CN112951870B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括：阵列基板以及位于阵列基板一侧的多个发光二极管；阵列基板至少包括第一凹槽结构，沿平行于阵列基板所在平面的方向，第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧；显示面板还包括至少一类保护胶，至少一类保护胶包括第一类保护胶，第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管。本发明实施例的技术方案可以在保证显示面板弯折性能的同时，对显示面板中易因弯折而受损的结构进行有效保护。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性显示面板凭借其在显示性能、轻薄、可弯曲等方面的独特优势，逐渐成为显示技术领域的研究热点，以实现折叠、弯曲甚至卷曲的终端形态，满足用户日益变化的消费需求。
由于柔性显示面板中的发光二极管、电路元件等结构的可弯折程度有限，甚至可能不能弯折，因此，在弯折过程中容易引发上述结构受损，导致显示面板显示异常，而且上述结构也将限制柔性显示面板的弯折性能。
因此，如何在保证显示面板弯折性能的同时，对显示面板中易因弯折而受损的结构进行有效保护成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以在保证显示面板弯折性能的同时，对显示面板中易因弯折而受损的结构进行有效保护。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板以及位于阵列基板一侧的多个发光二极管；
阵列基板至少包括第一凹槽结构，沿平行于阵列基板所在平面的方向，第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧；
显示面板还包括至少一类保护胶，至少一类保护胶包括第一类保护胶，第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上一方面提供的显示面板，该制备方法包括：
制备阵列基板；阵列基板至少包括第一凹槽结构；
在阵列基板一侧形成多个发光二极管；沿平行于阵列基板所在平面的方向，第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧；
制备至少一类保护胶，至少一类保护胶包括第一类保护胶，第一类保护胶填充第一凹槽结构，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面提供的显示面板。
本发明实施例通过在阵列基板中设置第一凹槽结构，使第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧，并使第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，可以提高第一凹槽结构所在位置处的弯折程度，提高显示面板的弯折性能，同时，由于第一凹槽结构所在位置处的弯折程度较高，可以将应力集中于第一凹槽结构内，达到保护发光二极管的效果；此外，本发明实施例通过设置至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管，可以增大发光二极管所在区域处的显示面板的厚度，降低弯折过程中该区域的弯折程度，从而可以进一步增强对发光二极管的保护效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图3是与图2对应的一种显示面板的剖面结构示意图；
图4是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图5是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图6是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图；
图8是与图7对应的一种显示面板的剖面结构示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图；
图10-图12是本发明实施例提供的阵列基板中第一凹槽结构和第二凹槽结构的几种俯视结构示意图；
图13是本发明实施例提供的阵列基板中第一凹槽结构的一种俯视结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供的显示面板100包括阵列基板1以及位于阵列基板1一侧的多个发光二极管2；阵列基板1至少包括第一凹槽结构11，沿平行于阵列基板1所在平面的方向，第一凹槽结构11位于发光二极管2的至少一侧；显示面板100还包括至少一类保护胶，至少一类保护胶包括第一类保护胶31，第一类保护胶31填充于第一凹槽结构11内，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管2。
其中，发光二极管2作为显示面板中的发光单元(像素)，阵列基板1中通常设置有用于驱动发光二极管2发光的像素电路和/或信号线(图1未示出)。示例性的，发光二极管2可以为OLED、micro-LED或mini-LED中的任一种，图1以发光二极管2为micro-LED为例进行示意。如图1所示，可以将micro-LED的电极与阵列基板1一侧的共晶结构21键合，以实现驱动micro-LED发光。其中，共晶结构21与阵列基板1中的像素电路或信号线电连接(图1未示出)，本领域技术人员可自行设置，在此不作过多说明。
