CN112993504B - 波导极化衰减装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种波导极化衰减装置及方法，所述装置包括屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；太赫兹波发射组件设置在屏蔽外壳的第一侧壁上；第一可调极化组件设置在屏蔽外壳内，且对应太赫兹波发射组件设置；第二可调极化组件设置在屏蔽外壳内，且设置在第一可调极化组件的下方，对应太赫兹波接收组件设置；太赫兹波接收组件设置在屏蔽外壳的第二侧壁上；第一侧壁与第二侧壁位置相对；本发明具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调。

Description

波导极化衰减装置及方法
技术领域
本发明属于波导衰减技术领域，特别是涉及一种波导极化衰减装置及方法。
背景技术
波导衰减器是一种常见的微波无源器件，主要用来调整信号功率的大小，广泛应用于微波产品；现有常见的微波衰减器按照衰减程度可分为固定式、分级衰减式及连续可调式；其中，旋转式可调衰减极化装置最为常见，该旋转式可调衰减极化装置是一种两端方圆过渡波导中间圆波导的结构，在两头的过渡波导段各有一片吸收片和波导宽壁平行，通过圆波导中的吸收片绕轴向旋转，实现控制衰减量大小。
这种传统的衰减器在太赫兹频段由于加工工艺要求提升，精度控制很难保证，从而会导致相位不稳定、衰减精度差、寄生效应引入杂波、插损变大、可调范围不大等问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种波导极化衰减装置及方法，用于解决现有可调衰减器存在的太赫兹频段动态范围小、插损大、相位不稳定、工艺差的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种波导极化衰减装置，包括：屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；其中，所述屏蔽外壳为封闭结构，且所述屏蔽外壳的内部为空心结构；所述太赫兹波发射组件设置在所述屏蔽外壳的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳内发射太赫兹波；所述第一可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且对应所述太赫兹波发射组件设置；所述第二可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且设置在所述第一可调极化组件的下方，对应所述太赫兹波接收组件设置；所述太赫兹波接收组件设置在所述屏蔽外壳的第二侧壁上；所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播时，依次经所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件后，汇聚至所述太赫兹波接收组件；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构；在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
于本发明的一实施例中，所述第一可调极化组件包括：第一TPX透镜、第一极化栅网、第一离轴抛物面镜及第一转动调节机构；其中，所述第一TPX透镜对应所述太赫兹波发射组件设置，用于对所述太赫兹波进行准直扩束；所述第一极化栅网设置在所述第一TPX透镜与所述第一离轴抛物面镜之间；经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波透过所述第一极化栅网至所述第一离轴抛物面镜；所述第一转动调节机构与所述第一极化栅网连接，用于转动所述第一极化栅网，以调节经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波方向与所述第一极化栅网的网线方向之间的夹角。
于本发明的一实施例中，所述第二可调极化组件包括：第二TPX透镜、第二极化栅网、第二离轴抛物面镜及第二转动调节机构；其中，所述第二离轴抛物面镜设置在所述第一离轴抛物面镜的下方，且所述第二离轴抛物面镜的焦点与所述第一离轴抛物面镜的焦点重合；所述第二极化栅网设置在所述第二TPX透镜与所述第二离轴抛物面镜之间；所述第二TPX透镜对应所述太赫兹波接收组件设置；所述第二转动调节机构与所述第二极化栅网连接，用于转动所述第二极化栅网，以调节经所述第二离轴抛物面镜后的太赫兹波方向与所述第二极化栅网的网线方向之间的夹角。
