CN112929003A - 一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法。单晶薄膜体声波谐振器的制备较为困难。本发明首先在压电薄膜上沉积电极，然后与制备有同样金属电极图案的晶圆通过金属原子键合工艺连接在一起；其中制备有同样金属电极图案的晶圆下方含有空腔；然后去掉压电薄膜的衬底晶圆，再沉积金属上电极形成谐振器。本发明工艺制备流程中不对压电薄膜直接操作，保证了压电薄膜的质量，进而提高器件的性能，从而能制备得到高频率、高Q值的薄膜体声波谐振器。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜体声波谐振器，具体涉及一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法。
背景技术
随着信息时代的快速发展，特别是手机端和各种收发传输信息的设备数量的快速增加，其所需的信息收发所占用的频段越来越多，利用高频段收发信息越来越普遍，其所需的高频段谐振器和滤波器越来越大。薄膜腔声谐振滤波器(film bulk acousticresonator)简称为FBAR滤波器，不同于以前的滤波器，是使用硅底板、借助mems技术以及薄膜技术而制造出来的，现阶段的fbar滤波器已经具备了高于传统的陶瓷和声表面波saw滤波器的特性，比如体积更小、谐振频率高、功率损耗低、品质因子(Q)高、功率容量大等。因此在此相关领域尤其是高频通讯滤波器收发功能方面有着广阔的应用和发展前景，成为工业界和学术界的研究热门。
薄膜体声波谐振器是薄膜体声波滤波器的主要构成单元，其基本结构是由两层金属电极夹着压电薄膜层的三明治压电振荡器。
压电薄膜层的厚度决定着体声波谐振器的工作频率，膜层的质量决定谐振器的性能，如Q值、机电耦合系数、FOM值等。当今主流的压电薄膜如ZnO、AlN等，均采用磁控溅射的方式制备，为多晶压电薄膜，其厚度均要在500nm以上才能具有较好的薄膜质量，使得体声波谐振器的工作频率做不高。另一方面，多晶薄膜内缺陷较多，造成BAW谐振器的损耗较大，Q值提升困难。随着薄膜制备工艺技术、设备的进步，单晶压电薄膜的制备工艺也越来越成熟。单晶压电薄膜由于晶体质量好，缺陷少，可以制备更高频率和Q值的BAW谐振器，已引起科研及工业界的广泛兴趣。然而，单晶薄膜BAW器件，制备工艺相对困难，如AlN单晶压电薄膜，需要在1000多度的温度下生长，使得制备薄膜体声波谐振器的下电极较为困难，同时制备的单晶压电薄膜平坦度低，易断裂，需要开发与多晶压电薄膜不同的单晶压电薄膜制备工艺及技术。
发明内容
本发明的目的是针对单晶压电薄膜体声波谐振器件制备困难的问题，提出一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，利用金属原子的键合工艺，获得薄膜体声波谐振器的金属电极，且不用牺牲层的制备与释放，简化部分工艺流程。
本发明采用以下技术方案实现：
本发明一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，具体步骤如下：
步骤一、对衬底依次进行用丙酮超声清洗、用异丙醇超声清洗和水洗；
步骤二、采用刻蚀工艺在衬底上刻蚀出空腔一；
步骤三、在衬底位于空腔一外围的上表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层一、金属层一和金属层二；金属层一和金属层二位于空腔一一侧，金属下电极待键合层一位于空腔一另一侧；
步骤四、取一侧表面带有压电层的碳化硅基底；
步骤五、采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔一；
步骤六、在通孔一中以及在压电层表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层二和位于金属下电极待键合层二一侧的金属层三；
步骤七、将金属下电极待键合层一与金属下电极待键合层二和金属层一贴合，金属层二与金属层三贴合，通过金属原子的键合工艺将金属下电极待键合层一与金属下电极待键合层二和金属层一连接在一起，将金属层二与金属层三连接在一起。
步骤八、采用化学机械研磨抛光减薄碳化硅基底；
步骤九、采用刻蚀工艺刻蚀减薄后的碳化硅基底，终止层为压电层，得到碳化硅剩余基底一和碳化硅剩余基底二；
步骤十、在压电层的表面位于碳化硅剩余基底一和碳化硅剩余基底二之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属上电极；
步骤十一、在压电层的表面位于金属上电极和碳化硅剩余基底一之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积接触电极；接触电极与通孔中的金属下电极待键合层二接触，且不与金属上电极接触。
优选地，所述衬底的材料是玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种。
优选地，所述的空腔一呈梯形、三角形、长方形、正方形、非规则多边形、圆形或椭圆形；空腔一的深度为2um-20um，横向最大尺寸为50um-500um。
优选地，所述碳化硅基底的材料是玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种。
优选地，所述金属下电极待键合层一的横向宽度为5um-500um，厚度为5nm-2000nm。
优选地，所述金属层一和金属层二的横向宽度均为1um-500um，厚度为5nm-2000nm，材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合。
优选地，所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂、锆钛酸铅或铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为0.01um-10um。
优选地，所述通孔一的中心轴线与压电层边缘的最近距离在10um-50um范围内取值，通孔一的直径在5um-30um范围内取值。
优选地，所述金属下电极待键合层二的横向宽度为5um-500um，厚度为5nm-2000nm；金属下电极待键合层二的材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合；接触电极的材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合。
优选地，所述金属上电极的厚度为10nm-2000nm，横向宽度为5um-500um；接触电极的厚度为10nm-2000nm。
本发明具有的有益效果是：
