CN112992505B - 耦合电感结构 - Google Patents
耦合电感结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112992505B CN112992505B CN202110175847.3A CN202110175847A CN112992505B CN 112992505 B CN112992505 B CN 112992505B CN 202110175847 A CN202110175847 A CN 202110175847A CN 112992505 B CN112992505 B CN 112992505B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- path
- winding
- winding structure
- coupled inductor
- magnetic core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 254
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007907 direct compression Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/30—Fastening or clamping coils, windings, or parts thereof together; Fastening or mounting coils or windings on core, casing, or other support
- H01F27/306—Fastening or mounting coils or windings on core, casing or other support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
公开了一种耦合电感结构，包括与磁芯匹配设置的第一绕组结构和第二绕组结构，第一绕组结构包括第一部分，第二绕组结构包括第二部分，第一部分和第二部分上的磁通至少部分抵消。本发明的耦合电感结构使第一绕组结构和第二绕组结构对应的第一部分和第二部分上的磁通至少部分抵消，抵消部分对应该第一绕组结构和第二绕组结构的互感，提高了耦合电感结构的功率密度。
Description
技术领域
本发明涉及电感器技术领域，具体地，涉及耦合电感结构。
背景技术
耦合电感越来越多的运用于VRM(Voltage Regulator Module，电压调节模组)电路，由于在交错操作(Interleave operation)情况下，负耦合特性可以减小纹波，提高电感的动态特性。由于直流磁通抵消，还能相应的减少磁性元件的尺寸。
目前，双路耦合电感结构主要如图1所示，包括铁氧体21和铁氧体22，铁氧体22的上表面和侧表面有凹槽，用于绕组10的安装，通过三个气隙22a的大小来调节电感的耦合程度，其中，该双路耦合电感的铁氧体的饱和磁通密度比较低，功率密度较低。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种耦合电感结构，从而提高耦合电感结构的功率密度，提升耦合电感结构的性能。
根据本发明的一方面，提供一种耦合电感结构，其特征在于，包括：
交叉设置的第一绕组结构和第二绕组结构，以及与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构匹配的磁芯，
其中，所述第一绕组结构至少包括第一部分，所述第二绕组结构至少包括第二部分，所述第一部分上的磁通与所述第二部分上的磁通至少部分相互抵消。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构均被配置为非闭合环状结构，所述非闭合环状结构包括具有不同的高度的第一结构，且所述第一结构被配置为可向所述第一结构的一侧延伸；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置以根据具有不同的高度的所述第一结构形成环状空间；
所述磁芯至少被设置在所述环状空间内。
可选地，所述第一结构包括支撑结构和平行结构；所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置后，所述第一绕组结构的平行结构和所述第二绕组的平行结构沿着高度方向设置，且彼此呈平行关系，以抵消部分磁通。
可选地，所述非闭合环状结构还包括连接所述第一结构的平行结构的第二结构。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉对称设置。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构为以所述耦合电感结构的中心垂线为轴的180度对称结构。
可选地，所述磁芯还被设置以包覆所述第一绕组结构和所述第二绕组结构。
可选地，所述第一结构的平行结构包括：第一路径，水平设置，具有第一高度；第二路径，水平设置，与所述第一路径水平间隔，具有第二高度，所述第一高度高于所述第二高度，所述第二路径与所述第二路径平行。
可选地，所述第一路径与所述第二路径长度相等。