示例性的，以发光二极管2为micro-LED为例，由于micro-LED本身几乎不具备可弯折的能力，micro-LED器件结构允许的弯折极限与阵列基板的可弯折能力不匹配，一方面，可能会导致micro-LED器件在弯折过程中损坏，也可能会导致micro-LED的电极键合发生不可恢复性失效，影响显示面板的正常显示，导致显示面板的可靠性下降，另一方面，为了保护micro-LED，则需要降低显示面板的弯折程度，如此将导致显示面板的弯折性能受限，无法满足用户需求。为了解决该问题，本发明实施例采取了以下方案。
首先，本发明实施例提供的显示面板100，在阵列基板1中设置第一凹槽结构11，使第一凹槽结构11位于发光二极管2的至少一侧，并使第一类保护胶31填充于第一凹槽结构11内，由于保护胶的杨氏模量通常低于阵列基板1中绝缘层的杨氏模量，因此，本发明实施例的技术方案可以提高第一凹槽结构11所在位置处的弯折程度，进而提高显示面板的弯折性能，同时，由于第一凹槽结构11所在位置处的弯折程度较高，可以将应力集中于第一凹槽结构11内，从而削弱发光二极管2对应区域的应力，实现对发光二极管2的保护。
此外，通过在发光二极管2上覆盖保护胶，可以增大发光二极管2对应区域处显示面板的厚度，在弯折过程中，由于该区域的显示面板较厚，因此，该区域不易被弯折(弯折程度小)，从而可以进一步增强对发光二极管2的保护效果。
示例性的，保护胶可以为硅胶、环氧胶等胶材，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，覆盖发光二极管2的保护胶可以包括一种类型的保护胶，也可以包括多种类型的保护胶，可以包括第一类保护胶31，也可以不包括第一类保护胶31，本发明实施例对此不作限定，图1仅以第一类保护胶31覆盖发光二极管为例进行示意。可以理解的，当多种类型的保护胶覆盖发光二极管2时，可以增强对发光二极管2的保护效果。
还需要说明的是，当发光二极管2为OLED或mini-LED时，同样可能会因弯折而受损，影响显示面板的正常显示，此时，也可以采用本发明实施例的技术方案设计显示面板，以保护发光二极管2，本发明实施例对发光二极管2的类型不作限定，在此仅以micro-LED为例做示例性说明。
此外，可以理解的，阵列基板1中用于驱动发光二极管2发光的像素电路和/或信号线的可弯折程度也是有限的，因此，也可以参照上述方案对其进行保护，在此仅以对发光二极管2的保护为例进行说明。
本发明实施例通过在阵列基板中设置第一凹槽结构，使第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧，并使第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，可以提高第一凹槽结构所在位置处的弯折程度，提高显示面板的弯折性能，同时，由于第一凹槽结构所在位置处的弯折程度较高，可以将应力集中于第一凹槽结构内，达到保护发光二极管的效果；此外，本发明实施例通过设置至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管，可以增大发光二极管所在区域处的显示面板的厚度，降低弯折过程中该区域的弯折程度，从而可以进一步增强对发光二极管的保护效果。
在上述实施例的基础上，显示面板的结构可做如下改进。
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图3是与图2对应的一种显示面板的剖面结构示意图，参见图2和图3，可选的，阵列基板1包括第一区域Q1和第二区域Q2，发光二极管2和第一凹槽结构11均位于第一区域Q1，第一区域Q1的可弯折程度小于第二区域Q2的可弯折程度；第二区域Q2内设置有第二凹槽结构12，至少一类保护胶包括第二类保护胶32，第二类保护胶32至少填充于第二凹槽结构12内。
其中，第一区域Q1和第二区域Q2可以在像素级别内进行划分。如图2所示，显示面板包括2行3列像素，每个像素可以划分为第一区域Q1和第二区域Q2，第二区域Q2可以围绕第一区域Q1，也可以在第一区域Q1的至少一侧，具体可以根据显示面板中各结构的实际布局而定。
示例性的，第一区域Q1可以是发光二极管2和第一凹槽结构11所在的区域，第二区域Q2例如可以是像素电路、信号线和/或其他结构所在的区域。由于发光二极管2的弯折极限小于像素电路和信号线等结构的弯折极限，因此，第一区域Q1的可弯折程度小于第二区域Q2的可弯折程度。
本实施例通过在第二区域Q2内设置第二凹槽结构12，并使第二类保护胶32填充于第二凹槽结构12内，可以对第二区域Q2内易因弯折而受损的结构进行保护，同时还能够提高显示面板的弯折性能，具体原理请参见上述实施例的描述，在此不再赘述。
需要说明的是，第二类保护胶32与第一类保护胶31可以是同种类型的保护胶，也可以是不同类型的保护胶，图3以第二类保护胶32与第一类保护胶31为同种类型的保护胶为例进行示意。
还需要说明的是，图3仅以第二类保护胶32填充于第二凹槽结构12内为例进行示意，在其他实施例中，第二类保护胶32例如还可以覆盖发光二极管2，也可以覆盖其他易因弯折而受损的结构，以增强对该结构的保护效果，本发明实施例对此不作限定。
进一步的，本实施例依据可弯折程度将阵列基板1划分为不同的区域，还可以基于不同区域的可弯折程度对其进行不同的设计，以在保护易因弯折而受损的结构的同时，优化显示面板的弯折性能。具体的，可以通过对第一凹槽结构11和第二凹槽结构12，和/或，对第一凹槽结构11内的第一类保护胶31和第二凹槽结构12内的第二类保护胶32进行差异化设计，以达到该目的，下面结合附图做详细说明。
继续参见图3，可选的，沿垂直于阵列基板1所在平面的方向，第一凹槽结构11的深度小于第二凹槽结构12的深度。
