CN112782611A - 具有泄漏电流检测功能的bms半导体装置及检测方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置及检测方法，其中，该装置包括：比较器，用于比较并输出连接到电池单元的正电压端的平衡端与连接到所述电池单元的负电压端的下位感测端的电压；ADC，用于感测连接到所述电池单元的正电压端的上位感测端与所述下位感测端之间的电压差；以及泄漏电流判断部，根据由所述ADC感测的电压差来设置可变临界值，并使用所述比较器的比较结果与所述可变临界值来判断是否发生泄漏电流。

Description

具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置及检测方法
技术领域
本发明涉及一种具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置及其泄漏电流检测方法。
背景技术
最近，出现使用高电压的电池的产业设备、家用电器以及汽车等多种装置，尤其在汽车技术领域中活跃地使用高电压电池。
使用以汽油或重油等化石燃料为主要燃料的内燃机的汽车对空气污染等的公害的发生带来严重的影响。因此，近年来，为了减少公害的发生，致力于开发电动车或混合动力(Hybrid)汽车。
电动车(EV；electric Vehicle)是指不使用石油燃料和发动机，而是使用电池和电动机的车辆。即，虽然通过使用蓄积在电池的电来旋转电动机并驱动汽车的电动车比汽油车开发得更早，然而，由于电池的重量重、电池容量的限制以及充电所需的时间等问题，无法商业化，但是，最近随着能源及环境问题变得严重，从1990年代开始正式研究了实用性。
另一方面，最近随着电池技术的快速发展，电动车及自适应地使用化石燃料和电能的混合动力汽车(HEV)已被商业化。由于混合动力汽车同时使用汽油和电力作为动力来源，因此在改善燃油消耗率及减少废气方面得到了肯定的评价，并有望在发展成为完整的电动车方面发挥中间作用。
使用这种电能的HEV及EV车辆由于能充电的多个二次电池(cell)将由单个电池组(pack)形成的电池作为主要动力源，因此，具有完全不会排出废气，并且噪音非常小的优点。
这种使用电能的汽车通常使用大约300V至700V的高电压电池以向电动机供应高输出能量。
在使用电能的车辆中确保高功率电气装置的安全性是非常重要的，使得避免与使用高电压电池时发生的危险因素直接接触，并保护驾驶员及乘客。
因此，在车辆适用监控及管理如锂离子电池的高电压电池的电池管理系统(Battery Management system，BMS)半导体来确保车辆的安全性。
在这种BMS半导体的内部形成有用于静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护的二极管。
然而，保护二极管具有无意地产生泄漏电流并消耗电池的功率的问题。
另外，BMS半导体的外部电池输入端与电容器并联连接。
这样的电容器可能会被ESD受到损坏，当发生损坏时，会产生泄漏电流，导致消耗电池的功率的问题。
为了解决这种问题，现有的BMS半导体通过使用感测端和平衡端之间的电池电压值差异来检测泄漏电流。然而，为了检测泄漏电流，在BMS半导体的感测端和平衡端两处都需要模拟数字转换器(Analog Digital converter，ADC)或多路复用器(Multiplexer，MUX)，因此，存在电路结构变得复杂的问题。
在先技术文件
专利文件
专利文献1韩国公开专利第2016-0069800号
发明内容
要解决的技术问题
本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，提供一种无需在电池平衡端上另外设置ADC，通过设置简单的比较器来检测泄漏电流的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置及其泄漏电流检测方法。
解决技术问题的手段
为了实现上述目的的根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其中，包括：比较器，用于比较并输出连接到电池单元的正电压端的平衡端与连接到所述电池单元的负电压端的下位感测端的电压；ADC，用于感测连接到所述电池单元的正电压端的上位感测端与所述下位感测端之间的电压差；以及泄漏电流判断部，根据由所述ADC感测的电压差来设置可变临界值，并使用所述比较器的比较结果与所述可变临界值来判断是否发生泄漏电流。
所述可变临界值可包括过电压临界值与低电压临界值。