可选地，所述第一结构的支撑结构包括：第四路径，垂直设置，由所述第一路径的第二端向下延伸；第五路径，垂直设置，由所述第二路径的第二端向下延伸。
可选地，所述第二结构包括：
第三路径，所述第一路径的第一端和所述第二路径的第一端的朝向相同，所述第三路径为Z字形结构，且Z字形结构的上段和下段均水平设置，分别连接至所述第一路径的第一端和所述第二路径的第一端，所述Z字形结构的中间段为垂直结构；
第六路径，垂直设置，由所述第三路径的Z字形结构的下段向下延伸。
可选地，所述第一绕组结构的第一路径的磁通与所述第二绕组结构的第二路径上的磁通至少部分相互抵消，所述第一绕组结构第二路径的磁通与所述第一绕组结构第一路径的磁通上的至少部分相互抵消。
可选地，所述耦合电感结构被配置为通过增加所述平行结构的长度，以增大所述第一绕组结构和第二绕组结构之间的互感。
可选地，所述耦合电感结构被配置为通过减小第一绕组结构的平行结构和第二绕组结构的平行结构的在垂直方向或水平方向的间距，以增大所述第一绕组结构和第二绕组结构之间的互感。
可选地，所述耦合电感结构被配置为通过增加所述第二结构的水平长度，以增大所述第一绕组结构或第二绕组结构的自感。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径的延伸终点的水平高度一致。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径、第三路径、第四路径、第五路径和第六路径的绕组结构均为板状结构，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径、第四路径和第五路径的对应的板面与第一平面平行，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第三路径和第六路径对应的板面与第二平面平行，
所述第一平面与所述第二平面垂直，且与所述第四路径的延伸方向平行。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径和第三路径的绕组结构均为板状结构，且板面与水平方向平行；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径的绕组结构均为板状结构，且相互平行，并与所述第一路径的延伸方向垂直。
可选地，所述磁芯包括：
第一磁芯，设置在所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的包围空间中；
第二磁芯，设置在所述第六路径的延伸终点对应的水平面以上的空间，包覆在所述第一磁芯、所述第一绕组结构和所述第二绕组结构外。
可选地，所述第一磁芯的磁导率大于所述第二磁芯的磁导率。
可选地，所述第一磁芯和所述第二磁芯的材料均为金属粉芯材料。
可选地，所述第一磁芯包括主体和底盘，所述主体为六面体结构，所述底盘为板型结构，所述底盘的板面下表面与所述第六路径的延伸终点的水平位置一致；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径和第三路径贴合所述第一磁芯的主体的侧壁设置。
可选地，所述第一磁芯的底盘包括多个凸出结构，所述多个凸出结构设置在所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径之间的间隙之间，所述多个凸出结构为方形凸出，且各侧壁与所述第一磁芯的主体的各侧壁平行或垂直。
可选地，所述多个凸出结构中包括第一凸出结构，所述第一凸出结构的延伸方向与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径和第二路径的延伸方向一致，且所述第一凸出结构的延伸终点与相应的所述第一路径和所述第二路径的第二端的终点位于同一垂面上。
可选地，所述多个凸出结构中包括第二凸出结构，所述第二凸出结构的延伸方向与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径和第二路径的延伸方向垂直，且所述第二凸出结构穿过与之对应第一路径和第二路径的绕组结构的外表面所在的垂面。
可选地，所述磁芯为单芯材的立方体结构，
所述磁芯填充所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的包围空间，并包覆所述第一绕组结构和所述第二绕组结构。
可选地，所述第一绕组结构的第一路径和第二路径与所述第二绕组结构的第一路径和第二路径对应的垂直面彼此间隔。
可选地，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构选为铜材料。
本发明提供的耦合电感结构包括交叉设置的第一绕组结构和第二绕组结构，以及与第一绕组结构和第二绕组结构匹配的磁芯，其中，第一绕组结构至少包括第一部分，第二绕组结构至少包括第二部分，第一部分上的磁通与第二部分上的磁通至少部分相互抵消，以形成至少部分具有互感的结构，提升耦合电感结构的功率密度。
第一绕组结构和第二绕组结构以耦合电感结构的中心垂线为轴可180旋转对称，第一绕组结构和第二绕组结构均包括第一高度的第一路径和第二高度的第二路径，第一路径和第二路径水平间隔，第一路径和第二路径的朝向相同的第一端通过第三路径连接，使第一绕组结构和第二绕组结构相互回旋包围彼此，形成立体的绕组结构，提高了耦合电感结构的功率密度。
