CN112771779A - 具有充电的多通道脉冲电流发生器 - Google Patents

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Abstract

一种多通道电流脉冲发生器，用于驱动具有唯一正极端子和共享的负极端子的多个负载。脉冲发生器包括脉冲控制晶体管以及对于每个负载的负载电容器和充电控制晶体管。脉冲控制晶体管允许或阻断通过负载的电流脉冲，并且具有连接至共享的负极端子的漏极端子、连接至接地的源极端子、以及用于接收负载驱动器控制信号的栅极端子。负载电容器由通过相应负载的电流脉冲来放电。充电控制晶体管允许或阻断相应负载电容器的充电电流。脉冲控制晶体管优选地是增强型GaN FET并且被选择为承受通过有待同时驱动的最大数量的负载的电流脉冲。

Description

具有充电的多通道脉冲电流发生器
技术领域
本发明总体上涉及多通道电流脉冲发生器，并且更具体地涉及一种用于驱动具有共用端子的负载的多通道电流脉冲发生器。
背景技术
用于驱动具有共用端子的负载的典型的多通道电流脉冲发生器使用n型FET来精确地控制导通和关断时间并且承受高电流。由于相比于保持电子的通常更高的迁移率以及获得如使用共同品质因数测量的n型FET的更好的电性能，n型FET通常是优选的。多通道电流脉冲发生器的一些实现方式必须满足特定的尺寸和脉冲频率约束。例如，在光检测和测距(激光雷达)系统中，多个激光二极管集成在单个基板上并且共享公共阴极，这允许激光二极管在制造期间更靠近地放置在一起并且精确地对准，从而简化光学组件(诸如透镜)的对准并且减小整体系统尺寸。
共享共用阴极但具有单独阳极允许激光二极管被单独控制，使得激光雷达系统能够一起操作所有激光二极管(实现单个更强大的激光器)、单独操作每个激光二极管或一次操作一些但不是所有激光二极管的组合。当多通道电流脉冲发生器必须能够单独控制每个负载时，然而，必须将各个n型FET与每个负载串联放置，并且必须实施浮动栅极驱动器以驱动n型FET并且确保栅极电压响应于源极端子处的电压增大而增大以保持n型FET导通。
图1示出了用于驱动具有共用端子的负载的常规多通道电流脉冲发生器的示意图。在图1中，常规的多通道脉冲发生器100包括用于负载190的集合中的每个负载195的唯一脉冲发生器120。负载190的集合共享接地端110处的共用端子。在该示例中，负载190的集合包括四个负载，195A-D，但可使用任何适当数量的负载。每个负载195被描绘为激光二极管，但是可以使用任何适当的负载。脉冲发生器120A-D基本相同，但为了便于说明，脉冲发生器120B-D以简化框图形式示出。
用于负载195A的脉冲发生器120A包括可变电平移位器125、电压源130、栅极驱动器135、控制晶体管140、电阻器145和电容器150。电阻器145用于对电容器150充电，电容器150存储能量，负载195A的电流脉冲通过控制晶体管140从该能量汲取。可变电平移位器125接收负载驱动器控制信号CTL105并适当地增大CTL105的电压或降低CTL105的有效阻抗，从而向栅极驱动器135提供具有增大的电压或电流的信号。
栅极驱动器135基于来自可变电平移位器125的信号将栅极驱动电压提供至控制晶体管140的栅极端子。栅极驱动器135基于控制晶体管140的源极端子上的电压增大控制晶体管140的栅极端子上的电压，从而即使在控制晶体管140的源极端子上的电压响应于通过负载195A的电流脉冲增大时也保持控制晶体管140导通。
图2示出了用于驱动具有共用端子的负载的另一个常规多通道电流脉冲发生器的示意图。类似于图1中所示的多通道脉冲发生器100，常规的多通道脉冲发生器200包括用于负载290的集合中所示的每个负载295的唯一脉冲发生器220，负载290的集合共享接地端210处的共用端子。用于负载295A的脉冲产生器220A经配置以基于负载驱动器控制信号CTL205对自举电容器255充电。
响应于CTL205指示不生成电流脉冲，脉冲控制晶体管250截止，并且充电控制晶体管230导通，这允许自举电容器255充电。响应于CTL205指示要生成电流脉冲，脉冲控制晶体管250导通，并且充电控制晶体管230截止。自举电容器255使栅极驱动器245能够基于脉冲控制晶体管250的源极端子上的电压增大脉冲控制晶体管250的栅极端子上的电压，从而即使在脉冲控制晶体管250的源极端子上的电压响应于通过负载295A的电流脉冲增大时也保持脉冲控制晶体管250导通。CTL205由电平移位器240提供给栅极驱动器245。