所述泄漏电流判断部可通过对所述ADC的感测值加预设容许误差来设置所述过压临界值，并可通过从所述ADC的感测值中减去所述容许误差来设置所述低电压临界值。
当所述比较器的比较结果超过所述过电压临界值或低于所述低电压临界值时，所述泄漏电流判断部可以判断发生至少一种漏电流情况。
可以包括：第一滤波电阻，连接在所述电池单元的正电压端和所述上位感测端之间；第二滤波电阻，连接在所述电池单元的负电压端和所述下位感测端之间；平衡电阻，连接在所述电池单元的正电压端和所述平衡端之间；滤波电容器，连接在所述上位感测端和所述下位感测端之间；以及反馈电容器，连接在所述平衡端和所述下位感测端之间。
所述泄漏电流判断部通过比较所述比较器的比较结果与所述过电压临界值或所述低电压临界值可以判断因所述滤波电容器的故障而引起的第一泄漏电流情况、因所述上位感测端的短路故障而引起的第二泄漏电流情况以及因所述反馈电容器的故障而引起的第三泄漏电流情况。
当所述比较器的比较结果超过所述过电压临界值时，所述泄漏电流判断部可以判断为因发生过电压而发生了所述第一泄漏电流情况或所述第二泄漏电流情况。
当所述比较器的比较结果为所述低电压临界值以下时，所述泄漏电流判断部可以判断为因发生低电压而发生了所述第三泄漏电流情况。
为了实现上述目的的根据本发明的优选实施例的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其为包括连接到所述电池单元的正电压端的平衡端、连接到所述电池单元的负电压端的下位感测端以及连接到所述电池单元的正电压端的上位感测端的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其中，包括：感测步骤，用于感测所述上位感测端与所述下位感测端之间的电压差；临界值设置步骤，使用所述感测步骤的感测值来设置可变临界值；比较步骤，比较并输出所述平衡端与所述下位感测端的电压；以及泄漏电流检测步骤，使用所述可变临界值与所述比较步骤的比较结果来检测是否发生泄漏电流。
所述临界值设置步骤，可包括通过在所述感测步骤的感测值上加预设的容许误差值来设置过电压临界值的步骤；以及通过从所述感测步骤的感测值减去所述容许误差值来设置所述低电压临界值的步骤。
还可包括通过比较所述比较步骤的比较结果与所述过电压临界值来判断是否发生过电压的过电压判断步骤。
所述泄漏电流检测步骤可以包括第一泄漏电流检测步骤，所述第一泄漏电流检测步骤中，当所述比较结果超过所述过电压临界值而被判断为发生过电压时，判断为发生泄漏电流从所述上位感测端流到所述下位感测端的第一泄漏电流情况，或泄漏电流从所述上位感测端流到接地的第二泄漏电流情况。
还可包括通过比较所述比较步骤的比较结果与所述低电压临界值来判断是否发生低电压的低电压判断步骤。
所述泄漏电流检测步骤可包括第二泄漏电流检测步骤，所述第二泄漏电流检测步骤中，当判断所述比较结果为所述低电压临界值以下发生低电压时，判断发生泄漏电流从所述平衡端流到所述下位感测端的第三泄漏电流情况。
还可包括泄漏电流未检测步骤，所述泄漏电流未检测步骤中，若所述比较结果为所述过电压临界值以下，且超过所述低电压临界值，则判断为未发生泄漏电流情况。
发明效果
根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置及其泄漏电流检测方法，具有即使在电池平衡端不另外设置如ADC的半导体零件，仅适用简单的比较器电路也可以检测泄漏电流的效果。
附图说明
图1是用于说明在BMS半导体装置中可能发生的故障情况的图。
图2是根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的示意性电路图。
图3是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第一泄漏电流情况的图。
图4是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第二泄漏电流情况的图。
图5是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第三泄漏电流情况的示图。
图6是根据本发明的优选实施例的泄漏电流检测方法的流程图。
图中：
100：电池模块，200：BMS半导体装置，210：平衡电路，220：控制电路，221：比较器，223：ADC，225：泄漏电流判断部
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的优选实施例。首先，应注意在对各图中的构成要素标注附图标记时，对相同的构成要素即便是表示在不同的图上也标注相同的附图标记。下面，说明本发明的优选实施例，但是，本发明的技术思想并不局限于此，可由本领域的普通技术人员变形实施为各种形态是理所当然的。
图1是用于说明在BMS半导体装置中可能发生的故障情况的图。
参照图1，通常，BMS半导体装置200可包括用于平衡电池模块100的平衡电路210、以及具备用于保护平衡电路210的ESD的多个二极管D的半导体芯片内部的控制电路220。平衡电路210和控制电路220可以通过多个感测端U7、U8、U9、U10及多个平衡端G7、G8、G9连接。设置多个感测端U7、U8、U9、U10及多个平衡端G7、G8、G9可用于电池模块100的每个电池单元的平衡及电压感测。
平衡电路210可以包括用于对每个电池单元VCELL8、VCELL9、VCELL10进行电压滤波的多个滤波电阻RF、用于电压平衡的多个平衡电阻RBAL、用于静电放电的多个放电电容器CESD、用于电压滤波的多个滤波电容器CF以及用于电压反馈的多个反馈电容器CFB。
在这种BMS半导体装置200中，可能存在大约四种故障情况。
第一故障情况CASE1是在平衡电路210的滤波电容器CF中发生故障的情况。此时，在滤波电容器CF所处的电路中发生第一泄漏电流情况。将参照图3说明第一泄漏电流情况。
第二故障情况(CASE2)和第三故障情况(CASE3)是在控制电路220的二极管D中发生故障的情况。情况2(CASE2)和情况3(CASE3)之间的区别在于发生故障的二极管D的位置不同。此时，发生泄漏电流流到接地的第二泄漏电流情况。将参考图4说明第二泄漏电流情况。
第四故障情况CASE4是在平衡电路210的反馈电容器CFB中发生故障的情况。此时，在反馈电容器CFB所处的电路中发生第三泄漏电流情况。将参考图5说明第三泄漏电流情况。
当针对上述每个故障情况发生泄漏电流情况时，电池模块100的功率被消耗，为此，BMS半导体装置200具有泄漏电流的检测功能。BMS半导体装置200可以检测及通知泄漏电流情况，从而可以快速修理故障。
图2是根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的示意性电路图。
参照图2，根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置200包括平衡电路210和控制电路220，BMS半导体装置200的控制电路220可以包括比较器221、ADC223以及泄漏电流判断部225，来检测电池单元Vcell的泄漏电流。此时，尽管示出一个电池单元Vcell，但是，本发明不限于此。即，可以具备多个电池单元Vcell。多个电池单元Vcell可以彼此串联连接以构成电池模块100。可以附加具备平衡电路210和控制电路220，以平衡每个电池单元Vcell。
平衡电路210可以包括一端连接到电池单元Vcell的正电压端的第一滤波电阻RF1和平衡电阻RBAL。第一滤波电阻RF1的另一端可以连接到对应的感测端Ux+1。平衡电阻RBAL的另一端可以连接到对应的平衡端Gx。
平衡电路210可以包括一端连接到电池单元Vcell的负电压端的第二滤波电阻RF2。第二滤波电阻RF2的另一端可以连接到对应的感测端Ux。
平衡电路210可以包括两端连接到感测端Ux+1、Ux的滤波电容器RF以及两端连接到平衡端Gx和感测端Ux的反馈电容器CFB。以下，将连接至电池单元Vcell的正电压端的感测端Ux+1定义为上位感测端，并且将连接至电池单元vcell的负电压端的感测端Ux定义为下位感测端。
比较器221中，第一输入端C1可以连接至平衡端Gx，第二输入端C2可以连接至与电池单元Vcell的负电压端连接的下位感测端Ux。比较器221可以将输入到第一输入端C1的电压与输入到第二输入端C2的电压进行比较，并输出比较结果。比较器221的比较结果可以用于判断是否发生泄漏电流。
ADC223可以感测连接到电池单元Vcell的正电压端的上位感测端Ux+1和连接到电池单元Vcell的负电压端的下位感测端Ux之间的电压差。ADC223可以将输入到感测端Ux、Ux+1的电池单元Vcell的模拟电压转换为数字值并输出。ADC223的感测值可以用于判断是否发生泄漏电流。
泄漏电流判断部225可以接收比较器221的比较结果和ADC223的感测值。泄漏电流判断部225可以使用比较器221的比较结果和ADC223的感测值来判断是否发生泄漏电流。
以下，将说明是否发生泄漏电流的判断方法。