第一绕组结构和第二绕组结构的各路径绕组为板状结构，工艺难度低，便于制作生产。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出了根据现有技术的双路耦合电感的结构示意图；
图2和图3示出了根据本发明实施例的耦合电感结构的绕组结构的结构示意图；
图4、图5和图6示出根据本发明实施例的耦合电感结构的工艺流程示意图；
图7示出了根据本发明另一实施例的绕组结构的结构示意图；
图8示出了根据本发明另一实施例的耦合电感结构的结构示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
本发明提供一种耦合电感结构，包括交叉设置的第一绕组结构和第二绕组结构，以及与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构匹配的磁芯，其中，所述第一绕组结构至少包括第一部分，所述第二绕组结构至少包括第二部分，所述第一部分上的磁通与所述第二部分上的磁通至少部分相互抵消。
图2和图3示出了根据本发明实施例的耦合电感结构的绕组结构的结构示意图。
参照图2和图3，本发明实施例的耦合电感结构的绕组结构100包括非闭合环状结构的第一绕组结构110和第二绕组结构120，第一绕组结构110和第二绕组结构120交叉设置，且具有对称结构，所述绕组结构100包括磁通相互抵消的第一部分101和磁通不抵消的第二部分102，其中，第一部分101中的箭头指向对应同一时刻的对应部分的电流方向。
在本实施例中，所述非闭合环状结构包括具有不同的高度的第一结构，且所述第一结构被配置为可向所述第一结构的一侧延伸；所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置以根据具有不同的高度的所述第一结构形成环状空间；所述磁芯至少被设置在所述环状空间内。所述第一结构包括支撑结构和平行结构；所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置后，所述第一绕组结构的平行结构和所述第二绕组的平行结构沿着高度方向设置，且彼此呈平行关系，以抵消部分磁通。
具体地，所述第一结构的平行结构包括水平设置的第一路径111和第二路径112，第一路径111和第二路径112彼此平行，且第一路径111具有第一高度，第二路径112具有第二高度，第一高度大于第二高度，且第一路径111的绕组结构和第二路径112的绕组结构在垂直方向上间隔开，对应第一绕组结构110和第二绕组结构120对应的第一路径和第二路径彼此错开，对应形成第一部分101。第一路径和第二路径沿高度方向设置，彼此平行，以抵消部分磁通。
所述非闭合环状结构还包括连接所述第一结构的平行结构的第二结构，所述第二结构包括第三路径113和第六路径116。具体地，第一路径111和第二路径112在水平方向上也彼此间隔，其朝向相同的第一端通过第三路径113连接，第三路径113为Z字形结构，其上段和下段端点分别连接至第一路径111的第一端和第二路径112的第一端，且该Z字形结构的第三路径113的上段和下段为水平结构，中段为垂直结构。第六路径116与第三路径113的下段连接，垂直向下延伸。第三路径113所在垂直面与第一路径111和第二路径112各自所在的垂直面垂直，形成方形的半包围空间，第一绕组结构110和第二绕组结构120交叉设置，整体形成一个环状空间，磁芯至少设置在该环状空间中。进一步地，所述磁芯还包覆所述第一绕组结构和所述第二绕组结构。
所述第一结构的支撑结构包括第四路径114和第五路径115，其中，第四路径114与第一路径111连接，由第一路径111的第二端垂直向下延伸；第五路径115与第二路径112连接，由第二路径112的第二端垂直向下延伸。第四路径114、第五路径115和第六路径116延伸终点的水平高度一致，对应耦合电感结构的底面，可作为耦合电感结构的电引出端，与需求本发明实施例的耦合电感结构的电路连接，还可以形成三点支撑，便于组装时的稳定放置。
第一绕组结构110和第二绕组结构120以绕组结构100的中心垂线为轴，为180度旋转对称结构，即绕组结构100以其中心垂线为轴旋转180度后与自身重合。
在本实施例中，绕组结构100的各路径均为板状结构，具体地，第一路径111、第二路径112、第四路径114和第五路径115的板面平行，与第三路径113和第六路径116的板面垂直，整体可通过钣金件直接弯曲折成，也可通过模具浇注成型，绕组结构100的材料为铜等导电材料。
本发明实施例的绕组结构100通过调节第一部分101对应的第一路径和第二路径的长度和间距(主要为在延伸方向的投影重合的部分的长度和间距)，可调节互感，例如，增加第一部分101对应的第一路径和第二路径的长度可增加两个绕组结构之间的互感，减小第一绕组结构的第一路径或第二路径与第二绕组结构的第二路径或第一路径之间的垂直方向或水平方向的间距，可增加第一绕组结构和第二绕组结构之间的互感；调节第二部分102对应的第三路径的长度可调节单相本身的自感，例如，增加第三路径上段和下段的水平长度可增加第一绕组结构或第二绕组结构的自感。
即本实施例的耦合电感结构的第一绕组结构110的第一路径111和第二路径112对应第一绕组结构110的第一部分，第二绕组结构120的第一路径和第二路径对应第二绕组结构120的第二部分，第一部分和第二部分的位于同一侧的第一路径和第二路径在其延伸方向上的投影至少部分重合，至少投影重合对应的部分的磁通相互抵消。
图4、图5和图6示出根据本发明实施例的耦合电感结构的工艺流程示意图。
