CN112992026A - 检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法 - Google Patents

检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法，包括：第一光通道和发光检测晶体管，发光检测晶体管的第一端与检测信号端电连接，发光检测晶体管的第二端与基准电压信号端电连接；发光检测晶体管在显示面板处于发光阶段时通过第一光通道接收显示面板中发光元件发出的光，并输出检测漏电流至检测信号端，通过发光检测晶体管对发光元件自身发光效率进行实时检测，提高显示面板的显示效果。

Description

检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器是主要利用有机电致发光二极管制成的显示产品，凭借其亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低的优点，已成为目前的主流显示产品之一。
现有技术中，可以通过内部、外部或者内外混合的电学补偿的方式，来对驱动晶体管的阈值电压漂移进行补偿。然而，电学补偿的方式无法补偿由于OLED器件自身发光效率变化造成的显示不均的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法，以实现对发光元件自身发光效率变化的补偿。
第一方面，本发明实施例提供了一种检测电路，包括：第一光通道和发光检测晶体管，所述发光检测晶体管的第一端与检测信号端电连接，所述发光检测晶体管的第二端与基准电压信号端电连接；所述发光检测晶体管在显示面板处于发光阶段时通过所述第一光通道接收显示面板中发光元件发出的光，并输出检测漏电流至所述检测信号端。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括第一方面任一项所述的检测电路，还包括像素电路，所述像素电路包括：发光元件、驱动晶体管和数据写入模块；
所述数据写入模块用于在数据写入阶段将数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极；
所述驱动晶体管用于根据所述数据信号产生驱动电流，并在发光阶段流入所述发光元件，控制所述发光元件进行发光；
所述显示面板还包括衬底基板，所述发光检测晶体管位于所述衬底基板的一侧；
所述发光元件位于所述发光检测晶体管背离所述衬底基板一侧。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括第二方面任一项所述的显示面板。
第四方面，本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，该驱动方法应用于第二方面任一项所述的显示面板，所述驱动方法包括：
在发光阶段，发光检测晶体管接收发光元件发出的光，并输出检测漏电流至检测信号端。
本发明实施例提供的检测电路、显示面板、显示装置和显示面板的驱动方法，发光检测晶体管通过第一光通道接收该发光检测晶体管所对应的发光元件的发光亮度，并通过发光检测晶体管的第一端输出的检测漏电流确定所对应的发光元件的发光亮度，通过发光检测晶体管实现对发光元件的发光亮度进行实时的检测，根据实时检测的检测漏电流确定每个子像素需要调整的数据电压信号进行补偿，使得各个发光元件之间的亮度均匀性得到提升，而且发光元件的发光效率随使用时间逐渐下降所导致的画面变暗等问题也能得到改善，因而有助于提升产品的使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种检测电路的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种检测电路的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种检测电路的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种显示面板中像素电路的电路结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板中像素电路的电路结构示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板中像素电路的电路结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板中像素电路的电路结构示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种发光元件的俯视示意图；