如由图1和2中所示的常规多通道电流脉冲发生器所示出的，浮置栅极驱动器比参考接地的驱动器更复杂、昂贵并且面积密集。浮置栅极驱动器必须将控制信号与浮置栅极驱动信号隔离或实施某种电平移位(诸如差分信令)以确保在驱动负载时电压的快速变化不中断控制信号。浮置栅极驱动器还需要供应增加的电压的装置，诸如图1中所示的附加电压源130或图2中所示的自举电容器255，从而进一步增加浮置栅极驱动器的面积、复杂度和组件成本，并且通过扩展，增加作为整体的多通道电流脉冲发生器。
此外，如本文中先前所讨论的，多通道电流脉冲发生器(如在激光雷达系统中)的一些实现方式必须满足特定大小和脉冲频率约束。浮动栅极驱动器所需的增加的面积使得难以为接近激光二极管阵列的激光雷达系统中的每个激光二极管装配唯一的浮动激光驱动器。移动激光驱动器进一步远离激光阵列会增加电感并降低激光驱动器性能，例如，增加导通时间、限制电流脉冲能够多短、增加功耗、增加所需电源电压等。
发明内容
通过提供具有单个、参考接地的脉冲控制晶体管的电路，本发明解决了上述多通道电流脉冲发生器中的浮动栅极驱动器的缺点。更具体地，如本文所述的本发明包括单脉冲控制晶体管，并且对于每个通道，包括负载电容器和充电控制晶体管。每个负载电容器由充电电路充电，并且通过提供通过相应负载的电流脉冲来放电。每个充电控制晶体管基于充电控制信号允许或阻断负载电容器的充电电流。该脉冲控制晶体管优选地包括氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)并且被选择为承受通过有待同时驱动的最大负载数量M的电流脉冲。
在第一实施例中，本发明包括用于每个通道的唯一的充电电路，该充电电路为相应负载电容器生成充电电流。充电控制晶体管和脉冲控制晶体管包括GaNFET，其源极端子接地。选择充电控制晶体管以承受通过相应负载的电流脉冲。
在同时被驱动的负载的最大数量M小于总通道数量的进一步实施例中，本发明包括生成M个充电电流的M个充电电路。充电控制晶体管将M个充电电流引导至适当的负载电容器并且被选择为承受充电电流而不是通过相应负载的电流脉冲。
现在将参考附图更具体地描述并且在权利要求书中指出的本文描述的以上和其他优选特征(包括实现方式的各种新颖细节和元件的组合)。应理解，特定方法和设备仅以说明的方式示出且不作为对权利要求的限制。如本领域技术人员将理解的，在不脱离权利要求书的范围的情况下，本文中的教导的原理和特征可以在各种且众多的实施例中采用。
附图说明
当结合附图考虑时，本公开的特征、目标和优点将从以下阐述的详细描述中变得更加明显，在附图中，相同的附图标记始终对应地标识，并且
其中：
图1是常规多通道电流脉冲发生器的示意图。
图2是另一个常规多通道电流脉冲发生器的示意图。
图3示出了根据本发明的示例性第一实施方式的多通道电流脉冲发生器，结合单脉冲控制FET和电阻式充电电路。
图4示出了根据本发明第一实施例的多通道电流脉冲发生器，结合单脉冲控制FET和第一类型的升压充电电路。
图5示出了根据本发明第一实施例的多通道电流脉冲发生器，结合单脉冲控制FET和第二类型的升压充电电路。
图6示出了根据本发明的示例性第二实施例的电流脉冲发生器，结合电荷导引电路。
图7示出了根据本发明第二实施例的多通道电流脉冲发生器，结合单脉冲控制FET、单充电电路和多个电荷导引电路。
具体实施方式
在以下详细描述中，参考某些实施例。这些实施例以足够的细节描述以使本领域技术人员能够实践它们。应当理解，可以采用其他实施例，并且可以进行各种结构、逻辑和电气改变。在以下详细描述中公开的特征的组合对于实践最广义上的教导可能不是必需的，而是仅被教导以描述本教导的特别代表性的实例。