参照图4、图5和图6，本发明实施例的耦合电感结构采用第一金属粉芯材料通过一次成型获得如图4所示的第一磁芯210，第一磁芯210包括主体211和底盘212。所述主体211为六面体结构，所述底盘为板型结构，其中，第一磁芯210的各侧壁之间的夹角为圆角或直角结构。其中，第一磁芯210通过模具压制成型。
然后将绕组结构100套设在第一磁芯210上，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径和第三路径贴合所述第一磁芯的主体的侧壁设置。绕组结构100的第四路径、第五路径和第六路径的延伸终点对应的平面与第一磁芯210的底盘212的底面重叠，底盘212包括多个凸出结构，对应设置在绕组结构100的第四路径、第五路径和第六路径之间的间隙之间，多个凸出结构的延伸方向与主体211的相应侧面的朝向一致，且为方形凸出，多个凸出结构的侧壁与主体211的侧壁平行或垂直。其中，该多个凸出结构可用于绕组结构100的定位，稳定绕组结构100的结构特性，提高量产中的耦合系数的稳定控制，提高良率。
多个凸出结构中包括第一凸出结构2121和第二凸出结构2122，第一凸出结构2121和第二凸出结构2122的凸出延伸方向分别与绕组结构100中的第一路径和第二路径的延伸方向平行和垂直，第一凸出结构2121的延伸终点与对应的绕组结构100中的第一路径和第二路径的延伸终点位于同一垂直面上，第二凸出结构2122穿过对应的第一路径或第一路径的绕组结构的外表面(绕组结构100的中心垂线水平向外的方向为外)对应的垂面。
底盘2122为板状结构，在本实施例中，底盘2122的厚度与第五路径115的延伸长度相等。
绕组结构100设置完成后获得如图5所示结构，并将图5所示结构放置在磨具中，填充第二金属粉芯材料，压制制作第二磁芯220，获得如图6所示的耦合电感结构。在本实施例中，第二磁芯220为立方体型，设置在第一磁芯210的底面以上的空间中，高度与第一磁芯210的高度一致。在其他实施例中，所述第二磁芯220的高度可高于所述第一磁芯的高度，在此不做特别限制。
在本实施例中，第一金属粉芯材料的磁导率高于第二金属粉芯材料的磁导率，本申请对其具体参数不作特别限定，在可选实施例中，第一磁芯210的磁导率为100H/m，第二磁芯220的磁导率为30-40H/m。
图7示出了根据本发明另一实施例的绕组结构的结构示意图。
如图7所示，本实施例的绕组结构100的各路径之间的连接为曲线连接，且其第一绕组结构110和第二绕组结构120的第一路径、第二路径和第三路径为扁平的板面装置结构，板面与水平面平行，第三路径的Z字形结构的中段板面垂直于Z字形结构的上段的延伸方向，第四路径、第五路径和第六路径的板面与第一路径的延伸方向垂直，且与对应的第一路径、第二路径和第三路径的连接为凸出型弯折连接，位于同一方位面的第四路径、第五路径和第六路径的对应的绕组结构的板面对齐，位于同一垂面上。
本实施例的绕组结构100整体可通过弯折成型或浇注成型，且扁平结构使绕组结构在垂直方向上的宽度较小，可减小磁阻，提高相互耦合，可提升第一绕组结构和第二绕组结构之间的耦合系数。
图8示出了根据本发明另一实施例的耦合电感结构的结构示意图。
如图8所示，本发明另一实施例的耦合电感结构的磁芯200为单结构，磁芯200为立方体型，绕组结构100设置在磁芯200内部，具体地，磁芯200填充绕组结构100包围的空间并覆盖整个绕组结构100。通过将绕组结构100对称组合后放入模具，填充金属粉芯直接压制成型，工艺简单。
其中，在本实施例中，其绕组结构的第一路径和第二路径比较短，第三路径比较长，绕组结构100的第一绕组结构和第二绕组结构的对应的第一路径和第二路径位于不同的垂直面上，且第一路径在外围，在可选实施例中，第二路径在外围。在本实施例中，绕组结构的弯折轴线垂直的折角的外角为圆角。
本发明提供的耦合电感结构包括与磁芯匹配设置的第一绕组结构和第二绕组结构，第一绕组结构和第二绕组结构以耦合电感结构的中心垂线为轴可180旋转对称，第一绕组结构和第二绕组结构均包括第一高度的第一路径和第二高度的第二路径，第一路径和第二路径水平间隔，第一路径和第二路径的朝向相同的第一端通过第三路径连接，使第一绕组结构和第二绕组结构相互回旋包围彼此，形成立体的绕组结构，提高了耦合电感结构的功率密度。
第一绕组结构和第二绕组结构的各路径对应的绕组结构均为板状结构，便于制作，降低了工艺难度，降低了生产成本。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (27)
1.一种耦合电感结构，其特征在于，包括：
交叉设置的第一绕组结构和第二绕组结构，以及与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构匹配的磁芯，
其中，所述第一绕组结构至少包括第一部分，所述第二绕组结构至少包括第二部分，所述第一部分上的磁通与所述第二部分上的磁通至少部分相互抵消，
所述耦合电感结构绕其中心垂线旋转180度后，所述第一绕组结构与所述第二绕组结构的原位置重合，所述第二绕组结构与所述第一绕组结构的原位置重合；
所述磁芯包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯设置在所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的包围空间中；所述第二磁芯包覆在所述第一磁芯、所述第一绕组结构和所述第二绕组结构外；
