CN112786742A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板的制作方法包括:在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元;在相邻两个该发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元;利用激光去除位于该发光器件单元上的该遮光材料;在该发光器件单元及该遮光单元上形成封装层。本申请通过激光将覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料去除,避免了发光器件单元的光线被遮挡,提高了光线通过率,增强了显示效果。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着生活品质的提高,自发光显示因其高色域等优质性能得到了各大面板厂商的青睐和重点研发。
目前,为了减少相邻两个发光单元之间的光串扰,会在相邻两个发光单元之间填充遮光单元,但是在实际的填充工艺中,经常会出现遮光材料残留在发光单元的正常发光路径上,导致光线无法正常射出或部分光射出,严重影响显示效果。
因此,亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决目前覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料,导致光线无法正常射出或部分光射出,影响显示效果的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板的制作方法,包括:
在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元;
在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元;
利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料;
在所述发光器件单元及所述遮光单元上形成封装层。
在本申请的显示面板的制作方法中,利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
将掩膜版设置在所述发光器件单元及所述遮光单元上,所述掩膜版包括多个第一开口,所述第一开口与所述发光器件单元对应;
利用激光整面照射所述掩膜版,去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料。
在本申请的显示面板的制作方法中,所述第一开口的开口面积大于对应所述发光器件单元的发光面积。
在本申请的显示面板的制作方法中,所述第一开口包括第一区域及第二区域,所述第一区域的面积与对应所述发光器件单元的发光面积相等,所述第二区域围绕所述第一区域环形设置;
其中,所述第一区域的透光率大于所述第二区域的透光率。
在本申请的显示面板的制作方法中,在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元之前还包括:
在所述发光器件单元上形成热剥离单元;
在利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
利用激光照射所述热剥离单元。
在本申请的显示面板的制作方法中,在靠近所述热剥离单元的边缘的方向上,所述热剥离单元的厚度逐渐减小;
所述热剥离单元的材料包括黑色吸光材料。
在本申请的显示面板的制作方法中,利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
获取所述阵列基板上不同区域的遮光材料的厚度;
利用激光去除厚度小于第一阈值的遮光材料;
其中,所述第一阈值小于所述发光器件单元的厚度值。
在本申请的显示面板的制作方法中,在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元之前还包括:
在所述发光器件单元上形成疏油单元;
其中,所述疏油单元用于减少遮光材料在所述发光器件单元上的附着。
在本申请的显示面板的制作方法中,在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元的步骤包括:
在阵列基板上形成粘结层;
在所述粘结层上转移多个间隔设置的发光器件单元;
将所述阵列基板进行包括温度梯度的回流焊处理;
其中,所述温度梯度为190℃~280℃。
本申请还提供了一种显示面板,所述显示面板利用如任一上述的显示面板的制作方法制作形成。
有益效果:本申请通过激光将覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料去除,避免了发光器件单元的光线被遮挡,提高了光线通过率,增强了显示效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板的制作方法的步骤流程图;
图2为本申请显示面板的制作方法的第一流程示意图;
图3为本申请显示面板的制作方法的第二流程示意图;
图4为本申请显示面板的制作方法的第三流程示意图;
图5为本申请显示面板的制作方法的第四流程示意图;