图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种显示面板的驱动方法的流程示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种检测电路的结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种检测电路的剖面结构示意图，如图1和图2所示，检测电路包括第一光通道10和发光检测晶体管M，发光检测晶体管M的第一端与检测信号端Vt电连接，发光检测晶体管M的第二端与基准电压信号端Vp电连接，发光检测晶体管M在显示面板处于发光阶段时通过第一光通道10接收显示面板中发光元件D发出的光，并输出检测漏电流至检测信号端Vt。
示例性的，结合图1和图2，检测电路包括第一光通道10和发光检测晶体管M，当显示面板处于发光阶段时，发光检测晶体管M的第二端接收基准电压信号端Vp输出的基准电压信号后处于光照漏电流比较大的工作区，发光检测晶体管M通过第一光通道10接收显示面板中发光元件D发出的光，当发光检测晶体管M接收到显示面板中发光元件D发出的光后，发光检测晶体管M的第一端输出检测漏电流至检测信号端Vt，此时检测电路根据检测信号端接收的检测漏电流确定该发光检测晶体管M所对应的发光元件D的发光亮度，对应不同发光元件D的发光亮度，发光检测晶体管M输出至检测信号端Vt的检测漏电流不相同。通过检测信号端Vt接收的检测漏电流实现对与该发光检测晶体管M所对应的发光元件D发光亮度的检测。
由于发光元件D出现的老化现象与发光元件的使用时间、发光亮度等因素有关，当对应不同像素单元的发光元件D的发光亮度不同时，对应不同像素单元的发光元件存在不同程度的老化现象会影响显示面板的显示效果。本申请中发光检测晶体管M通过第一光通道10接收该发光检测晶体管M所对应的发光元件D的发光亮度，并通过发光检测晶体管M的第一端输出的检测漏电流确定该发光检测晶体管所对应的发光元件D的发光亮度。相比较现有技术中根据出厂前用相机对屏幕亮度的抓取进而判断每个子像素所对应的发光元件D的亮度情况，然后通过算法算出每个子像素需要增减的数据电压信号进行补偿，本申请通过发光检测晶体管实现对发光元件的发光亮度进行实时的检测，根据实时检测的检测漏电流确定每个子像素需要调整的数据电压信号进行补偿，使得各个发光元件之间的亮度均匀性得到提升，而且发光元件的发光效率随使用时间逐渐下降所导致的画面变暗等问题也能得到改善，因而有助于提升产品的使用寿命。
本发明实施例提供的检测电路，发光检测晶体管通过第一光通道接收该发光检测晶体管所对应的发光元件的发光亮度，并通过发光检测晶体管的第一端输出的检测漏电流确定所对应的发光元件的发光亮度，通过发光检测晶体管实现对发光元件的发光亮度进行实时的检测，根据实时检测的检测漏电流确定每个子像素需要增加的数据电压信号进行补偿，使得各个发光元件之间的亮度均匀性得到提升，而且发光元件的发光效率随使用时间逐渐下降所导致的画面变暗等问题也能得到改善，因而有助于提升产品的使用寿命。
可选的，继续参见图1，检测电路还包括第一扫描信号端Scan，发光检测晶体管M的栅极与第一扫描信号端Scan电连接，当基准电压信号端Vp提供基准电压时，第一扫描信号端Scan提供第一截止电压，第一截止电压和基准电压差值大于第一预设值，在第一预设值下，发光检测晶体管M的漏电流为检测极限值。
示例性的，继续参见图1，检测电路的第一扫描信号端Scan与发光检测晶体管M的栅极电连接，当基准电压信号端Vp提供基准电压信号至发光检测晶体管M的第二端时，第一扫描信号端Scan提供第一截止电压信号，此时发光检测晶体管M在第一截止电压信号的控制下处于截止状态，发光检测晶体管M的第一端输出检测漏电流至检测信号端Vt，此时检测电路根据检测信号端Vt接收的检测漏电流确定该发光检测晶体管M所对应的发光元件D的发光亮度，通过检测信号端Vt接收的检测漏电流实现对与该发光检测晶体管M所对应的发光元件D发光亮度的检测。
需要说明的是，由于发光检测晶体管能够检测的漏电流的信号比较小，而噪音信号比较大，信噪比很低，为保证发光检测晶体管能够检测到检测漏电流，通过设置第一截止电压和基准电压差值大于第一预设值，其中第一预设值指的是能够识别漏电流的临界值，即保证发光检测晶体管M在第一预设值下，能够检测到的检测漏电流信号，提高发光检测晶体管M对发光元件D发光亮度的检测的精度。
可选的，在上述实施例的基础上，图3是本发明实施例提供的另一种检测电路的剖面结构示意图，如图3所示，发光检测晶体管M有源层40包括沟道区41和重掺杂区42，且沟道区41与重掺杂区42直接接触。
如图3所示，发光检测晶体管M的有源层包括作为沟道的轻掺杂区，以及在轻掺杂区两端分别设有作为漏极的重掺杂区和作为源极的重掺杂区，本申请中通过设置发光检测晶体管M的有源层的沟道区41与重掺杂区42直接接触，可以使得光生漏电流增加，进而增大发光检测晶体管M输出至检测信号端Vt的检测漏电流，提高发光检测晶体管M对发光元件D发光亮度的检测的精度。
可选的，在上述实施例的基础上，图4是本发明实施例提供的一种显示面板中像素电路的电路结构示意图，图5是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，结合图4和图5显示面板包括上述任一实施例所述的检测电路，还包括像素电路，像素电路包括：发光元件D、驱动晶体管T和数据写入模块20，数据写入模块20用于在数据写入阶段将数据信号写入至驱动晶体管T的栅极，驱动晶体管T用于根据数据信号产生驱动电流，并在发光阶段流入发光元件D，控制发光元件D进行发光。显示面板还包括衬底基板30，发光检测晶体管M位于衬底基板30的一侧，发光元件D位于发光检测晶体管M背离衬底基板30一侧。
像素电路在数据写入阶段通过数据写入模块20向驱动晶体管T的栅极提供数据电压信号，在发光阶段通过驱动晶体管T栅极上的电压控制驱动晶体管T驱动发光元件D发光。但是现有的显示面板中不同子像素所对应的驱动晶体管T会由于工艺、老化等原因出现阈值Vth漂移和迁移率衰减，使得各个子像素所对应的像素电路中驱动晶体管T的特性不一致，显示面板出现显示不均的现象。现有技术中一般通过在出厂前用相机进行屏幕亮度的抓取，判断每个子像素所对应的发光元件D的亮度情况，再通过算法算出每个子像素需要增减的数据电压信号进行补偿，由于相机亮度抓取动作只能在出厂前，不能实现实时的亮度检测发光元件的发光亮度，出厂后，不同场景的显示会对屏幕不同区域的驱动晶体管有着不同程度的老化，屏幕的状态会和出厂前不一样，依然使用出厂前存入的补偿数据没有办法很好的匹配当前屏幕的状态。
基于此，本申请中通过设置显示面板包括上述任一实施例所述的检测电路，且检测电路的发光检测晶体管M位于衬底基板30的一侧，发光元件D位于发光检测晶体管M背离衬底基板30一侧，当显示面板处于发光阶段时，发光检测晶体管M通过第一光通道10接收发光元件D发出的光，当发光检测晶体管M接收到显示面板中发光元件D发出的光后，发光检测晶体管M的第一端输出检测漏电流至检测信号端Vt，此时检测电路根据检测信号端Vt接收的检测漏电流确定该发光检测晶体管M所对应的发光元件D发光亮度，对应不同发光元件的发光亮度，发光检测晶体管M输出至检测信号端Vt的检测漏电流不相同。通过检测信号端Vt接收的检测漏电流实现对与该发光检测晶体管M所对应的发光元件D发光亮度的检测。通过发光检测晶体管实现对发光元件的发光亮度进行实时的检测，根据实时检测的检测漏电流确定每个子像素需要增加的数据电压信号进行补偿，使得各个发光元件之间的亮度均匀性得到提升，而且发光元件的发光效率随使用时间逐渐下降所导致的画面变暗等问题也能得到改善，因而有助于提升产品的使用寿命。
在图5中，驱动晶体管T包括依次层叠设置的有源层51、栅极金属层52和源漏金属层53以及位于有源层51和栅极金属层52之间的第一绝缘层54和位于栅极金属层52和源漏金属层53之间的第二绝缘层55。其中发光检测晶体管M和驱动晶体管T在同一工艺中制备形成，即发光检测晶体管M的有源层40与驱动晶体管T的有源层51在同一层制备工艺中形成，发光检测晶体管M的栅极金属层43与驱动晶体管T的栅极金属层52在同一层制备工艺中形成，发光检测晶体管M的源漏金属层44与驱动晶体管T的源漏金属层53在同一层制备工艺中形成。
需要说明的是，图5中示例性表示驱动晶体管T、发光元件D以及发光检测晶体管M的具体膜层结构示意图，在具体的实时方式中，显示面板还包括复位晶体管、存储电容等元件，本发明实施例不对此进行具体限定。
可选的，在上述实施例的基础上，图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的电路结构示意图，如图6所示，像素电路还包括数据信号端Vdata，发光检测晶体管M设置在数据信号端Vdata和数据写入模块20之间，数据信号端Vdata复用为检测信号端Vt。
示例性的，如图6所示，通过设置发光检测晶体管M的第一端与数据信号端Vdata电连接，发光检测晶体管M的第二端与数据写入模块20电连接，即发光检测晶体管M设置在数据信号端Vdata和数据写入模块20之间，数据信号端Vdata复用为检测信号端Vt。当显示面板处于发光阶段时，发光检测晶体管M输出检测漏电流至数据信号端Vdata，根据数据信号端Vdata接收的检测漏电流确定发光元件D的发光亮度。
由于数据信号端Vdata复用为检测信号端Vt，当显示面板处于发光阶段时，此时数据信号端Vdata无需输入数据信号至数据写入模块20，因此可以通过数据信号端Vdata接收发光检测晶体管M输出的检测漏电流，降低显示面板中信号端口的数量。
可选的，像素电路还包括栅极初始化模块21和/或发光元件初始化模块22，栅极初始化模块21设置在第一初始化信号端Vref1和驱动晶体管T的栅极之间，发光元件初始化模块22设置在第二初始化信号端Vref2和有机发光元件D之间，发光检测晶体管M设置在第一初始化信号端Vref1和栅极初始化模块21之间，第一初始化信号端Vref1复用为检测信号端Vt；或者，发光检测晶体管M设置在第二初始化信号端Vref2和发光元件初始化模块22之间，第二初始化信号端Vref2复用为检测信号端Vt。
需要说明的是，图7示例性表示发光检测晶体管M设置在第一初始化信号端Vref1和栅极初始化模块21之间，第一初始化信号端Vref1复用为检测信号端Vt，图8示例性表示发光检测晶体管M设置在第二初始化信号端Vref2和发光元件初始化模块22之间，第二初始化信号端Vref2复用为检测信号端Vt，在其它可实施方式中，也可以设置检测信号端Vt复用其它信号端口，本发明实施例不对此进行具体限定。
具体的，当发光检测晶体管M设置在第一初始化信号端Vref1和栅极初始化模块21之间，第一初始化信号端Vref1复用为检测信号端Vt时，显示面板处于发光阶段时，第一初始化信号端Vref1不输出第一初始化信号对驱动晶体管T的栅极进行复位，因此，可以通过将第一初始化信号端Vref1复用为检测信号端Vt，在显示面板处于发光阶段时，发光检测晶体管M的第一端输出检测漏电流至第一初始化信号端Vref1，通过第一初始化信号端Vref1接收发光检测晶体管M输出的检测漏电流。当发光检测晶体管M设置在第二初始化信号端Vref2和发光元件初始化模块22之间，第二初始化信号端Vref2复用为检测信号端Vt时，由于第二初始化信号端Vref2输出第二初始化信号对发光元件D进行复位位于发光阶段之后，因此，可以通过第二初始化信号端Vref2接收发光检测晶体管M输出的检测漏电流。
可选的，继续参见如5，如图5所示发光元件D包括在衬底基板30上依次层叠设置的第一电极层31、像素限定层32、发光功能层33和第二电极层34，像素限定层32包括多个开口区320，开口区320露出部分第一电极层31，第一电极层31包括通孔310，通孔310在衬底基板30上的垂直投影与发光检测晶体管M在衬底基板30上的垂直投影具有交叠。
示例性的，如图5所示，通过设置通孔310在衬底基板30的垂直投影与发光检测晶体管M在衬底基板30的垂直投影有交叠，即当显示面板处于发光阶段时，发光检测晶体管M可以通过通孔310检测发光元件D发出的光，进而发光检测晶体管M根据接收到的发光元件D发出的光输出检测漏电流至检测信号端Vt。
可选的，通孔310在衬底基板30的垂直投影位于开口区320在衬底基板30的垂直投影，且通孔310内填充像素限定层32，发光功能层33至少位于第一电极层31以及通孔310中的像素限定层32的表面。
示例性的，继续参见图5，当通孔310在衬底基板30的垂直投影位于开口区320在衬底基板30的垂直投影内时，为避免形成在第一电极层31背离衬底基板30一侧的发光功能层33在通孔310处出现断裂或发光功能层33在通孔310处出现起伏造成发光元件出现亮点或暗点的现象，在形成像素限定层32时在通孔310内填充像素限定层32，保证形成的发光功能层33至少位于第一电极层31以及通孔310中的像素限定层32的表面，避免发光功能层33在通孔310处掉进通孔310内进而出现的断裂现象或发光元件出现亮点或暗点的现象，保证显示面板的显示效果。
