走线均会采用LDS工艺，但是可供LDS适用的特殊改性材料成本较高，并且不同的改性材料所具参数各不相同，表面金属化处理一致性难以控制，从而使LDS工艺难以大规模推广。

发明内容

基于此，本发明提供一种能够克服基材种类应用限制的电子装置壳体及其制作方法。

一种电子装置壳体，包括：基体、第一金属层及第二金属层，所述基体不具有可激光活化物，所述基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；所述第一金属层形成在所述粗糙结构表面；所述第二金属层为天线层，所述第二金属层形成在所述第一金属层表面。

在其中一个实施例中，所述粗糙结构包括形成在所述基体表面且间隔排布的多个弹坑。

在其中一个实施例中，所述基体的材质为热塑性塑料或热固性塑料。

在其中一个实施例中，所述第一金属层为在粗糙结构表面通过化学活化后形成的含钯的金属吸附层。

在其中一个实施例中，所述第二金属层为铜层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层和镍层的复合层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层、镍层及金层的复合层。

在其中一个实施例中，所述基体为陶瓷材料、或玻璃材料、或包含玻璃纤维的复合材料。

一种电子装置壳体的制作方法，包括以下步骤：

提供基体,所述基体不具有可激光活化物；

采用激光镭雕的方式在所述基体表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构；

对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化，以在所述粗糙结构表面形成第一金属层；及

在所述第一金属层表面沉积第二金属层,以制得天线层。

在其中一个实施例中，在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行水洗，以去除所述基体表面的污渍。

在其中一个实施例中，在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行化学敏化，以在所述粗糙结构表面形成吸附膜层。

在其中一个实施例中，所述第二金属层通过电镀或化学镀的方式形成。

本申请的电子装置壳体所使用的基体未添加可激光活化物，因此，该电子装置壳体可以在普通的基体表面形成天线层，达到结构强度，从而克服现有LDS工艺只能对含可激光活化物的改性塑料进行镭雕的局限性，并且上述不含有可激光活化物的基体也不受激光镭雕设备的限制，通过普通的镭雕机即可完成电路图案的蚀刻和基体表面的粗化，因此本发明的电子装置壳体使用的基体不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本，有利于大规模推广。另外，通过在基体表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构还可以提高天线层相对基体的附着力。

附图说明

图1为一实施例中的电子装置壳体的剖面结构示意图；

图2为一实施例中的电子装置壳体的爆炸图；

图3为一实施例中的电子装置壳体的制作方法的流程框图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

如图1及图2所示,一实施例中的电子装置壳体包括基体110、第一金属层130及第二金属层140，基体110不具有可激光活化物，基体110表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构120；第一金属层130形成在粗糙结构120表面；第二金属层140为天线层，第二金属层140形成在第一金属层130表面。

在一实施例中，基体110可通过注塑成型的方式制成，基体110的材质可以为热塑性塑料或热固性塑料。热塑性塑料可以为聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯乙烯(PS)、乙二醇改性聚酯及聚丙烯(PP)中的至少一种；热固性塑料可以为环氧树脂、酚醛树脂(PF)、热固性的聚氨酯(PU)及有机硅树脂中的任一种。一些实施方式中，基体110可以优先选择聚碳酸酯(PC)、丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)或聚碳酸酯(PC)与丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)的合金混合物(PC+ABS)，从而结合了ABS材料的成型性和PC材料的机械性、冲击强度和耐温、抗紫外线等特性，可以更好的适用于电子(包含通讯)设备壳体及车用内部零件等。

如图1所示，在一实施例中，粗糙结构120包括形成在基体110表面且间隔排布的多个弹坑122。在一实施例中，弹坑122可以但不限于为蜂窝状。

如图1及图2所示，在一实施例中，第一金属层130为含钯的金属吸附层132，具体地，第一金属层130为在粗糙结构120表面通过化学活化后形成的含钯的金属吸附层132。在一实施例中，第二金属层140为铜层142或依次形成于第一金属层130表面的铜层142和镍层144的复合层或依次形成于第一金属层130表面的铜层142、镍层144及金层的复合层。

在一实施例中，基体110为陶瓷材料、或玻璃材料、或包含玻璃纤维的复合材料，如此设置，可增强基体110的强度，使得该集成有天线层的电子装置壳体能够作为对强度要求较高的电子装置(例如三防手机)的外部构件，进而简化了电子装置的结构。

本申请的电子装置壳体所使用的基体110未添加可激光活化物，因此，该电子装置壳体可以在普通的基体110表面形成天线层，达到结构强度，从而克服现有LDS工艺只能对含可激光活化物的改性塑料进行镭雕的局限性，并且上述不含有可激光活化物的基体110也不受激光镭雕设备的限制，通过普通的镭雕机即可完成电路图案的蚀刻和基体110表面的粗化，因此本发明的电子装置壳体使用的基体110不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体110和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本，有利于大规模推广。另外，通过在基体110表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构120还可以提高天线层相对基体110的附着力。

如图3所示，需要指出的是，本申请还提供了一种电子装置壳体的制作方法，该电子装置壳体的制作方法包括以下步骤:

