CN112967979A - 转移基板及其制作方法、芯片转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法。转移基板本体正面上设置有具有粘附性的胶层，且胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°，也即其上表面为疏水性表面或超疏水性表面；因此在使用该转移基板从芯片的生长基板上转移芯片过程中，对于残留在转移基板上表面上的金属镓，可以直接将该金属镓液态化后，利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性，将转移基板倾斜一定角度，就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离，从而可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示，与传统的LED相比，它具有相同的发光原理。而Micro-LED显示技术中第一道关键技术是去除蓝宝石衬底所使用的激光剥离技术。激光能量透过双抛蓝宝石衬底，被氮化镓层吸收产生化学反应：GaN→Ga+N2。在采用激光剥离技术时，有一部金属镓残留在转移基板上，在从转移基板转移Micro-LED芯片之前，需要使用稀盐酸溶液在一定温度下进行反应：2Ga+4HCl＝2GaCl2+2H2；而这个过程中使用的溶液难免会有水汽残留在Micro–LED芯片的电极之间，严重的会导致Micro–LED芯片短路，对Micro–LED芯片的可靠性造成了严重的影响。
因此，如何实现在除残留在转移基板上的金属镓的同时，避免水汽残留是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种转移基板及其制作方法、芯片转移方法，旨在解决相关技术中，去除残留在转移基板上的金属镓的时，存在水汽残留在芯片的电极之间的问题。
一种转移基板，包括：
基板本体；
设置于所述基板本体正面上，且具有粘附性的胶层；
所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。
上述转移基板本体正面上设置有具有粘附性的胶层，且胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°，也即其上表面为疏水性表面或超疏水性表面；因此在使用该转移基板从芯片的生长基板上转移芯片过程中，对于残留在转移基板上表面上的金属镓，可以直接将该金属镓液态化后，利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性，将转移基板倾斜一定角度，就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离，从而可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种转移基板的制作方法，包括：
提供基板本体；
在所述基板本体正面上形成具有粘附性的胶层，所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。
上述转移基板的制作方法制作流程简单，效率高，制得的转移基板可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：
将生长基板上生长有芯片的一面，与如上项所述的转移基板上设有所述胶层的一面贴合，使得所述芯片粘附在所述胶层上；
通过激光照射所述生长基板，以使所述生长基板与所述芯片之间的氮化镓在所述激光作用下分解为氮和镓，部分镓落至所述胶层的上表面；
对所述转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓；
将所述转移基板倾斜，使得所述液态镓流离所述转移基板。
上述芯片转移方法转移过程简单且高效，同时利用上表面为疏水性表面或超疏水性表面的转移基板，实现了残留的金属镓的无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转移基板结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的转移基板结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的液滴与上表面接触示意图；
图4为本发明实施例提供的液滴静态接触角示意图；
图5为本发明实施例提供的微型凸起示意图；
图6为本发明另一可选实施例提供的转移基板制作流程示意图；
图7为本发明另一可选实施例提供的胶层制作流程示意图；
图8为本发明另一可选实施例提供的另一转移基板制作流程示意图；
图9为本发明另一可选实施例提供的A型分子筛晶体结构示意图；
图10为本发明另一可选实施例提供的X或Y型分子筛晶体结构示意图；
图11为本发明又一可选实施例提供的芯片转移流程示意图；
图12为本发明又一可选实施例提供的微型LED芯片转移流程示意图；
图13为对应图12所示的微型LED芯片转移过程示意图；
附图标记说明：