图3示出了根据本发明的示例性第一实施例的多通道电流脉冲发生器300，结合单脉冲控制FET 385和电阻式充电电路。脉冲发生器300向负载390的集合供应电流脉冲，负载390的集合在该示例中包括负载395A-D。如在图1-2中，负载395A-D被描绘为激光二极管，但可驱动任何适当的负载。脉冲发生器300包括脉冲控制晶体管385，该脉冲控制晶体管连接至负载390的集合的共用端子和地310并且被配置成用于接收负载驱动器控制信号CTL305，该负载驱动器控制信号指示是否要驱动负载390的集合中的任何负载395。响应于CTL305指示负载390的集合中没有负载395要被驱动，脉冲控制晶体管385关断并充当断开开关，从而防止电流流过负载390的集合。
当没有电流流过负载290的集合时，充电控制晶体管320的集合致使电阻式充电电路350对电容器340的集合进行充电。电阻式充电电路350、电容器340的集合和充电控制晶体管320的集合分别包括用于负载390的集合中的每个负载395的唯一电阻器355、唯一电容器345和唯一充电控制晶体管325。每个电阻器355可以具有不同的电阻值以便为相应的电容器345设置唯一的充电电流。不同的电阻值和不同的充电电流在相应的电容器345上存储不同的能量，这使得从不同电容器345汲取的电流脉冲的幅度也不同，并且与其中所有电阻器具有相同的电阻值的电阻性充电电路相比，允许对电流脉冲的幅度的更精细的控制。
每个充电控制晶体管325接收唯一的充电控制信号CTL330，该充电控制信号指示对应的电容器345是否应被充电以准备在下一个脉冲中驱动对应的负载395。例如，如果CTL330A指示激光二极管395A应当在下一脉冲中发射光，则充电控制晶体管325A导通并充当闭合开关，从而致使通过电阻器355A的电流对电容器345A充电。同时，如果CTL330B指示激光二极管395B不应在下一脉冲中发光，则充电控制晶体管325B关断并充当断开开关，这防止通过电阻器355B的电流对电容器345B充电。
响应于CTL305指示至少激光二极管395A要被驱动并发射光，脉冲控制晶体管385充当闭合开关，从而致使脉冲电流从存储在电容器345A上的能量汲取并流经激光二极管395A和脉冲控制晶体管385。因为电容器345B未被充电，所以没有脉冲电流通过激光二极管395B从其汲取。因此，尽管脉冲发生器300仅包括单个脉冲控制晶体管385，负载390的集合中的每个负载395可被独立地控制。充电控制晶体管325A-D和脉冲控制晶体管385优选地是增强型GaNFET半导体器件，其与其相应的栅极驱动器(未示出)单片集成到单个半导体管芯上。充电控制晶体管325A-D和脉冲控制晶体管385是参考接地的，消除了对浮动栅极驱动器的需要并且与图1和2中所示的脉冲发生器100和200相比降低了脉冲发生器300的复杂度、面积和成本。
脉冲控制晶体管385的大小被选择成用于承受预期被同时驱动的通道的最大数量的组合电流脉冲。例如，在其中所有激光二极管395A-D被同时激发的实现方式中，脉冲控制晶体管385必须承受单个电流脉冲的电流的四倍。在激光二极管395A-D中的仅两个激光二极管在任何给定时间被激发的实现方式中，脉冲控制晶体管385必须承受仅两倍的单个电流脉冲的电流。每个充电控制晶体管325必须承受来自其相应负载395的仅单个电流脉冲的电流。可以相应地选择充电控制晶体管325A-D的大小，或者可以将充电控制晶体管325A-D中的每一个与单独的大二极管并联放置，从而允许充电控制晶体管325A-D更小。
脉冲控制晶体管385的导通和关断时间比充电控制晶体管325A-D的导通和关断速度更重要，由于脉冲控制晶体管385在与更长的充电时段相比非常短的时间段内控制通过负载390的集合的电流脉冲的持续时间和形状，在该更长的充电时段期间，充电控制晶体管325A-D致使电容器340的集合被充电。
图4示出了根据图3所示的本发明的第一实施例的多通道电流脉冲发生器400，但是具有不同类型的升压充电电路。类似于图3所示的脉冲发生器300，脉冲发生器400包括充电控制晶体管420的集合和电容器460的集合，其分别包括用于负载490的集合中的每个负载495的唯一充电控制晶体管425和唯一电容器465。负载495共享连接到脉冲控制晶体管485的共用端子。然而，与脉冲发生器300相反，脉冲发生器400还包括电感器440的集合和二极管450的集合，其分别包括用于每个负载495的唯一电感器445和唯一二极管455。
充电控制晶体管420的集合、电感器440的集合、以及电容器460的集合实现升压充电电路，其中，响应于充电控制晶体管425被关断，在相应的充电控制晶体管425被开启的同时存储在电感器445中能量被转移到相应的电容器465。每一电感器445可具有不同电感值以设定存储在电感器445中且通过扩展设定对应电容器465中的唯一量的能量。二极管450的集合在一侧上连接在电感器440的集合与充电控制晶体管420的集合之间，以及另一侧的电容器460的集合和负载490的集合之间，使得在对应的充电控制晶体管425导通并充当闭合开关的同时电容器460的集合中的电容器465不完全放电。
类似于图3的电路的操作，响应于指示至少一个负载495将被驱动的负载驱动器控制信号CTL405，脉冲控制晶体管485充当闭合开关，从而致使脉冲电流从存储在对应电容器465A上的能量汲取且流经负载495和脉冲控制晶体管485。
图5示出了根据如图3和4所示的本发明的第一实施例的多通道电流脉冲发生器500，但是结合了又一种类型的升压充电电路。类似于图4所示的脉冲发生器400，脉冲发生器500包括充电控制晶体管530的集合，电感器540的集合、二极管550的集合和电容器560的集合，其分别包括用于负载590的集合中的每个负载595的唯一的充电控制晶体管525、唯一的电感器545、唯一的二极管550，以及唯一的电容器565。负载595共享连接到脉冲控制晶体管585的共用端子。充电控制晶体管520的集合、电感器540的集合和电容器560的集合实现升压充电电路，类似于脉冲发生器400。
在图5的充电电路中，二极管550的集合在一侧上连接在电感器540的集合之间，以及另一侧的充电控制晶体管520的集合、电容器560的集合和负载590的集合之间，使得在对应的充电控制晶体管525导通并充当闭合开关的同时电容器560的集合中的电容器565被放电，确保电容器560的集合中的每个电容器565从相同的初始条件充电。
能量被存储在电容器中的任何适当的参考接地充电电路可用于代替脉冲发生器300中的电阻式充电电路、脉冲发生器400中的升压式充电电路或脉冲发生器500中的升压式充电电路。类似地，可以在根据本发明的第一实施例的多通道脉冲发生器中实现任何数量的通道，该多通道脉冲发生器可以用于驱动具有共享的低电势端子的任何类型的多通道负载。
根据本发明第一实施例的多通道脉冲发生器能够单独地控制每个通道的脉冲能量。充电控制晶体管、脉冲控制晶体管、用于充电控制晶体管和脉冲控制晶体管的栅极驱动器、以及其他充电电路组件可以单片集成到单个半导体管芯上。在其中同时待放电的通道的最大数目M小于多通道脉冲产生器中的通道的总数目的实施例中，脉冲控制晶体管的大小可以被选择为承受仅M倍的单个电流脉冲，可减小由晶体管占据的半导体管芯的总面积，而非所有电流脉冲的总电流。
根据本发明第一实施例的多通道脉冲发生器包括用于每个通道的唯一充电电路。然而，当要同时放电的通道的最大数目M小于通道的总数时，多通道脉冲发生器的面积和成本可通过结合电荷导引电路以引导来自M个充电电路的M个充电电流对适当的电容器充电来进一步减少。M个充电电路被重复利用，并且对与多个通道相关联的负载电容器进行充电，而不仅仅是一个单个负载电容器。
图6示出了根据本发明的示例性第二实施例的电流脉冲发生器600，其结合电荷导引电路630。为了便于说明，脉冲发生器600驱动单个负载695并包括单个电荷导引电路630。本文参见图7进一步描述能够驱动多个通道并包括多个电荷导引电路的多通道脉冲发生器。
脉冲发生器600包括充电电路620、电荷导引电路630和脉冲控制晶体管685。充电电路620可以是任何适当的充电电路，诸如脉冲发生器300中的电阻式充电电路或脉冲发生器400和500中的升压式充电电路。充电操纵电路630包含逻辑控制器和电平移位器635、二极管640、栅极驱动器645、自举控制晶体管650、自举电容器655、充电控制晶体管660和负载电容器665。在一些实施例中，充电控制晶体管660是p型晶体管，在这种情况下，可以省略自举电容器655和自举控制晶体管650。逻辑控制器和电平移位器635接收指示是否在下一脉冲中驱动负载695的控制信号605，且输出指示是否对负载电容器665充电的控制信号，使得可在下一脉冲中驱动负载695。栅极驱动器645和自举控制晶体管650从逻辑控制器和电平移位器635接收控制信号。