本发明首先在压电薄膜上沉积电极，然后与制备有同样金属电极图案的晶圆通过金属原子键合工艺连接在一起；其中制备有同样金属电极图案的晶圆下方含有空腔；然后去掉压电薄膜的衬底晶圆，再沉积金属上电极形成谐振器。因此，本发明工艺制备流程中不对压电薄膜直接操作，保证了压电薄膜的质量，进而提高器件的性能，从而能制备得到高频率、高Q值的薄膜体声波谐振器。
附图说明
图1是本发明在衬底上制备空腔一的剖面图。
图2是图1中结构沉积金属下电极待键合层一、金属层一和金属层二后的剖面图。
图3是一侧表面带有压电层的碳化硅基底的剖面图。
图4是在图3结构上制备通孔的剖面图。
图5是在图4结构上沉积金属下电极待键合层二和金属层三的剖面图。
图6是图2结构与图5结构键合成型的剖面图。
图7是在图6结构上减薄碳化硅基底的剖面图。
图8是在图7结构上刻蚀碳化硅基底得到碳化硅剩余基底一和碳化硅剩余基底二的剖面图。
图9是在图8结构上沉积金属上电极和接触电极的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，具体步骤如下：
步骤一、对衬底100依次进行用丙酮超声清洗、用异丙醇超声清洗和水洗，衬底晶体取向为[111]或[100]；衬底的材料可以是玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种。
步骤二、如图1所示，采用刻蚀工艺在衬底上刻蚀出空腔一101；空腔一101呈梯形、三角形、长方形、正方形、非规则多边形、圆形或椭圆形；空腔一的深度为2um-20um(优选3um)，横向最大尺寸为50um-500um(优选200um)。
步骤三、如图2所示，在衬底100位于空腔一101外围的上表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层一102、金属层一103和金属层二104；金属层一103和金属层二104位于空腔一101一侧，金属下电极待键合层一102位于空腔一101另一侧；金属下电极待键合层一102的横向宽度为5um-200um，厚度为5nm-2000nm；金属层一103和金属层二104的横向宽度均为1um-500um，厚度为5nm-2000nm，材料可以是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合。
步骤四、如图3所示，取一侧表面带有压电层106的碳化硅基底；压电层106的材料可以为氮化铝、氧化锌、镍酸锂、锆钛酸铅或铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为0.1um-10um。
步骤五、如图4所示，采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔一201；
步骤六、如图5所示，在通孔一201中以及在压电层106表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层二111和位于金属下电极待键合层二111一侧的金属层三112；金属下电极待键合层二111的横向宽度为5um-500um，厚度为5nm-2000nm；待键合层二的材料可以是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合；金属层三112的厚度与金属层一103和金属层二104的厚度相等，且金属层三112的横向宽度与金属层二104的横向宽度相等。
步骤七、如图6所示，将金属下电极待键合层一102与金属下电极待键合层二111和金属层一103贴合，金属层二104与金属层三112贴合，通过金属原子的键合工艺将金属下电极待键合层一102与金属下电极待键合层二111和金属层一103连接在一起，将金属层二104与金属层三112连接在一起，起到支撑器件的作用，不做电气连接。
步骤八、如图7所示，采用化学机械研磨抛光减薄碳化硅基底105；
步骤九、如图8所示，采用刻蚀工艺刻蚀减薄后的碳化硅基底105，终止层为压电层，得到碳化硅剩余基底一113和碳化硅剩余基底二114；
步骤十、如图9所示，在压电层106的表面位于碳化硅剩余基底一113和碳化硅剩余基底二114之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属上电极116；金属上电极116的厚度为10nm-2000nm(优选0.2um)，横向宽度为5um-500um(优选100um)。
步骤十一、如图9所示，在压电层106的表面位于金属上电极116和碳化硅剩余基底一113之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积接触电极115；接触电极115与通孔201中的金属下电极待键合层二111接触，且不与金属上电极接触。
Claims (10)
1.一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：
步骤一、对衬底依次进行用丙酮超声清洗、用异丙醇超声清洗和水洗；
步骤二、采用刻蚀工艺在衬底上刻蚀出空腔一；
步骤三、在衬底位于空腔一外围的上表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层一、金属层一和金属层二；金属层一和金属层二位于空腔一一侧，金属下电极待键合层一位于空腔一另一侧；
步骤四、取一侧表面带有压电层的碳化硅基底；
步骤五、采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔一；
步骤六、在通孔一中以及在压电层表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属下电极待键合层二和位于金属下电极待键合层二一侧的金属层三；
步骤七、将金属下电极待键合层一与金属下电极待键合层二和金属层一贴合，金属层二与金属层三贴合，通过金属原子的键合工艺将金属下电极待键合层一与金属下电极待键合层二和金属层一连接在一起，将金属层二与金属层三连接在一起；
步骤八、采用化学机械研磨抛光减薄碳化硅基底；
步骤九、采用刻蚀工艺刻蚀减薄后的碳化硅基底，终止层为压电层，得到碳化硅剩余基底一和碳化硅剩余基底二；
步骤十、在压电层的表面位于碳化硅剩余基底一和碳化硅剩余基底二之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成金属上电极；
步骤十一、在压电层的表面位于金属上电极和碳化硅剩余基底一之间位置采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积接触电极；接触电极与通孔中的金属下电极待键合层二接触，且不与金属上电极接触。