可选的，在上述实施例的基础上，图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，如图9所示，第一电极层31包括与开口区320交叠的空穴产生部311和围绕空穴产生部311且与开口区320不交叠的工艺窗口部312，通孔310在衬底基板30的垂直投影位于工艺窗口部312在衬底基板30的垂直投影内。
由于发光元件发出的光是以不同方向出射的，具体的，在其它可实施方式中，也可以设置通孔310在衬底基板30的垂直投影位于工艺窗口部312在衬底基板30的垂直投影内，当发光元件出射的光以不同的角度出射时，以倾斜角度出射的光线可以通过位于工艺窗口部312的通孔被发光检测晶体管M检测到，因此，也可以设置通孔310在衬底基板30的垂直投影位于工艺窗口部312在衬底基板30的垂直投影内。
可选的，在上述实施例的基础上，图10是本发明实施例提供的一种发光元件的俯视示意图，如图10所示，通孔310在衬底基板30的垂直投影为长条形，且长条形包括长轴和短轴，发光检测晶体管M沟道的延伸方向垂直于通孔310长轴的延伸方向。
由于显示面板在制备过程会存在一定的制备偏差，当在制备形成发光检测晶体管M时，发光检测晶体管存在的错位现象会影响发光检测晶体管沟道与通孔的正对面积，由于发光检测晶体管接收到的光线取决于入射到发光检测晶体管的光线，也就是取决于通孔310和发光检测晶体管沟道的正对面积，因此，对位偏差会影响发光检测晶体管接收的发光元件出射的光线，导致无法将漏电流和发光强度进行准确的标定；并且由于对位的偏差会导致不同的晶体管能够接收到光线的区域面积不同，会导致补偿出现偏差，降低发光检测晶体管检测的漏电流的准确性；例如，当两个绿色子像素接收相同的数据电压显示相同的亮度时，由于其中一个子像素的正对面积小，导致其漏电流小，检测到的发光强度更小，因此，IC判断需要对其进行补偿，结果导致原本亮度相同的两个子像素在补偿之后亮度反而出现偏差，降低了显示面板亮度的均一性。而本申请的实施例中，通过设置发光检测晶体管M沟道的延伸方向垂直于通孔310长轴的延伸方向，即保证在制备形成发光检测晶体管的沟道的过程中，即使存在一定的制备偏差，不仅可以保证发光元件出射的光线可以通过通孔被发光检测晶体管M检测到；进一步的，即使存在一定的偏差，也可以保证通孔和发光检测晶体管的沟道正对面积保持一致，提高了补偿的准确性。
可选的，继续参见图4，像素电路还包括阈值补偿模块23和发光控制模块24，阈值补偿模块包括第一晶体管M1，第一晶体管M1的第一端与驱动晶体管T的第二端电连接，第一晶体管M1的第二端与驱动晶体管T的栅极电连接。发光控制模块24包括第二晶体管M2和第三晶体管M3，第二晶体管M2的第一端与第一电源信号端PVDD电连接，第二晶体管M2的第二端与驱动晶体管T的第一端电连接，第三晶体管M3的第一端与驱动晶体管T的第二端电连接，第三晶体管M3的第二端与发光元件D电连接。
示例性的，如图4所示，阈值补偿模块23串联在驱动晶体管T的栅极与驱动晶体管T的第二端之间，用于检测和自补偿驱动晶体管T的阈值电压的偏差。其中，阈值补偿模块包括第一晶体管M1，第一晶体管M1的第一端与驱动晶体管T的第二端电连接，第一晶体管M1的第二端与驱动晶体管T的栅极电连接，当第一晶体管M1的控制端接收扫描信号导通时，此时数据写入模块20向驱动晶体管T提供的数据电压信号通过第一晶体管M1写入到驱动晶体管T的栅极。
在数据写入阶段以及数据写入阶段之前的阶段，发光控制模块24的第二晶体管M2和第三晶体管M3关断，在发光阶段，第二晶体管M2和第三晶体管M3导通，以使驱动晶体管T驱动发光元件D发光。
需要说明的是，图4示例性表示第二晶体管M2的控制端和第三晶体管M3的控制端分别连接一发光控制信号输入端Emit1和Emit2，在其他可实施方式中，也可以设置第二晶体管M2的控制端和第三晶体管M3的控制端可以连接同一发光控制信号输入端。即通过同一发光控制信号控制第二晶体管M2和第三晶体管M3的导通和关断。这样设置可以减少面板中走线的数量。此外，对于低频显示的面试面板，由于频率低，驱动晶体管迟滞效应引起的闪烁限定更容易让人眼察觉。可以通过发光控制信号输入端在发光阶段中输入多个高低电平跳变的脉冲波，实现发光元件在发光阶段中的多次发光与截止，从而避免人眼察觉出闪烁现象。第二晶体管的控制端和第三晶体管的控制端采用同一发光控制信号进行控制，通过将该发光控制信号在发光阶段设置为多个高低电平跳变的脉冲波，即可缓解上述闪烁现象。