所述第一磁芯包括主体和底盘，所述底盘为板型结构，所述底盘的板面下表面与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的延伸终点的水平位置一致；所述底盘包括多个凸出结构，对应设置在所述第一绕组结构和所述第二绕组结构之间的间隙之间；所述第一绕组结构的所述第一部分和所述第二绕组结构的所述第二部分贴合所述第一磁芯的主体的侧壁设置。
2.根据权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构均被配置为非闭合环状结构，所述非闭合环状结构包括具有不同的高度的第一结构，且所述第一结构被配置为可向所述第一结构的一侧延伸；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置以根据具有不同的高度的所述第一结构形成环状空间；
所述磁芯至少被设置在所述环状空间内。
3.根据权利要求2所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一结构包括支撑结构和平行结构；所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉设置后，所述第一绕组结构的平行结构和所述第二绕组的平行结构沿着高度方向设置，且彼此呈平行关系，以抵消部分磁通。
4.根据权利要求3所述的耦合电感结构，其特征在于，所述非闭合环状结构还包括连接所述第一结构的平行结构的第二结构。
5.根据权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构交叉对称设置。
6.根据权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构为以所述耦合电感结构的中心垂线为轴的180度对称结构。
7.根据权利要求4所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一结构的平行结构包括：第一路径，水平设置，具有第一高度；第二路径，水平设置，与所述第一路径水平间隔，具有第二高度，所述第一高度高于所述第二高度，所述第二路径与所述第二路径平行。
8.根据权利要求7所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一路径与所述第二路径长度相等。
9.根据权利要求7所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一结构的支撑结构包括：第四路径，垂直设置，由所述第一路径的第二端向下延伸；第五路径，垂直设置，由所述第二路径的第二端向下延伸。
10.根据权利要求9所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第二结构包括：
第三路径，所述第一路径的第一端和所述第二路径的第一端的朝向相同，所述第三路径为Z字形结构，且Z字形结构的上段和下段均水平设置，分别连接至所述第一路径的第一端和所述第二路径的第一端，所述Z字形结构的中间段为垂直结构；
第六路径，垂直设置，由所述第三路径的Z字形结构的下段向下延伸。
11.根据权利要求7所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一绕组结构的第一路径的磁通与所述第二绕组结构的第二路径上的磁通至少部分相互抵消，所述第一绕组结构第二路径的磁通与所述第一绕组结构第一路径的磁通上的至少部分相互抵消。
12.根据权利要求3所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述耦合电感结构被配置为通过增加所述平行结构的长度，以增大所述第一绕组结构和第二绕组结构之间的互感。
13.根据权利要求3所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述耦合电感结构被配置为通过减小第一绕组结构的平行结构和第二绕组结构的平行结构的在垂直方向或水平方向的间距，以增大所述第一绕组结构和第二绕组结构之间的互感。
14.根据权利要求4所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述耦合电感结构被配置为通过增加所述第二结构的水平长度，以增大所述第一绕组结构或第二绕组结构的自感。
15.根据权利要求10所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径的延伸终点的水平高度一致。
16.根据权利要求10所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径、第三路径、第四路径、第五路径和第六路径的绕组结构均为板状结构，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径、第四路径和第五路径的对应的板面与第一平面平行，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第三路径和第六路径对应的板面与第二平面平行，
所述第一平面与所述第二平面垂直，且与所述第四路径的延伸方向平行。