响应于来自逻辑控制器和电平移位器635的指示负载电容器665不需要被充电的控制信号，栅极驱动器645使充电控制晶体管660断开并且充当断开开关，该开关将负载电容器665与充电电流ICHG 625断开连接。自举控制晶体管650导通并充当闭合开关，其致使自举电容器655从电源电压源615通过二极管640充电。响应于来自逻辑控制器和电平移位器635的指示负载电容器665需要被充电的控制信号，自举控制晶体管650关断且充当断开开关，其停止自举电容器655充电。充电控制晶体管660导通并充当闭合开关，这使充电电流ICHG 625流过充电控制晶体管660以对负载电容器665充电。
当负载电容器665被充电至适当的电压时，可以关断充电控制晶体管660。自举控制晶体管650也保持截止，并且负载电容器665保持其电荷，直到负载驱动器控制信号CTL605指示负载695将被驱动并且从所存储的能量汲取电流脉冲。在一些实施例中，当负载电容器665充电到适当电压时，可关断充电电路620，以减少功率消耗。在充电电路620包括电阻式充电电路的实施例中，充电控制晶体管660可以保持导通，并且来自电源电压源615的电源电压VSUPPLY确定跨负载电容器665的电压。
图7示出了根据本发明第二实施例的多通道电流脉冲发生器700，结合单个脉冲控制FET 785、单个充电电路720、以及两个电荷导引电路730A和730B。一次仅驱动负载795A-B中的一者，因此单一充电电路720交替地对负载795A的负载电容器765A和负载795B的负载电容器765B充电，通过针对两者重新使用相同的充电电路720而非针对每一通道包含唯一充电电路来节省半导体管芯上的空间。电荷导引电路730A和730B与脉冲发生器600中的电荷导引电路630基本相同，并且为了便于说明而在图7中部分地示出。充电电路720可以是任何适当的充电电路，诸如脉冲发生器300中的电阻式充电电路或脉冲发生器400和500中的升压式充电电路。
响应于指示负载795B而非负载795A要在下一脉冲中被驱动的负载驱动器控制信号CTL705，充电控制晶体管760A关断并充当断开开关，而充电控制晶体管760B导通并充当闭合开关。通过充电控制晶体管760A的断开开关，防止来自充电电路720的充电电流ICHG725对负载电容器765A充电，而是通过充电控制晶体管760B对负载电容器765B充电。响应于CTL705指示负载795B而非负载795A要被驱动，即，脉冲发生器700应当生成电流脉冲，脉冲控制晶体管785导通并充当闭合开关，尝试从负载电容器765A-B两者汲取电流脉冲。
因为仅负载电容器765B被充电，所以仅从负载电容器765B汲取电流脉冲以驱动负载795B。负载795A保持关断。例如，在激光雷达系统中，未充电负载电容器765A防止激光二极管795A发射光，降低激光雷达系统的总光发射和功耗，并帮助激光雷达系统符合为眼睛安全等施加的任何最大光发射约束。
自举控制晶体管750A-B和充电控制晶体管760A-B不在较高负载驱动电流脉冲的电流路径中并且被选择为承受充电电流ICHG 725，与根据本发明的第一实施例的脉冲发生器相比节省了半导体管芯上的空间。仅负载电容器765A-B、负载795A-B和脉冲控制晶体管785经历较高负载驱动电流脉冲。脉冲控制晶体管785在任何给定时间经历M个负载驱动电流脉冲，而不是信道的数量，并且相应地调整大小。
可结合任何数目的通道以基于待同时驱动的通道的最大数目M和通道的总数目从单个充电电路操作。例如，多通道脉冲发生器总共驱动八个负载，但一次仅驱动两个负载。多通道脉冲产生器可包含八个电荷导引电路及用于八个通道的单个充电电路。单个充电电路可生成单个负载电容器的充电电流的幅度的两倍的充电电流，八个充电操纵电路基于提供给多通道脉冲发生器的外部控制信号将其引导至适当的负载电容器。或者，响应于电流脉冲之间的时间段足够长以顺序地而非同时地对多个负载电容器充电，单个充电电路可产生与用于单个负载电容器的充电电流相同幅度的充电电流，八个电荷导引电路使用所述充电电流来顺序地对适当负载电容器充电。
以上说明和附图仅被视为对实现在此描述的特征和优点的具体实施例的说明。可以对特定的工艺条件进行修改和替换。因此，本发明的实施例不被认为受前面的描述和附图的限制。

