CN112750791A - 显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种减少了制造工序中的不良率的显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置。显示装置的制造方法包括：在母基板上形成多个显示面板的步骤；沿着所述母基板的边缘位置形成包围所述多个显示面板的外廓的粘合力调节层的步骤；在所述多个显示面板上以与所述母基板对置的方式附着上部保护膜的步骤；沿着所述粘合力调节层与所述多个显示面板之间的切割线切割所述多个显示面板的步骤；以及分别从所述多个显示面板去除所述上部保护膜的步骤。

Description

显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置，更详细而言，涉及减少了制造工序中的不良率的显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置。
背景技术
最近，显示装置其用途变得更加多样化。另外，趋势是显示装置的厚度变薄，且重量变轻，其使用范围变得广泛。
通常，显示装置在基板上形成薄膜晶体管和显示要素(例如，有机发光二极管)，显示要素发出光来工作。这种显示装置不仅被用作如便携式电话等这样的小型产品的显示部，还被用作如电视机等这样的大型产品的显示部。
这种显示装置在母基板上同时层叠多个显示面板并将其切割来同时生产多个显示面板。如上所述，在经过多个阶段的制造过程的期间，存在形成显示面板的结构物可能受损的问题。
发明内容
本发明用于解决如上所述的问题在内的各种问题，其目的在于提供一种减少了制造工序中的不良率的显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置。但是，这些课题是例示，并不由此限定本发明的范围。
根据本发明的一观点，提供一种显示装置的制造方法，具备：在母基板上形成多个显示面板的步骤；沿着所述母基板的边缘位置形成包围所述多个显示面板的外廓的粘合力调节层的步骤；在所述多个显示面板上以与所述母基板对置的方式附着上部保护膜的步骤；沿着所述粘合力调节层与所述多个显示面板之间的切割线切割所述多个显示面板的步骤；以及分别从所述多个显示面板去除所述上部保护膜的步骤。
根据本实施例，附着所述上部保护膜的步骤可以是所述上部保护膜与所述粘合力调节层彼此直接接触的步骤。
根据本实施例，可以是，所述粘合力调节层包括导电物质、无机物质和有机物质中的至少一种。
根据本实施例，可以是，在所述上部保护膜的一面具备粘接层，所述粘接层直接与所述粘合力调节层接触。
根据本实施例，可以是，形成所述多个显示面板的步骤包括：在所述母基板上形成基底层的步骤；在所述基底层上形成包括薄膜晶体管和储能电容器的像素电路的步骤；形成与所述像素电路电连接的显示要素的步骤；以及形成包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层以覆盖所述显示要素的步骤。
根据本实施例，可以是，形成所述像素电路的步骤包括形成至少一个导电层的步骤和形成至少一个无机膜的步骤，形成所述粘合力调节层的步骤与形成所述至少一个导电层的步骤或形成所述至少一个无机膜的步骤同时进行。
根据本实施例，可以是，形成所述多个显示面板的步骤还包括在所述薄膜封装层上形成输入感知层的步骤。
根据本实施例，可以是，所述上部保护膜被附着成与所述输入感知层接触。
根据本实施例，可以是，形成所述多个显示面板的步骤还包括在所述输入感知层上形成平坦化绝缘层的步骤。
根据本实施例，可以是，所述上部保护膜被附着成与所述平坦化绝缘层接触。
根据本实施例，可以是，所述平坦化绝缘层包括有机绝缘物质，并且所述平坦化绝缘层在与所述粘合力调节层对应的区域被去除。
根据本实施例，可以是，在平面上，所述上部保护膜的面积小于所述母基板且大于所述基底层。
根据本实施例，可以是，形成所述基底层的步骤包括：在所述母基板上形成第一有机物层的步骤；在所述第一有机物层上形成第一无机物层的步骤；在所述第一无机物层上形成第二有机物层的步骤；以及在所述第二有机物层上形成第二无机物层的步骤。
根据本实施例，可以是，所述第一无机物层形成为覆盖所述第一有机物层的边缘位置，且至少一部分与所述母基板接触。
根据本实施例，可以是，所述粘合力调节层的至少一部分形成在所述第一无机物层上。
根据本实施例，可以是，所述粘合力调节层形成得不连续。
根据本实施例，可以是，所述粘合力调节层包括第一图案和第二图案，所述第一图案和所述第二图案包括彼此不同的物质。
根据本实施例，可以是，所述上部保护膜与所述第一图案及所述第二图案相接，所述上部保护膜与所述第一图案之间的粘接力大于所述上部保护膜与所述第二图案之间的粘接力。
根据本实施例，可以是，在附着所述上部保护膜的步骤与切割所述多个显示面板的步骤之间还包括：向所述母基板侧照射激光来分离所述母基板的步骤；以及在所述母基板被分离的部分附着下部保护膜的步骤。
根据本发明的其他观点，提供一种通过所述制造方法制造的显示装置。