图6为本申请显示面板的制作方法的第五流程示意图;
图7为本申请显示面板的制作方法的第六流程示意图;
图8为本申请显示面板的制作方法的第七流程示意图;
图9为本申请显示面板的制作方法的第八流程示意图;
图10为本申请显示面板的制作方法的第九流程示意图;
图11为本申请显示面板的制作方法的第十流程示意图;
图12为本申请显示面板的制作方法的第十一流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
目前,为了减少相邻两个发光单元之间的光串扰,会在相邻两个发光单元之间填充遮光单元,但是在实际的填充工艺中,经常会出现遮光材料残留在发光单元的正常发光路径上,导致光线无法正常射出或部分光射出,严重影响显示效果。
请参阅图1~图12,本申请公开了一种显示面板100的制作方法包括:
S100、在阵列基板200上形成多个间隔设置的发光器件单元300。
S200、在相邻两个所述发光器件单元300之间形成由遮光材料构成的遮光单元400。
S300、利用激光去除位于所述发光器件单元300上的所述遮光材料。
S400、在所述发光器件单元300及所述遮光单元400上形成封装层500。
本申请通过激光将覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料去除,避免了发光器件单元的光线被遮挡,提高了光线通过率,增强了显示效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1~图12,所述显示面板100的制作方法包括:
S100、在阵列基板200上形成多个间隔设置的发光器件单元300。
本实施例中,所述阵列基板200包括衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的源漏极层及位于所述源漏极层上的钝化层。所述栅极层包括多个栅极单元,所述有源层包括多个半导体单元,一所述栅极单元与一所述半导体单元对应,一所述发光器件单元300与一所述栅极单元对应。所述源漏极层与所述有源层通过过孔电连接。
本实施例中,在阵列基板200上形成多个间隔设置的发光器件单元300的步骤包括:
S110、在阵列基板200上形成粘结层210。
本实施例中,所述粘结层210包括锡膏。所述粘结层210为整层设置,具体请参阅图2。锡膏在常温下有一定的粘性,可将电子元器件初粘在既定位置,在焊接温度下,随着溶剂和部分添加剂的挥发,将被焊元器件焊接在预定位置形成固定连接。锡膏包括助焊剂及焊料粉。助焊剂包括活化剂、触变剂、树脂及溶剂。焊料粉包括锡铅、锡铋、锡银铜中一种或多种的组合。
S120、在所述粘结层210上转移多个间隔设置的发光器件单元300。
本实施例中,将发光器件单元300转移至所述阵列基板200的粘结层210上,具体请参阅图3。所述发光器件单元300包括靠近所述粘结层210的发光单元及位于所述发光单元上的第一衬底单元。所述发光单元包括阳极、位于所述阳极上的发光材料及位于所述发光材料上的阴极,所述发光材料包括自发光材料,可以为mini-LED、mico-LED,在此不做限制。
本实施例中,所述第一衬底单元的材料为蓝宝石,可以更好地导光约束光线向垂直于所述显示面板100方向射出。所述第一衬底单元的厚度为50微米~150微米。当所述第一衬底单元的厚度为100微米时,可以起到约束光线向垂直于所述显示面板100方向射出的同时,又为相邻两个所述发光器件单元300之间的遮光单元400提供支撑,减少了相邻两个所述发光器件单元300之间的光串扰,还减小了显示面板100的厚度。
本实施例中,利用打件工艺将发光器件单元300转移到所述阵列基板200上,将发光器件单元300与阵列基板200上未固化的锡膏粘结在一起,起到一个初步粘结的效果。
S130、将所述阵列基板200进行包括温度梯度的回流焊处理。
本实施例中,所述温度梯度为190℃~280℃,对所述粘结层210进行回流焊,可以更好地将所述发光器件单元300与所述阵列基板200进行粘结,保证显示面板100元件的稳定,又不会因为温度过高对显示面板100造成损伤。
本实施例中,在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元之前还包括:
S140、在所述发光器件单元300上形成疏油单元;
本实施例中,所述疏油单元用于减少遮光材料410在所述发光器件单元300上的附着,所述疏油单元既可以包括透明材料,对所述发光器件单元300的出光无影响,又可以在后续激光照射时,烧蚀掉,同时,所述疏油单元对所述发光器件单元300有一定的保护作用,避免激光过强,烧坏所述发光器件单元300。所述疏油单元的材料可以为疏油性材料。所述疏油单元的设置结构类似于热剥离单元900,请参阅图11、图12,黑油在所述疏水单元上的残留会变少。
S200、在相邻两个所述发光器件单元300之间形成由遮光材料构成的遮光单元400。
本实施例中,在相邻两个所述发光器件单元300之间形成由遮光材料构成的遮光单元400,具体请参阅图4,不可避免的会在发光器件单元300上有多余的遮光材料410。所述遮光单元400的遮光材料410为黑油或黑胶。遮光单元400可以避免相邻两个所述发光器件单元300之间的光串扰,例如当一个所述发光器件单元300不需要发光时,相邻另一个发光器件单元300需要发光时,两个发光器件单元300不会因为工作状态的不同,避免相互影响,减少光激发光串扰,提高显示效果。
本实施例中,所述遮光材料410为黑油或黑胶。黑油包括高温蒸煮亚麻籽油与合适的结合量的铅白或一氧化铅而成的油料。黑色包括黑色热熔胶,通过低温低压注塑的方式形成于已经安装有包括LED发光芯片的阵列基板200表面上,在已经贴装好发光器件单元300的阵列基板200表面上,在低温低压的条件下,采用低温低压注塑工艺向相邻两个所述发光器件单元300的间隙中注塑黑色的热熔胶,使之形成黑色热熔胶层。所述黑色热熔胶层与所有的发光器件单元300形成平整的表面,其目的是既保护了发光器件单元300,使之不容易遭受外力而损坏,又能够使发光器件单元300的光线正常射出,发光器件单元300组成了黑色热熔胶层表面的像素点。
本实施例中,形成所述遮光单元400可以采用压胶或喷墨打印工艺将黑胶或黑油填充在相邻两个所述发光器件单元300之间,并在合适温度下进行黑胶或黑油的固化,或在以紫外线方式进行光固化。
S300、利用激光照射所述发光器件单元300。
本实施例中,将所述发光器件单元300上的所述遮光材料410去除的方式为整面激光照射,具体请参阅图5。对于遮光材料410流向发光器件单元300时,遮光材料410一般是过多的,采用整面激光照射的方法,遮光单元400一般是黑色的材料,因此会强烈吸收激光的能量引起胶材内部的热流运动,使其自身温度不断上升,当超过胶材中高分子组分的热分解温度后,则发生热分解而达到去除残胶的目的,激光在可以便捷的去除覆盖在所述发光器件单元300上的所述遮光材料410,同时还可以节省一道光罩。
本实施例中,利用激光去除位于所述发光器件单元300上的所述遮光材料410的步骤包括:将掩膜版700设置在所述发光器件单元300及所述遮光单元400上,所述掩膜版700包括多个第一开口710,所述第一开口710与所述发光器件单元300对应。利用激光整面照射所述掩膜版700,去除位于所述发光器件单元300上的所述遮光材料410。将所述发光器件单元300上的所述遮光材料410去除的方式为通过掩膜版700对所述发光器件单元300上的所述遮光材料410进行照射,具体请参阅图8。通过掩膜版700,对所述发光器件单元300进行精准激光照射,从而可以对覆盖在所述发光器件单元300上的所述遮光材料410进行精准去除,避免照射显示面板100其他区域,引起温度升高损坏显示面板100。
本实施例中,所述第一开口710的开口面积大于对应所述发光器件单元300的发光面积,具体请参阅图9。激光照射除了所述发光器件单元300的发光区域,可以多照射一些位于相邻两个所述发光器件单元300之间的遮光单元400,保证发光器件单元300上无遮光材料410,保证发光器件单元300更高的透光率,提升显示面板100的显示效果。
本实施例中,所述第一开口710包括第一区域711及第二区域712,所述第一区域711的面积与对应所述发光器件单元300的发光面积相等,所述第二区域712围绕所述第一区域711环形设置,具体请参阅图10。其中,所述第一区域711的透光率大于所述第二区域712的透光率。所述第二区域712的透光率小于所述第一区域711的透光率,在保证第一区域711即对应所述发光器件单元300上的区域,可以被激光充分照射的同时,第二区域712也可以被一定强度的激光照射。尽可能地保证所述发光器件单元300的发光区域上无遮光材料410覆盖的同时,减少遮光单元400的损失,避免光串扰的产生。
本实施例中,激光照射包括脉冲激光烧蚀。脉冲激光烧蚀是将脉冲发射式的高能激光辐射。本申请主要利用了脉冲激光对遮光材料410的烧蚀分解,或对热剥离单元的加热剥离。脉冲激光烧蚀技术可以为飞秒激光烧蚀,飞秒激光烧蚀是以脉宽为10-15s的激光作为光源,当激光脉冲的时域宽度被压缩的越来越短时,到了飞秒量级,损伤阈值就基本上不变了,且变得很精确,可更好地保护显示面板100。
本实施例中,在相邻两个所述发光器件单元300之间形成遮光单元400之前还包括:
S201、在所述发光器件单元300上形成热剥离单元900。
本实施例中,在利用激光去除位于所述发光器件单元300上的所述遮光材料410的步骤包括:利用激光照射所述热剥离单元900。
本实施例中,在所述发光器件单元300上形成热剥离单元900,具体请参阅图11,所述热剥离单元900的材料为热剥离材料,包括热解粘胶水、热剥离薄膜等,在常温下具有粘性,加热后粘性消失,可以被剥离。所述热剥离单900可以粘结在发光器件单元300上,在后续的遮光单元400设置时,即使有遮光材料410覆盖在热剥离单元900上,具体请参阅图12,在后续激光照射时,覆盖在热剥离单元900上的所述遮光材料410可以轻松连同所述热剥离单元900一同去除,而且需要的激光强度不大,避免损伤显示面板100,同时热剥离单元可以更加精准的形成所述发光器件单元300的发光区域,是其发光区域的划分更加精准,避免激光照射过量。
本实施例中,在靠近所述热剥离单元900的边缘的方向上,所述热剥离单元900的厚度逐渐减小,具体请参阅图11。在靠近所述热剥离单元900的边缘的方向上,即靠近所述遮光单元400的方向上,所述热剥离单元900的厚度逐渐减小,在涂布遮光材料410时,可以更好地减少遮光材料410溢出至所述发光器件单元300上,具体请参阅图12,同时,在后续激光加热时,可以更加方便地剥离所述热剥离单元900及覆盖在所述热剥离单元900上的所述遮光材料410。