1-基板本体，2-第一胶层，3-第二胶层，31-第二胶层的上表面，4-液滴，5-生长基板，6-微型倒装LED芯片，7-镓。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
相关技术中，将微型Micro-LED芯片从生长基板(例如双抛蓝宝石衬底)剥离转移至转移基板上时，激光能量透过生长基板，被氮化镓层吸收产生化学反应：GaN→Ga+N2，有一部金属镓残留在转移基板上，在从转移基板转移Micro-LED芯片之前，需要使用稀盐酸溶液在一定温度下进行反应：2Ga+4HCl＝2GaCl2+2H2；而这个过程中使用的溶液难免会有水汽残留在Micro–LED芯片的电极之间，严重的会导致Micro–LED芯片短路，对Micro–LED芯片的可靠性造成了严重的影响。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例提供了一种转移基板，其包括但不限于：
基板本体；本实施例中对于基板本体的材质不做限制，例如一种示例中，该基板本体的材质可以采用但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种；
设置于基板本体正面上，且具有粘附性的胶层，该胶层在后续将芯片从生长基板剥离转移至转移基板上时，与生长基板上的芯片粘接，从而使得芯片从生长基板剥离后，转移至转移基板上；
本实施例中，胶层的上表面(也即转移基板的上表面)的液滴静态接触角大于等于90°，也即转移基板的上表面为疏水性表面或超疏水性表面。因此在将本实施例提供的转移基板，应用于将芯片从生长基板上剥离转移至转移基板的过程中，对于采用激光剥离技术将芯片与生长基板剥离时，残留在转移基板上表面上的金属镓，可以直接将该金属镓液态化后，利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性，将转移基板倾斜一定角度，就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离，从而可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
本实施例中，由于转移基板的上表面为疏水性表面或超疏水性表面，其与液滴的接触面积非常小，液滴极易从表面滚落。因此，转移基板的上表面不仅具有自清洁功能，而且还具有防电流传导、防腐蚀、防水、防雾、防毒、防雪、防霜冻、防黏附、防污染等优点，可进一步提升芯片的可靠性。
可选地，本实施例中，在将芯片从生长基板剥离转移至转移基板上时，还可采用但不限于LLO(Laser Lift Off，激光剥离)技术。
应当理解的是，本实施例中的芯片可以为但不限于微型LED芯片，也可以为在生长基板上生长，且与生长基板之间通过GaN层连接的其他各种芯片。本实施例中在生长基板上生成的微型LED芯片包括外延层和电极，本实施例不限定微型LED芯片的外延层的具体结构，在一种示例中，微型LED芯片的外延层可以包括N型半导体、P型半导体以及位于N型半导体和P型半导体之间的有源层，该有源层可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。在另一些示例中，可选地，外延层还可包括反射层、钝化层中的至少一种。本实施例中电极的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，电极的材质可包括但不限于Cr，Ni，Al，Ti，Au，Pt，W，Pb，Rh，Sn，Cu，Ag中的至少一种。
应当理解的是，本实施例中的微型LED芯片可以包括但不限于micro-LED芯片、mini-LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，微型LED芯片可以为micro-LED芯片；在又一种示例中，微型LED芯片可以为mini-LED芯片。
应当理解的是，本实施例中的微型LED芯片可以包括但不限于倒装LED芯片、正装LED芯片、垂直LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，微型LED芯片可以为倒装LED芯片；在又一中示例中，微型LED芯片可以为正装LED芯片或垂直LED芯片。
本实施例中，生长基板的材质为可在生长基板上生长微型LED芯片外延层的半导体材料，例如，该生长基板的材质可以为但不限于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，也可以为其他半导体材料，在此不做限制。
本实施例中，转移基板上设置的胶层的设置形态可以灵活设定，只要其能满足在于生长基板生长有芯片的一面贴合时，能可靠的将对应的芯片粘附住，且其上表面的液滴静态接触角大于等于90°即可。另外，应当理解的是，本实施例中对于具有粘性的胶层的材质也不做限制，只要其能实现上述目的即可，例如可以采用但不限于机硅体系的胶体。
为了便于理解，本实施例下面以示例的两种胶层形态进行便于理解性的说明。