17.根据权利要求10所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径和第三路径的绕组结构均为板状结构，且板面与水平方向平行；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径的绕组结构均为板状结构，且相互平行，并与所述第一路径的延伸方向垂直。
18.根据权利要求10所述的耦合电感结构，其特征在于，所述
第二磁芯，设置在所述第六路径的延伸终点对应的水平面以上的空间。
19.根据权利要求18所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一磁芯的磁导率大于所述第二磁芯的磁导率。
20.根据权利要求18所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一磁芯和所述第二磁芯的材料均为金属粉芯材料。
21.根据权利要求18所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述主体为六面体结构，所述底盘的板面下表面与所述第六路径的延伸终点的水平位置一致；
所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径、第二路径和第三路径贴合所述第一磁芯的主体的侧壁设置。
22.根据权利要求21所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述多个凸出结构设置在所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第四路径、第五路径和第六路径之间的间隙之间，所述多个凸出结构为方形凸出，且各侧壁与所述第一磁芯的主体的各侧壁平行或垂直。
23.根据权利要求22所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述多个凸出结构中包括第一凸出结构，所述第一凸出结构的延伸方向与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径和第二路径的延伸方向一致，且所述第一凸出结构的延伸终点与相应的所述第一路径和所述第二路径的第二端的终点位于同一垂面上。
24.根据权利要求22所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述多个凸出结构中包括第二凸出结构，所述第二凸出结构的延伸方向与所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的第一路径和第二路径的延伸方向垂直，且所述第二凸出结构穿过与之对应第一路径和第二路径的绕组结构的外表面所在的垂面。
25.根据权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述磁芯为单芯材的立方体结构，
所述磁芯填充所述第一绕组结构和所述第二绕组结构的包围空间，并包覆所述第一绕组结构和所述第二绕组结构。
26.根据权利要求7所述的耦合电感结构，其特征在于，
所述第一绕组结构的第一路径和第二路径与所述第二绕组结构的第一路径和第二路径对应的垂直面彼此间隔。
27.根据权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于，所述第一绕组结构和所述第二绕组结构选为铜材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110175847.3A CN112992505B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 耦合电感结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110175847.3A CN112992505B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 耦合电感结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112992505A CN112992505A (zh) | 2021-06-18 |
| CN112992505B true CN112992505B (zh) | 2022-04-15 |
Family
ID=76392531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110175847.3A Active CN112992505B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 耦合电感结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112992505B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201112113Y (zh) * | 2007-09-30 | 2008-09-10 | 深圳市浦天利光电技术有限公司 | 一种集成有独立电感元件的变压器 |
| CN103081325A (zh) * | 2010-05-24 | 2013-05-01 | 沃特拉半导体公司 | 利于改进的印刷电路板布局的两相耦合电感器 |
| CN104851553A (zh) * | 2014-02-17 | 2015-08-19 | 沃尔泰拉半导体公司 | 低高度铁氧体电感器和相关方法 |