本实施例中,所述热剥离单元900的材料包括黑色吸光材料。可以更好地吸收激光的能量,加快所述热剥离单元900的剥离,减少激光强度,可以保护显示面板100不被激光所破坏。
本实施例中,当在所述发光器件单元300上形成热剥离单元900之后,所述遮光单元400设置精度可以不需要很高,就可以很好地在后续激光照射步骤时,热剥离单元900与覆盖于所述热剥离单元上的所述遮光材料410即可去除,减小了工艺难度。
本实施例中,利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
S310、获取所述阵列基板200上不同区域的遮光材料410的厚度。
S320、利用激光去除厚度小于第一阈值的遮光材料410。
本实施例中,所述第一阈值小于所述发光器件单元300的厚度值。位于相邻两个所述发光器件单元300之间的遮光材料410的厚度大于或等于所述发光器件单元300的厚度,通过识别遮光材料410的厚度,找到厚度小于第一阈值的遮光材料410,即定位附着在发光器件单元300上的所述遮光材料410,实现精准激光去除。
S400、在所述发光器件单元300及所述遮光单元400上形成封装层500。
本实施例中,在所述发光器件单元300及所述遮光单元400上形成封装层500,具体请参阅图6,所述封装层的材料为透明材料,利用透明材料对所述发光器件单元300及所述遮光单元400进行封装处理,以达到阻隔水氧等目的,保护显示面板100。
本实施例中,所述掩膜版700还包括多个第二开口,所述第二开口与所述遮光单元400对应。所述第二开口在所述阵列基板200上的正投影位于所述遮光单元400在所述阵列基板200上的正投影之内。在利用激光对多余遮光材料410进行去除时,在所述遮光单元400进行了挖孔,所述遮光单元400包括第一开孔,所述第一开孔通过所述掩膜版700的所述第二开口形成,在进行封装层500形成时,增大了封装层500与遮光单元400的接触面积,封装层500可以更好地将发光器件及遮光单元400进行封装,更好地保护显示面板100,同时,封装层500,不会降低显示面板100的开口率。
本实施例中,由于所述发光器件单元300发出的光在出射界面的折射率差引起的反射损失,以及由于入射角大全反射临界角而引起的全反射损失。因此很多光线无法从发光器件单元300中出射到外部,在发光器件单元300表面涂覆层折射率相对较高的封装层500,由于封装层500处于发光器件单元300与空气之间,从而可以有效减少光子在界面的损失,提高了取光效率。此外,封装层500的还可以作为一种导光结构,并且对发光器件单元300进行机械保护、加强应力释放。
封装层500的材料可以包括环氧树脂或/和硅胶。硅胶具有透光率高、折射率大、热稳定性好、应力小、吸湿性低等特点,可以更好地在大功率的发光器件单元300封装中得到广泛应用。提高硅胶折射率,可以有效地减少折射率物理屏障导致的光子损失,提高了外量子效率,提高了发光器件单元300的出光效率和可靠性。封装胶层还可以包括高折射率透明玻璃或微晶玻璃,通过将荧光粉内掺或外涂于玻璃表面制得,提高了荧光粉的均匀度,而且提高了封装效率,减少了发光器件单出光方向的光学界面数,提高了出光效率。
本实施例中,所述显示面板100的制作方法还包括:
S500、在所述封装层500上形成彩膜层600。
本实施例中,在所述封装层500上形成包括多个彩膜单元610的彩膜层600,具体请参阅图7,所述彩膜单元610为红色彩膜材料、绿色彩膜材料、透明彩膜材料中的任一种,所述发光器件单元300发出的光为蓝色。一所述彩膜单元610与一所述发光器件单元300对应。发光器件单元300发出的蓝色光不需要颜色转换,就可以被用作蓝色子像素显示,其中红色彩膜材料、绿色彩膜材料包括量子点色转换材料,可以被蓝色光激发,产生红色光、绿色光,与发光器件单元300发出的蓝色光组成红绿蓝三色显示,实现全彩显示,图中的R代表红色彩膜单元610,其材料为红色彩膜材料;G代表绿色彩膜单元610,其材料为绿色彩膜材料;B代表蓝色彩膜单元610,其材料为透明彩膜材料。所述发光器件单元300的蓝色发射材料被蒸发到高迁移率薄膜晶体管面板叠层上,彩膜单元610用于将蓝光转换为红、绿以产生RGB子像素。与其他OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板相比,所述显示面板100具有高对比度,真实的黑色,快速响应时间,宽视角,宽色域等方面提供类似或增强的性能。
本实施例中,所述彩膜层600还包括位于相邻两个所述彩膜单元610之间的黑色矩阵620,具体请参阅图7。所述黑色矩阵620用于避免通过相邻两个所述彩膜单元610的光线的混色,减少了光混色,显示面板100的显示颜色更趋近标准颜色,提高了显示效果。
本申请通过激光将覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料去除,避免了发光器件单元的光线被遮挡,提高了光线通过率,增强了显示效果。
本申请还公开了一种显示面板100,所述显示面板100利用任一上述的显示面板100的制作方法制作形成。