一种示例中，设置于基板本体正面上的胶层包括：在基板本体正面上，从下往上依次设置的第一胶层和第二胶层，胶层的上表面为第二胶层的上表面，第二胶层中混合有疏水性粒子，疏水性粒子在第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。
在本示例的一种应用场景中，第一胶层和第二胶层的材质可以相同，例如可以都采用有机硅体系的胶体，从而利用聚合物材料的相似相容特性，在第一胶层上制备第二胶层时，溶剂在一定程度上可溶胀界面处胶，使的第一胶层与第二胶层之间的附着力加强。当然，在本实施例的另一些应用场景中，第一胶层和第二胶层的材质也可以不相同，只要能使得二者之间的附着力满足芯片转移的强度要求即可。也即本实施例中的胶层可为多层结构，且应当理解的是，胶层为多层结构时，并不限于本示例中所示的双层结构，也可设置为三层、四层或四层以上的多层结构，但至少需要满足最上面的一层为本示例中的第二胶层。
应当理解的是，本示例中第一胶层和第二胶层的厚度可以根据具体应用需求(例如可根据但不限于待转移的芯片的尺寸、重量、以及转移环境等)灵活设置。第一胶层和第二胶层的厚度可以设置为相同，也可根据需求设置为不同。例如，一种应用场景中，第一胶层的厚度可为但不限于10微米至15微米；第二胶层的厚度可为但不限于5微米至10微米。例如，一种应用示例中，第一胶层的厚度可为10微米，11微米，12微米，13微米或15微米等，第二胶层的厚度可为5微米、6微米，7微米，8微米、9微米或10微米等。
本示例的一种应用示例中转移基板的结构参见图1所示，其包括基板本体1，设置于基板本体1正面上的第一胶层2，以及设置于第一胶层2之上的第二胶层3，其中第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角大于等于90°；参见图1所示，第二胶层3的上表面31具有利用疏水性粒子形成的疏水性的微型凸起结构。
另一种示例中，设置于基板本体正面上的胶层可仅包括：在基板本体正面设置的第二胶层，第二胶层中也混合有疏水性粒子，该疏水性粒子在第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。也即在本示例中的胶层可为单层结构。本示例中第二胶层的厚度可为但不限于10微米至25微米。例如，第二胶层的厚度可为10微米、12微米，14微米，15微米、16微米、18微米、20微米或为25微米等。
本示例的一种应用示例中转移基板的结构参见图2所示，其包括基板本体1，设置于基板本体1正面上第二胶层3，其中第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角大于等于90°；参见图2所示，第二胶层3的上表面31也具有利用疏水性粒子形成的疏水性的微型凸起结构。
在上述各示例中，第二胶层3的上表面31利用疏水性粒子形成的疏水性的微型凸起结构，使得第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角大于等于90°，也即使得第二胶层3的上表面31为疏水性表面或超疏水性表面。
当有液体落在第二胶层3的上表面31时，有部分空气会被“关到”液滴与第二胶层3的上表面31之间，导致液滴大部分与空气接触，而与第二胶层3的上表面31接触的面积大大减小，在液滴的表面张力作用下，在第二胶层3的上表面31上的形状接近于球形，可以在第二胶层3的上表面31上滚动。一种液滴落在第二胶层3的上表面31上的形态请参见图3所示，液滴4在其表面张力作用下，在第二胶层3的上表面31上的形状接近于球形，且液滴4与第二胶层3的上表面31的接触面积，远小于滴液4与空气的接触面积。
在本实施例中，由于在第二胶层3中掺入疏水性粒子形成上述疏水性表面或超疏水性表面，理论上可认为第二胶层3的上表面31的微型凸起是类半圆状，那么第二胶层3的上表面31符合Cassie-Baxter模型，则Cassie-Baxter模型下，计算滴液在第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ的方式可为但不限于：
CosθC-B模型＝πR2(1+Cosθ)2-1；…………………………(1)
上述公式(1)中，R为微型凸起的尺寸，可见，可通过灵活设置掺入的疏水性粒子的尺寸，来调整第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ，使得该液滴静态接触角θ大于等于90°，进而使得第二胶层3的的上表面31为疏水性表面或超疏水性表面。其中，第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ的一种示例请参见图4所示。第二胶层3的上表面31的微型凸起结构的一种放大示意图请参见图5所示。
例如，本实施例的一种示例中，疏水性粒子可选用但不限于尺寸为纳米级或微米的粒子，第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ则大于等于150°，也即使得第二胶层3的上表面31为超疏水性表面。当然，也可通过合理的选用不同尺寸大小的疏水性粒子来灵活的调整第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ的大小，例如可以调整第二胶层3的上表面31的液滴静态接触角θ为90°、100°、110°、130°、140°、150°、160°、170°等。
