CN112837875A - 一种高可靠玻封二极管ptc热敏电阻器及制备方法 - Google Patents

一种高可靠玻封二极管ptc热敏电阻器及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器及制备方法，包括玻封管壳、第一连接引线和第二连接引线，玻封管壳具有封装管腔，玻封管壳的封装管腔安装有PTC热敏电阻芯片，第一连接引线由第一引线和第一引线柱组成，第二连接引线由第二引线和第二引线柱组成，第一引线柱配合安装于玻封管壳上部区域，第二引线柱配合安装于玻封管壳下部区域，第一引线柱端部通过第一焊接片与PTC热敏电阻芯片上表面焊接固定，第二引线柱端部通过第二焊接片与PTC热敏电阻芯片下表面焊接固定。本发明采用玻封管壳进行整体封装，其电阻芯片与连接引线实现了良好的过渡连接，可有效消除接触电阻，具有良好的PTC效应、质量轻、稳定性好、高可靠性、寿命长等优点。

Description

一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器及制备方法
技术领域
本发明涉及一种PTC热敏电阻器及制备方法，尤其涉及一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器及制备方法。
背景技术
PTC热敏电阻器(Positive Temperature Coefficient)是一种电阻值会随自身温度或环境温度升高而增大的电阻器，利用其电阻值随温度变化而变化的特性，可用于电子电路中的测温、控温以及温度补偿等。常用的半导体材料单晶硅在一定条件下具有一定的PTC效应，采用单晶硅所制成的PTC热敏电阻器电阻-温度特性曲线程近似线性变化趋势，电阻温度系数为0.6～1.0％/K，其具有稳定性好，应用温度范围宽、精度高等特点，常用于电子电路中的测温、控温和温度补偿等。随着电子产品不断向小型化、可靠化、轻量化等方向发展，如何实现单晶硅作为热敏电阻芯片并制造成高可靠、小型化、轻量化、稳定化的PTC热敏电阻器，一直是需要解决的技术难题。
发明内容
针对现有技术存在的不足之处，本发明的目的在于提供一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，首先热敏电阻芯片由单晶硅片基体、内电极(镍电极)、外电极(金电极)组成，其次单晶硅片基体与镍电极之间通过高温合金化形成良好欧姆接触，最后热敏电阻芯片与连接引线之间通过封装工艺封装在玻封管壳封装管腔内，在封装过程中热敏电阻芯片通过表面的金电极与第一连接引线和第二连接引线之间由第一焊片和第二焊片形成金属过渡连接，有效消除了传统机械压接连接所产生的接触电阻，保证产品在各种温度环境下长期使用的可靠性。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，包括PTC热敏电阻芯片、第一焊片、第二焊片、玻封管壳、第一连接引线和第二连接引线，所述玻封管壳具有封装管腔，所述玻封管壳的封装管腔中部安装有PTC热敏电阻芯片，所述第一连接引线由第一引线和第一引线柱组成，所述第二连接引线由第二引线和第二引线柱组成，所述第一引线柱配合安装于玻封管壳的封装管腔上部区域，所述第二引线柱配合安装于玻封管壳的封装管腔下部区域，所述第一引线柱端部与PTC热敏电阻芯片之间通过第一焊接片进行过渡连接，所述第二引线柱端部与PTC热敏电阻芯片之间通过第二焊接片进行过渡连接；所述PTC热敏电阻芯片具有欧姆接触特性，所述PTC热敏电阻芯片由单晶硅片基体与镍电极通过合金化形成，所述单晶硅片基体表面的镍电极采用化学沉积法形成。
为了更好地实现本发明，所述第一引线和第二引线均为杜美丝引线，所述第一引线柱和第二引线柱均为铜柱。
优选地，所述第一引线柱、第一焊接片、PTC热敏电阻芯片、第二焊接片、第二引线柱在玻封管壳的封装管腔中、在无氧的氮气保护条件下高温焊封而成。
优选地，所述PTC热敏电阻芯片、第一连接引线、第二连接引线、玻封管壳的热膨胀系数均为10-6％/℃数量级。
一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器制备方法，其方法如下：