| CN111415812A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 耦合电感及电源模块 |
| US10910142B1 (en) * | 2011-02-28 | 2021-02-02 | Volterra Semiconductor LLC | Air core coupled inductors and associated systems and methods |
-
2021
- 2021-02-09 CN CN202110175847.3A patent/CN112992505B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201112113Y (zh) * | 2007-09-30 | 2008-09-10 | 深圳市浦天利光电技术有限公司 | 一种集成有独立电感元件的变压器 |
| CN103081325A (zh) * | 2010-05-24 | 2013-05-01 | 沃特拉半导体公司 | 利于改进的印刷电路板布局的两相耦合电感器 |
| US10910142B1 (en) * | 2011-02-28 | 2021-02-02 | Volterra Semiconductor LLC | Air core coupled inductors and associated systems and methods |
| CN104851553A (zh) * | 2014-02-17 | 2015-08-19 | 沃尔泰拉半导体公司 | 低高度铁氧体电感器和相关方法 |
| CN111415812A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 耦合电感及电源模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112992505A (zh) | 2021-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10902989B2 (en) | Packaging structure of a magnetic device | |
| KR20120011875A (ko) | 표면 실장 자성 부품 및 그 제작 방법 | |
| US20100308950A1 (en) | Choke | |
| US8049588B2 (en) | Coil device | |
| JP5505075B2 (ja) | コイル封入圧粉磁心 | |
| CN107210118A (zh) | 电抗器 | |
| JP2015015470A (ja) | 低背型表面実装電磁部品アセンブリおよび製造方法 | |
| JP2002134330A (ja) | コイル部品 | |
| TWI656541B (zh) | 用於一電路板之表面安裝組件總成 | |
| JP2015231024A (ja) | リアクトル | |
| CN112992505B (zh) | 耦合电感结构 | |
| JPH11111526A (ja) | 巻線型チップインダクタ | |
| JP2009033049A (ja) | 磁性素子 | |
| JPH0410660Y2 (zh) | ||
| KR20220157267A (ko) | 보빈과 이를 포함하는 변압 장치 | |
| KR20170014598A (ko) | 코일 전자부품 및 그 제조방법 | |
| JPH0410723B2 (zh) | ||
| JPH0536252Y2 (zh) | ||
| TWI858523B (zh) | 高精度三氣隙磁芯的繞線式電感元件 | |
| US20240347262A1 (en) | Coupled inductor | |
| CN221946933U (zh) | 一种obc车载快充三相共模电感器 | |
| TWI816289B (zh) | 耦合電感器及其製作方法 | |
| JPH05166623A (ja) | 小形固定コイル | |
| TW202431293A (zh) | 使用三氣隙磁芯的繞線式電感元件 | |
| CN107346701A (zh) | 多合一电感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20211217 Address after: 230088 Jisi space 1 368, software park, No. 10 Tiantong Road, high tech Zone, Hefei, Anhui Applicant after: Hefei silijie Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 210042 Room 302, building 7, 699-27 Xuanwu Avenue, Xuanwu District, Nanjing City, Jiangsu Province Applicant before: Nanjing Sili Microelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |