CN112962068A - 一种高通量薄膜的制备装置及方法 - Google Patents

一种高通量薄膜的制备装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112962068A
CN112962068A CN202110135614.0A CN202110135614A CN112962068A CN 112962068 A CN112962068 A CN 112962068A CN 202110135614 A CN202110135614 A CN 202110135614A CN 112962068 A CN112962068 A CN 112962068A
Authority
CN
China
Prior art keywords
baffle
sputtering
transverse baffle
longitudinal baffle
longitudinal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110135614.0A
Other languages
English (en)
Inventor
尹彬
张庆钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Zhongke Tailong Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Beijing Zhongke Tailong Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Zhongke Tailong Electronic Technology Co ltd filed Critical Beijing Zhongke Tailong Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202110135614.0A priority Critical patent/CN112962068A/zh
Publication of CN112962068A publication Critical patent/CN112962068A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开一种高通量薄膜的制备装置及方法，涉及高通量薄膜制备装置技术领域，主要结构包括样品台、多个溅射靶、纵向挡板和横向挡板；样品台设置于多个溅射靶的中部，并与多个溅射靶相隔一定距离；纵向挡板和横向挡板设置于样品台与多个溅射靶之间；纵向挡板和横向挡板均可沿水平方向平移，纵向挡板和横向挡板的移动方向相垂直。纵向挡板和横向挡板上分别设有一镂空孔，通过调整纵向挡板和横向挡板的位置，使两个镂空孔的交叉点处于样品台的不同区域，并通过改变各溅射靶的溅射功率，从而在样品台上不同区域溅射出不同成分的镀膜，从而对装置内部一次抽真空即可完成多个样品的制备，缩短了制备样品所需的时间，从而提高材料的研发速度。