A、制备PTC热敏电阻芯片，其方法步骤如下：
A1、选用N型或P型单晶硅片作为单晶硅片基体，采用1200～1500目的海绵砂纸将单晶硅片基体上下两面打磨粗糙，用十二烷基硫酸钠溶液将单晶硅片基体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；
A2、化学镀镍：将步骤A1中清洗后的单晶硅片基体经过常温敏化、常温活化后采用化学镀镍方式沉积一层厚度为2～4μm的镍电极，化学镀镍后的单晶硅片基体无正温度热敏电阻器电阻温度特性；
A3、合金化处理：在氮气流量为0.12～0.16m3/h的保护条件下，将化学镀镍后的单晶硅采用790±10℃的高温使单晶硅片基体表面的镍电极在不被氧化的前提下扩散到单晶硅材料内部，进而得到具有良好的欧姆接触性能的PTC热敏电阻芯片体，所得到的PTC热敏电阻芯片体电阻温度系数为0.75～0.84％/℃；
A4、化学镀金处理：采用2000目的海绵砂纸将合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面打磨粗糙，并采用十二烷基硫酸钠溶液将PTC热敏电阻芯片体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；
将化学镀金溶液置于容器中，将容器置于恒温水浴槽中，待化学镀金溶液温度大于等于90℃后，将清洗后的PTC热敏电阻芯片体置于化学镀金溶液中施镀10～20min，期间将盛有化学镀金溶液的容器放入恒温水浴摇床上，调节摇床摇晃频率，保证PTC热敏电阻芯片体表面不与容器壁接触，确保PTC热敏电阻芯片体与化学镀金溶液充分均匀接触；通过化学沉积的方式在合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面形成一层连续的金电极，所得到的带金电极的PTC热敏电阻芯片体表面能与过渡金属焊料之间形成良好的浸润，进而得到PTC热敏电阻芯片；
B、划片处理：采用树脂刀片在全自动精密划片机上将化学镀金后的PTC热敏电阻芯片划成：长为0.44～0.56mm，宽为0.44～0.56mm的小芯片，即可得到电阻值为33Ω～10kΩ之间的带金电极PTC热敏电阻芯片；
C、玻封处理：在石墨工装中装入玻封管壳，将步骤B的带金电极PTC热敏电阻芯片安装于玻封管壳封装管腔的中，在带金电极PTC热敏电阻芯片顶部依次放入第一焊接片、第一连接引线，第一连接引线的第一引线柱、第一焊接片均置于玻封管壳的封装管腔上部，第一焊接片为金锡焊片；在带金电极PTC热敏电阻芯片底部依次放入第二焊接片、第二连接引线，第二连接引线的第二引线柱、第二焊接片均置于玻封管壳的封装管腔下部，第二焊接片为金锡焊片；
再将石墨工装放入真空焊接炉中进行真空玻璃封装处理；
D、引线电镀处理：采用酸洗将置于玻封管壳外部的第一连接引线和第二连接引线表面上的氧化硼去除，再采用电镀的方式在第一连接引线与第二连接引线表面分别沉积一层可焊性良好的锡或锡铅电极，即可得到高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器。
本发明步骤C中真空玻璃封装处理方法流程如下：
第一次抽1min真空，接着第一次充5s氮气；第二次抽1min真空，接着第二次充5s氮气；第三次抽1min真空，接着第三次充5s氮气；……，直到玻封管壳内部填充满氮气，然后进行加热处理，加热的限高温度为585±10℃，让第一焊接片过渡融合焊接第一引线柱底面与带金电极PTC热敏电阻芯片顶面，让第二焊接片过渡融合焊接第二引线柱顶面与带金电极PTC热敏电阻芯片底面；然后保温5min再降温并持续10s氮气。
本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明带金电极PTC热敏电阻芯片的基体为单晶硅材料，带金电极PTC热敏电阻芯片的内电极为镍电极，通过高温烧渗的方式，镍扩散到单晶硅材料内部，并与单晶硅材料之间形成良好的欧姆接触；带金电极PTC热敏电阻芯片外电极为金电极，保证封装过程中带电极热敏电阻芯片表面与过渡电极之间形成良好的浸润。
(2)本发明热敏电阻芯片与第一连接引线柱通过第一焊接片焊接形成金属过渡连接，热敏电阻芯片与第二连接引线通过第二焊接片焊接形成金属过渡连接，并同时封装于玻封管壳中，其热敏电阻芯片由单晶硅片为基体并与镍电极层形成欧姆接触，芯片表面还采用化学沉积方式形成一层金电极，然后采用金电极与焊接片之间的良好焊接性能，在玻璃封装过程中实现热敏电阻芯片与引线之间的良好焊接，有效消除了单纯机械压接结构所引起的接触电阻，保证产品在各种温度环境下长期使用的可靠性。
(3)本发明具有PTC效应，电阻温度特性近似线性，由金属材料和无机材料组成，具有可靠性高、体积小、质量轻、稳定性好、寿命长等优点，其外形尺寸可根据实际需求进行调整，能满足电子元器件稳定化、小型化、轻量化的发展需求。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为热敏电阻芯片配合安装于玻封管壳中的截面图；
图3为本发明的电阻比(RT/R25)-温度特性曲线图。
其中，附图中的附图标记所对应的名称为：
1－玻封管壳,2－PTC热敏电阻芯片，3－第一焊接片,4－第二焊接片，5－第一连接引线,51－第一引线,52－第一引线柱，6－第二连接引线,61－第二引线,62－第二引线柱。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明：
实施例
如图1～图3所示，一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器及制备方法，包括PTC热敏电阻芯片2、第一焊片3、第二焊片4、玻封管壳1、第一连接引线5和第二连接引线6，玻封管壳1具有封装管腔，玻封管壳1的封装管腔中部安装有PTC热敏电阻芯片2，第一连接引线5由第一引线51和第一引线柱52组成，第二连接引线6由第二引线61和第二引线柱62组成，第一引线柱52配合安装于玻封管壳1的封装管腔上部区域，第二引线柱62配合安装于玻封管壳1的封装管腔下部区域，第一引线柱52端部与PTC热敏电阻芯片2之间通过第一焊接片3进行过渡连接，第二引线柱62端部与PTC热敏电阻芯片2之间通过第二焊接片4进行过渡连接；PTC热敏电阻芯片2具有欧姆接触特性，PTC热敏电阻芯片2由单晶硅片基体与镍电极通过合金化形成，单晶硅片基体表面的镍电极采用化学沉积法形成。
优选地，第一引线51和第二引线61均为杜美丝引线，第一引线柱52和第二引线柱62均为铜柱。第一引线柱52、第一焊接片3、PTC热敏电阻芯片2、第二焊接片4、第二引线柱62在玻封管壳1的封装管腔中、在无氧的氮气保护条件下高温焊封而成。
本实施例的PTC热敏电阻芯片2、第一连接引线5、第二连接引线6、玻封管壳1的热膨胀系数均为10-6％/℃数量级。
一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器制备方法，其方法如下：
A、制备PTC热敏电阻芯片2，其方法步骤如下：
A1、选用N型或P型单晶硅片作为单晶硅片基体，单晶硅片基体优选选择电阻率在2～500Ω.cm之间、厚度为0.28mm左右的N型或P型单晶硅片，采用1200～1500目的海绵砂纸将单晶硅片基体上下两面打磨粗糙，用十二烷基硫酸钠溶液将单晶硅片基体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；单晶硅片电阻率与产品目标25℃零功率电阻值R25之间的对应关系见表1；
Figure BDA0002863954200000061
表1对应关系表
A2、化学镀镍：将步骤A1中清洗后的单晶硅片基体经过常温敏化、常温活化后采用化学镀镍方式沉积一层厚度为2～4μm的镍电极，化学镀镍后的单晶硅片基体无正温度热敏电阻器电阻温度特性；
A3、合金化处理：在氮气流量为0.12～0.16m3/h的保护条件下，将化学镀镍后的单晶硅采用790±10℃的高温使单晶硅片基体表面的镍电极在不被氧化的前提下扩散到单晶硅材料内部，进而得到具有良好的欧姆接触性能的PTC热敏电阻芯片体，所得到的PTC热敏电阻芯片体电阻温度系数为0.75～0.84％/℃；本实施例所得到的PTC热敏电阻芯片体电阻温度系数依据选用硅片电阻率的不同在0.75～0.84％/℃之间，具体见表2；
Figure BDA0002863954200000062
Figure BDA0002863954200000071
表2PTC热敏电阻芯片体电阻温度系数对照表
A4、化学镀金处理：采用2000目的海绵砂纸将合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面打磨粗糙，并采用十二烷基硫酸钠溶液将PTC热敏电阻芯片体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；
将化学镀金溶液置于容器中，将容器置于恒温水浴槽中，待化学镀金溶液温度大于等于90℃后，将清洗后的PTC热敏电阻芯片体置于化学镀金溶液中施镀10～20min，期间将盛有化学镀金溶液的容器放入恒温水浴摇床上，调节摇床摇晃频率，保证PTC热敏电阻芯片体表面不与容器壁接触，确保PTC热敏电阻芯片体与化学镀金溶液充分均匀接触；通过化学沉积的方式在合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面形成一层连续的金电极，所得到的带金电极的PTC热敏电阻芯片体表面能与过渡金属焊料之间形成良好的浸润，进而得到PTC热敏电阻芯片2；
B、划片处理：采用树脂刀片在全自动精密划片机上将化学镀金后的PTC热敏电阻芯片2划成：长为0.44～0.56mm，宽为0.44～0.56mm的小芯片，即可得到电阻值为33Ω～10kΩ之间的带金电极PTC热敏电阻芯片；芯片25℃零功率电阻值与芯片尺寸及芯片电阻率之间形成一一对应的关系如表3；
Figure BDA0002863954200000081
表3芯片25℃零功率电阻值与芯片尺寸及芯片电阻率之间形成一一对应关系表
C、玻封处理：在石墨工装中装入玻封管壳1，将步骤B的带金电极PTC热敏电阻芯片安装于玻封管壳1封装管腔的中，在带金电极PTC热敏电阻芯片顶部依次放入第一焊接片3、第一连接引线5，第一连接引线5的第一引线柱52、第一焊接片3均置于玻封管壳1的封装管腔上部，第一焊接片3为金锡焊片；在带金电极PTC热敏电阻芯片底部依次放入第二焊接片4、第二连接引线6，第二连接引线6的第二引线柱62、第二焊接片4均置于玻封管壳1的封装管腔下部，第二焊接片4为金锡焊片；
再将石墨工装放入真空焊接炉中进行真空玻璃封装处理，其方法流程如下：
第一次抽1min真空，接着第一次充5s氮气；第二次抽1min真空，接着第二次充5s氮气；第三次抽1min真空，接着第三次充5s氮气；……，直到玻封管壳1内部填充满氮气，然后进行加热处理，加热的限高温度为585±10℃，让第一焊接片3过渡融合焊接第一引线柱52底面与带金电极PTC热敏电阻芯片顶面，让第二焊接片4过渡融合焊接第二引线柱62顶面与带金电极PTC热敏电阻芯片底面；然后保温5min再降温并持续10s氮气。
D、引线电镀处理：采用酸洗将置于玻封管壳1外部的第一连接引线5和第二连接引线6表面上的氧化硼去除，再采用电镀的方式在第一连接引线5与第二连接引线6表面分别沉积一层可焊性良好的锡或锡铅电极，即可得到高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器。
本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器的带金电极PTC热敏电阻芯片(或PTC热敏电阻芯片2)与引线之间的连接方式为过渡金属焊接方式，无传统机械压接结构所产生的接触电阻，产品耐环境适应性更好，电性能可靠性高；本发明所涉及的热敏电阻器温度环境试验过程中阻值变化情况见如下表4；
Figure BDA0002863954200000091
表4产品高低温试验过程中阻值变化情况
本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器在1000h负荷寿命试验过程中阻值变化情况见如下表5；
Figure BDA0002863954200000092
表5产品1000h负荷寿命试验过程中阻值变化情况
本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器采用玻璃封装，电阻芯片密封在近似无氧的玻壳中，电阻芯片不易被破损，产品结构强度高、电阻芯片电性能稳定性好。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器为玻璃封装结构，内部结构可视、引线长度可根据实际需求进行调整，装配方便、产品体积小、重量轻，单只产品重量＜0.15g。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器的电阻温度系数在0.75～0.84％/℃之间，产品电阻温度系数与单晶硅材料制成的PTC热敏电阻器本征电阻温度变化特性更吻合。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器根据选用的单晶硅片电阻率的不同可制备出25℃零功率阻值为33Ω～4.7kΩ之间的系列规格PTC热敏电阻器，电阻器在-55℃～125℃之间的电阻温度曲线似线性变化趋势，见图3所示。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器的电阻芯片采用两层电极结构，内电极为化学沉积方式形成的镍电极通过高温扩散进入单晶硅材料内部形成，外电极为化学沉积方式形成的金电极。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器的电阻芯片划片时采用的刀片为树脂刀片。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器所使用的过渡电极为熔点为280℃的金锡焊片，其较产品最高使用温度125℃更高，较产品封装温度为585±10℃更低，且与金电极和引线之间有良好的浸润性，能在产品封装过程中发生重熔和再结晶。本发明高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器的玻封管壳为中温电子玻管，封装温度为(585±10)℃。本发明所涉及的化学镀镍和化学镀金均为常规化学镀，操作简单，对设备要求低。本发明所涉及的引线为杜美丝，产品封装完成后引线表面采用电镀的方式沉积了一层可焊性良好的锡或锡铅层。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，其特征在于：包括PTC热敏电阻芯片(2)、第一焊片(3)、第二焊片(4)、玻封管壳(1)、第一连接引线(5)和第二连接引线(6)，所述玻封管壳(1)具有封装管腔，所述玻封管壳(1)的封装管腔中部安装有PTC热敏电阻芯片(2)，所述第一连接引线(5)由第一引线(51)和第一引线柱(52)组成，所述第二连接引线(6)由第二引线(61)和第二引线柱(62)组成，所述第一引线柱(52)配合安装于玻封管壳(1)的封装管腔上部区域，所述第二引线柱(62)配合安装于玻封管壳(1)的封装管腔下部区域，所述第一引线柱(52)端部与PTC热敏电阻芯片(2)之间通过第一焊接片(3)进行过渡连接，所述第二引线柱(62)端部与PTC热敏电阻芯片(2)之间通过第二焊接片(4)进行过渡连接；所述PTC热敏电阻芯片(2)具有欧姆接触特性，所述PTC热敏电阻芯片(2)由单晶硅片基体与镍电极通过合金化形成，所述单晶硅片基体表面的镍电极采用化学沉积法形成。
2.按照权利要求1所述的一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，其特征在于：所述第一引线(51)和第二引线(61)均为杜美丝引线，所述第一引线柱(52)和第二引线柱(62)均为铜柱。
3.按照权利要求1所述的一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，其特征在于：所述第一引线柱(52)、第一焊接片(3)、PTC热敏电阻芯片(2)、第二焊接片(4)、第二引线柱(62)在玻封管壳(1)的封装管腔中、在无氧的氮气保护条件下高温焊封而成。
4.按照权利要求1所述的一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器，其特征在于：所述PTC热敏电阻芯片(2)、第一连接引线(5)、第二连接引线(6)、玻封管壳(1)的热膨胀系数均为10-6％/℃数量级。