图3是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第一泄漏电流情况的图。
参照图3，可以确认因滤波电容器CF的故障而引起的第一泄漏电流情况LK1。第一泄漏电流情况LK1可以由如图1所示的故障情况1(CASE1)而发生。当在滤波电容器CF中发生故障时，在滤波电容器CF所处的电路中会发生泄漏电流Ileak。此时，电池单元Vcell的电压会输入到比较器221的第一输入端C1，并且，根据滤波电阻RF的电阻值和泄漏电流Ileak的电流值的故障电压会输入到第二输入端C2。此外，根据故障电压而下降的电池单元Vcell的电压会输入到ADC223。
在一实施例中，当电池单元Vcell的电压为4V，滤波电阻RF为1Ω时，因泄漏电流Ileak10mA的故障电压可以为0.1V。藉此，故障电压下降0.1V的电池单元Vcell的3.9V的电压会施加到上位感测端Ux+1，并且在下位感测端Ux施加0.1V的故障电压。输入到ADC223的输入电压可以显示为从上位感测端Ux+1减去下位感测端Ux的电压的3.8V。另外，电池单元Vcell的4V的电压会输入到比较器221的第一输入端C1，0.1V的故障电压会输入到第二输入端C2。比较器221的比较结果可以显示为从第一输入端C1的电压减去第二输入端C2的电压而获得的值3.9V。以此方式，在比较器221的比较结果与ADC223的输入电压之间出现0.1V的电压差。泄漏电流判断部225可以基于该电压差判断因滤波电容器CF的故障而发生第一泄漏电流情况LK1。
图4是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第二泄漏电流情况的图。
参照图4，可以确认因由于控制电路220的二极管的故障而引起的上位感测端Ux+1的短路故障的第二泄漏电流情况LK2。第二泄漏电流情况LK2可以由如图1所示的故障情况2(CASE2)或故障情况3(CASE3)而发生。当控制电路220的二极管发生故障时，上位感测端Ux+1可以连接于接地。此时，会发生流向接地的泄漏电流。在这种情况下，由于故障而下降的电池单元Vcell的电压会输入到ADC223。
在一实施例中，当电池单元Vcell的电压为4V，滤波电阻RF为1Ω时，因泄漏电流Ileak10mA的故障电压可以为0.1V。藉此，故障电压下降0.1V的电池单元Vcell的3.9V的电压会施加到上位感测端Ux+1。输入到ADC223的输入电压可以表现为上位感测端Ux+1的3.9V的电压。另外，电池单元Vcell的4V的电压会输入到比较器221的第一输入端C1。由此，比较器221的比较结果可以显示为电池单元Vcell的4V的电压。以此方式，在比较器221的比较结果与ADC223的输入电压之间出现0.1V的电压差。泄漏电流判断部225可以基于该电压差判断因滤波二极管的故障而发生第二泄漏电流情况LK2。
图5是用于说明根据本发明的优选实施例的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置的第三泄漏电流情况的示图。
参照图5，可以确认因反馈电容器CFB的故障而引起的第三泄漏电流情况LK3。第三泄漏电流情况LK3可由如图1所示的故障情况4(CASE4)而发生。当反馈电容器CFB发生故障时，在反馈电容器CFB所处的电路中会发生泄漏电流Ileak。
在一实施例中，当电池单元Vcell的电压为4V，滤波电阻RF为1Ω时，因泄漏电流Ileak10mA的故障电压可以为0.1V。藉此，电池单元Vcell的4V的正常电压会施加到上位感测端Ux+1，0.1V的故障电压会施加到下位感测端Ux。从电池单元Vcell的4V的电压降低施加到平衡电阻RBA的故障电压的0.1V的3.9V的电压会施加到平衡端Gx。输入到ADC223的输入电压可以显示为从上位感测端Ux+1减去下位感测端Ux的电压而获得的3.9V。另外，固定电压下降0.1V的电池单元Vcell的3.9V的电压会输入到比较器221的第一输入端C1，并且0.1V的故障电压会输入到第二输入端C2。比较器221的比较结果可以显示为从第一输入端C1的电压减去第二输入端C2的电压而获得的值3.8V。以此方式，在比较器221的比较结果与ADC223的输入电压之间出现0.1V的电压差。泄漏电流判断部225可以基于电压差判断由于反馈电容器CFB的故障而发生第三泄漏电流情况LK3。
图6是根据本发明的优选实施例的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法的顺序图。