Description

一种高通量薄膜的制备装置及方法
技术领域
本发明涉及高通量薄膜制备装置技术领域，特别是涉及一种高通量薄膜的制备装置及方法。
背景技术
新材料的研发是一个复杂的过程，通常情况下，开发者一次只能制备一种成分单一的材料，并对其相关性能进行测试。这种以试错为特征的传统材料研究方法不仅耗时费力，严重制约了材料的研发速度，而且需要较高的研发费用。
鉴于此，必须探索更高效的材料制备方法。
发明内容
为解决以上技术问题，本发明提供一种高通量薄膜的制备装置及方法，能够一次制备出多种成分不同的材料，从而提高材料的研发速度。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
本发明提供一种高通量薄膜的制备装置，包括样品台、多个溅射靶、纵向挡板和横向挡板；所述样品台设置于所述多个溅射靶的中部，并与所述多个溅射靶相隔一定距离；所述纵向挡板和所述横向挡板设置于所述样品台与所述多个溅射靶之间；所述纵向挡板和所述横向挡板均可沿水平方向平移，且所述纵向挡板的移动方向和所述横向挡板的移动方向相垂直。
可选的，所述纵向挡板和所述横向挡板分别连通一个线性驱动机构。
可选的，所述线性驱动机构为气缸或液压缸或直线电机。
可选的，所述纵向挡板上设置有一镂空孔，所述镂空孔的长边与所述纵向挡板的移动方向相垂直。
可选的，所述横向挡板上设置有一镂空孔，所述镂空孔的长边与所述横向挡板的移动方向相垂直。
可选的，所述纵向挡板和所述横向挡板的平面方向的尺寸大于或等于或小于所述样品台的平面方向的尺寸。
可选的，还包括控制系统，所述控制系统用于控制所述多个溅射靶的溅射功率以及所述纵向挡板和所述横向挡板的位置。
本发明还公开一种上述高通量薄膜的制备装置的制备方法，包括以下步骤：
S1：将所需材料成分的靶材安置于各溅射靶上，并调整各溅射靶的高度和角度；
S2：对装置内部抽真空，之后注入溅射气体，调整装置内部的气压、温度和溅射靶的溅射功率；
S3：打开溅射电源开关，开始溅射镀膜；
S4：通过调整纵向挡板和横向挡板的位置，改变纵向挡板上的镂空孔与横向挡板上的镂空孔相交叉的位置，并改变溅射靶的溅射功率，在样品台上不同区域溅射出不同成分的镀膜；
S5：镀膜完成后，关闭溅射电源开关，取出样品台，得到多个具有不同成分的镀膜样品。
本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：
本发明中的高通量薄膜的制备装置，主要结构包括样品台、不少于两个溅射靶、纵向挡板和横向挡板；纵向挡板和横向挡板上分别设置有一镂空孔，通过调整纵向挡板和横向挡板的位置，使两个镂空孔的交叉点处于样品台的不同区域，并通过改变各溅射靶的溅射功率，从而在样品台上不同区域溅射出不同成分的镀膜，从而能够对装置内部一次抽真空即可完成多个样品的制备，大大缩短了制备样品所需的时间，从而提高材料的研发速度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明高通量薄膜的制备装置的剖视结构示意图；
图2为本发明高通量薄膜的制备装置的侧向结构示意图；
图3为本发明高通量薄膜的制备装置的俯视结构示意图；
图4为本发明高通量薄膜的制备装置的A-A剖切结构示意图。
附图标记说明：1、溅射靶；2、线性驱动机构；3、纵向挡板；4、横向挡板；5、样品台。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图1至4所示，本实施例提供一种高通量薄膜的制备装置，包括样品台5、多个溅射靶1、纵向挡板3和横向挡板4；所述样品台5设置于所述多个溅射靶1的中部，并与所述多个溅射靶1相隔一定距离；所述纵向挡板3和所述横向挡板4设置于所述样品台5与所述多个溅射靶1之间；所述纵向挡板3和所述横向挡板4均可沿水平方向平移，且所述纵向挡板3的移动方向和所述横向挡板4的移动方向相垂直。
于本具体实施例中，所述纵向挡板3和所述横向挡板4分别连通一个线性驱动机构2。
所述线性驱动机构2选用电机。纵向挡板3和横向挡板4分别设置于相应的杆上，由电机驱动纵向挡板3和横向挡板4进行线性移动和定位。
所述纵向挡板3上设置有一镂空孔，所述镂空孔的长边与所述纵向挡板3的移动方向相垂直。
所述横向挡板4上设置有一镂空孔，所述镂空孔的长边与所述横向挡板4的移动方向相垂直。
所述纵向挡板3和所述横向挡板4的平面方向的尺寸大于所述样品台5的平面方向的尺寸。
纵向挡板3和横向挡板4的长度和宽度均大于样品台5的尺寸，以确保纵向挡板3和横向挡板4均能够完全遮盖样品台5，镂空孔的长度小于样品台5的长度，镂空孔的宽度取决于样品台5上需要制备的材料的种类，种类越多则镂空孔的宽度越窄。
本实施例中的高通量薄膜的制备装置还包括控制系统，所述控制系统用于控制所述多个溅射靶1的溅射功率以及所述纵向挡板3和所述横向挡板4的位置。
根据需要制备的材料数量，设置控制系统的参数，参数具体包括装置内部的气压、温度、溅射靶1的溅射功率以及纵向挡板3和横向挡板4的移动时间和移动距离。
初始位置时，纵向挡板3上的镂空孔的一端和横向挡板4上的镂空孔的一端相对齐，此对齐的位置即为第一种材料的镀膜位置，之后改变纵向挡板3或横向挡板4的位置，使上述对齐位置发生线性移动，在第一种材料的旁边镀膜第二种材料，以此类推，直到样品台5上镀膜出预设数量的材料。
实施例二：
本实施例公开一种基于实施例一中的高通量薄膜的制备装置的方法，包括以下步骤：
S1：将所需材料成分的靶材安置于各溅射靶1上，并调整各溅射靶1的高度和角度；
S2：对装置内部抽真空，之后注入溅射气体，调整装置内部的气压、温度和溅射靶1的溅射功率；
S3：打开溅射电源开关，开始溅射镀膜；
S4：通过调整纵向挡板3和横向挡板4的位置，改变纵向挡板3上的镂空孔与横向挡板4上的镂空孔相交叉的位置，并改变溅射靶1的溅射功率，在样品台5上不同区域溅射出不同成分的镀膜；
S5：镀膜完成后，关闭溅射电源开关，取出样品台5，得到多个具有不同成分的镀膜样品。
需要说明的是，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
本说明书中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种高通量薄膜的制备装置，其特征在于，包括样品台、多个溅射靶、纵向挡板和横向挡板；所述样品台设置于所述多个溅射靶的中部，并与所述多个溅射靶相隔一定距离；所述纵向挡板和所述横向挡板设置于所述样品台与所述多个溅射靶之间；所述纵向挡板和所述横向挡板均可沿水平方向平移，且所述纵向挡板的移动方向和所述横向挡板的移动方向相垂直。
2.根据权利要求1所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述纵向挡板和所述横向挡板分别连通一个线性驱动机构。
3.根据权利要求2所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述线性驱动机构为气缸或液压缸或直线电机。
4.根据权利要求1所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述纵向挡板上设置有一第一镂空孔，所述第一镂空孔的长边与所述纵向挡板的移动方向相垂直。
5.根据权利要求4所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述第一镂空孔为矩形孔。
6.根据权利要求1所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述横向挡板上设置有一第二镂空孔，所述第二镂空孔的长边与所述横向挡板的移动方向相垂直。
7.根据权利要求6所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述第二镂空孔为矩形孔。
8.根据权利要求1所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，所述纵向挡板和所述横向挡板的平面方向的尺寸大于或等于或小于所述样品台的平面方向的尺寸。
9.根据权利要求1所述的高通量薄膜的制备装置，其特征在于，还包括控制系统，所述控制系统用于控制所述多个溅射靶的溅射功率以及所述纵向挡板和所述横向挡板的位置。
10.根据权利要求1至9任一项所述的高通量薄膜的制备装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将所需材料成分的靶材安置于各溅射靶上，并调整各溅射靶的高度和角度；
S2：对装置内部抽真空，之后注入溅射气体，调整装置内部的气压、温度和溅射靶的溅射功率；
S3：打开溅射电源开关，开始溅射镀膜；
S4：通过调整纵向挡板和横向挡板的位置，改变纵向挡板上的第一镂空孔与横向挡板上的第二镂空孔相交叉的位置，并改变溅射靶的溅射功率，在样品台上不同区域溅射出不同成分的镀膜；
S5：镀膜完成后，关闭溅射电源开关，取出样品台，得到一个具有多种不同材料成分的镀膜样品。
CN202110135614.0A 2021-02-01 2021-02-01 一种高通量薄膜的制备装置及方法 Pending CN112962068A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110135614.0A CN112962068A (zh) 2021-02-01 2021-02-01 一种高通量薄膜的制备装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110135614.0A CN112962068A (zh) 2021-02-01 2021-02-01 一种高通量薄膜的制备装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112962068A true CN112962068A (zh) 2021-06-15