于本发明的一实施例中，所述第一极化栅网在所述第一转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第一TPX透镜中心轴线垂直的方向转动；所述第二极化栅网在所述第二转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第二TPX透镜中心轴线垂直的方向旋转。
于本发明的一实施例中，所述太赫兹波发射组件与所述第一离轴抛物面镜共轴；所述太赫兹波接收组件与所述第二离轴抛物面镜共轴。
于本发明的一实施例中，所述第一离轴抛物面镜和所述第二离轴抛物面镜的反射面上均镀有增透膜。
于本发明的一实施例中，所述屏蔽外壳的内壁上涂覆有吸波层。
于本发明的一实施例中，所述太赫兹波发射组件包括：太赫兹波设备和发射端口；其中，所述太赫兹波设备设置在所述屏蔽外壳的外侧，用于产生所述太赫兹波；所述发射端口与所述太赫兹波设备连接，且设置在所述屏蔽外壳内，用于将所述太赫兹波发射至所述屏蔽外壳内，以使所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播。
本发明提供一种采用上述的波导极化衰减装置实现的波导极化衰减方法，包括以下步骤：控制太赫兹波发射组件发射太赫兹波，以使所述太赫兹波依次经第一可调极化组件和第二可调极化组件后，汇聚至太赫兹波接收组件；在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
于本发明的一实施例中，所述衰减量产生的原因包括以下任意一种或几种组合：所述太赫兹波发射组件的损耗、所述太赫兹波接收组件的损耗、所述第一可调极化组件产生的、所述第二可调极化组件产生的及所述波导极化衰减装置的安装误差。
如上所述，本发明所述的波导极化衰减装置及方法，具有以下有益效果：
(1)与现有技术相比，本发明具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调。
(2)本发明中引入的非球面的TPX透镜，不仅对太赫兹频段有高透性，还可降低该波导极化衰减装置的安装难度。
附图说明
图1显示为本发明的波导极化衰减装置于一实施例中的工作原理框图。
图2显示为本发明的波导极化衰减装置于一实施例中的结构示意图。
图3显示为本发明的波导极化衰减方法于一实施例中的流程图。
标号说明
1 屏蔽外壳
2 太赫兹波发射组件
201 太赫兹波设备
202 发射端口
3 太赫兹波接收组件
4 第一可调极化组件
401 第一TPX透镜
402 第一极化栅网
403 第一离轴抛物面镜
404 第一转动调节机构
5 第二可调极化组件
501 第二TPX透镜
502 第二极化栅网
503 第二离轴抛物面镜
504 第二转动调节机构
S1～S2 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图示所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
本发明的波导极化衰减装置及方法，与现有技术相比，本发明具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调；本发明中引入的非球面的TPX透镜，不仅对太赫兹频段有高透性，还可降低该波导极化衰减装置的安装难度。
如图1和图2所示，于一实施例中，本发明的波导极化衰减装置包括屏蔽外壳1、太赫兹波发射组件2、太赫兹波接收组件3、第一可调极化组件4及第二可调极化组件5。
具体地，所述屏蔽外壳1为封闭结构，且所述屏蔽外壳1的内部为空心结构；所述太赫兹波发射组件2设置在所述屏蔽外壳1的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳1内发射太赫兹波；所述第一可调极化组件4设置在所述屏蔽外壳1内，且对应所述太赫兹波发射组件2设置；所述第二可调极化组件5设置在所述屏蔽外壳1内，且设置在所述第一可调极化组件4的下方，对应所述太赫兹波接收组件3设置；所述太赫兹波接收组件3设置在所述屏蔽外壳1的第二侧壁上。
需要说明的是，该太赫兹波接收组件3采用的是领域内常规的技术手段，用来接收太赫兹波发射组件2发射的，并依次经第一可调极化组件4和第二可调极化组件5后的太赫兹波，其具体的结构组成和连接关系不作为限制本发明的条件，所以，在此也不再详细赘述。
如图1所示，于一实施例中，所述太赫兹波发射组件2包括太赫兹波设备201和发射端口202。
具体地，所述太赫兹波设备201设置在所述屏蔽外壳1的外侧，用于产生所述太赫兹波；所述发射端口202与所述太赫兹波设备201连接，且设置在所述屏蔽外壳1内，用于将所述太赫兹波发射至所述屏蔽外壳1内，以使所述太赫兹波在所述屏蔽外壳1内传播。
需要说明的是，所述太赫兹波在所述屏蔽外壳1内传播时，依次经所述第一可调极化组件4和所述第二可调极化组件5后，汇聚至所述太赫兹波接收组件3。
需要说明的是，所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构。