Claims (17)

1.一种用于驱动具有唯一的正极端子和共享的负极端子的多个负载的多通道电流脉冲发生器，包括：
脉冲控制晶体管，用于基于负载驱动器控制信号来允许或阻断通过所述多个负载的电流脉冲，并且所述脉冲控制晶体管具有连接至所述共享的负极端子的漏极端子、连接至接地的源极端子、以及用于接收所述负载驱动器控制信号的栅极端子；以及
对于所述多个负载中的每个负载：
负载电容器，其被配置为由充电电路充电并通过向相应负载提供电流脉冲来放电；以及
充电控制晶体管，用于基于充电控制信号允许或阻断从所述充电电路到所述负载电容器的充电电流。
2.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管包括氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。
3.根据权利要求2所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管包括增强型GaN FET。
4.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电电路包括电阻式充电电路。
5.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电电路包括升压充电电路，所述升压充电电路包括电感器和二极管。
6.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，对于所述多个负载中的每个负载，所述多通道电流脉冲发生器包括：
唯一的充电电路，用于生成到相应负载电容器的充电电流。
7.根据权利要求6所述的多通道电流脉冲发生器，其中，用于所述多个负载的所述唯一的充电电路被配置为根据所述相应负载生成不同的充电电流。
8.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管被选择为承受通过所述相应负载的电流脉冲。
9.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管被选择为承受通过所述多个负载的电流脉冲。
10.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括GaNFET。
11.根据权利要求10所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括增强型GaN FET。
12.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，同时被驱动的负载的最大数量M小于所述多个负载，并且其中所述多通道电流脉冲发生器包括用于生成M个充电电流的M个充电电路。
13.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述M个充电电路中的至少一个充电电路包括电阻式充电电路。
14.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述M个充电电路中的至少一个充电电路包括升压充电电路。
15.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管被选择为承受通过M个负载的M个电流脉冲。
16.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括GaN FET，并且其中对于所述多个负载中的每个负载，所述多通道电流脉冲发生器包括：
自举电容器，用于向所述充电控制晶体管的所述栅极端子提供附加电压；以及
自举控制晶体管，用于基于自举控制信号来允许或阻断用于所述自举电容器的自举充电电流，
其中，所述自举控制晶体管和所述充电控制晶体管不同时导通。
17.根据权利要求16所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括增强型GaN FET。
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