Family

ID=76272849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110135614.0A Pending CN112962068A (zh) 2021-02-01 2021-02-01 一种高通量薄膜的制备装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112962068A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109355621A (zh) * 2018-12-21 2019-02-19 张晓军 一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置及方法
CN109852936A (zh) * 2019-03-19 2019-06-07 北京科技大学 原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法
CN209194035U (zh) * 2018-12-21 2019-08-02 深圳市矩阵新材料科技有限公司 一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置
CN110346390A (zh) * 2019-06-26 2019-10-18 北京科技大学 高通量薄膜制备并原位微结构表征的装置及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109355621A (zh) * 2018-12-21 2019-02-19 张晓军 一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置及方法
CN209194035U (zh) * 2018-12-21 2019-08-02 深圳市矩阵新材料科技有限公司 一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置
CN109852936A (zh) * 2019-03-19 2019-06-07 北京科技大学 原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法
CN110346390A (zh) * 2019-06-26 2019-10-18 北京科技大学 高通量薄膜制备并原位微结构表征的装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105372112A (zh) 一种掩模更换装置及高通量样品制备方法
CN104630705A (zh) 一种掩膜板及其制备方法
CN114214599A (zh) 一种光学镜片镀膜装置及方法
CN109760311B (zh) 一种具有整合系统的3d生物打印机
CN112962068A (zh) 一种高通量薄膜的制备装置及方法
CN103871845A (zh) 组合薄膜制备装置和方法
US10551651B2 (en) Substrate support device
CN113862628A (zh) 磁控溅射装置
CN112962067A (zh) 一种高通量薄膜的制备装置及方法
US20240100774A1 (en) Accumalator assembly for additive manufacturing
DE102004057781A1 (de) Ladevorrichtung und Ladeverfahren sowie Bondingvorrichtung zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
CN109852936A (zh) 原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法
US20230330924A1 (en) Foil interaction device for additive manufacturing
CN206115137U (zh) 一种曝光机
CN202433389U (zh) 一种具有高深宽比微流道的微流控芯片
CN104943045A (zh) 一种提拉装置及应用该提拉装置制备有机薄膜的方法
CN102944976B (zh) 一种紫外纳米压印系统
CN215896439U (zh) 一种钙钛矿太阳能电池原位闪蒸成膜装置
KR20080031019A (ko) 주형과 물품을 정렬시키는 방법
CN110038767A (zh) 一种双驱五轴点胶机构
CN207294600U (zh) 玻璃划线装置
CN113725371A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池原位闪蒸成膜装置
CN203045726U (zh) 180°平移机械手
CN113059290A (zh) 一种通过位移控制加工掩膜板的方法
CN218812069U (zh) 一种高通量薄膜的制备系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210615

RJ01 Rejection of invention patent application after publication