需要说明的是，在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件4和所述第二可调极化组件5，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
如图1所示，于一实施例中，所述第一可调极化组件4包括第一TPX透镜401、第一极化栅网402、第一离轴抛物面镜403及第一转动调节机构404。
具体地，所述第一TPX透镜401对应所述太赫兹波发射组件2设置，用于对所述太赫兹波进行准直扩束；所述第一极化栅网402设置在所述第一TPX透镜401与所述第一离轴抛物面镜403之间；经所述第一TPX透镜401准直扩束后的太赫兹波透过所述第一极化栅网402至所述第一离轴抛物面镜403；所述第一转动调节机构404与所述第一极化栅网402连接，用于转动所述第一极化栅网402，以调节经所述第一TPX透镜401准直扩束后的太赫兹波方向与所述第一极化栅网402的网线方向之间的夹角。
如图1所示，于一实施例中，所述第二可调极化组件5包括第二TPX透镜501、第二极化栅网502、第二离轴抛物面镜503及第二转动调节机构504。
具体地，所述第二离轴抛物面镜503设置在所述第一离轴抛物面镜403的下方，且所述第二离轴抛物面镜503的焦点与所述第一离轴抛物面镜403的焦点重合；所述第二极化栅网502设置在所述第二TPX透镜501与所述第二离轴抛物面镜503之间；所述第二TPX透镜501对应所述太赫兹波接收组件3设置；所述第二转动调节机构504与所述第二极化栅网502连接，用于转动所述第二极化栅网502，以调节经所述第二离轴抛物面镜503后的太赫兹波方向与所述第二极化栅网502的网线方向之间的夹角。
需要说明的是，经发射端口202发射的太赫兹波首先通过第一TPX透镜401，实现对该太赫兹波的准直扩束，扩束后的太赫兹波平行透过第一极化栅网402到达第一离轴抛物面镜403，第一离轴抛物面镜403的焦点与第二离轴抛物面镜503的焦点重合，使得扩束后的太赫兹波通过该离轴组合结构(包括第一离轴抛物面镜403和第二离轴抛物面镜503)后转化成平行波束通过第二极化栅网502，最后透过第二TPX透镜501汇聚到太赫兹波接收组件3上。
需要说明的是，该第一转动调节机构404和第二转动调节机构504采用的均是领域内常规的技术手段，用于分别转动第一极化栅网402和第二极化栅网502，其具体的结构组成和连接关系不作为限制本发明的条件，所以，在此也不再详细赘述。
需要说明的是，TPX透镜(包括上述的第一TPX透镜401和第二TPX透镜501)中的TPX是指聚4-甲基-1-戊烯，该材料对太赫兹波段具有高透性；结构上非球面透镜较球面透镜可减少像差，厚度较薄；平凸透镜可将焦点处的电磁波进行准直扩束，可有效改变光路，增加光路的可调性。
需要说明的是，极化栅网(包括上述的第一极化栅网402和第二极化栅网502)是由一组等间距且平行的金属圆导体在同一平面内排列而成的；一束电磁波入射到极化栅网表面时，若电场极化方向平行于极化栅网的网线方向，则电磁波全反射；当电场极化方向垂直于极化栅网的网线方向时，电磁波全透射；考虑到一般情况，当电磁波极化方向与极化栅网的网线方向有一定夹角时，则平行于极化栅网网线方向的电场分量被反射，而垂直于极化栅网网线方向的电场分量全部通过。
进一步地，同极化功率透射系数计算公式如下：
tco＝sin4(θ)；
其中，tco表示同极化功率透射系数；θ表示电场极化方向与极化栅网的网线方向之间的夹角。
需要说明的是，离轴抛物面镜(包括上述的第一离轴抛物面镜403和第二离轴抛物面镜503)是目前应用极为广泛的太赫兹波聚焦与准直器件，其主要特点是反射层表面呈抛物面，主要作用是对传输的电磁波进行球面波束和平面波束的转换以及波束重聚；天线发射高斯波束是一种弱发散的电磁波，但在传播一段距离后仍然可以观察到比较明显的发散现象，因此有必要将其进行重聚束。
于一实施例中，所述第一离轴抛物面镜403和所述第二离轴抛物面镜503的反射面上均镀有增透膜。
需要说明的是，为了提高离轴抛物面镜表面的反射率，通常在其反射面进行金属镀膜处理(铝或者金)，即在其反射面镀上一层增透膜，以提高其反射率，使其反射率可以高达99％。
进一步地，离轴抛物面镜的最大优点是能够在较宽的频谱区域内没有频率畸变，并且没有球面差，因此十分适应宽波束的聚焦和准直，由于离轴抛物面镜对调校的敏感度很高，在实际应用中需要较高精度的调整装置，以避免引起仪器之外的波束发散和其他准直问题。
如图2所示，于一实施例中，所述第一极化栅网402在所述第一转动调节机构404的作用下，沿在水平面内，且与所述第一TPX透镜401中心轴线垂直的方向(对应图2中的X1轴方向)转动；所述第二极化栅网502在所述第二转动调节机构504的作用下，沿在水平面内，且与所述第二TPX透镜501中心轴线垂直的方向(对应图2中的X2轴方向)旋转。