通过以下的具体实施方式、权利要求书和附图，前述以外的其他侧面、特征和优点会变得明确。
这种普遍且具体的侧面可以使用系统、方法、计算机程序或任意系统、方法、计算机程序的组合来实施。
(发明效果)
根据如上所述构成的本发明的一实施例，可以实现减少了制造工序中的不良率的显示装置的制造方法和通过其制造的显示装置。当然，并不是通过这种效果限定本发明的范围。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置DD的立体图。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板10的平面图。
图3是本发明的一实施例涉及的显示装置可包括的像素的等效电路图。
图4a至图4f是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
图5是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的一部分的平面图。
图6是表示沿着图5的A–A′线截取的截面的剖视图。
图7是放大表示图5的B部分的平面图。
图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的显示区域的一部分的剖视图。
图9至图11是示意性表示显示装置的制造方法中的一部分的剖视图。
图12和图13是表示图5的变形例的平面图。
(符号说明)
1：母基板；10：显示面板；20：上部保护膜；30：粘合力调节层；40：下部保护膜；100：基板；100a：基底层；200：显示层；300：薄膜封装层；400：输入感知层；500：上部结构物。
具体实施方式
本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，并进行详细说明。参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以各种方式实现。
以下，参照附图详细说明本发明的各实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成要素赋予相同的符号，并省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成要素区别于其他构成要素而使用。
在以下的实施例中，单数的表现在文中没有明确相反意思时包括多个的表现。
在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
在以下的实施例中，膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成要素等的情况。
在附图中，为了便于说明，各构成要素其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
在某一实施例可以以不同方式实现的情况下，也可以以所说明的顺序不同地执行特定的工序顺序。例如，连续说明的两个工序实质上可以同时执行，也可以以所说明的顺序相反的顺序执行。
在本说明书中，“A和/或B”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。此外，在本说明书中，“A和B中的至少一个”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。
在以下的实施例中，当记载为膜、区域、构成要素等被连接时，不仅包括膜、区域、构成要素直接被连接的情况，和/或，还包括在膜、区域、构成要素之间夹有其他膜、区域、构成要素而间接被连接的情况。例如，在本说明书中，当记载为膜、区域、构成要素等被电连接时，表示膜、区域、构成要素等被直接电连接的情况和/或在其间夹有其他膜、区域、构成要素等而间接被电连接的情况。
x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的更宽泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置DD的立体图。
参照图1，显示装置DD包括显现图像的显示区域DA和不显现图像的周边区域PA。显示装置DD可以利用从显示区域DA射出的光来将图像提供到外部。
在图1中示出了显示区域DA为方形的显示装置DD，但是本发明并不限于此。显示区域DA的形状可以形成为圆形、椭圆形、或如三角形或五角形等这样的多边形。另外，示出了图1的显示装置DD为平坦形态的平板显示装置，但是显示装置DD当然也可以以柔性、可弯曲、可卷曲的显示装置等各种形态来实现。
虽然未图示，但是显示装置DD可以包括位于显示面板10(图2)的一侧的构件(未图示)。构件可以是利用光或声音的电子要素。例如，电子要素可以是如红外线传感器这样接收光并加以利用的传感器、接收光来拍摄图像的照相机、输出光或声音并进行感知来测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或输出声音的扬声器等。
以下，作为本发明的一实施例涉及的显示装置DD以有机发光显示装置为例进行说明，但是本发明的显示装置并不限于此。作为其他实施例，本发明的显示装置DD可以是如无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display或无机EL显示装置)或量子点发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Display)这样的显示装置。例如，显示装置DD所具备的显示要素的发光层可以包括有机物、或包括无机物、或包括量子点、或包括有机物和量子点、或包括无机物和量子点。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板10的平面图。
参照图2，显示装置DD包括显示面板10。在基板100的显示区域DA配置多个像素P。多个像素P分别可以包括如有机发光二极管OLED(参照图3)这样的显示要素(displayelement)。各像素P可以通过有机发光二极管OLED而发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。
在配置于基板100上的显示要素的上部，可以具备薄膜封装层300。有机发光二极管OLED对来自外气的水分和氧气具有脆弱的特性，因此可以通过薄膜封装层300进行密封来阻断外气。薄膜封装层300可以通过保护像素P免受外气的影响来提高显示装置DD的可靠性。作为一实施例，薄膜封装层300可以构成为至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的层叠结构。薄膜封装层300可以一体地构成为与显示区域DA的整个面对应，并且其一部分还可以配置在周边区域PA上。薄膜封装层300可以构成为覆盖后述的第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、发光控制驱动电路130、数据驱动电路150、第一电源供给线160和第二电源供给线170的一部分或全部。在具备薄膜封装层300的情况下，可以在减小显示面板10的厚度的同时提高柔性(flexibility)。
作为其他实施例，像素P也可以被具有刚性的上部基板(未图示)密封，从而代替薄膜封装层300。上部基板可以以绕显示区域DA的外廓一周的方式通过位于周边区域PA的单元密封部(例如，玻璃料)而与基板100接合。
各像素P可以与配置在周边区域PA的外廓电路电连接。在周边区域PA可以配置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、发光控制驱动电路130、端子140、第一电源供给线160、第二电源供给线170和数据驱动电路180。
第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120可以通过扫描线SL向各像素P提供扫描信号。第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120可以在其间夹着显示区域DA而配置在两侧。配置在显示区域DA的多个像素P中的一部分像素P可以与位于左侧的第一扫描驱动电路110电连接，剩余部分的像素P可以与位于右侧的第二扫描驱动电路120电连接。作为其他实施例，第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120可以仅设置在显示区域DA的一侧。
在第一扫描驱动电路110的一侧还可以配置通过发光控制线EL向各像素P提供发光控制信号的发光控制驱动电路130。
端子140可以配置在基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖而是露出，从而可以与印刷电路基板PCB电连接。印刷电路基板PCB的端子PCB-P可以与显示面板10的端子140电连接。印刷电路基板PCB将控制部(未图示)的信号或电源传递给显示面板10。
由控制部生成的控制信号可以通过印刷电路基板PCB而分别被传递至各驱动电路(110、120、130)。控制部可以通过第一连接布线161向第一电源供给线160提供第一电源电压ELVDD(参照图3)，并且可以通过第二连接布线171向第二电源供给线170提供第二电源电压ELVSS(参照图3)。第一电源电压ELVDD可以通过与第一电源供给线160连接的驱动电压线PL被提供到各像素P，并且第二电源电压ELVSS可以被提供到与第二电源供给线170连接的各像素P的对置电极。
第一电源供给线160可以包括第一子布线162和第二子布线163，第一子布线162和第二子布线163在其间夹着显示区域DA而沿着x方向并排延伸。第二电源供给线170可以以一侧开放的环形形状部分地包围显示区域DA。
数据驱动电路150与数据线DL电连接。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接布线151被提供到各像素P，其中，连接布线151连接端子140和数据线DL。另一方面，图2示出了数据驱动电路150配置在印刷电路基板PCB的情况，但是作为其他实施例，数据驱动电路150可以配置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以配置在端子140与第一电源供给线160之间。
