CN112925683B - 测试板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种测试板，应用于内存模组的温湿度测试，包括：内存插槽，用于连接内存模组；电源端，用于为所述内存模组供电；过流保护单元，串接于所述内存插槽与所述电源端之间，用于在所述内存模组短路时熔断；指示单元，串接于所述过流保护单元与接地端之间，用于指示所述过流保护单元的状态。本发明实施例提供一种可指示温湿度测试结果的测试板。

Description

测试板

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种测试板。

背景技术

随着电子产品的应用范围不断拓展，以及电子产品功率的不断上升，电子产品内部元件的应用环境愈加严峻，例如说，应用过程中的环境温度上限越来越高。为保证电子产品在高温高湿环境下能够正常运转，在出厂电子产品之前，需要对待出厂的电子产品进行高温高湿环境测试，尤其是针对内存模组。

发明内容

本发明实施例提供一种测试板，可指示温湿度测试结果。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种测试板，应用于内存模组的温湿度测试，包括：内存插槽，用于连接内存模组；电源端，用于为所述内存模组供电；过流保护单元，串接于所述内存插槽与所述电源端之间，用于在所述内存模组短路时熔断；指示单元，串接于所述过流保护单元与接地端之间，用于指示所述过流保护单元的状态。

另外，所述电源端用于至少提供第一电压和第二电压，所述第二电压大于所述第一电压，所述第一电压用于通过第一过流保护单元向所述内存模组的第一针脚供电，所述第二电压用于通过第二过流保护单元向所述内存模组的第二针脚供电。

另外，所述指示单元包括第一指示单元和第二指示单元，所述第一指示单元串接于所述第一过流保护单元与所述接地端之间，所述第二指示单元串接于所述第二过流保护单元与所述接地端之间。

另外，所述第二电压大于等于所述第二指示单元的开启电压，所述第二指示单元包括串联的限流电阻和发光二极管。

另外，所述第一电压小于所述第一指示单元的开启电压，所述第一指示单元包括开关单元和发光二极管，所述开关单元的第一端与所述第一过流保护单元的输出端连接，所述开关单元的第二端与所述发光二极管的负极连接，所述发光二极管的正极用于接收大于所述开启电压的电压信号，所述开关单元的第三端接地；其中，所述第一端的电压大于所述开关单元的导通电压时，所述第二端与所述第三端连通，所述导通电压小于所述开启电压。

另外，所述开关单元包括三极管，所述第一端为所述三极管的基极，所述第二端为所述三极管的集电极，所述第三端为所述三极管的发射极。

另外，所述第一指示单元还包括：抗干扰电阻，所述抗干扰电阻一端与所述第一端连接，另一端接地。

另外，所述电源端还用于提供大于所述开启电压的电压信号。

另外，所述电源端用于向所述内存模组的多个针脚提供同一电压信号。

另外，所述第一电压用于通过所述内存模组的VDD0引脚至VDD25引脚向所述内存模组供电；所述第二电压用于通过所述内存模组的VPP0引脚至VPP4引脚向所述内存模组供电。

另外，所述电源端具有4个提供所述第一电压的供电分支，第一供电分支用于通过所述VDD0引脚至VDD6引脚向所述内存模组供电，第二供电分支用于通过VDD7引脚至VDD12引脚向所述内存模组供电，第三供电分支用于通过VDD13引脚至VDD19引脚向所述内存模组供电，第四供电分支用于通过VDD20引脚至所述VDD25引脚向所述内存模组供电。

另外，所述电源端还提供参考电压和第三电压，所述第二电压大于所述第一电压，所述第三电压大于所述第二电压。

另外，所述第三电压用于通过第三过流保护单元向所述内存模组的第三针脚供电，所述参考电压用于通过参考过流保护单元向所述内存模组的参考针脚供电。

另外，所述参考电压用于通过VTT0引脚、VTT1引脚以及VREFCA引脚向所述内存模组供电，所述第三电压用于通过VDDSPD引脚向所述内存模组供电。

另外，所述内存插槽的接地引脚与所述接地端连接。

另外，所述电源端用于为多个所述内存模组供电。

另外，所述过流保护单元包括熔丝单元，所述熔丝单元在所述内存模组短路时熔断。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