可选的，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供一种显示装置，如图11所示，该显示装置包括本发明实施例提供的显示面板01，因此该显示装置也具有本发明实施例提供的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文理解，下文中不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及本领域技术人员可知的其他的显示装置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，在上述实施例的基础上，图12是本发明实施例提供的一种显示面板的驱动方法的流程示意图，该显示面板的驱动方法应用于上述任一实施例所述的显示面板，该驱动方法包括：
S110、在发光阶段，发光检测晶体管接收发光元件发出的光，并输出检测漏电流至检测信号端。
结合图4，当显示面板处于发光阶段时，发光控制信号Emit1和Emit2为有效电平，发光控制模块24中的第二晶体管M2以及第三晶体管M3导通，第二晶体管M2将第一电平信号输入端PVDD提供的第一电平信号传输至驱动晶体管T的第一端，驱动晶体管T导通，驱动发光元件D发光。在显示面板处于发光阶段时，通过向发光检测晶体管的第二端输出基准电压信号端，使得发光检测晶体管处于光照漏电流比较大的工作区，发光检测晶体管通过第一光通道接收显示面板中发光元件发出的光，当发光检测晶体管接收到显示面板中发光元件发出的光后，发光检测晶体管的第一端输出检测漏电流至检测信号端，此时检测电路根据检测信号端接收的检测漏电流确定该发光检测晶体管所对应的发光元件发光亮度，对应不同发光元件的发光亮度，发光检测晶体管输出至检测信号端的检测漏电流不相同。通过检测信号端接收的检测漏电流实现对与该发光检测晶体管所对应的发光元件发光亮度的检测。
可选的，发光检测晶体管的第一端与数据信号端电连接，发光检测晶体管的第二端与数据写入模块电连接，驱动方法包括：
S210、在数据写入阶段，发光检测晶体管和数据写入模块导通，数据信号端的数据信号通过导通的发光检测晶体管传输至数据写入模块，并通过数据写入模块写入至驱动晶体管的栅极。
S220、在发光阶段，发光检测晶体管导通，数据写入模块关闭，发光检测晶体管接收发光元件发出的光，并输出漏电流至检测信号端。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种检测电路，其特征在于，包括第一光通道和发光检测晶体管，所述发光检测晶体管的第一端与检测信号端电连接，所述发光检测晶体管的第二端与基准电压信号端电连接；所述发光检测晶体管在显示面板处于发光阶段时通过所述第一光通道接收显示面板中发光元件发出的光，并输出检测漏电流至所述检测信号端。
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括第一扫描信号端，所述发光检测晶体管的栅极与所述第一扫描信号端电连接；当所述基准电压信号端提供基准电压时，所述第一扫描信号端提供第一截止电压，所述第一截止电压和所述基准电压差值大于第一预设值；在所述第一预设值下，所述发光检测晶体管的漏电流为检测极限值。
3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述发光检测晶体管有源层包括沟道区和重掺杂区，且所述沟道区与所述重掺杂区直接接触。
4.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的检测电路，还包括像素电路，所述像素电路包括：发光元件、驱动晶体管和数据写入模块；
所述数据写入模块用于在数据写入阶段将数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极；
所述驱动晶体管用于根据所述数据信号产生驱动电流，并在发光阶段流入所述发光元件，控制所述发光元件进行发光；
所述显示面板还包括衬底基板，所述发光检测晶体管位于所述衬底基板的一侧；