参照图2及图6，根据本发明的优选实施例的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法包括感测步骤(S610)、临界值设置步骤(S620)、比较步骤(S630)、过电压判断步骤(S640)、第一泄漏电流检测步骤(S650)、低电压判断步骤(S660)、第二泄漏电流检测步骤(S670)以及泄漏电流未检测步骤(S680)。
在感测步骤(S610)中，ADC223感测上位感测端Ux+1和下位感测端Ux之间的电压差。
在临界值设置步骤(S620)中，泄漏电流判断部225使用由ADC223感测到的电压差来设置可变临界值。可变临界值包括过电压临界值OV_th及低电压临界值UV_th。此时，过电压临界值OV_th可以被设置为对ADC223的感测值加容许误差值a的值。另外，低电压临界值UV_Th可以被设置为从ADC223的感测值减去容许误差值a的值。这种过电压临界值OV_th及低电压临界值UV_th可随着ADC223的感测值的变化而变化。
在比较步骤(S630)中，比较器221比较施加到第一输入端C1的平衡端Gx的电压和施加到第二输入端C2的下位感测端Ux的电压。比较器221将比较结果发送到泄漏电流判断部225。
在过电压判断步骤(S640)中，泄漏电流判断部225比较比较器221的比较结果与过电压临界值，以判断是否发生过电压。当比较器221的比较结果超过过电压临界值时，泄漏电流判断部225判断发生过电压。
在第一泄漏电流检测步骤(S650)中，当比较器221的比较结果超过过电压临界值而判断为发生过电压时，泄漏电流判断部225可以判断为发生第一泄漏电流情况LK1或第二泄漏电流情况LK2。泄漏电流判断部225可以通过附加设置分别判断第一泄漏电流情况LK1或第二泄漏电流情况LK2。
在低电压判断步骤(S660)中，泄漏电流判断部225比较比较器221的比较结果与低电压临界值，来判断是否发生低电压。当比较器221的比较结果为临界值以下时，泄漏电流判断部225判断发生低电压。
在第二泄漏电流检测步骤(S670)中，当比较器221的比较结果为低电压临界值以下而判断为发生低电压时，泄漏电流判断部225可以判断为发生第三泄漏电流情况LK3。
在泄漏电流未检测步骤(S680)中，当比较器221的比较结果超过低电压临界值并小于过电压临界值时，泄漏电流判断部225可以判断没有发生泄漏电流情况。
本发明的以上说明是例示说明技术思想而已，本发明所属技术领域的普通技术人员在不改变本发明的本质特性的范围内可以进行各种修改、变更及取代。因此，以上所述的实施例及附图是用于说明本发明的技术思想的，而不限制本发明，本发明的技术思想范围并不局限于这些实施例及附图。
如本领域技术人员可以理解的，根据本发明的步骤以及/或者操作可以以其他顺序、或者并列、或者为了其他特定的时间(epoch)等，在其他实施例中同时进行。
根据实施例，步骤以及/或者操作中的一部分或者全部可以利用存储在一个以上的非暂时性计算机可读介质中的指令、程序、交互式数据结构(interactive datastructure)、驱动客户端以及/或者服务器的一个以上的处理器至少完成或者执行一部分。一个以上的非暂时性计算机可读介质作为示例，可以是软件、固件、硬件以及/或者其任意组合。另外，本说明书中论述的“模块”的功能可以由软件、固件、硬件以及/或者其任意组合构成。

Claims (15)

1.一种具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，包括：
比较器，用于比较并输出连接到电池单元的正电压端的平衡端与连接到所述电池单元的负电压端的下位感测端的电压；
ADC，用于感测连接到所述电池单元的正电压端的上位感测端与所述下位感测端之间的电压差；以及
泄漏电流判断部，根据由所述ADC感测的电压差来设置可变临界值，并使用所述比较器的比较结果与所述可变临界值来判断是否发生泄漏电流。
2.根据权利要求1所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，所述可变临界值包括过电压临界值与低电压临界值。
3.根据权利要求2所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，所述泄漏电流判断部通过对所述ADC的感测值添加预设容许误差来设置过压临界值，并通过从所述ADC的感测值中减去所述容许误差来设置所述低电压临界值。