具体的显示面板100结构请参阅上述显示面板100的制作方法的实施例及图1~图12,在此不再赘述。
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板的制作方法包括:在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元;在相邻两个该发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元;利用激光去除位于该发光器件单元上的该遮光材料;在该发光器件单元及该遮光单元上形成封装层。本申请通过激光将覆盖在发光器件单元上多余的遮光材料去除,避免了发光器件单元的光线被遮挡,提高了光线通过率,增强了显示效果。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元;
在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元;
利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料;
在所述发光器件单元及所述遮光单元上形成封装层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
将掩膜版设置在所述发光器件单元及所述遮光单元上,所述掩膜版包括多个第一开口,所述第一开口与所述发光器件单元对应;
利用激光整面照射所述掩膜版,去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一开口的开口面积大于对应所述发光器件单元的发光面积。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一开口包括第一区域及第二区域,所述第一区域的面积与对应所述发光器件单元的发光面积相等,所述第二区域围绕所述第一区域环形设置;
其中,所述第一区域的透光率大于所述第二区域的透光率。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元之前还包括:
在所述发光器件单元上形成热剥离单元;
在利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
利用激光照射所述热剥离单元。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在靠近所述热剥离单元的边缘的方向上,所述热剥离单元的厚度逐渐减小;
所述热剥离单元的材料包括黑色吸光材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,利用激光去除位于所述发光器件单元上的所述遮光材料的步骤包括:
获取所述阵列基板上不同区域的遮光材料的厚度;
利用激光去除厚度小于第一阈值的遮光材料;
其中,所述第一阈值小于所述发光器件单元的厚度值。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在相邻两个所述发光器件单元之间形成由遮光材料构成的遮光单元之前还包括:
在所述发光器件单元上形成疏油单元。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在阵列基板上形成多个间隔设置的发光器件单元的步骤包括:
在阵列基板上形成粘结层;
在所述粘结层上转移多个间隔设置的发光器件单元;
将所述阵列基板进行包括温度梯度的回流焊处理;
其中,所述温度梯度为190℃~280℃。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板利用如权利要求1~9中任一项所述的显示面板的制作方法制作形成。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114695429A (zh) * 2022-04-25 2022-07-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及显示装置的制备方法
CN114709302A (zh) * 2022-03-24 2022-07-05 Tcl华星光电技术有限公司 Micro-LED显示面板的封装方法、封装结构及显示装置
US20220328459A1 (en) * 2021-04-09 2022-10-13 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
WO2023208222A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制造方法
WO2023217229A1 (zh) * 2022-05-12 2023-11-16 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0980221A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示素子用カラーフィルタ基板とその製造方法
KR20100018001A (ko) * 2010-01-11 2010-02-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법과 이에 적용된 블랙 매트릭스 제조장치
JP2012185788A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toppan Printing Co Ltd タッチパネル電極付きカラーフィルタ基板の製造方法とタッチパネル電極付きカラーフィルタ基板、ならびにインナーマーカーを有する透明基板
CN107968101A (zh) * 2017-12-26 2018-04-27 上海得倍电子技术有限公司 一种高清led显示屏模组结构及其制造方法
CN108831911A (zh) * 2018-06-12 2018-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN109860256A (zh) * 2019-02-21 2019-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled显示装置及其制备方法
CN110420776A (zh) * 2019-08-06 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及Mini LED背光模组的制作方法
CN111613709A (zh) * 2020-05-27 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 迷你发光二极管背光模组、其制作方法及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0980221A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示素子用カラーフィルタ基板とその製造方法
KR20100018001A (ko) * 2010-01-11 2010-02-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법과 이에 적용된 블랙 매트릭스 제조장치
JP2012185788A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toppan Printing Co Ltd タッチパネル電極付きカラーフィルタ基板の製造方法とタッチパネル電極付きカラーフィルタ基板、ならびにインナーマーカーを有する透明基板
CN107968101A (zh) * 2017-12-26 2018-04-27 上海得倍电子技术有限公司 一种高清led显示屏模组结构及其制造方法
CN108831911A (zh) * 2018-06-12 2018-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN109860256A (zh) * 2019-02-21 2019-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled显示装置及其制备方法
CN110420776A (zh) * 2019-08-06 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及Mini LED背光模组的制作方法
CN111613709A (zh) * 2020-05-27 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 迷你发光二极管背光模组、其制作方法及显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220328459A1 (en) * 2021-04-09 2022-10-13 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
CN114709302A (zh) * 2022-03-24 2022-07-05 Tcl华星光电技术有限公司 Micro-LED显示面板的封装方法、封装结构及显示装置
CN114695429A (zh) * 2022-04-25 2022-07-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及显示装置的制备方法
WO2023206625A1 (zh) * 2022-04-25 2023-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及显示装置的制备方法
WO2023208222A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制造方法
WO2023217229A1 (zh) * 2022-05-12 2023-11-16 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法

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