2.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述衬底的材料是玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述的空腔一呈梯形、三角形、长方形、正方形、非规则多边形、圆形或椭圆形；空腔一的深度为2um-20um，横向最大尺寸为50um-500um。
4.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述碳化硅基底的材料是玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述金属下电极待键合层一的横向宽度为5um-500um，厚度为5nm-2000nm。
6.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述金属层一和金属层二的横向宽度均为1um-500um，厚度为5nm-2000nm，材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合。
7.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂、锆钛酸铅或铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为0.01um-10um。
8.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述通孔一的中心轴线与压电层边缘的最近距离在10um-50um范围内取值，通孔一的直径在5um-30um范围内取值。
9.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述金属下电极待键合层二的横向宽度为5um-500um，厚度为5nm-2000nm；金属下电极待键合层二的材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合；接触电极的材料是铜、铝、银、钛、钨、镍或钼中的一种或多种按任意配比组合。
10.根据权利要求1所述的一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述金属上电极的厚度为10nm-2000nm，横向宽度为5um-500um；接触电极的厚度为10nm-2000nm。
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| CN106788306A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-05-31 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107093994A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-25 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
| US20190245515A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. | Single crystal piezoelectric rf resonators and filters with improved cavity definition |
| CN111082770A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-28 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| US20200313648A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Global Communication Semiconductors, Llc | Single-Crystal Bulk Acoustic Wave Resonator and Method of Making Thereof |
| CN112039457A (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 薄膜体声波谐振器的制作方法 |
-
2021
- 2021-01-25 CN CN202110096553.1A patent/CN112929003A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106788306A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-05-31 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107093994A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-25 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
| US20190245515A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. | Single crystal piezoelectric rf resonators and filters with improved cavity definition |
| US20200313648A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Global Communication Semiconductors, Llc | Single-Crystal Bulk Acoustic Wave Resonator and Method of Making Thereof |
| CN112039457A (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 薄膜体声波谐振器的制作方法 |
| CN111082770A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-28 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
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