S100,提供基体110,基体110不具有可激光活化物。

S200,采用激光镭雕的方式在基体110表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构120。

S300,对镭雕后的基体110的粗糙结构120进行化学活化，以在粗糙结构120表面形成第一金属层130。

S400,在第一金属层130表面沉积第二金属层140,以制得天线层。

本申请提供的电子装置壳体的制作方法，是采用激光镭雕的方式在不含有可激光活化物的基体110表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构120，然后对镭雕后的基体110的粗糙结构120进行化学活化，以在粗糙结构120表面形成第一金属层130，接着在第一金属层130表面沉积第二金属层140,制得天线层，上述电子装置壳体的制作方法可以在普通材料的基体110表面形成天线层，达到结构强度，从而克服现有LDS工艺只能对含可激光活化物的改性塑料进行镭雕的局限性，并且上述不含有可激光活化物的基体110也不受激光镭雕设备的限制，通过普通的镭雕机即可完成电路图案的蚀刻和基体110表面的粗化，因此本发明的电子装置壳体的制作方法使用的基体110不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体110和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本，有利于大规模推广。另外，通过在基体110表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构120还可以提高天线层相对基体110的附着力。

在一实施例中，基体110可通过注塑成型的方式制成，基体110的材质可以为热塑性塑料或热固性塑料。热塑性塑料可以为聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯乙烯(PS)、乙二醇改性聚酯及聚丙烯(PP)中的至少一种；热固性塑料可以为环氧树脂、酚醛树脂(PF)、热固性的聚氨酯(PU)及有机硅树脂中的任一种。一些实施方式中，基体110可以优先选择聚碳酸酯(PC)、丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)或聚碳酸酯(PC)与丙烯腈～苯乙烯～丁二烯共聚合物(ABS)的合金混合物(PC+ABS)。

在一实施例中，采用激光镭雕的方式在基体110表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构120的步骤S200包括：提供激光镭雕机，将预形成于该基体110表面的电路图案导入激光镭雕机专用操作软件中，通过在基体110表面预选一区域，激光照射该预选的区域，从而将该预选的区域粗化成粗糙结构120以形成该电路图案。

在一实施例中，对镭雕后的基体110的粗糙结构120表面进行化学活化，以在粗糙结构120表面形成第一金属层130的步骤S300包括：S320，将镭雕后的基体110投入化学活化液中，以在粗糙结构120表面化学活化形成第一金属层130，以便于在第一金属层130表面沉积第二金属层140。

如图1及图2所示，在一实施例中，第一金属层130可以但不限于为含钯的金属吸附层132，对应地，化学活化液中为包含钯的活化液，以在粗糙结构120(多个弹坑122)表面化学形成吸附在粗糙结构120表面的胶态的含钯的金属吸附层132。

在一实施例中，在执行对镭雕后的基体110的粗糙结构120进行化学活化的步骤S300之前，该电子装置壳体的制作方法还包括：S220，对镭雕后的基体110进行水洗，以去除基体110表面的污渍，以增加基体110表面的亲水性，从而以确保基体110表面能够均匀的进行化学活化。具体地，可通过将镭雕后的基体110放入纯水中后，再通过超声波技术按预设时间进行震荡处理，以达到生产的标准。

在一实施例中，在执行对镭雕后的基体110的粗糙结构120进行化学活化的步骤S300之前，电子装置壳体的制作方法还包括：S240，对镭雕后的基体110进行化学敏化，以在粗糙结构120表面形成吸附膜层,以增加基体110表面的可吸附性，从而以确保基体110表面能够均匀的进行化学活化。

具体地，对镭雕后的基体110进行化学敏化的步骤S240设置在对镭雕后的基体110进行水洗的步骤S220之后执行。另外，在化学敏化及化学活化的步骤后，均应进行水洗步骤。

如图1及图2所示，在一实施例中，第二金属层140通过电镀或化学镀的方式形成。第二金属层140填平所述粗糙结构120(多个弹坑122)，以达到与基体110的外表面较好的平整度。所述第二金属层140为铜层142或依次形成于第一金属层130表面的铜层142和镍层144的复合层或依次形成于第一金属层130表面的铜层142、镍层144及金层的复合层。其中，令所述铜层142填充所述粗糙结构120(多个弹坑122)。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电子装置壳体，其特征在于，包括：基体、第一金属层及第二金属层，所述基体不具有可激光活化物，所述基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；所述第一金属层形成在所述粗糙结构表面；所述第二金属层为天线层，所述第二金属层形成在所述第一金属层表面。

2.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述粗糙结构包括形成在所述基体表面且间隔排布的多个弹坑。

3.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述基体的材质为热塑性塑料或热固性塑料。

4.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第一金属层为在粗糙结构表面通过化学活化后形成的含钯的金属吸附层。

5.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第二金属层为铜层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层和镍层的复合层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层、镍层及金层的复合层。

6.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述基体为陶瓷材料、或玻璃材料、或包含玻璃纤维的复合材料。

7.一种电子装置壳体的制作方法，其特征在于,包括以下步骤：

提供基体,所述基体不具有可激光活化物；

采用激光镭雕的方式在所述基体表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构；

对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化，以在所述粗糙结构表面形成第一金属层；及

在所述第一金属层表面沉积第二金属层,以制得天线层。

8.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行水洗，以去除所述基体表面的污渍。

9.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行化学敏化，以在所述粗糙结构表面形成吸附膜层。

10.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,所述第二金属层通过电镀或化学镀的方式形成。

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