由于第一区域Q1的可弯折程度小于第二区域Q2的可弯折程度，本实施例通过在第一区域Q1设置深度相对较小的第一凹槽结构11，使得第一类保护胶31的厚度较小，从而可以在弯折过程中相对弱化第一区域Q1的弯折程度，保证对发光二极管2的保护效果；同理，本实施例通过在第二区域Q2设置深度相对较大的第二凹槽结构12，使得第二类保护胶32的厚度较大，从而可以在弯折过程中相对提升该区域的弯折程度，满足用户对显示面板弯折性能的需求。
可以理解的，在弯折过程中，第一区域Q1相对于第二区域Q2的弯折程度较低，但是，相对于未设置第一凹槽结构11的现有技术而言，第一区域Q1的可弯折程度因第一类保护胶31的存在而有所提升(弯折区集中在第一凹槽结构11处)，同时，还可以在弯折过程中利用保护胶保护发光二极管2。
图4是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图，参见图4，第一类保护胶31和第二类保护胶32可以为不同类型的保护胶，可选的，第一类保护胶31的杨氏模量大于第二类保护胶32的杨氏模量。
本实施例通过设置第一类保护胶31的杨氏模量大于第二类保护胶32的杨氏模量，可以使弯折过程中第一区域Q1的弯折程度相对第二区域Q2的弯折程度较小，同样可以保证对发光二极管2的保护效果，提升第二区域Q2的弯折程度，满足用户对显示面板弯折性能的需求。
综上，通过在不同区域内设置不同深度的凹槽结构和/或在不同区域的凹槽结构内填充不同杨氏模量的保护胶，可以在保护易因弯折而受损的结构的同时，优化显示面板的弯折性能，本领域技术人员可以根据需求选择设置方式，本发明实施例对此不作限定。
进一步的，当第一类保护胶31的杨氏模量大于第二类保护胶32的杨氏模量时，继续参见图4，可选的，第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2，且第一类保护胶31位于第二类保护胶32远离发光二极管2的一侧。
本实施例通过设置第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2，可以增大发光二极管2所在区域处显示面板的厚度，增强对发光二极管2的保护效果。进一步的，本实施例通过设置杨氏模量相对较小的第二类保护胶32比杨氏模量相对较大的第一类保护胶31更加靠近发光二极管2，从而可以利用第二类保护胶32缓解弯折过程中应力对发光二极管2的影响，进一步增强对发光二极管2的保护效果。
此外，继续参见图4，可选的，第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2，且第一类保护胶31位于第二类保护胶32远离发光二极管2的一侧；第一类保护胶31的折射率n1以及第二类保护胶32的折射率n2满足n0＜n1＜n2＜n；其中，n0为空气的折射率，n为发光二极管2的出光侧最外层材料的折射率。
示例性的，空气的折射率n0为1，发光二极管2的出光侧最外层材料的折射率为2.1，具体根据发光二极管2出光侧最外层的材料而定。
当第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2时，本实施例通过选用折射率介于n0和n之间的胶材作为第一类保护胶31和第二类保护胶32，并使折射率率相对较大的第二类保护胶32比第一类保护胶31更加靠近发光二极管2，可使沿发光二极管2出光方向上的各层材料的折射率依次递减，从而可以提高发光二极管2的出光效率，减少全反射对出光效率的影响。
需要说明的是，本实施例仅以第一类保护胶31的折射率n1小于第二类保护胶32的折射率n2为例进行示意，此时，出于提高发光二极管2出光效率的考虑，将第一类保护胶31设置于第二类保护胶32远离发光二极管2的一侧；可以理解的，当第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2，且第一类保护胶31的折射率n1大于第二类保护胶32的折射率n2时，为了提高发光二极管2的出光效率，则需要将第二类保护胶32设置于第一类保护胶31远离发光二极管2的一侧。
还需要说明的是，当多种类型的保护胶均覆盖发光二极管2时，可以参照上述方案，从保护发光二极管2的角度和/或提高发光二极管2出光效率的角度设置多种类型的保护胶的位置关系。优选的，最靠近发光二极管2的保护胶同时兼具较小的杨氏模量以及较大的折射率的特性，从而既可以增强对发光二极管2的保护效果，还可以提高发光二极管2的出光效率。
综上，上述实施例针对第一类保护胶31和第二类保护胶32均覆盖发光二极管2的方案，继续对第一类保护胶31和第二类保护胶32的特性和相对位置关系做了详细说明。在上述实施例的基础上，下面对第二区域Q2处阵列基板1的结构做进一步详细说明。
可选的，第二区域包括第一子区域，第二凹槽结构包括第一子凹槽，第二类保护胶包括第一类子保护胶，第一类子保护胶填充于第一子凹槽内；阵列基板还包括像素电路，像素电路用于驱动发光二极管发光；像素电路具有位于第一子区域的部分，第一子区域中除像素电路所在区域以外的区域设置有第一子凹槽；和/或，第二区域包括第二子区域，第二凹槽结构包括第二子凹槽，第二类保护胶包括第二类子保护胶，第二类子保护胶填充于第二子凹槽内；阵列基板还包括多条信号线；信号线具有位于第二子区域的部分，第二子区域中除信号线所在区域以外的区域设置有第二子凹槽。
作为一种可行的实施方式，参见图2和图4，第二区域Q2包括第一子区域Q21，第二凹槽结构12包括第一子凹槽121，第二类保护胶32包括第一类子保护胶321，第一类子保护胶321填充于第一子凹槽121内；阵列基板1还包括像素电路，像素电路用于驱动发光二极管2发光；像素电路具有位于第一子区域Q21的部分，第一子区域Q21中除像素电路所在区域以外的区域设置有第一子凹槽121。