4.根据权利要求3所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，当所述比较器的比较结果超过所述过电压临界值或低于所述低电压临界值时，所述泄漏电流判断部判断发生至少一种泄漏电流情况。
5.根据权利要求2所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，包括：
第一滤波电阻，连接在所述电池单元的正电压端和所述上位感测端之间；
第二滤波电阻，连接在所述电池单元的负电压端和所述下位感测端之间；
平衡电阻，连接在所述电池单元的正电压端和所述平衡端之间；
滤波电容器，连接在所述上位感测端和所述下位感测端之间；以及
反馈电容器，连接在所述平衡端和所述下位感测端之间，从而，构成平衡电路。
6.根据权利要求5所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，所述泄漏电流判断部通过比较所述比较器的比较结果与所述过电压临界值或所述低电压临界值来判断因所述滤波电容器的故障而引起的第一泄漏电流情况、因所述上位感测端的短路故障而引起的第二泄漏电流情况以及因所述反馈电容器的故障而引起的第三泄漏电流情况。
7.根据权利要求6所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，当所述比较器的比较结果超过所述过电压临界值时，所述泄漏电流判断部判断为因发生过电压而发生了所述第一泄漏电流情况或所述第二泄漏电流情况。
8.根据权利要求6所述的具有泄漏电流检测功能的BMS半导体装置，其特征在于，当所述比较器的比较结果为所述低电压临界值以下时，所述泄漏电流判断部判断为因发生低电压而发生了所述第三泄漏电流情况。
9.一种BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其为包括连接到电池单元的正电压端的平衡端、连接到所述电池单元的负电压端的下位感测端以及连接到所述电池单元的正电压端的上位感测端的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，包括：
感测步骤，用于感测所述上位感测端与所述下位感测端之间的电压差；
临界值设置步骤，使用所述感测步骤的感测值来设置可变临界值；
比较步骤，比较并输出所述平衡端与所述下位感测端的电压；以及
泄漏电流检测步骤，使用所述可变临界值与所述比较步骤的比较结果来检测是否发生泄漏电流。
10.根据权利要求9所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，所述临界值设置步骤，包括：
通过在所述感测步骤的感测值上加预设的容许误差值来设置过电压临界值的步骤；以及
通过从所述感测步骤的感测值减去所述容许误差值来设置低电压临界值的步骤。
11.根据权利要求10所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，还包括通过将所述比较步骤的比较结果与所述过电压临界值进行比较来判断是否发生过电压的过电压判断步骤。
12.根据权利要求11所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，所述泄漏电流检测步骤包括第一泄漏电流检测步骤，所述第一泄漏电流检测步骤为，当所述比较结果超过所述过电压临界值而被判断为发生过电压时，判断为发生泄漏电流从所述上位感测端流到所述下位感测端的第一泄漏电流情况，或泄漏电流从所述上位感测端流到接地的第二泄漏电流情况。
13.根据权利要求10所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，还包括通过比较所述比较步骤的比较结果与所述低电压临界值来判断是否发生低电压的低电压判断步骤。
14.根据权利要求13所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，所述泄漏电流检测步骤包括第二泄漏电流检测步骤，在所述第二泄漏电流检测步骤中，当判断所述比较结果为所述低电压临界值以下发生低电压时，判断发生泄漏电流从所述平衡端流到所述下位感测端的第三泄漏电流情况。
15.根据权利要求10所述的BMS半导体装置的泄漏电流检测方法，其特征在于，还包括泄漏电流未检测步骤，在所述泄漏电流未检测步骤中若所述比较结果为所述过电压临界值以下，且超过所述低电压临界值，则判断为未发生泄漏电流情况。
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