5.一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器制备方法，其特征在于：其方法如下：
A、制备PTC热敏电阻芯片(2)，其方法步骤如下：
A1、选用N型或P型单晶硅片作为单晶硅片基体，采用1200～1500目的海绵砂纸将单晶硅片基体上下两面打磨粗糙，用十二烷基硫酸钠溶液将单晶硅片基体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；
A2、化学镀镍：将步骤A1中清洗后的单晶硅片基体经过常温敏化、常温活化后采用化学镀镍方式沉积一层厚度为2～4μm的镍电极，化学镀镍后的单晶硅片基体无正温度热敏电阻器电阻温度特性；
A3、合金化处理：在氮气流量为0.12～0.16m3/h的保护条件下，将化学镀镍后的单晶硅采用790±10℃的高温使单晶硅片基体表面的镍电极在不被氧化的前提下扩散到单晶硅材料内部，进而得到具有良好的欧姆接触性能的PTC热敏电阻芯片体，所得到的PTC热敏电阻芯片体电阻温度系数为0.75～0.84％/℃；
A4、化学镀金处理：采用2000目的海绵砂纸将合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面打磨粗糙，并采用十二烷基硫酸钠溶液将PTC热敏电阻芯片体煮沸去油2～3次，再用去离子水清洗2～3遍；
将化学镀金溶液置于容器中，将容器置于恒温水浴槽中，待化学镀金溶液温度大于等于90℃后，将清洗后的PTC热敏电阻芯片体置于化学镀金溶液中施镀10～20min，期间将盛有化学镀金溶液的容器放入恒温水浴摇床上，调节摇床摇晃频率，保证PTC热敏电阻芯片体表面不与容器壁接触，确保PTC热敏电阻芯片体与化学镀金溶液充分均匀接触；通过化学沉积的方式在合金化后的PTC热敏电阻芯片体表面形成一层连续的金电极，所得到的带金电极的PTC热敏电阻芯片体表面能与过渡金属焊料之间形成良好的浸润，进而得到PTC热敏电阻芯片(2)；
B、划片处理：采用树脂刀片在全自动精密划片机上将化学镀金后的PTC热敏电阻芯片(2)划成：长为0.44～0.56mm，宽为0.44～0.56mm的小芯片，即可得到电阻值为33Ω～10kΩ之间的带金电极PTC热敏电阻芯片；
C、玻封处理：在石墨工装中装入玻封管壳(1)，将步骤B的带金电极PTC热敏电阻芯片安装于玻封管壳(1)封装管腔的中，在带金电极PTC热敏电阻芯片顶部依次放入第一焊接片(3)、第一连接引线(5)，第一连接引线(5)的第一引线柱(52)、第一焊接片(3)均置于玻封管壳(1)的封装管腔上部，第一焊接片(3)为金锡焊片；在带金电极PTC热敏电阻芯片底部依次放入第二焊接片(4)、第二连接引线(6)，第二连接引线(6)的第二引线柱(62)、第二焊接片(4)均置于玻封管壳(1)的封装管腔下部，第二焊接片(4)为金锡焊片；
再将石墨工装放入真空焊接炉中进行真空玻璃封装处理；
D、引线电镀处理：采用酸洗将置于玻封管壳(1)外部的第一连接引线(5)和第二连接引线(6)表面上的氧化硼去除，再采用电镀的方式在第一连接引线(5)与第二连接引线(6)表面分别沉积一层可焊性良好的锡或锡铅电极，即可得到高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器。
6.按照权利要求5所述的一种高可靠玻封二极管PTC热敏电阻器制备方法，其特征在于：所述步骤C中真空玻璃封装处理方法流程如下：
第一次抽1min真空，接着第一次充5s氮气；第二次抽1min真空，接着第二次充5s氮气；第三次抽1min真空，接着第三次充5s氮气；……，直到玻封管壳(1)内部填充满氮气，然后进行加热处理，加热的限高温度为585±10℃，让第一焊接片(3)过渡融合焊接第一引线柱(52)底面与带金电极PTC热敏电阻芯片顶面，让第二焊接片(4)过渡融合焊接第二引线柱(62)顶面与带金电极PTC热敏电阻芯片底面；然后保温5min再降温并持续10s氮气。
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