需要说明的是，通过第一转动调节机构404和第二转动调节机构504，分别使第一极化栅网402和第二极化栅网502转动，以使太赫兹波信号功率的衰减量连续可调；具体地，该第一极化栅网402绕着一旋转轴(对应图2中的X1轴)转动，该旋转轴与第一TPX透镜401和第一离轴抛物面镜403的中心轴线垂直，且与该中心轴线在同一平面内；该第二极化栅网502绕着另一旋转轴(对应图2中的X2轴)转动，该旋转轴与第二TPX透镜501和第二离轴抛物面镜503的中心轴线垂直，且与该中心轴线在同一平面内。
于一实施例中，所述太赫兹波发射组件2与所述第一离轴抛物面镜403共轴；所述太赫兹波接收组件3与所述第二离轴抛物面镜503共轴。
进一步地，第一TPX透镜401的中心轴线方向与第一极化栅网402的中心轴线方向和第一离轴抛物面镜403的中心轴线方向在同一条直线上；第二TPX透镜501的中心轴线方向与第二极化栅网502的中心轴线方向和第二离轴抛物面镜503的中心轴线方向在同一条直线上。
于一实施例中，所述屏蔽外壳1的内壁上涂覆有吸波层。
需要说明的是，通过在该屏蔽外壳1的内壁上涂覆吸波层，使极化栅网(包括第一极化栅网402和第二极化栅网502)反射的太赫兹波被吸收，排除了太赫兹波多次反射对该波导极化衰减装置衰减量的影响。
需要说明的是，该波导极化衰减装置的工作原理如下：
太赫兹波发射组件2发出的太赫兹波经过第一TPX透镜401准直后在第一离轴抛物面镜403的中心位置形成光斑，该第一离轴抛物面镜403的反射面将准直太赫兹波汇聚至焦点处后发散传播到第二离轴抛物面镜503形成平行传播的太赫兹波后经过第二TPX透镜501汇聚到太赫兹波接收组件3；分别在第一离轴抛物面镜403与第一TPX透镜401之间插入带有可调整方向的第一极化栅网402，及在第二离轴抛物面镜503与第二TPX透镜501之间插入带有可调整方向的第二极化栅网502，且两极化栅网均可沿着垂直于光轴的方向进行旋转；通过改变两个极化栅网的旋转角度，使太赫兹波中垂直于极化栅网网线方向的分量透过，从而实现电磁波信号的衰减量。
进一步地，该波导极化衰减装置的衰减量包括但并不限于以下任意一种或几种组合：太赫兹波发射组件2的损耗、太赫兹波接收组件3的损耗、第一TPX透镜401对太赫兹波的吸收、第二TPX透镜501对太赫兹波的吸收、第一离轴抛物面镜403的面型误差、第二离轴抛物面镜503的面型误差、第一极化栅网402引入的损耗、第二极化栅网502引入的损耗及该波导极化衰减装置自身的安装误差。
如图3所示，于一实施例中，本发明的采用上述的波导极化衰减装置实现的波导极化衰减方法，包括以下步骤：
步骤S1、控制太赫兹波发射组件发射太赫兹波，以使所述太赫兹波依次经第一可调极化组件和第二可调极化组件后，汇聚至太赫兹波接收组件。
步骤S2、在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
于一实施例中，所述衰减量产生的原因包括以下任意一种或几种组合：所述太赫兹波发射组件的损耗、所述太赫兹波接收组件的损耗、所述第一可调极化组件产生的、所述第二可调极化组件产生的及所述波导极化衰减装置的安装误差。
需要说明的是，本发明所述的波导极化衰减方法的保护范围不限于本实施例列举的步骤执行顺序，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的步骤增减、步骤替换所实现的方案都包括在本发明的保护范围内。
需要说明的是，该波导极化衰减方法的工作原理与上述波导极化衰减装置的工作原理相同，故在此不再赘述。
综上所述，本发明的波导极化衰减装置及方法，与现有技术相比，本发明具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调；本发明中引入的非球面的TPX透镜，不仅对太赫兹频段有高透性，还可降低该波导极化衰减装置的安装难度；所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种波导极化衰减装置，其特征在于，包括：屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；其中，
所述屏蔽外壳为封闭结构，且所述屏蔽外壳的内部为空心结构；
所述太赫兹波发射组件设置在所述屏蔽外壳的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳内发射太赫兹波；
所述第一可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且对应所述太赫兹波发射组件设置；
所述第二可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且设置在所述第一可调极化组件的下方，对应所述太赫兹波接收组件设置；
所述太赫兹波接收组件设置在所述屏蔽外壳的第二侧壁上；所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；
所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播时，依次经所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件后，汇聚至所述太赫兹波接收组件；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构；
在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
2.根据权利要求1所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第一可调极化组件包括：第一TPX透镜、第一极化栅网、第一离轴抛物面镜及第一转动调节机构；其中，
所述第一TPX透镜对应所述太赫兹波发射组件设置，用于对所述太赫兹波进行准直扩束；
所述第一极化栅网设置在所述第一TPX透镜与所述第一离轴抛物面镜之间；经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波透过所述第一极化栅网至所述第一离轴抛物面镜；
所述第一转动调节机构与所述第一极化栅网连接，用于转动所述第一极化栅网，以调节经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波方向与所述第一极化栅网的网线方向之间的夹角。
3.根据权利要求2所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第二可调极化组件包括：第二TPX透镜、第二极化栅网、第二离轴抛物面镜及第二转动调节机构；其中，
所述第二离轴抛物面镜设置在所述第一离轴抛物面镜的下方，且所述第二离轴抛物面镜的焦点与所述第一离轴抛物面镜的焦点重合；
所述第二极化栅网设置在所述第二TPX透镜与所述第二离轴抛物面镜之间；
所述第二TPX透镜对应所述太赫兹波接收组件设置；
所述第二转动调节机构与所述第二极化栅网连接，用于转动所述第二极化栅网，以调节经所述第二离轴抛物面镜后的太赫兹波方向与所述第二极化栅网的网线方向之间的夹角。
4.根据权利要求3所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第一极化栅网在所述第一转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第一TPX透镜中心轴线垂直的方向转动；所述第二极化栅网在所述第二转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第二TPX透镜中心轴线垂直的方向旋转。
5.根据权利要求3所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述太赫兹波发射组件与所述第一离轴抛物面镜共轴；所述太赫兹波接收组件与所述第二离轴抛物面镜共轴。
6.根据权利要求3所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第一离轴抛物面镜和所述第二离轴抛物面镜的反射面上均镀有增透膜。
7.根据权利要求1所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述屏蔽外壳的内壁上涂覆有吸波层。
8.根据权利要求1所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述太赫兹波发射组件包括：太赫兹波设备和发射端口；其中，
所述太赫兹波设备设置在所述屏蔽外壳的外侧，用于产生所述太赫兹波；
所述发射端口与所述太赫兹波设备连接，且设置在所述屏蔽外壳内，用于将所述太赫兹波发射至所述屏蔽外壳内，以使所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播。
9.一种采用权利要求1至8中任一项所述的波导极化衰减装置实现的波导极化衰减方法，其特征在于，包括以下步骤：
控制太赫兹波发射组件发射太赫兹波，以使所述太赫兹波依次经第一可调极化组件和第二可调极化组件后，汇聚至太赫兹波接收组件；
在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。
10.根据权利要求9所述的波导极化衰减方法，其特征在于，所述太赫兹波信号功率衰减量产生的原因包括以下任意一种或几种组合：所述太赫兹波发射组件的损耗、所述太赫兹波接收组件的损耗、所述第一可调极化组件产生的安装误差、所述第二可调极化组件产生的安装误差及所述波导极化衰减装置的安装误差。
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