上述技术方案中，通过指示单元表征过流保护单元的状态，而过流保护单元的状态与内存模组是否发生短路有关，因此，可通过指示单元简单有效地表征内存模组是否发生短路；进一步地，可根据温湿度测试过程中不同环境参数对应的指示单元状态，判断内存模组是否满足温湿度要求。

另外，内存模组不同针脚的工作电压之间可能存在差异，工作电压的差异可能导致不同针脚在工作状态下的耐温性能和耐湿性能也存在不同，通过向不同针脚接入不同的供电电压，以模拟该针脚的实际工作状态，有利于更为准确地测试得到不同针脚在实际工作状态下的耐温耐湿性能，提高测试准确性。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本发明实施例提供的测试板的功能模块示意图；

图2至图5为本发明实施例提供的测试板的电路示意图；

图6和图7为本发明实施例提供的内存模组的信号示意图；

图8为本发明实施例提供的测试板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

参考图1，测试板包括：内存插槽104，用于连接内存模组105；电源端101，用于为内存模组105供电；过流保护单元102，串接于内存插槽104与电源端101之间，用于在内存模组105短路时熔断；指示单元103，串接于过流保护单元102与接地端106之间，用于指示过流保护单元102的状态。

根据上述测试板的功能模块示意图可知，当内存模组105发生短路时，流通于过流保护单元102的电流增大。当流通于过流保护单元102的电流大于额定电流时，过流保护单元102发生熔断。在过流保护单元102发生熔断之前，指示单元103在电源端101的供电下呈现第一状态，当过流保护单元102因内存模组105短路而发生熔断时，指示单元103在断电状态下呈现第二状态，通过指示单元103的状态切换，即可简单及时地获知内存模组105是否发生短路；同时，过流保护单元102的熔断还可以保护内存模组105，避免短路时的大电流毁损内存模组105样品。

其中，过流保护单元102可以是常见的熔丝单元，也可以是其他结构单元，只要能够在满足过流条件时断开即可。以下以过流保护单元102为熔丝单元作为示例进行详细说明。

此外，内存模组105发生短路实际指的是内存模组105的等效电阻减小，而导致内存模组105的等效电阻减小的原因包括：相邻位线之间发生短路、相邻字线之间发生短路以及字线与位线之间发生短路。内存模组105发生短路并不要求内存模组105的等效电阻减至为零。

本实施例中，内存插槽104可以是为特定类型的内存模组105准备的专用型插槽，例如DDR4内存模组，也可以是用于插入不同类型的内存模组105的通用型插槽，例如DDR3内存模组和DDR4内存模组。为避免内存插槽104的性能影响测试结果的准确性，需要先对内存插槽104进行温湿度测试，挑选出合格的内存插槽104之后再进行内存模组104的温湿度测试，避免内存插槽104在温湿度测试过程中发生短路，进而影响最终的测试结果的准确性。

内存插槽104的测试既可以单独进行，也可以作为测试板的一部分整体进行。即在对内存模组105进行温湿度测试之前，对测试板整体进行测试，保证电源端101、熔丝单元102、指示单元103和内存插槽104具有良好的稳定的性能，避免测试板元件对测试结果的准确性产生影响。其中，电源端101既可以是供电电源，也可以是用于连接外部供电电源的内部接口。

指示单元103通过状态切换表征内存模组105发生短路，指示单元103切换前后的状态的类型不受限制，指示单元103切换前后的状态可以不属于同一类型。举例来说，指示单元103可以是指示灯，当内存模组105性能正常时，指示单元103常灭，当内存模组105发生短路时，指示单元103亮起；或者，当内存模组105性能正常时，指示单元103常亮，当内存模组105发生短路时，指示单元103向指定联系人发送告警信息。如此，可适应不同应用场景下的指示要求，提供更为高效简单的指示方式，提高测试效率以及扩展可应用环境。