所述发光元件位于所述发光检测晶体管背离所述衬底基板一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括数据信号端，所述发光检测晶体管设置在所述数据信号端和所述数据写入模块之间；
所述数据信号端复用为所述检测信号端。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括栅极初始化模块和/或发光元件初始化模块；所述栅极初始化模块设置在第一初始化信号端和所述驱动晶体管的栅极之间；所述发光元件初始化模块设置在第二初始化信号端和所述发光元件之间；
所述发光检测晶体管设置在所述第一初始化信号端和所述栅极初始化模块之间，所述第一初始化信号端复用为所述检测信号端；或者，所述发光检测晶体管设置在所述第二初始化信号端和所述发光元件初始化模块之间，所述第二初始化信号端复用为所述检测信号端。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件包括在衬底基板上依次层叠设置的第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
所述像素限定层包括多个开口区，所述开口区露出部分所述第一电极层；
所述第一电极层包括通孔，所述通孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述发光检测晶体管在所述衬底基板上的垂直投影具有交叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述通孔在所述衬底基板的垂直投影位于所述开口区在所述衬底基板的垂直投影内；且所述通孔内填充所述像素限定层，所述发光功能层至少位于所述第一电极层以及所述通孔中的像素限定层的表面。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层包括与所述开口区交叠的空穴产生部和围绕所述空穴产生部且与所述开口区不交叠的工艺窗口部；所述通孔在所述衬底基板的垂直投影位于所述工艺窗口部在所述衬底基板的垂直投影内。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述通孔在所述衬底基板的垂直投影为长条形；且所述长条形包括长轴和短轴；
所述发光检测晶体管沟道的延伸方向垂直于所述通孔长轴的延伸方向。
11.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括阈值补偿模块和发光控制模块；
所述阈值补偿模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二端电连接，所述第一晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述发光控制模块包括第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管的第一端与第一电源信号端电连接，所述第二晶体管的第二端与所述驱动晶体管的第一端电连接；所述第三晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二端电连接，所述第三晶体管的第二端与所述发光元件电连接。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求4～11任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的驱动方法，其特征在于，应用于权利要求4-11任一项所述的显示面板，所述驱动方法包括：
在发光阶段，发光检测晶体管接收发光元件发出的光，并输出检测漏电流至检测信号端。
14.根据权利要求13所述的显示面板的驱动方法，其特征在于，所述发光检测晶体管的第一端与数据信号端电连接，所述发光检测晶体管的第二端与所述数据写入模块电连接，所述驱动方法包括：
在数据写入阶段，所述发光检测晶体管和数据写入模块导通，所述数据信号端的数据信号通过导通的所述发光检测晶体管传输至所述数据写入模块，并通过所述数据写入模块写入至所述驱动晶体管的栅极；
在发光阶段，所述发光检测晶体管导通，所述数据写入模块关闭，所述发光检测晶体管接收所述发光元件发出的光，并输出漏电流至所述检测信号端。
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