如图4所示，像素电路可以包括薄膜晶体管4等元件，薄膜晶体管4位于第一子区域Q21内，在弯折过程中，为了保护像素电路中的元件，可以在其周围空闲区域设置第一子凹槽121，并在第一子凹槽121内填充第一类子保护胶321。此外，如图4所示，第一类子保护胶321也可以覆盖发光二极管2。
具体的，像素电路中的元件的弯折极限一般大于发光二极管2的弯折极限，本领域技术人员可参照上述实施例设计第一子凹槽121的深度和第一类子保护胶321的杨氏模量等参数，在此不做过多说明。
作为另一种可行的实施方式，图5是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图，参见图2和图5，第二区域Q2包括第二子区域Q22，第二凹槽结构12包括第二子凹槽122，第二类保护胶32包括第二类子保护胶322，第二类子保护胶322填充于第二子凹槽122内；阵列基板1还包括多条信号线5；信号线5具有位于第二子区域Q22的部分，第二子区域Q22中除信号线5所在区域以外的区域设置有第二子凹槽122。
其中，信号线5例如可以是数据信号线、扫描信号线、发光控制信号线、电源信号线等信号线，本发明实施例对此不作限定。
如图5所示，在弯折过程中，为了保护信号线5，可以在其周围空闲区域设置第二子凹槽122，并在第二子凹槽122内填充第二类子保护胶322。此外，如图5所示，第二类子保护胶322也可以覆盖发光二极管2。
具体的，信号线5的弯折极限一般大于像素电路中的元件的弯折极限，本领域技术人员可参照上述实施例设计第二子凹槽122的深度和第二类子保护胶322的杨氏模量等参数，在此不做过多说明。
作为又一种可行的实施方式，图6是与图2对应的另一种显示面板的剖面结构示意图，参见图2和图6，第二区域Q2包括第一子区域Q21和第二子区域Q22，第二凹槽结构12包括第一子凹槽121和第二子凹槽122，第二类保护胶32包括第一类子保护胶321和第二类子保护胶322，第一类子保护胶321填充于第一子凹槽121内，第二类子保护胶322填充于第二子凹槽122内；阵列基板1还包括像素电路和多条信号线5，像素电路用于驱动发光二极管2发光；像素电路具有位于第一子区域Q21的部分，第一子区域Q21中除像素电路所在区域以外的区域设置有第一子凹槽121；信号线具有位于第二子区域Q22的部分，第二子区域Q22中除信号线所在区域以外的区域设置有第二子凹槽122。
如此设置，可以实现对像素电路和信号线的保护，提升显示面板的弯折性能，在此不做过多解释。
需要说明的是，第一类保护胶31、第一类子保护胶321和第二类子保护胶322中的至少一者覆盖发光二极管2即可，图6以第一类保护胶31和第一类子保护胶321覆盖发光二极管2为例进行示意。
还需要说明的是，第一类子保护胶321和第二类子保护胶322的类型可以相同，也可以不同，本领域技术人员可根据需求自行设置。
综上，本领域技术人员可以根据实际需求对像素电路和/或信号线等结构进行保护，避免其在弯折过程中损伤。此外，还可以参照上述实施例，根据各个易因弯折而受损的结构的弯折极限差异，对其所在区域内的凹槽的深度以及各凹槽内保护胶的类型进行差异化设计，在此不作过多说明。示例性的，图6中，第一凹槽结构11的深度小于第一子凹槽121的深度，第一子凹槽121的深度小于第二子凹槽122的深度。
需要说明的是，本发明实施例仅以像素电路为主动式驱动电路为例进行说明，本领域技术人员还可以设置其他类型的电路，并采取上述方案对其电路结构进行保护。示例性的，可以在阵列基板1中设置被动式驱动电路(仅包括两种信号线分别为发光二极管2的阳极和阴极施加电信号)驱动发光二极管2发光，此时，可以对阵列基板1中的信号线进行保护。
图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图，图8是与图7对应的一种显示面板的剖面结构示意图，参见图7和图8，进一步可选的，第二区域Q2还包括第三子区域Q23，第二凹槽结构12还包括第三子凹槽123，第二类保护胶32还包括第三类子保护胶323，第三类子保护胶323填充于第三子凹槽123内；阵列基板1在第三子区域Q23内包括介质层。
本实施例中，阵列基板1在第三子区域Q23内包括介质层，且仅包括介质层，换句话说，阵列基板1在第三子区域Q23内不包括上述任何易因弯折而受损的结构。其中，介质层例如可以是绝缘层、钝化层、平坦化层等不同功能的介质层。
本实施例通过在阵列基板1中增设第三子区域Q23，并在第三子区域Q23内设置第三子凹槽123，在第三子凹槽123内填充第三类子保护胶323，可以在牺牲一些像素密度(PPI)的前提下进一步提高显示面板的弯折性能，以满足用户对显示面板弯折程度的需求。
进一步可选的，第三子凹槽123围绕至少一个发光二极管2设置。
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图，结合图7和图9，图7中，每个发光二极管2均对应设置有第三子区域Q23，此时，第三子凹槽123围绕一个发光二极管2设置，如此，将对像素密度产生较大的影响。为了在提高显示面板弯折性能的同时，降低对像素密度的影响程度，保证显示面板的显示效果，可以参照图9，使第三子凹槽123围绕多个发光二极管2设置。
在此基础上，下面参照上文设计原则，以第二区域Q2包括第一子区域Q21、第二子区域Q22和第三子区域Q23为例，对各个区域内的凹槽结构以及各凹槽结构内保护胶的类型做详细说明。
