CN112858755A - 一种三相电流采样方法和系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种三相电流采样方法和系统，所述采样方法包括：所述采样方法包括：在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流；解决了现有技术对电机的三相电流采样方法电流采样成本高和采样精度低的问题，节省成本，提高了电流采样精度，满足了电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

Description

一种三相电流采样方法和系统

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种三相电流采样方法和系统。

背景技术

电机是目前工业设备中普遍适用的电子元器件，根据本领域中电机工作的原理，需要通过三相桥臂驱动电路将供电电流输出至电机，以驱动电机的正常运转；三相桥臂驱动电路的输出电流控制着电机的运行状态，需要实时检测三相桥臂驱动电路的输出电流变化情况，以保障电机的安全运行，根据应用需求通过算法控制三相桥臂驱动电路的输出电流大小来得到电机的实际运转状态使电机按实际应用需求运行，并且控制电机的转速、转矩以及启停操作，提高电机的可操控性和安全性。

目前电机控制中，为了采集到三相桥臂驱动电路的相电流，通常做法有：1、常规3电阻采样法：即在三相桥臂驱动电路的下桥臂分别串联3个采样电阻，在SVPWM(空间矢量脉宽调制)的零矢量区获取电机三相电流，采集到的电流再经过运放处理后给MCU处理，此种采样方式需要三个采样电阻，存在能耗损耗，增加故障率和成本。2、传统MOS管内阻采样法：相比传统3电阻采样，MOS内阻采样直接采样3相桥臂的下桥臂MOS内阻作为采样电阻，此种采样方式MOS内阻随温度的变化存在温度漂移，为保证电流精度需做温度补偿，运放处理电路需要外并二极管以防止MOS管关断时相电压的高压，运放电路无法采用差分运放结构，共模干扰电压重。

可见，现有技术对电机的三相电流采样方法存在电流采样成本高和采样精度低的问题，不满足电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明的提供的一种三相电流采样方法和系统，其解决了现有技术对电机的三相电流采样方法电流采样成本高和采样精度低的问题，节省成本，提高了电流采样精度，满足了电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

第一方面，本发明提供一种三相电流采样方法，应用于三相电流采样系统，所述三相电流采样系统包括用于驱动电机转动的三相桥臂驱动电路和三路采样电路，每相桥臂驱动电路包括由功率MOS管组成的下桥臂，所述采样方法包括：在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流。

可选地，所述采样电路包括：开关MOS管和热敏二极管；所述功率MOS管的栅极与所述开关MOS管的栅极相连，所述功率MOS管的漏极与所述开关MOS管的漏极相连，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极与所述功率MOS管的源极相连，所述功率MOS管的源极接地。

可选地，所述在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据，包括：在所述第一采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管截止；所述采样电路采集所述热敏二极管在所述第一采样时刻的输出电压；根据所述热敏二极管的特性参数和所述输出电压，获取到所述热敏二极管采集到的温度值；将所述热敏二极管采集到的温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

可选地，在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：在所述第二采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管导通；获取所述功率MOS管的VDS电压。

可选地，所述三相电流采样系统还包括差分放大电路时，获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：将所述差分放大电路的输入端与所述热敏二极管的阳极相连；获取所述差分放大电路在所述第二采样时刻输出的放大电压；获取所述差分放大电压与所述放大电路的基准电压的差值，得到电压差；获取所述电压差与所述差分放大电路的放大倍数的比值，得到所述MOS管的VDS电压。

可选地，所述第二采样时刻为每相下桥臂中的功率MOS管同时导通的时刻。

第二方面，本发明提供一种三相电流采样系统，所述采样系统包括：三相桥臂驱动电路、三路采样电路和控制器；每相桥臂驱动电路包括上桥臂和下桥臂，所述下桥臂包括功率MOS管；每路采样电路的输入端与每相桥臂驱动电路的下桥臂相连，用于在第一采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的温度数据，还用于在第二采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压；所述控制器分别与所述上桥臂的控制端、所述下桥臂的控制端和所述采样电路的输出端相连，用于控制所述上桥臂和所述下桥臂分别导通，还用于根据所述温度数据得到所述功率MOS管的内阻值，还用于根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的工作电流。

可选地，所述采样系统还包括：三路差分放大电路，每路差分放大电路的输入端与所述每路采样电路的输出端相连，所述每路差分放大电路的输出端与所述控制器相连，用于将所述每路采样电路输出的工作电压进行差分放大后输入到所述控制器，使所述控制器根据所述差分放大后的工作电压，得到每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压。

可选地，所述每路采样电路包括：开关MOS管，所述开关MOS管的栅极与所述功率MOS管的栅极相连，所述开关MOS管的漏极与所述功率MOS管的漏极相连；热敏二极管，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极接地，所述热敏二极管的阳极还与所述差分放大电路的输入端相连。

可选地，所述每路采样电路集成在所述每相下桥臂的功率MOS管中，所述每路差分放大电路集成在所述控制器中。

相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：

本发明通过在第一采样时刻采样功率MOS的温度，计算出功率MOS管的内阻，在第二采样时刻采样功率MOS管的导通VDS电压，根据功率MOS管的内阻和VDS电压计算电流；本发明通过所述采样电路实时进行功率MOS的温度补偿，提高了电流采样精度；本发明还节省了传统三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简化电路，节省电路空间和成本，增加采样的可靠性，满足了电机驱动系统的高集成和高精度的需求。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本发明实施例提供的一种三相电流采样系统的电路示意图；

图2所示为本发明实施例提供的一种三相电流采样方法的流程示意图；

图3所示为图2中步骤S201的流程示意图；

图4所示为本发明实施例提供的一种差分放大电路的电路示意图；

图5所示为本发明实施例提供的一种采样时刻的触发示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本发明实例中相同标号的功能单元具有相同和相似的结构和功能。

第一方面，本发明提供一种三相电流采样系统，具体包括以下实施例：

实施例一

图1所示为本发明实施例提供的一种三相电流采样系统的结构示意图，如图1所示，本实施例提供的三相电流采样系统具体包括：

三相桥臂驱动电路、三路采样电路和控制器；

每相桥臂驱动电路包括上桥臂和下桥臂，所述下桥臂包括功率MOS管；

每路采样电路的输入端与每相桥臂驱动电路的下桥臂相连，用于在第一采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的温度数据，还用于在第二采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压；

所述控制器分别与所述上桥臂的控制端、所述下桥臂的控制端和所述采样电路的输出端相连，用于控制所述上桥臂和所述下桥臂分别导通，还用于根据所述温度数据得到所述功率MOS管的内阻值，还用于根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的工作电流。

在本实施例中，为了实现对于电机的稳定、精确控制，通常采用电机驱动电路来改变电机输入的三相工作电流，通过该三相工作电流操控电机的运行状态，例如改变电机的转速以及转矩等运行参数；如图1所示,本实施例提供的三相电流采样系统包括三相桥臂驱动电路，每相桥臂驱动电路均包括上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂的输出端与电机相连，以U相为例，上桥臂由电阻R4、电阻R10、电容C1和功率MOS管Q1组成，下桥臂由电阻R1、电阻R7、电容C2和功率MOS管Q2组成；其中上桥臂电阻R4的一端与功率MOS管Q1的栅极相连，电阻R4的另一端为上桥臂的控制端与控制器相连，下桥臂电阻R1的一端与功率MOS管Q2的栅极相连，电阻R1的另一端为下桥臂的控制端与控制器相连，V相、W相与上述U相具有相同的连接关系和原理，此处就不再赘述，以下的控制和采样原理都以U相为例进行阐述。

因此，所述控制器与所述每相桥臂驱动电路的上桥臂的控制端和下桥臂的控制端相连，用于控制所述每相桥臂驱动电路的上桥臂和下桥臂分别导通，进而使每相都能输出相应的工作电流，通过这三相的工作电流能够驱动电机正转或者反转，以使电机能够处于稳定的运行状态；因此本实施例通过控制器控制三相桥臂的导通或者关断,可使电机能够接入不同的三相工作电流，实现对于电机的灵活、稳定控制，三相桥臂驱动电路具有较高的控制响应速度。

进一步地，在本实施例中还包括三路采样电路，每路采样电路分别与每相桥臂驱动电路的下桥臂相连，如图1所示，第一采样电路110与U相下桥臂相连，第二采样电路120与V相下桥臂相连，第三采样电路130与W相下桥臂相连。所述采样电路用于在第一采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的温度数据，还用于在第二采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压；需要说明的是，所述第一采样时刻是所述下桥臂关断的时刻，也就是所述下桥臂的功率MOS管截止的时刻，在此时通过采样电路采集到功率MOS管的发热温度，并将所述发热温度发送到控制器，使控制器根据所述发热温度通过查表等方式获取到所述功率MOS管的内阻值；所述第二采样时刻是所述下桥臂导通的时刻，也就是所述下桥臂的功率MOS管导通的时刻，在此时通过所述采样电路采集到功率MOS管的VDS电压也就是桥臂驱动电路的相电压，并将所述VDS电压发送到控制器，使所述控制根据所述功率MOS管的VDS电压和功率MOS管的内阻值，计算出当前时刻的相电流。

需要进一步说明的是，在实际应用中上桥臂和下桥臂分别导通的间隔时间非常短，也就是说第一采样时刻和所述第二采样时刻的间隔时间也非常短，因此在第一采样时刻和所述第二采样时刻所述功率MOS管的发热温度默认是一样的，则所述在上述两个时刻功率MOS管的内阻也是一样的，就算存在小误差在本实施例中也是可以忽略不计。

相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：

本发明通过在第一采样时刻采样功率MOS的温度，计算出功率MOS管的内阻，在第二采样时刻采样功率MOS管的导通VDS电压，根据功率MOS管的内阻和VDS电压计算电流；本发明通过所述采样电路实时进行功率MOS的温度补偿，提高了电流采样精度；本发明还节省了传统三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简化电路，节省成本，增加采样的可靠性。

第二方面，基于上述三相电流采样系统，本发明提供一种三相电流采样方法，具体包括以下实施例：

实施例二

图2所示为本发明实施例提供的一种三相电流采样方法的流程示意图，应用于三相电流采样系统，所述三相电流采样系统包括用于驱动电机转动的三相桥臂驱动电路和三路采样电路，每相桥臂驱动电路包括由功率MOS管组成的下桥臂，如图2所示，本实施例提供的三相电流采样方法具体包括以下步骤：

步骤S101，在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；

具体地，所述采样电路包括：开关MOS管和热敏二极管；所述功率MOS管的栅极与所述开关MOS管的栅极相连，所述功率MOS管的漏极与所述开关MOS管的漏极相连，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极与所述功率MOS管的源极相连，所述功率MOS管的源极接地。

进一步地，如图3所示，步骤S101，所述在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据，具体包括：

步骤S201，在所述第一采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管截止；

步骤S202，所述采样电路采集所述热敏二极管在所述第一采样时刻的输出电压；

步骤S203，根据所述热敏二极管的特性参数和所述输出电压，获取到所述热敏二极管采集到的温度值；

步骤S204，将所述热敏二极管采集到的温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

需要说明的是，在本实施例中的功率MOS管是具有内阻和驱动作用的MOS管，而开关MOS管是只有开关功能的MOS管，并且热敏二极管和开关MOS管集与所述功率MOS管集成在同一个封装芯片中，因此所述热敏二极管监测到的温度值也就是功率MOS管的温度值。

结合图1可知，在本实施例中以采样U相电流为例，热敏二极管D1的阳极与开关MOS管Q7的源极相连，热敏二极管D1的阳极还与微控制器相连，因此在第一采样时刻时，所述控制器发送低电平信号到所述功率MOS管Q2的栅极控制所述功率MOS管Q2和开关MOS管Q7截止，所述热敏二极管D1与控制器形成回路，因此所述控制器得到热敏二极管D1两端的电压，根据所述热敏二极管输出电压与温度值的关系，即可得到在当前的第一采样时刻热敏二极管D1的温度值，并将所述温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

步骤S102，根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；

需要说明的是，功率MOS管的内阻也随温度的变化而变化，根据功率MOS管在所述第一采样时刻的温度数据和功率MOS管的参数特性，通过查表等方式可得到功率MOS管的当前内阻值。

步骤S103，在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；

具体地，在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：在所述第二采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管导通；获取所述功率MOS管的VDS电压。

需要说明的是，如图1所示，在第二采样时刻，控制器发送高电平信号到所述功率MOS管Q2的栅极，控制所述功率MOS管Q2和开关MOS管Q7导通，使热敏二极管的阳极连接到功率MOS管Q2的漏极，即可获取到所述功率MOS管的VDS电压。

步骤S104，根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流。

具体地，将功率MOS管的VDS电压除以功率MOS管的内阻值，得到每相桥臂驱动电路输出的相电流。

本发明通过在第一采样时刻采样功率MOS的温度，计算出功率MOS管的内阻，在第二采样时刻采样功率MOS管的导通VDS电压，根据功率MOS管的内阻和VDS电压计算电流；本发明通过所述采样电路实时进行功率MOS的温度补偿，提高了电流采样精度；本发明还节省了传统三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简化电路，节省成本，增加采样的可靠性。

在本实施例中，在所述功率MOS管中集成的热敏二极管还可以用作对所述控制器进行温度保护。

实施例三

在本实施例中，所述三相电流采样系统还包括放大电路时，获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：将所述放大电路的输入端与所述热敏二极管的阳极相连；获取所述放大电路在所述第二采样时刻输出的放大电压；获取所述放大电压与所述放大电路的基准电压的差值，得到电压差；获取所述电压差与所述放大电路的放大倍数的比值，得到所述MOS管的VDS电压。

图4所示为本发明实施例提供的一种差分放大电路的电路示意图，所述差分放大电路包括电阻13～17、电容8、电容9和放大器T，具体连接方式如图4所示，电阻13的一端与所述放大器的正相输入端相连，电阻13的另外一端与采样电路中热敏二极管的阳极相连，因此采样电路输出的电压经过差分放大电路进行放大后从输出到控制器中进行计算；在本实施例中，热敏二极管作为温度传感器，由于采样的是温度传感器，在功率MOS管开启时采集VDS电压，在功率MOS管关闭时采集温度值，在功率MOS管关断不会有高压的相电压加载到运放输入端，运放的结构可以采用差分结构，有效抑制共模干扰电压，进一步提高了采样的精度。

在本发明的实施例中，所述第二采样时刻为每相下桥臂中的功率MOS管同时导通的时刻。如图5所示，第二采样时刻为UL、VL和WL端同时为高电平的时刻，也就是每相下桥臂中的功率MOS管同时导通的时刻，在UL、VL和WL端为低电平的时刻采集功率MOS管的温度值进行内阻的计算。

举例说明，当电阻R1～R6为56R，电阻R7～R12、R15、R16为10K，电阻R13和R14为2K，电阻R17为1K，电容C1～C6为102/50V，电容C7为104/50V，电容C8为100P，电容C9为10/25V，将本实施例提供的三相电流采样系统通过示波器采集到的实际值和理论计算值进行比较如下：三相电流采样方式在SVPWM的零矢量时，即在低边管子全打开时采样电流，U相Q2的UL开关状态、Q2的VDS电压、U相相电流等分别用示波器实际检测，试验值与实际的相电流进行比较，本实验运放电路放大倍数5倍，偏置电压VREF＝2.5V，实际采样相电流I＝21.4A，Q2的VDS放大电压Vdsop＝2.85A，MOS管Q2的Ron＝3.25mΩ，Iu＝(Vdsop-Vref)/A/Ron，即Iu＝(2.85-2.5)/5/0.00325＝21.53A，其中Vdsop：为Q2的VDS电压，Vref：运放偏置电压，A：运放放大倍数，Ron：Q2的导通内阻，由此可知，通过理论计算电流21.53A与实际采样电流21.4接近。

在本发明的实施例中，所述每路采样电路集成在所述每相下桥臂的功率MOS管中，所述每路差分放大电路集成在所述控制器中。

本发明具有以下优点：1、集成相电流采样及温度采集的MOS结构，取消采样电阻，简化采样电路及电流放大电路。2、采样相电流与温度检测分时复用一个口线。3、节省成本，节省采样电阻及电流放大电路输入并联的二极管。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种三相电流采样方法，其特征在于，应用于三相电流采样系统，所述三相电流采样系统包括用于驱动电机转动的三相桥臂驱动电路和三路采样电路，每相桥臂驱动电路包括由功率MOS管组成的下桥臂，所述采样方法包括：

在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据；

根据所述温度数据，得到所述功率MOS管在所述第一采样时刻的内阻值；

在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压；

根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的相电流。

2.如权利要求1所述的三相电流采样方法，其特征在于，所述采样电路包括：

开关MOS管和热敏二极管；

所述功率MOS管的栅极与所述开关MOS管的栅极相连，所述功率MOS管的漏极与所述开关MOS管的漏极相连，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极与所述功率MOS管的源极相连，所述功率MOS管的源极接地。

3.如权利要求2所述的三相电流采样方法，其特征在于，所述在第一采样时刻，通过采样电路获取所述功率MOS管的温度数据，包括：

在所述第一采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管截止；

所述采样电路采集所述热敏二极管在所述第一采样时刻的输出电压；

根据所述热敏二极管的特性参数和所述输出电压，获取到所述热敏二极管采集到的温度值；

将所述热敏二极管采集到的温度值作为所述功率MOS管的温度数据。

4.如权利要求3所述的三相电流采样方法，其特征在于，在第二采样时刻，通过所述采样电路获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：

在所述第二采样时刻，控制所述功率MOS管和所述开关MOS管导通；

获取所述功率MOS管的VDS电压。

5.如权利要求4所述的三相电流采样方法，其特征在于，所述三相电流采样系统还包括差分放大电路时，获取所述功率MOS管的VDS电压，包括：

将所述差分放大电路的输入端与所述热敏二极管的阳极相连；

获取所述差分放大电路在所述第二采样时刻输出的放大电压；

获取所述差分放大电压与所述放大电路的基准电压的差值，得到电压差；

获取所述电压差与所述差分放大电路的放大倍数的比值，得到所述MOS管的VDS电压。

6.如权利要求1-5任一项所述的三相电流采样方法，其特征在于，所述第二采样时刻为每相下桥臂中的功率MOS管同时导通的时刻。

7.一种三相电流采样系统，其特征在于，所述采样系统包括：

三相桥臂驱动电路、三路采样电路和控制器；

每相桥臂驱动电路包括上桥臂和下桥臂，所述下桥臂包括功率MOS管；

每路采样电路的输入端与每相桥臂驱动电路的下桥臂相连，用于在第一采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的温度数据，还用于在第二采样时刻采集每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压；

所述控制器分别与所述上桥臂的控制端、所述下桥臂的控制端和所述采样电路的输出端相连，用于控制所述上桥臂和所述下桥臂分别导通，还用于根据所述温度数据得到所述功率MOS管的内阻值，还用于根据所述内阻值和所述VDS电压，得到所述每相桥臂驱动电路输出的工作电流。

8.如权利要求7所述的三相电流采样系统，其特征在于，所述采样系统还包括：

三路差分放大电路，每路差分放大电路的输入端与所述每路采样电路的输出端相连，所述每路差分放大电路的输出端与所述控制器相连，用于将所述每路采样电路输出的工作电压进行差分放大后输入到所述控制器，使所述控制器根据所述差分放大后的工作电压，得到每相下桥臂中所述功率MOS管的VDS电压。

9.如权利要求8所述的三相电流采样系统，其特征在于，所述每路采样电路包括：

开关MOS管，所述开关MOS管的栅极与所述功率MOS管的栅极相连，所述开关MOS管的漏极与所述功率MOS管的漏极相连；

热敏二极管，所述热敏二极管的阳极与所述开关MOS管的源极相连，所述热敏二极管的阴极接地，所述热敏二极管的阳极还与所述差分放大电路的输入端相连。

10.如权利要求8所述的三相电流采样系统，其特征在于，所述每路采样电路集成在所述每相下桥臂的功率MOS管中，所述每路差分放大电路集成在所述控制器中。

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