可选地，在本实施例中，还可灵活设置第二胶层3的上表面31(也即胶层的上表面)的液滴滚动角(也即液滴在第二胶层3的上表面31上刚好发生滚动时，第二胶层3的上表面31与水平面所形成的临界角)，从而控制后续芯片转移过程中转移基板的倾斜度，以使得呈液态的残留金属镓从转移基板流离。例如，一种示例中，可设置第二胶层3的上表面31的液滴滚动角小于等于10°；这样可以将转移基板稍微倾斜就能使得得呈液态的残留金属镓从转移基板流离。该液滴滚动角的大小可灵活设置，例如可以设置为但不限于10°、8°、7°、6°、5°、3°或2°。
可选地，应当理解的是，本实施例中的疏水性粒子可以采用满足上述需求的各种疏水性粒子，例如一种实例中，该疏水性粒子可以采用但不限于分子筛、介孔二氧化硅粉末、气相二氧化硅粉末中的至少一种。
可见，本实施例提供的转移基板，其上表面为疏水性表面或超疏水性表面，在应用于将芯片从生长基板上剥离转移至转移基板的过程中时，对于采用激光剥离技术将芯片与生长基板剥离时，残留在转移基板上表面上的金属镓，可以直接将该金属镓液态化后，利用转移基板上表面的疏水性性或超疏水性特性，将转移基板倾斜一定角度，就能使得液态化的金属镓从转移基板的上表面流离，从而可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
另一可选实施例：
应当理解的是，本实施例中转移基板的制作方法可以灵活选用，只要能制得上述示例结构的转移基板即可。为了便于理解，本实施例下面以一种示例的转移基板制作方法为示例进行说明。请参见图6所示，其包括但不限于：
S601：提供基板本体。
S602：在基板本体正面上形成具有粘附性的胶层，胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。
在实施例的一种示例中，当胶层为包括第一胶层和第二胶层的多层结构时，在基板本体正面上形成具有粘附性的胶层的过程请参见图7所示，可包括但不限于：
S701：在基板本体正面上形成第一胶层。
应当理解的是，在基板本体上形成第一胶层所采用的工艺可以灵活选用，例如可以通过但不限于旋涂或者狭缝式涂等方式，在基板本体正面上形成第一胶层，且形成的第一胶层的厚度可根据需求灵活设置。
S702：采用混合有疏水性粒子的胶液在第一胶层上形成第二胶层，疏水性粒子在第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。
在第一胶层上形成第二胶层所采用的工艺也可以灵活选用，例如可以通过但不限于旋涂或者狭缝式涂等方式，在第一胶层上形成第二胶层，且形成的第二胶层的厚度可根据需求灵活设置。
在实施例的一种示例中，当胶层为仅包括第二胶层的单层结构时，在基板本体正面上形成具有粘附性的胶层时，可直接采用混合有疏水性粒子的胶液在基板本体上形成相应厚度的第二胶层，疏水性粒子在第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。
为了便于理解，下面以胶层包括第一胶层和第二胶层，且第一胶层和第二胶层采用相同的有机硅体系的胶体，疏水性粒子采用分子筛为示例，对转移基板的一种制作过程进行示例说明。请参见图8所示，包括：
S801：选用转移基板的基板本体，在基板本体的正面通过旋涂或者狭缝式涂布等技术制备第一层胶。
该第一胶层可作为主要胶材支撑层，其厚度为在10微米-15微米之间。
S802：将提前分散有分子筛的胶液旋涂或者狭缝式涂布在第一层胶材之上得到第二胶层。
本应用示例中的分子筛包括A型分子筛，X型分子筛和Y型分子筛中的至少一种。其中A型分子筛的一种能示例的晶体结构参见图9所示，X型分子筛和Y型分子筛的一种能示例的晶体结构参见图10所示。
第二胶层作为表面改性层，其厚度可在5微米左右；第一胶层和第二胶层原料选用相同的体系，例如均为有机硅体系，因为存在聚合物材料的相似相容，有利于在制备第二层胶时，溶剂在一定程度上溶胀界面处胶，使第一胶层和第二胶层之间的附着力加强。本应用示例中，第一胶层和第二胶层的整体厚度在20微米左右；(如上所示，本应用示例中的分子筛也可改为疏水性的的介孔二氧化硅粉末或者气相二氧化硅粉末)。
可见，本实施例提供的转移基板的制作方法制作流程简单，效率高，制得的转移基板可实现将残留的金属镓无水去除，不再需要使用稀盐酸来去除残留的金属镓，避免水汽残留对芯片造成的不利影响，提升芯片的可靠性。
又一可选实施例：
为了便于理解，本实施例下面以应用上述示例结构的转移基板，将芯片从生长基板上剥离以转移至转移基板上的过程，进行示例说明。请参见图11所示，其包括但不限于：
S1101：将生长基板上生长有芯片的一面，与转移基板上设有胶层的一面贴合，使得芯片粘附在胶层上。
S1102：通过激光照射生长基板，以使生长基板与芯片之间的氮化镓在激光作用下分解为氮和镓，部分镓落至胶层的上表面。
S1103：对转移基板上的镓加热(加热的温度可以灵活设置，例如可设置为大于等于29.78℃)使其熔融为液态镓。
S1104：将转移基板倾斜，使得液态镓流离转移基板，从而实现了对转移基板上残留的金属镓进行无水清洁。避免水汽残留在芯片两电极之间，因此可提升芯片的可靠性。
