CN112864327A - 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池包括：衬底、透明导电氧化物薄膜、氧化镍空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿薄膜、电子传输层和背电极。该钙钛矿太阳能电池通过在氧化镍空穴传输层和钙钛矿薄膜之间设置界面修饰层，可解决氧化镍与钙钛矿之间晶格失配、膨胀系数差异导致残余应力的问题，并减少氧化镍表面的Ni3+、减少界面缺陷的存在，提升电池的填充和载流子的提取速度，从而获得更高的效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体而言，本发明涉及钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池以其光电转化效率高、材料成本低、易于制备、可薄膜化柔性化等特点受到广泛关注，并被认为是具有商业化前景的新一代太阳能电池。而PIN结构(反式)太阳能电池由于可低温制备、稳定性好、滞后小、可与硅太阳能电池组成叠层电池而尤其受到重视。
通常在制备PIN钙钛矿太阳能电池时，在TCO透明电极上沉积一层P型空穴传输层，而后在此膜层上制备钙钛矿膜层，后续沉积电子传输层和背电极完成电池芯片制备。为了提高钙钛矿太阳能电池的稳定性，同时考虑P型膜层空穴迁移率的需求，通常将无机NiOx膜层作为PIN结构钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，为了进一步提高NiOx膜层的空穴迁移率，通常会在NiOx膜层制备过程中进行掺杂，如掺Li、Mg、Cu、Ag、Cs等以达到提高NiOx膜层迁移率的目的来提升电池效率。虽然掺杂元素可以提高载流子迁移率，但是也使得工艺控制更为复杂，并且掺杂的元素也容易在膜层中引入缺陷。
实际产品生产过程中，考虑到NiOx膜层晶格常数(约
)与钙钛矿(如MAPbI3约为
)之间存在较大差异，同时二者热膨胀系数差异较大，导致在NiOx膜层上直接生产的钙钛矿薄膜结晶质量较差，经退火后此界面处存在的残余应力也会大大影响载流子的提取效率，增加载流子复合，从而造成整个太阳能电池效率偏低。另一方面，在NiOx界面处存在Ni3+，会诱导钙钛矿在氧化镍界面处形成PbI2-xBrx，不利于载流子的传输，且会降低电池的填充，同时增大电池的电阻，也不利于电池的长期稳定性。
现有的工艺考虑到NiOx膜层覆盖度、表面形貌等问题，也会采用在NiOx膜层上生产有机P型材料PTAA、Poly-Tpd等，以提高后续钙钛矿膜层的质量并降低界面处载流子复合。而采用PTAA、Poly-Tpd等有机薄膜修饰后的NiOx，虽然能够大大降低界面缺陷导致的电池效率降低，但由于该有机膜层的稳定性差，不能够保证整个光伏组件的长期稳定性的功率输出，客观上不利于大规模电池的生产。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池通过在氧化镍空穴传输层和钙钛矿薄膜之间设置界面修饰层，可解决氧化镍与钙钛矿之间晶格失配、膨胀系数差异导致残余应力的问题，并减少氧化镍表面的Ni3+、减少界面缺陷的存在，提升电池的填充和载流子的提取速度，从而获得更高的效率。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种钙钛矿太阳能电池。根据本发明的实施例，该钙钛矿太阳能电池包括：衬底；透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜形成在所述衬底的至少部分表面；氧化镍空穴传输层，所述氧化镍空穴传输层形成在所述透明导电氧化物薄膜远离所述衬底的至少部分表面；界面修饰层，所述界面修饰层形成在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面；所述界面修饰层由选自氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一形成；钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜形成在所述界面修饰层远离所述氧化镍空穴传输层的至少部分表面；电子传输层，所述电子传输层形成在所述钙钛矿薄膜远离所述界面修饰层的至少部分表面；背电极，所述背电极形成在所述电子传输层远离所述钙钛矿薄膜的至少部分表面。
根据本发明上述实施例的钙钛矿太阳能电池，其氧化镍空穴传输层与钙钛矿薄膜之间设置有氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一形成的界面修饰层。由此，可解决氧化镍与钙钛矿之间晶格失配、膨胀系数差异导致残余应力的问题，大大减低界面处缺陷密度。通过该界面修饰层可以和氧化镍表面的Ni3+反应，减少界面PbI2-xBrx的形成，增大载流子的抽取速度，进而提升电池的填充，使得电池效率得以提高。
另外，根据本发明上述实施例的钙钛矿太阳能电池还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述氟盐选自LiF、NaF、KF、RbF、CsF、NH4F中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述有机氢卤酸盐选自甲脒氢卤酸盐、甲胺氢卤酸盐、苯乙胺氢卤酸盐、胍基氢卤酸盐中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述界面修饰层的厚度不大于3nm。
在本发明的一些实施例中，所述钙钛矿薄膜由选自MAPbI3、FAPbI3、CsPbI3、MAPbBr3、FAPbBr3、CsPbBr3中的至少之一形成。
在本发明的另一方面，本发明提出了制备上述实施例的钙钛矿太阳能电池的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：提供形成有透明导电氧化物薄膜的衬底，并在所述透明导电氧化物薄膜表面形成氧化镍空穴传输层；采用溶液法或者真空法，在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层；在所述界面修饰层远离所述氧化镍空穴传输层的表面形成钙钛矿薄膜；在所述钙钛矿薄膜远离所述界面修饰层的表面形成电子传输层；在所述电子传输层远离所述钙钛矿薄膜的表面形成背电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。由此，该方法简便高效，且操作条件容易控制，可实现界面修饰层的大面积制备，进而实现高性能钙钛矿太阳能电池的大规模量产。
另外，根据本发明上述实施例的制备钙钛矿太阳能电池的方法还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述溶液法包括：将界面修饰层材料与溶剂混合，得到界面修饰层涂布液；将所述界面修饰层涂布液施加至所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面，并进行煅烧处理，形成界面修饰层。
在本发明的一些实施例中，所述溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、N,N-二甲基甲酰胺中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述界面修饰层涂布液中，所述界面修饰层材料(即氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一)的浓度为1～20mg/mL。
在本发明的一些实施例中，采用喷涂、刮涂、旋涂、狭缝涂覆、喷墨打印中的至少之一方式，将所述界面修饰层涂布液施加至所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面。
在本发明的一些实施例中，所述真空法包括：将界面修饰层材料采用真空蒸镀、近空间升华、真空气相运输中的至少之一方式，在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层。
在本发明的一些实施例中，所述煅烧处理所采用的温度为100～250℃，处理时间为8～20min。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明一个实施例的钙钛矿太阳能电池的结构示意图；
图2是测试例1中的I-V测试结果图；
图3是测试例3中的PL测试结果图；
图4是测试例3中的XRD测试结果图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种钙钛矿太阳能电池。参考图1，根据本发明的实施例，该钙钛矿太阳能电池包括：衬底1、透明导电氧化物薄膜2、氧化镍空穴传输层3、界面修饰层4、钙钛矿薄膜5、电子传输层6和背电极7。下面进一步对该钙钛矿太阳能电池进行详细描述。
根据本发明的一些实施例，上述氟盐可以选自LiF、NaF、KF、RbF、CsF、NH4F中的至少之一。发明人在研究中发现，相对于碱金属的其他卤素盐(如氯盐、溴盐、碘盐)，碱金属氟盐形成的界面修饰层效果更佳，这是由于氟化物有和钙钛矿晶格更好的适配度，能降低电池的额外损失并提高稳定性。另外，发明人发现，NH4F具有与碱金属氟盐相似的性状，NH4F形成的界面修饰层也可以起到降低界面缺陷密度、增大载流子的抽取速度，进而提升电池的填充的效果。
根据本发明的一些实施例，上述有机氢卤酸盐可以选自甲脒氢卤酸盐、甲胺氢卤酸盐、苯乙胺氢卤酸盐、胍基氢卤酸盐中的至少之一。具体的，甲脒氢卤酸盐可以为甲脒氢氯酸盐(FACl)、甲脒氢溴酸盐(FABr)、甲脒氢碘酸盐(FAI)等，甲胺氢卤酸盐可以为甲胺氢氯酸盐(MACl)、甲胺氢溴酸盐(MABr)、甲胺氢碘酸盐(MAI)等，苯乙胺氢卤酸盐可以为苯乙胺氢氯酸盐(PEACl)、苯乙胺氢溴酸盐(PEABr)、苯乙胺氢碘酸盐(PEAAI)，胍基氢卤酸盐可以为胍基氢氯酸盐(GuaCl)、胍基氢溴酸盐(GuaBr)、胍基氢碘酸盐(GuaI)等。发明人发现，有机氢卤酸盐形成的界面修饰层可以减少氧化镍表面的Ni3+、减少界面缺陷，进一步提升电池的效率。
根据本发明的一些实施例，上述界面修饰层的厚度不大于3nm，例如可以为3nm、2.5nm、2nm、1.5nm、1nm、0.5nm、0.1nm、0.05nm、0.01nm等。由此，可以提升电池的效率。另外，发明人发现，如果界面修饰层的厚度过小，则可能电池性能提升效果不明显；如果界面修饰层的厚度过大，则可能产生势垒阻挡电荷的传输，不利于效率的提高。
另外，本发明提出的钙钛矿太阳能电池中，对钙钛矿薄膜的具体种类没有特别限制。换言之，本发明提出的界面修饰层适用于不同种类的钙钛矿薄膜。根据本发明的一些实施例，钙钛矿薄膜可以由选自MAPbI3、FAPbI3、CsPbI3、MAPbBr3、FAPbBr3、CsPbBr3中的至少之一形成，也可以为MA、FA、Cs、Pb、Br、I以不同配比杂化的钙钛矿材料。
另外，本发明提出的钙钛矿太阳能电池中，衬底、透明导电氧化物薄膜、电子传输层和背电极的具体种类没有特别限制，可以采用本领域的常规选择。
在本发明的另一方面，本发明提出了制备上述实施例的钙钛矿太阳能电池的方法。下面进一步对该制备钙钛矿太阳能电池的方法进行详细描述。
首先，根据本发明的实施例，提供形成有透明导电氧化物薄膜的衬底，并在透明导电氧化物薄膜上远离衬底的至少部分表面形成氧化镍空穴传输层。透明导电氧化物薄膜和氧化镍空穴传输层的具体形成方法并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
进一步地，根据本发明的实施例，采用溶液法或者真空法，在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层。
根据本发明的一些实施例，上述溶液法包括：将界面修饰层材料与溶剂混合，得到界面修饰层涂布液；将所述界面修饰层涂布液施加至所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面，并进行煅烧处理，形成界面修饰层。
上述溶剂的具体种类并不受特别限制，只要能够将界面修饰层材料(即氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一)良好地分散即可。根据本发明的一些实施例，上述溶剂可以选自甲醇、乙醇、异丙醇、N,N-二甲基甲酰胺中的至少之一。这类溶剂对界面修饰层材料的分散效果好，且不会对氧化镍空穴传输层产生不利影响。
根据本发明的一些实施例，界面修饰层涂布液中，界面修饰层材料(即氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一)的浓度可以为1～20mg/mL，例如1mg/mL、1.5mg/mL、2mg/mL、2.5mg/mL、3mg/mL、5mg/mL、8mg/mL、10mg/mL、12mg/mL、14mg/mL、16mg/mL、18mg/mL、20mg/mL等。通过控制界面修饰层涂布液中界面修饰层材料的浓度在上述范围，可以有效提高电池的性能；如果界面修饰层材料的浓度过小，则可能无明显效果；如果界面修饰层材料的浓度过大，则可能降低电池的填充，使得串阻增加。
根据本发明的一些实施例，上述溶液法中，可以采用喷涂、刮涂、旋涂、狭缝涂覆、喷墨打印中的至少之一方式，将界面修饰层涂布液施加至氧化镍空穴传输层远离透明导电氧化物薄膜的至少部分表面。另外，根据本发明的一些实施例，也可以采用真空法形成界面修饰层。真空法包括：将界面修饰层材料采用真空蒸镀、近空间升华、真空气相运输中的至少之一方式，在氧化镍空穴传输层远离透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层。由此，可以便于界面修饰层实现大面积制备。
根据本发明的一些实施例，上述煅烧处理所采用的温度可以为100～250℃，处理时间可以为8～20min。具体的，煅烧温度可以为100℃、125℃、150℃、175℃、200℃、225℃、250℃等，煅烧时间可以为8min、10min、12min、14min、16min、18min、20min等。当界面修饰层由氟盐形成时，煅烧温度优选为120℃，煅烧时间优选为20min。如果煅烧温度过低或煅烧时间过短，则可能使膜层收缩，产生空洞致使膜层结晶性不好；如果煅烧温度过高或煅烧时间过长，则可能无法应用于柔性衬底上。当界面修饰层由有机氢卤酸盐形成时，煅烧温度优选为100℃，煅烧时间优选为15min。如果煅烧温度过低或煅烧时间过短，则可能使膜层收缩，产生空洞致使膜层结晶性不好；如果煅烧温度过高或煅烧时间过长，则可能无法应用于柔性衬底上。
进一步地，根据本发明的实施例，在界面修饰层远离氧化镍空穴传输层的至少部分表面形成钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜远离界面修饰层的至少部分表面形成电子传输层；在电子传输层远离钙钛矿薄膜的至少部分表面形成背电极，得到钙钛矿太阳能电池。钙钛矿薄膜、电子传输层、背电极的具体形成方法并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。
实施例1
按照下列步骤制备钙钛矿太阳能电池：
(1)在TCO电极衬底上制备NiOx无机空穴传输层；
(2)将CsF粉末溶于甲醇中，得到CsF浓度为2.0mg/mL的溶液，将制备好的NiOx无机空穴传输层放置于刮涂设备上，将CsF的甲醇溶液滴加到NiOx无机空穴传输层上，采用刮涂工艺，以10mm/s的速度刮涂得到膜层；然后在250℃下煅烧10min，得到界面修饰层；
(3)在CsF界面修饰层上制备Cs0.05(FA0.83MA0.17)0.95Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿薄膜；
(4)在钙钛矿薄膜上制备电子传输层，首先以0.03A/s的速率蒸镀10nm的C60，然后以0.1A/s的速率蒸镀C60至30nm；然后以0.03A/s的速率蒸镀7nm的BCP；
(5)在电子传输层上制备背电极：以0.1A/s的速率真空蒸镀70nm的Cu。
实施例2
按照下列步骤制备钙钛矿太阳能电池：
(1)在TCO电极衬底上制备NiOx无机空穴传输层；
(2)将FAI溶于DMF中，得到FAI浓度为5.0mg/mL的溶液，将制备好的NiOx无机空穴传输层放置于刮涂设备上，将FAI的DMF溶液滴加到NiOx无机空穴传输层上，采用刮涂工艺，以10mm/s的速度刮涂得到膜层；然后在100℃下煅烧15min，得到界面修饰层；
(3)在FAI界面修饰层上制备Cs0.05(FA0.83MA0.17)0.95Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿薄膜；
(4)在钙钛矿薄膜上制备电子传输层，首先以0.03A/s的速率蒸镀10nm的C60，然后以0.1A/s的速率蒸镀C60至30nm；然后以0.03A/s的速率蒸镀7nm的BCP；
(5)在电子传输层上制备背电极：以0.1A/s的速率真空蒸镀70nm的Cu。
实施例3
按照与实施例2基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，步骤(2)中，FAI的浓度为10mg/mL。
实施例4
按照与实施例2基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，步骤(2)中，FAI的浓度为20mg/mL。
对比例1
按照与实施例1基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，省去步骤(2)，步骤(3)中直接在NiOx无机空穴传输层上制备钙钛矿薄膜。
对比例2
按照与实施例1基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，步骤(2)中，将CsF替换为CsCl。
对比例3
按照与实施例1基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，步骤(2)中，将CsF替换为CsBr。
对比例4
按照与实施例1基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，步骤(2)中，将CsF替换为CsI。
对比例5
按照与实施例2基本相同的方法制备钙钛矿太阳能电池，区别在于，省去步骤(2)，步骤(3)中直接在NiOx无机空穴传输层上制备钙钛矿薄膜。
测试例1
将实施例1及对比例1制备的电池在标准条件(即：温度25℃，光源辐照度1000W/m2，光谱辐照度分布AM1.5)下进行I-V测试，测得的光电转换效率结果如图2所示。结果表明，相较于对比例1未修饰CsF层的电池，实施例1电池的开路电压和短路电流均有较大提升，造成电池整体效率提升明显。
测试例2
取实施例1、对比例2～4的电池在标准条件(即：温度25℃，光源辐照度1000W/m2，光谱辐照度分布AM1.5)下进行I-V测试。
结果表明，实施例1中CsF作为界面修饰层制备得到的电池在光电转化效率明显由于Cs的其他卤素盐作为界面修饰层制备得到的电池。
测试例3
取实施例2中步骤(2)所得样品与步骤(1)所得样品进行PL测试和XRD测试，两样品区别在于NiOx无机空穴传输层表面是否形成有FAI修饰层(FAI buffer)，结果分别如图3和图4。
由PL测试图可见，FAI处理后界面处的样品PL信号减弱，载流子很快被抽取走了；相反，未经处理的样品(Control)PL信号则较强，载流子抽取效率很低。由XRD测试图可见，FAI处理后界面处PbI2-xBrx的峰值消失不见，即经过FAI处理后界面处的Ni3+被消除，致使界面处的缺陷减少，进而，膜层结晶性能得到进一步的提高。
测试例4
取实施例2～4和对比例5的电池在标准条件(即：温度25℃，光源辐照度1000W/m2，光谱辐照度分布AM1.5)下进行I-V测试，结果如表1所示。
表1
结果表明，通过在采用FAI修饰层上制备钙钛矿薄膜，经沉积电子传输层膜层和背电极后，钙钛矿太阳能电池的填充因子有较大提升，同时串联电阻有所降低，造成电池整体效率提升明显。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括：
衬底；
透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜形成在所述衬底的至少部分表面；
氧化镍空穴传输层，所述氧化镍空穴传输层形成在所述透明导电氧化物薄膜远离所述衬底的至少部分表面；
界面修饰层，所述界面修饰层形成在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面；所述界面修饰层由选自氟盐、有机氢卤酸盐中的至少之一形成；
钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜形成在所述界面修饰层远离所述氧化镍空穴传输层的至少部分表面；
电子传输层，所述电子传输层形成在所述钙钛矿薄膜远离所述界面修饰层的至少部分表面；
背电极，所述背电极形成在所述电子传输层远离所述钙钛矿薄膜的至少部分表面。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述氟盐选自LiF、NaF、KF、RbF、CsF、NH4F中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述有机氢卤酸盐选自甲脒氢卤酸盐、甲胺氢卤酸盐、苯乙胺氢卤酸盐、胍基氢卤酸盐中的至少之一。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述界面修饰层的厚度不大于3nm。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿薄膜由选自MAPbI3、FAPbI3、CsPbI3、MAPbBr3、FAPbBr3、CsPbBr3中的至少之一形成。
6.一种制备权利要求1～5任一项所述的钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
提供形成有透明导电氧化物薄膜的衬底，并在所述透明导电氧化物薄膜上远离所述衬底的至少部分表面形成氧化镍空穴传输层；
采用溶液法或者真空法，在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层；
在所述界面修饰层远离所述氧化镍空穴传输层的至少部分表面形成钙钛矿薄膜；
在所述钙钛矿薄膜远离所述界面修饰层的至少部分表面形成电子传输层；
在所述电子传输层远离所述钙钛矿薄膜的至少部分表面形成背电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述溶液法包括：将界面修饰层材料与溶剂混合，得到界面修饰层涂布液；将所述界面修饰层涂布液施加至所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面，并进行煅烧处理，形成界面修饰层；
任选地，所述溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、N,N-二甲基甲酰胺中的至少之一；
任选地，所述界面修饰层涂布液中，所述界面修饰层材料的浓度为1～20mg/mL。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用喷涂、刮涂、旋涂、狭缝涂覆、喷墨打印中的至少之一方式，将所述界面修饰层涂布液施加至所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述真空法包括：将界面修饰层材料采用真空蒸镀、近空间升华、真空气相运输中的至少之一方式，在所述氧化镍空穴传输层远离所述透明导电氧化物薄膜的至少部分表面形成界面修饰层。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述煅烧处理所采用的温度为100～250℃，处理时间为8～20min。
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|---|---|
| CN (1) | CN112864327A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114420847A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-29 | 南京大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
| CN114530753A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-05-24 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种钙钛矿增益介质、其制备方法及其在室温下连续光泵浦激光器中的应用 |
| CN114665026A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-06-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种卤化钙钛矿太阳能电池及其底界面自生长修饰方法 |
| WO2023168627A1 (zh) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110176543A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-08-27 | 北京宏泰创新科技有限公司 | 有机胺作为界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN111092160A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-01 | 中国科学院金属研究所 | 一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法 |
| CN111223990A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-06-02 | 西南石油大学 | 含碱金属卤化物空穴修饰层的反型钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN111769197A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-13 | 吉林大学 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
-
2021
- 2021-02-23 CN CN202110202501.8A patent/CN112864327A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110176543A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-08-27 | 北京宏泰创新科技有限公司 | 有机胺作为界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN111092160A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-01 | 中国科学院金属研究所 | 一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法 |
| CN111223990A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-06-02 | 西南石油大学 | 含碱金属卤化物空穴修饰层的反型钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN111769197A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-13 | 吉林大学 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CALEB C. BOYD, ET AL.: "Overcoming Redox Reactions at Perovskite-Nickel Oxide Interfaces to Boost Voltages in Perovskite Solar Cells", JOULE, vol. 4, pages 1759 * |
| SOFIA APERGI, ET AL.: "Tuning the electronic levels of NiO with alkali halides surface modifiers for perovskite solar cells", PHYSICAL REVIEW MATERIALS, vol. 4, pages 1 - 10 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114420847A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-29 | 南京大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
| CN114665026A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-06-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种卤化钙钛矿太阳能电池及其底界面自生长修饰方法 |
| CN114530753A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-05-24 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种钙钛矿增益介质、其制备方法及其在室温下连续光泵浦激光器中的应用 |
| WO2023168627A1 (zh) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| US11849596B2 (en) | 2022-03-09 | 2023-12-19 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Perovskite solar battery and preparation method thereof |
| EP4273942A4 (en) * | 2022-03-09 | 2024-04-24 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | PEROVSKITE SOLAR BATTERY AND PRODUCTION PROCESS THEREOF |
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