以下以指示单元103为发光二极管作为示例，当内存模组105性能正常时，指示单元103常亮，当内存模组105发生短路时，指示单元103熄灭。

参考图1和图2，本实施例中，电源端101用于至少提供第一电压V1和第二电压V2，第一电压V1用于通过第一熔丝单元102a和第一针脚(未标示)向内存模组105供电，第二电压V2用于通过第二熔丝单元102b和第二针脚4向内存模组105供电。通过向不同针脚提供适应于针脚的供电电压，有利于保证通过不同针脚进行工作时的内存模组105a的耐湿耐湿性能均满足耐温耐湿要求，从而保证内存模组105在高温高湿环境下有效运行。

具体来说，内存模组105中与不同针脚连接的子部件不完全不同，同一类型的针脚的供电电压一般相同，不同类型的针脚的供电电压一般不同，通过不同针脚进行供电的内存模组105可能因为与针脚连接的子部件不同或因为针脚的供电电压不同，而发生耐温耐湿性能的变化。

假设通过第一针脚向内存模组105的第一子部件提供第一电压V1进行供电，内存模组105具有第一耐温耐湿性能，通过第一针脚向内存模组105的第一子部件提供第二电压V2进行供电，内存模组105具有第二耐温耐湿性能。当电源端101实际提供的电压为第二电压V2时，受实际工作电压的影响，内存模组105的耐温耐湿性能就从第一耐温耐湿性能转变为第二耐温耐湿性能，实际测试得到的耐温耐湿性能为第二耐温耐湿性能。这就导致实际测试结果与内存模组105在额定工作电压条件下的耐温耐性性能不同，无法准确判断内存模组105的实际工作状态下的耐温耐湿性能是否满足要求，无法达成测试目的以及根据测试结果进行改进。

因此，向具有不同额定工作电压的针脚提供适应性的供电电压，使其测试过程中的耐温耐湿性能与实际工作状态下的耐温耐湿性能相近甚至相同，有利于提高测试结果的准确性；此外，假设同一类的不同针脚的额定工作电压不同，或者同一针脚的工作电压在理想工作过程中变化较大，采用不同的供电电压对同一类的不同针脚进行温湿度测试，以及采用不同的供电电压对同一针脚进行多次温湿度测试，有利于提高内存模组105的质量，避免内存模组105因工作电压或工作针脚发生变化而无法适应温湿度环境，保证内存模组105在任意工作状态下的耐温耐湿性能满足预设温湿度要求，从而扩大内存模组105的可应用范围。

需要说明的是，当电源端101在同一时刻仅能提供一个电压信号时，电源端101需要调整自身的输出电压，以依次进行第一电压V1和第二电压V2的测试，第一电压V1的测试可包括单个针脚的电压测试和多个针脚的电压测试，第二电压V2的测试同理；当电源端101在同一时刻可提供多个不同的电压信号时，可同时进行多个不同电压信号的测试。采用同一时刻可提供多个电压信号的电源端101进行测试，有利于提升测试效率。

其中，电源端101可包括多个子电源端，不同子电源端提供电压信号不同；或者，电源端101包含多条电源线路，不同电源线路用于接收外部传入的不同电压信号。

本实施例中，为分别指示不同熔丝单元102的状态，还设置了第一指示单元(未标示)和第二指示单元(未标示)，第一指示单元串接于第一熔丝单元102a与接地端106之间，第二指示单元串接于第二熔丝单元102b与接地端106之间。如此，可通过第一指示单元指示采用第一针脚供电的内存模组105是否发生短路，通过第二指示单元指示采用第二针脚供电的内存模组105是否发生短路，即通过多个指示单元的状态，准确判断内存模组105短路时的工作状态，进而进行针对性的分析与改进。