可选地，在一些应用场景中，对转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓之前，落至胶层的上表面上的镓被氧化时，对转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓之前，还可包括：
将镓表面的氧化层去除。
例如，一种应用场景中，如果将芯片从生长基板剥离转移至转移基板上后，转移基板存放一段时间，则转移基板上残留的金属镓表面发生氧化，此时可先在还原氛围中将氧化层去除后，再对转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓，然后将转移基板倾斜，使得液态镓流离转移基板，从而实现了对转移基板上残留的金属镓进行无水清洁。
本实施例中所示例的芯片转移方法，可应用但不限于微型LED芯片的转移，且该微型LED芯片可以为倒装芯片，正装芯片或垂直芯片。为了便于理解，下面以微型倒装LED芯片的一种转移过程为示例进行说明(对于正装芯片和垂直芯片的转移过程类似，在此不再赘述)，请参见图12和图13所示，包括：
S1201：将生长基板5上生长有微型倒装LED芯片6的一面，与转移基板本体1上设有第一胶层2和第二胶层3的一面贴合，使得芯片粘附在第二胶层3上。
S1202：通过激光照射生长基板，以使生长基板5与微型倒装LED芯片6之间的氮化镓在激光作用下分解为氮和镓，部分镓7落至第二胶层3的上表面31。
S1203：对转移基板上的镓7加热使其熔融为液态镓。参见图13中对应S1203步骤中，液态镓呈液滴状。
S1204：将转移基板倾斜，倾斜角度大于等于液滴滚动角即可，使得液态镓流离转移基板。
S1205：转移基板上的残留金属镓被通过无水清洁方式，从转移基板上清除，避免水汽残留在芯片两电极之间，可提升芯片的可靠性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种转移基板，其特征在于，包括：
基板本体；
设置于所述基板本体正面上，且具有粘附性的胶层；
所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。
2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述胶层包括在所述基板本体正面上，从下往上依次设置的第一胶层和第二胶层，所述胶层的上表面为所述第二胶层的上表面，所述第二胶层中混合有疏水性粒子，所述疏水性粒子在所述第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。
3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述第一胶层和第二胶层的材质相同。
4.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述第一胶层的厚度为10微米至15微米，所述第二胶层的厚度为5微米至10微米。
5.如权利要求2-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述疏水性粒子为尺寸为纳米级或微米的粒子。
6.如权利要求2-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述疏水性粒子包括以下中的至少一种：分子筛、介孔二氧化硅粉末、气相二氧化硅粉末。
7.如权利要求1-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述液滴静态接触角大于等于150°。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的转移基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板本体；
在所述基板本体正面上形成具有粘附性的胶层，所述胶层的上表面的液滴静态接触角大于等于90°。
9.如权利要求8所述的转移基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板本体正面上形成具有粘附性的胶层包括：
在所述基板本体正面上形成第一胶层；
采用混合有疏水性粒子的胶液在所述第一胶层上形成第二胶层，所述疏水性粒子在所述第二胶层的上表面形成具有疏水性的微型凸起结构。
10.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
将生长基板上生长有芯片的一面，与如权利要求1-7任一项所述的转移基板上设有所述胶层的一面贴合，使得所述芯片粘附在所述胶层上；
通过激光照射所述生长基板，以使所述生长基板与所述芯片之间的氮化镓在所述激光作用下分解为氮和镓，部分镓落至所述胶层的上表面；
对所述转移基板上的镓加热使其熔融为液态镓；
将所述转移基板倾斜，使得所述液态镓流离所述转移基板。
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