CN112765919A - 一种可精确修调电阻阻值的方法 - Google Patents

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陈智
田泽
刘敏侠
刘若曦
郭靖静
闫金
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Abstract

本发明涉及一种可精确修调电阻阻值的方法。本发明的方法包括以下步骤：1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；4)对修调区进行修调。本发明通过更改固定电阻的形状和连接方式使电阻可调，可对电阻的阻值进行更精确的设计。

Description

一种可精确修调电阻阻值的方法
技术领域
本发明涉及模拟集成电路版图设计领域，尤其涉及一种可精确修调电阻阻值的方法。
背景技术
在模拟集成电路版图设计领域，电阻的阻值是固定的，对于不同阻值的需求，一般都使用工艺库中电阻通过串联或并联关系来设计阻值，而这种直接使用工艺库中电阻的方式，阻值固定，无法进行更精确的设计。
发明内容
本发明为解决背景技术中存在的上述技术问题，而提供一种可精确修调电阻阻值的方法，通过更改固定电阻的形状和连接方式使电阻可调，可对电阻的阻值进行更精确的设计。
本发明的技术解决方案是：本发明为一种可精确修调电阻阻值的方法，其特殊之处在于：该方法包括以下步骤：
1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；
2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；
3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；
4)对修调区进行修调。
优选的，步骤2)中电阻去层次化是根据设计要求的基本阻值和需要的面积，改变单个或多个电阻的形状，在电阻连接处去掉或增加一定数量的通孔，修调电阻连接处的金属，形成满足设计要求的电阻形态。
优选的，步骤2)中根据实际需求，可将电阻改变为不规则的形状。
优选的，步骤2)中为使电阻基本结构保持不变，需要处理有效电阻层。
优选的，步骤4)修调是通过激光烧结在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻。
优选的，步骤1)的电阻的类型为低温漂属性电阻。
优选的，步骤1)的电阻的类型包括多晶硅电阻和薄膜电阻。
本发明提供的一种可精确修调电阻阻值的方法，通过将电阻进行再设计，调整电阻连接处，改变电阻的长、宽、面积，形成一个带有修调区的图形，在此基础上不更改它的结构特性，使电阻可调，不同的电阻修调不同的修调区可实现不同的电阻精度
附图说明
图1为由11个电阻串联的阻值为33k的基本电阻；
图2为本发明的修调示意图。
具体实施方式
本发明提供的一种可精确修调电阻阻值的方法，包括以下步骤：
1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；电阻的类型为低温漂属性电阻，包括多晶硅电阻和薄膜电阻等；
2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；根据设计要求的基本阻值和需要的面积，改变单个或多个电阻的形状，在电阻连接处去掉或增加一定数量的通孔，修调电阻连接处的金属，形成满足设计要求的电阻形态；根据实际需求，可将电阻改变为不规则的形状；为使电阻基本结构保持不变，需要处理有效电阻层；
3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；
4)对修调区进行修调；通过激光烧结在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻。
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细描述。
参见图1，图中所示的是一个由11个电阻串联的阻值为33k的基本电阻，其两侧的连接处为端口a和端口b，通过对该电阻的修调过程，对本发明作详细的说明。
参见图2，在版图设计过程中，首先确认设计电阻的基本阻值和需要的面积；设计电阻的基本阻值可以使用电磁仿真工具得到实际的精确的需要调整到的电阻值，在版图设计完成后，根据版图设计改变电阻的长、宽和面积，在电阻连接处：端口a和端口b去掉或者增加一定数量的通孔，修调端口a和端口b的金属，形成一个或者多个电阻相接的形态；处理有效电阻层，使电阻基本结构保持不变，然后在电阻上形成一个带有修调区(如图2所示)的图形；通过激光烧结等手段在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻以达到对电阻阻值的精确修调，可将该33k的电阻实现由3k～30k的可变电阻，且精度可实现0.5k的变化率。
本实施例就是将图1固定的电阻形态，改成了图2不规则的、两个电阻相接的形状。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (7)

1.一种可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
1)确认设计电阻的类型，电阻的基本阻值和需要的面积；
2)根据步骤1)的设计，将电阻去层次化；
3)在去层次化的电阻上形成一个带有修调区的图形；
4)对修调区进行修调。
2.根据权利要求1所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤2)中电阻去层次化是根据设计要求的基本阻值和需要的面积，改变单个或多个电阻的形状，在电阻连接处去掉或增加一定数量的通孔，修调电阻连接处的金属，形成满足设计要求的电阻形态。
3.根据权利要求2所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤2)中根据实际需求，可将电阻改变为不规则的形状。
4.根据权利要求3所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤2)中为使电阻基本结构保持不变，需要处理有效电阻层。
5.根据权利要求4所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤4)修调是通过激光烧结在电阻的修调区对电阻进行照射，来破坏掉小部分电阻。
6.根据权利要求1至5任一权利要求所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤1)的电阻的类型为低温漂属性电阻。
7.根据权利要求6所述的可精确修调电阻阻值的方法，其特征在于：所述步骤1)的电阻的类型包括多晶硅电阻和薄膜电阻。
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Citations (2)

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CN102930067A (zh) * 2011-08-10 2013-02-13 重庆万道光电科技有限公司 一种高精度可调芯片电阻的设计方法
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