参见图8，可选的，第二区域Q2包括第一子区域Q21、第二子区域Q22和第三子区域Q23，第二凹槽结构12包括第一子凹槽121、第二子凹槽122和第三子凹槽123，第二类保护胶32包括第一类子保护胶321、第二类子保护胶322和第三类子保护胶323；第一类保护胶31的杨氏模量E1、第一类子保护胶321的杨氏模量E21、第二类子保护胶322的杨氏模量E22以及第三类子保护胶323的杨氏模量E23满足E1＞E21＞E22＞E23；和/或，沿垂直于阵列基板1所在平面的方向，第一凹槽结构11的深度H1、第一子凹槽121的深度H21、第二子凹槽122的深度H22以及第三子凹槽123的深度H23满足H1＜H21＜H22＜H23。
如图8所示，第一凹槽结构11的深度H1、第一子凹槽121的深度H21、第二子凹槽122的深度H22以及第三子凹槽123的深度H23满足H1＜H21＜H22＜H23，如此，可以匹配各个区域的可弯折程度，在对易因弯折而受损的结构进行保护的同时，还可以利用凹槽内的保护胶提升显示面板的弯折性能。
同理，设置第一类保护胶31的杨氏模量E1、第一类子保护胶321的杨氏模量E21、第二类子保护胶322的杨氏模量E22以及第三类子保护胶323的杨氏模量E23满足E1＞E21＞E22＞E23，可以起到相同的效果，在此不再赘述。本领域技术人员可择一设置，也可以同时设置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，上述第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123之间的相对深度关系仅为示例性说明。在其他实施例中，上述第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123还可以具有相同的深度，如此，上述凹槽可以通过相同的制程制备，以简化制备工艺。此外，在其他实施例中，第一凹槽结构11的深度也可以相对于第二凹槽结构12(包括第一第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123等)的深度更深，本领域技术人员可根据实际需求进行设计，本发明实施例对此不作限定。
还需要说明的是，上述第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123之间相对深度关系的设置，以及第一类保护胶31、第一类子保护胶321、第二类子保护胶322以及第三类子保护胶323之间相对杨氏模量关系的设置，可以选择其中至少一种设置方式进行设置。
例如，可以在第一类保护胶31、第一类子保护胶321、第二类子保护胶322以及第三类子保护胶323为同一种保护胶时，设置第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123的深度依次递增；也可以在第一类保护胶31、第一类子保护胶321、第二类子保护胶322以及第三类子保护胶323的杨氏模量依次递减时，设置第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123的深度依次递增(如图8)，或者还可以设置第一凹槽结构11、第一子凹槽121、第二子凹槽122以及第三子凹槽123的深度相同。
进一步地，继续参见图8，第一类保护胶31、第一类子保护胶321、第二类子保护胶322和第三类子保护胶323均覆盖发光二极管2，此时，若第一类保护胶31的杨氏模量E1、第一类子保护胶321的杨氏模量E21、第二类子保护胶322的杨氏模量E22以及第三类子保护胶323的杨氏模量E23满足E1＞E21＞E22＞E23，则可以参照图8设置第三类子保护胶323、第二类子保护胶322、第一类子保护胶321和第一类保护胶31依次覆盖发光二极管2，以削弱弯折过程中的应力对发光二极管2的影响，增强对发光二极管2的保护效果。
继续参见图8，可选的，第一类保护胶31、第一类子保护胶321、第二类子保护胶322以及第三类子保护胶323均覆盖发光二极管2且依次层叠设置，第一类保护胶31位于第三类子保护胶323远离发光二极管2的一侧；第一类保护胶31的折射率n1、第一类子保护胶321的折射率n21、第二类子保护胶322的折射率n22以及第三类子保护胶323的折射率n23满足n0＜n1＜n21＜n22＜n23＜n；其中，n0为空气的折射率，n为发光二极管2的最外层材料的折射率。如上所述，如此设置可以提高发光二极管2的出光效率，在此不再赘述。
综上，上述实施例对第二区域Q2做了进一步划分，并对该区域内的凹槽以及凹槽内的保护胶的类型做了示例性说明，本领域技术人员可参照上述实施例并结合自身产品的结构进行设计。
在上述实施例的基础上，下面对阵列基板1中凹槽结构的设计做进一步说明。
图10-图12是本发明实施例提供的阵列基板1中第一凹槽结构和第二凹槽结构的几种俯视结构示意图，参见图10-图12，可选的，阵列基板1包括多条信号线5；第一凹槽结构11在阵列基板所在平面的垂直投影以及第二凹槽结构12在阵列基板所在平面的垂直投影均与信号线5在阵列基板所在平面的垂直投影不交叠。
由于第一凹槽结构11和第二凹槽结构12具有一定的深度，如果第一凹槽结构11和第二凹槽结构12所在膜层经过信号线5所在膜层，则需要使第一凹槽结构11和第二凹槽结构12避让信号线5，以保证信号线5能够正常传输电信号。如图10-图12所示，可以通过设置俯视形状不完全闭合的第一凹槽结构11和第二凹槽结构12，实现第一凹槽结构11和第二凹槽结构12避让信号线5，在提高显示面板弯折性能的同时，保证信号线5能够正常传输电信号。
可以理解的，若第一凹槽结构11或第二凹槽结构12的深度较小，未经过信号线5所在膜层，则不会影响电信号的传输，第一凹槽结构11和第二凹槽结构12的俯视形状则可以为闭合环形，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计。
参见图3-图6和图8，可选的，阵列基板1至少包括衬底101，以及位于衬底101靠近发光二极管2一侧且依次层叠设置的栅绝缘层103、层间绝缘层104、钝化层105和平坦化层106；第一凹槽结构11至少位于平坦化层内106。
具体的，上述不同深度的凹槽结构(例如第一凹槽结构11和第二凹槽结构12)可以通过截止到不同的膜层来实现，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计。
示例性的，参见图8，衬底与栅绝缘层之间还可以设置缓冲层102。图8中，第一凹槽结构11截止于上方的层间绝缘层104，第一子凹槽121截止于下方的层间绝缘层104，第二子凹槽122截止于栅绝缘层103，第三子凹槽123截止于缓冲层102。
示例性的，衬底可以为柔性材料，例如PI膜。
参见图8，可选的，阵列基板1中靠近发光二极管2的一侧，例如钝化层105与平坦化层106之间可以设置反射层6，反射层6在阵列基板所在平面的垂直投影与发光二极管2在阵列基板所在平面的垂直投影交叠。如此，可以利用反射层6将传播至反射层6的光重新反射至发光二极管2的出光侧，提高发光二极管2的出光效率。
此外，可选的，反射层6可以复用为辅助层，如此，通过将反射层6与信号线相连，可达到降低信号线电阻的效果。示例性的，反射层6可以与正电源电压信号线电连接，或者与负电源电压信号线电连接，以减小电源电压信号线的电阻，从而降低电源电压信号线上的压降(IR-drop)，提高显示均一性。
图13是本发明实施例提供的阵列基板1中第一凹槽结构的一种俯视结构示意图，参见图13，可选的，第一凹槽结构11围绕发光二极管2设置，第一类保护胶31覆盖发光二极管2，并延伸至第一凹槽内。
本实施例通过设置第一凹槽结构11围绕发光二极管2，可以利用第一凹槽结构11内的第一类保护胶31实现对发光二极管2的全方位保护。进一步的，通过设置第一类保护胶31覆盖发光二极管2并延伸至第一凹槽结构11内，可以增大保护胶与阵列基板1的结合力，增强对发光二极管2的保护效果。
示例性的，若第一凹槽结构11所在膜层未经过信号线所在膜层，可以参照图13设置俯视形状为闭合环形的第一凹槽结构11；若第一凹槽结构11所在膜层经过信号线所在膜层，可以参照图11设置俯视形状具有开口的第一凹槽结构11，以在避让信号线的同时最大限度的保护发光二极管2。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的显示面板，图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，参见图14，该制备方法可以包括如下步骤：
S201、制备阵列基板；阵列基板至少包括第一凹槽结构。
如前所述，阵列基板包括衬底、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层和平坦化层等膜层，以及位于各膜层之间的金属结构等。在制备第一凹槽结构时，可以每制备完成一个膜层(具体是指第一凹槽结构所在的膜层)，便对其进行图案化，以形成第一凹槽结构，如此有利于保证第一凹槽结构避让信号线。此外，也可以在制备完成阵列基板中所有膜层后，再形成第一凹槽结构，如此虽然工艺难度较大，但更加简单高效。
S202、在阵列基板一侧形成多个发光二极管；沿平行于阵列基板所在平面的方向，第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧。
示例性的，发光二极管可以为OLED、micro-LED或mini-LED。
若发光二极管为OLED，则可以在阵列基板一侧的阳极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极等结构，以形成多个OLED。
若发光二极管为micro-LED，则可以将micro-LED转运至阵列基板，使micro-LED的阳极和阴极与阵列基板一侧的共晶结构键合，以形成多个micro-LED。
优选的，第一凹槽结构围绕发光二极管设置。
S203、制备至少一类保护胶；至少一类保护胶包括第一类保护胶，第一类保护胶填充第一凹槽结构，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管。
在形成发光二极管后，可以将第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，并在发光二极管上覆盖至少一种类型的保护胶，实现对发光二极管的保护。
本发明实施例通过在阵列基板中制备第一凹槽结构，使第一凹槽结构位于发光二极管的至少一侧，并使第一类保护胶填充于第一凹槽结构内，可以提高第一凹槽结构所在位置处的弯折程度，提高显示面板的弯折性能，同时，由于第一凹槽结构所在位置处的弯折程度较高，可以将应力集中于第一凹槽结构内，达到保护发光二极管的效果；此外，本发明实施例通过设置至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管，可以增大发光二极管所在区域处的显示面板的厚度，降低弯折过程中该区域的弯折程度，从而可以进一步增强对发光二极管的保护效果。
在此基础上，图15是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，在像素级别内将阵列基板划分为可弯折程度不同的第一区域和第二区域，参见图15，显示面板的制备方法可以包括如下步骤：
S301、在第一区域制备第一凹槽结构，在第二区域制备第二凹槽结构；第一区域的可弯折程度小于第二区域的可弯折程度。
示例性的，第一凹槽结构的深度可以小于第二凹槽结构的深度。
S302、在第一区域形成多个发光二极管。
S303、制备至少一类保护胶；至少一类保护胶包括第一类保护胶和第二类保护胶，第一类保护胶填充第一凹槽结构，至少一类保护胶中的至少一者覆盖发光二极管，至少在所述第二凹槽结构内制备所述第二类保护胶。
示例性的，当第一类保护胶和第二类保护胶为同种类型的保护胶时，可以在同一工艺中制备第一类保护胶和第二类保护胶。
可选的，第一类保护胶的杨氏模量大于第二类保护胶的杨氏模量。此时，若第一类保护胶和第二类保护胶均覆盖发光二极管，可以采用如下步骤制备保护胶：
在第二凹槽结构内以及发光二极管远离阵列基板一侧制备第二类保护胶，第二类保护胶覆盖发光二极管；
在第一凹槽结构内以及第二类保护胶远离发光二极管一侧制备第一类保护胶，第一类保护胶覆盖第二类保护胶。
如此，可以使杨氏模量相对较小的第二类保护胶更加靠近发光二极管，从而可以利用第二类保护胶缓解弯折过程中应力对发光二极管的影响，进一步增强对发光二极管的保护效果。
参照上述显示面板实施例的描述，第二区域内的凹槽结构可以有多种设置方式，保护胶的类型可以有多种选择方式，覆盖发光二极管的保护胶也可以有多种设置方式，因此，在此不再针对各个具体的显示面板结构介绍其制备方法。总的来说，同一种类型的保护胶可以在同一工艺中制备，且当多种类型的保护胶覆盖发光二极管时，优先制备杨氏模量小/折射率大的保护胶。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置1000包括上述任一实施例提供的显示面板100，因而具备与上述显示面板相同的有益效果，相同之处可参照上述显示面板实施例的描述，在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置1000可以为图16所示的手机，也可以为任何具有显示功能的柔性电子产品，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板以及位于所述阵列基板一侧的多个发光二极管；
所述阵列基板至少包括第一凹槽结构，沿平行于所述阵列基板所在平面的方向，所述第一凹槽结构位于所述发光二极管的至少一侧；
所述显示面板还包括至少一类保护胶，所述至少一类保护胶包括第一类保护胶，所述第一类保护胶填充于所述第一凹槽结构内，所述至少一类保护胶中的至少一者覆盖所述发光二极管；
所述阵列基板包括第一区域和第二区域，所述发光二极管和所述第一凹槽结构均位于所述第一区域，所述第一区域的可弯折程度小于所述第二区域的可弯折程度；
所述第二区域内设置有第二凹槽结构，所述至少一类保护胶包括第二类保护胶，所述第二类保护胶至少填充于所述第二凹槽结构内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类保护胶的杨氏模量大于所述第二类保护胶的杨氏模量。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一类保护胶和所述第二类保护胶均覆盖所述发光二极管，且所述第一类保护胶位于所述第二类保护胶远离所述发光二极管的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类保护胶和所述第二类保护胶均覆盖所述发光二极管，且所述第一类保护胶位于所述第二类保护胶远离所述发光二极管的一侧；
所述第一类保护胶的折射率n1以及所述第二类保护胶的折射率n2满足n0＜n1＜n2＜n；其中，n0为空气的折射率，n为所述发光二极管的出光侧最外层材料的折射率。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述第一凹槽结构的深度小于所述第二凹槽结构的深度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域包括第一子区域，所述第二凹槽结构包括第一子凹槽，所述第二类保护胶包括第一类子保护胶，所述第一类子保护胶填充于所述第一子凹槽内；所述阵列基板还包括像素电路，所述像素电路用于驱动所述发光二极管发光；所述像素电路具有位于所述第一子区域的部分，所述第一子区域中除所述像素电路所在区域以外的区域设置有所述第一子凹槽；和/或，
所述第二区域包括第二子区域，所述第二凹槽结构包括第二子凹槽，所述第二类保护胶包括第二类子保护胶，所述第二类子保护胶填充于所述第二子凹槽内；所述阵列基板还包括多条信号线；所述信号线具有位于所述第二子区域的部分，所述第二子区域中除所述信号线所在区域以外的区域设置有所述第二子凹槽。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域还包括第三子区域，所述第二凹槽结构还包括第三子凹槽，所述第二类保护胶还包括第三类子保护胶，所述第三类子保护胶填充于所述第三子凹槽内；所述阵列基板在所述第三子区域内包括介质层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域包括第一子区域、第二子区域和第三子区域，所述第二凹槽结构包括第一子凹槽、第二子凹槽和第三子凹槽，所述第二类保护胶包括第一类子保护胶、第二类子保护胶和第三类子保护胶；
所述第一类保护胶的杨氏模量E1、所述第一类子保护胶的杨氏模量E21、所述第二类子保护胶的杨氏模量E22以及所述第三类子保护胶的杨氏模量E23满足E1＞E21＞E22＞E23；和/或，
沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述第一凹槽结构的深度H1、所述第一子凹槽的深度H21、所述第二子凹槽的深度H22以及所述第三子凹槽的深度H23满足H1＜H21＜H22＜H23。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一类保护胶、所述第一类子保护胶、所述第二类子保护胶以及所述第三类子保护胶均覆盖所述发光二极管且依次层叠设置，所述第一类保护胶位于所述第三类子保护胶远离所述发光二极管的一侧；
所述第一类保护胶的折射率n1、所述第一类子保护胶的折射率n21、所述第二类子保护胶的折射率n22以及所述第三类子保护胶的折射率n23满足n0＜n1＜n21＜n22＜n23＜n；其中，n0为空气的折射率，n为所述发光二极管的最外层材料的折射率。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三子凹槽围绕至少一个所述发光二极管设置。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多条信号线；
所述第一凹槽结构在所述阵列基板所在平面的垂直投影以及所述第二凹槽结构在所述阵列基板所在平面的垂直投影均与所述信号线在所述阵列基板所在平面的垂直投影不交叠。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽结构围绕所述发光二极管设置，所述第一类保护胶覆盖所述发光二极管，并延伸至所述第一凹槽内。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板至少包括衬底，以及位于所述衬底靠近所述发光二极管一侧且依次层叠设置的栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层和平坦化层；
所述第一凹槽结构至少位于所述平坦化层内。
14.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，包括：
制备阵列基板；所述阵列基板至少包括第一凹槽结构；
在所述阵列基板一侧形成多个发光二极管；沿平行于所述阵列基板所在平面的方向，所述第一凹槽结构位于所述发光二极管的至少一侧；
制备至少一类保护胶，所述至少一类保护胶包括第一类保护胶，所述第一类保护胶填充所述第一凹槽结构，所述至少一类保护胶中的至少一者覆盖所述发光二极管。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括第一区域和第二区域；
制备阵列基板，包括：
在所述第一区域制备所述第一凹槽结构，在所述第二区域制备第二凹槽结构；所述第一区域的可弯折程度小于所述第二区域的可弯折程度；
在所述阵列基板一侧形成多个发光二极管，包括：
在所述第一区域形成多个发光二极管；
所述至少一类保护胶包括第二类保护胶；制备至少一类保护胶，还包括：
至少在所述第二凹槽结构内制备所述第二类保护胶。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述第一类保护胶的杨氏模量大于所述第二类保护胶的杨氏模量；
制备至少一类保护胶，包括：
在所述第二凹槽结构内以及所述发光二极管远离所述阵列基板一侧制备所述第二类保护胶，所述第二类保护胶覆盖所述发光二极管；
在所述第一凹槽结构内以及所述第二类保护胶远离所述发光二极管一侧制备所述第一类保护胶，所述第一类保护胶覆盖所述第二类保护胶。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946317A (zh) * 2017-11-20 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置
CN109004104A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN111416063A (zh) * 2020-04-29 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN112038356A (zh) * 2020-08-31 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102076666B1 (ko) * 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
US10964731B2 (en) * 2018-12-04 2021-03-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof and display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946317A (zh) * 2017-11-20 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置
CN109004104A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN111416063A (zh) * 2020-04-29 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN112038356A (zh) * 2020-08-31 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板

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