不同指示单元的结构可以相同或不同，不同的结构可具有不同的指示方式，指示方式包括指示灯光不同。例如第一指示单元中的发光二极管为绿色发光二极管，第二指示单元中的发光二极管为蓝色或红色发光二极管；此外，不同的结构还用于适应不同的供电电压，以使电源端提供的供电电压可驱动对应的指示单元，或者可控制指示单元的状态切换。

本实施例中，参考图3，第二电压V2大于等于第二指示单元103b的开启电压，第二指示单元103b包括串联的第二限流电阻R2和第二发光二极管LED2。具体来说，第二电压V2大于第二发光二极管LED2的驱动电压，在第二电压V2的供电下，第二发光二极管LED2可发光，即第二发光二极管LED2可完全依靠第二电压V2驱动。

其中，第二限流电阻R2的阻值可以设置为1KΩ；在其他实施例中，还可不设置限流电阻。

本实施例中，参考图4，第一指示单元103a中第一发光二极管LED1的开启电压大于第一电压V1，第一发光二极管LED1无法依靠第一电压LED1驱动，第一电压V1仅能作为辅助电压，间接控制第一发光二极管LED1的状态切换。

具体地，第一指示单元103a包括开关单元107和第一发光二极管LED1，开关单元107的第一端与第一熔丝单元102a的输出端连接，开关单元107的第二端与第一发光二极管LED1的负极连接，第一发光二极管LED1的正极用于接收大于第一发光二极管LED1的开启电压的电压信号，开关单元107的第三端接地；其中，第一端的电压大于开关单元107的导通电压时，第二端与第三端连通，开关单元107的导通电压小于第一发光二极管LED1的开启电压。

如此，可通过电压值相对较小的第一电压V1控制开启电压相对较大的第一发光二极管LED1的亮起与熄灭，保证第一电压V1既可以用于控制发光二极管的指示，又可以通过针脚驱动内存模组105。

进一步地，参考图5，开关单元107(参考图4)包括三极管T，开关单元107的第一端为三极管T的基极，开关单元107的第二端为三极管T的集电极，开关单元107的第三端为三极管T的发射极。三极管T一般具有较低的导通电压，电压值相对较小的第一电压V1可通过控制三极管T的导通与截止控制第一发光二极管LED1的亮起与熄灭，实现指示效果的切换。

本实施例中，三极管T为NPN管，当三极管T为NPN型硅管时，理论上基极电压大于发射极电压0.7V左右三极管T就可以导通，由于发射极接地，因此三极管T的基极电压大于0.7V时，三极管T就可以导通；当三极管T为NPN型锗管时，基极电压大于发射极电压0.3V左右三极管T就可以导通，由于发射极接地，因此三极管T的基极电压大于0.3V时，三极管T就可以导通。

因此，设置第一电压V1的电压值大于0.7V，就可以通过第一电压V1控制三极管T的导通与截止，进而实现第一发光二极管LED1的指示效果的切换。需要说明的是，三极管T为NPN型硅管时，实际上基极电压大于发射极电压0.5V左右三极管T就可以导通，即在发射极接地的情况下，基极电压大于0.5V时，三极管T就可以导通。如此，可进一步调整第一电压V1的电压值，将其设置为0.5V以上。

换句话说，任意大于0.5V的电压都可以通过类似于第一指示单元103a的结构，控制相应发光二极管或其他可起到指示作用的结构，从而实现指示状态的切换，表征熔丝单元因过流而断开，表征内存模组105发生短路。

本实施例中，第一发光二极管LED1的正极所接收的大于开启电压的电压信号可以是电源端101提供的第二电压V2或第三电压V3，也可以是其他外部输入信号。以下以第三电压V3作为第一发光二极管LED1的状态切换过程进行示例说明。

在第一指示单元103a中，第一电压V1作为三极管T的导通电压，当内存模组105处于正常状态，或者说当内存模组105尚未短路时，第一熔丝单元102a导通，三极管T接收第一电压V1而处于导通状态，第三电压V3驱动第一发光二极管LED1，使其处于常亮状态；当第一针脚发生短路时，第一熔丝单元102a熔断，三极管T基极没有电压信号输入，三极管T截止，相当于第一发光二极管LED1负极断开，第一发光二极管LED1熄灭。如此，第一电压V1既可以作为内存模组105的测试电压，又可以控制第一发光二极管LED1的发光与熄灭，以表征第一发光二极管LED1是否短路。

本实施例中，第一指示单元103a还包括：抗干扰电阻R3，抗干扰电阻R3一端与三极管T的基极连接，另一端接地。如此，有利于避免基极的杂波信号影响测试结果，保证测试结果的准确性。

本实施例中，第一指示单元103a还包括第一限流电阻R1，第一限流电阻R1串接于第一熔丝单元102a与三极管T的基极之间，第一限流电阻R1的阻值可设置为1KΩ；相应地，抗干扰电阻R3的阻值可与第一限流电阻R1的阻值相同，即为1KΩ，从而保证抗干扰电阻R3具有良好的抗干扰效果。

本实施例中，电源端101向内存模组105的多个针脚提供同一电压信号。当任意针脚的供电导致内存模组105发生短路时，该同一电压信号对应的熔丝单元102发生熔断，对应的指示单元103切换状态，如此，可通过一个熔丝单元102和一个指示单元103对多个针脚的状态进行监测，有利于提高测试便捷性以及降低测试板的复杂度。

参考图6和图7，以内存模组105为DDR4 UDIMM内存模组作为示例，图6示意DDR4UDIMM内存模组一面，图7示意DDR4 UDIMM内存模组相对的另一面，DDR4 UDIMM内存模组具有228根引脚，如VSS0引脚、VSS1引脚…VSS93引脚，VDD0引脚至VDD25引脚，VREFCA引脚，VPP0引脚至VPP4引脚，VTT0引脚和VTT1引脚，VDDSPD引脚等。

需要说明的是，图6和图7示意出的是标准DDR4 UDIMM内存模组的引脚示意图，图6和图7中的部分标注属于DDR4 UDIMM内存模组的现有标准规范，不应理解为说明书附图的附图标记。

本实施例中，第一电压V1用于通过VDD0引脚至VDD25引脚向内存模组105供电，第二电压V2用于通过VPP0引脚至VPP4引脚向内存模组105供电。

本实施例中，采用不同供电分支提供同一供电电压，以分别为同一类的不同引脚进行供电，每一条供电分支具有对应的熔丝单元102和指示单元103。如此，有利于减少每一供电分支对应的待供电针脚的数量，减小熔丝单元102熔断时引脚短路的排查范围，降低故障确认难度和减少人力消耗。

具体地，电源端101具有4个提供第一电压V1的供电分支，第一供电分支用于通过VDD0引脚至VDD6引脚向内存模组105供电，第二供电分支用于通过VDD7引脚至VDD12引脚向内存模组105供电，第三供电分支用于通过VDD13引脚至VDD19引脚向内存模组105供电，第四供电分支用于通过VDD20引脚至VDD25引脚向内存模组105供电。

参考图2、图6以及图7，电源端101还提供参考电压VTT和第三电压V3，第二电压V2大于第一电压V1，第三电压V3大于第二电压V2。具体地，第三电压V3用于通过第三熔丝单元102c和第三针脚2向内存模组105供电，第三针脚2包括VDDSPD引脚，参考电压VTT用于通过参考熔丝单元102d和参考针脚10向内存模组105供电，参考针脚包括VTT0引脚、VTT1引脚以及VREFCA引脚。

本实施例中，内存插槽105的接地引脚(VSS0引脚至VSS93引脚)与接地端106连接，电源端101可用于为多个内存模组105供电。

本实施例中，第一电压V1可设定为1.26V，第二电压V2可设定为2.75V，第三电压V3可设定为3.3V，参考电压VTT可设定为0.6V；关于测试板的其他参数可设置如下：参考图8，测试板的尺寸为20mm*40mm，测试板本身已通过85℃和85％RH的温湿度测试，每个测试板可包含7至8个内存插槽104，每一内存插槽104对应至少一个熔丝单元102，熔丝单元102的额定工作电流可以为2A。

本实施例中，通过指示单元表征过流保护单元的状态，而过流保护单元的状态与内存模组是否发生短路有关，因此，可通过指示单元简单有效地表征内存模组是否发生短路；进一步地，可根据温湿度测试过程中不同环境参数对应的指示单元状态，判断内存模组是否满足温湿度要求。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (14)

1.一种测试板，应用于内存模组的温湿度测试，其特征在于，包括：

内存插槽，用于连接内存模组；

电源端，用于为所述内存模组供电；

过流保护单元，串接于所述内存插槽与所述电源端之间，用于在所述内存模组短路时熔断；

指示单元，串接于所述过流保护单元与接地端之间，用于指示所述过流保护单元的状态；

所述电源端用于至少提供第一电压和第二电压，所述第二电压大于所述第一电压，所述第一电压用于通过第一过流保护单元向所述内存模组的第一针脚供电，所述第二电压用于通过第二过流保护单元向所述内存模组的第二针脚供电；

所述指示单元包括第一指示单元和第二指示单元，所述第一指示单元串接于所述第一过流保护单元与所述接地端之间，所述第二指示单元串接于所述第二过流保护单元与所述接地端之间；

所述第一电压小于所述第一指示单元的开启电压，所述第一指示单元包括开关单元和发光二极管，所述开关单元的第一端与所述第一过流保护单元的输出端连接，所述开关单元的第二端与所述发光二极管的负极连接，所述发光二极管的正极用于接收大于所述开启电压的电压信号，所述开关单元的第三端接地；其中，所述第一端的电压大于所述开关单元的导通电压时，所述第二端与所述第三端连通，所述导通电压小于所述开启电压。

2.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述第二电压大于等于所述第二指示单元的开启电压，所述第二指示单元包括串联的限流电阻和发光二极管。

3.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述开关单元包括三极管，所述第一端为所述三极管的基极，所述第二端为所述三极管的集电极，所述第三端为所述三极管的发射极。

4.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述第一指示单元还包括：抗干扰电阻，所述抗干扰电阻一端与所述第一端连接，另一端接地。

5.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述电源端还用于提供大于所述开启电压的电压信号。

6.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述电源端用于向所述内存模组的多个针脚提供同一电压信号。

7.根据权利要求6所述的测试板，其特征在于，所述第一电压用于通过所述内存模组的VDD0引脚至VDD25引脚向所述内存模组供电；所述第二电压用于通过所述内存模组的VPP0引脚至VPP4引脚向所述内存模组供电。

8.根据权利要求7所述的测试板，其特征在于，所述电源端具有4个提供所述第一电压的供电分支，第一供电分支用于通过所述VDD0引脚至VDD6引脚向所述内存模组供电，第二供电分支用于通过VDD7引脚至VDD12引脚向所述内存模组供电，第三供电分支用于通过VDD13引脚至VDD19引脚向所述内存模组供电，第四供电分支用于通过VDD20引脚至所述VDD25引脚向所述内存模组供电。

9.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述电源端还用于提供参考电压和第三电压，所述第二电压大于所述第一电压，所述第三电压大于所述第二电压。

10.根据权利要求9所述的测试板，其特征在于，所述第三电压用于通过第三过流保护单元向所述内存模组的第三针脚供电，所述参考电压用于通过参考过流保护单元向所述内存模组的参考针脚供电。

11.根据权利要求10所述的测试板，其特征在于，所述参考电压用于通过VTT0引脚、VTT1引脚以及VREFCA引脚向所述内存模组供电，所述第三电压用于通过VDDSPD引脚向所述内存模组供电。

12.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述内存插槽的接地引脚与所述接地端连接。

13.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述电源端用于为多个所述内存模组供电。

14.根据权利要求1所述的测试板，其特征在于，所述过流保护单元包括熔丝单元，所述熔丝单元在所述内存模组短路时熔断。

Images