图3是本发明的一实施例涉及的显示装置可包括的像素的等效电路图。
参照图3，各像素P包括与扫描线SL及数据线DL连接的像素电路PC以及与像素电路PC连接的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和储能电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts与扫描线SL及数据线DL连接，可根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，将通过数据线DL输入的数据信号Dm传递给驱动薄膜晶体管Td。
储能电容器Cst与开关薄膜晶体管Ts及驱动电压线PL连接，存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供给至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)的差异相当的电压。
驱动薄膜晶体管Td与驱动电压线PL及储能电容器Cst连接，可以与存储在储能电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流而射出具有预定的亮度的光。
在图3中说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个储能电容器的情况，但是本发明并不限于此。作为其他实施例，像素电路PC例如可以包括七个薄膜晶体管和一个储能电容器。作为其他实施例，像素电路PC也可以包括两个以上的储能电容器。
图4a至图4f是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
首先，参照图4a，在母基板(mother substrate)1上可以形成多个显示面板10。在母基板1上形成的多个显示面板10分别可以构成图2的显示面板10。母基板1在制造过程中支承上部结构物，例如可以由玻璃形成。
形成多个显示面板10的步骤可以包括：在母基板1上形成基底层100a的步骤；在基底层100a上形成包括像素电路PC(图2)和与像素电路PC电连接的有机发光二极管OLED的显示层200的步骤；和形成覆盖显示层200的薄膜封装层300的步骤。
作为一实施例，基底层100a可以是至少一个有机物层和至少一个无机物层被层叠的结构。在本实施例中，形成基底层100a的步骤可以包括：在母基板1上形成第一有机物层101a的步骤；在第一有机物层101a上形成第一无机物层102a的步骤；在第一无机物层102a上形成第二有机物层103a的步骤；和在第二有机物层103a上形成第二无机物层104a的步骤。
在该过程中，可以沿着母基板1的边缘位置以包围多个显示面板10的外廓的方式形成粘合力调节层30。粘合力调节层30可以是并非在多个显示面板10的每一个中形成而是沿着母基板1整体的边缘位置部分形成的层。作为一实施例，可以沿着母基板1的边缘位置，连续或不连续地形成粘合力调节层30。
这种粘合力调节层30可以不是通过单独的过程形成而是在形成多个显示面板10的过程中被同时形成。即，在形成显示层200的过程中，可以一起形成粘合力调节层30。作为一实施例，粘合力调节层30可以包括含有金属等的导电物质。作为其他实施例，粘合力调节层30也可以包括无机物。作为其他实施例，粘合力调节层30也可以同时包括导电物质和无机物，还可以根据情况而包括有机物。粘合力调节层30可以直接形成在母基板1上，也可以是基底层100a所包括的无机物层向母基板1的边缘位置延伸而形成在所述无机物层上。
然后，参照图4b，在多个显示面板10上可以附着上部保护膜20。上部保护膜20是为了在后续工序中保护多个显示面板10而附着的。在上部保护膜20的一面例如可以具备如OCA这样的粘接层。上部保护膜20例如可以包括如聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)这样的高分子树脂。
上部保护膜20可以在母基板1的外廓与粘合力调节层30接触。粘合力调节层30可以提高与上部保护膜20的粘接力，从而防止在制造过程中在上部保护膜20的边缘位置处发生剥离。
在后述的激光照射过程中，在与母基板1分离的多个显示面板10上会细微地发生褶皱，这些褶皱会引起上部保护膜20的剥离这样的不良。因此，为了防止这种不良，在本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法中，在母基板1的边缘位置形成粘合力调节层30，从而可以防止上部保护膜20在制造过程中被剥离的情况。
关于与上部保护膜20接触的结构物的粘接力强度，可以假设i)金属层与上部保护膜20接触的情况、ii)无机层与上部保护膜20接触的情况以及iii)有机层与上部保护膜20接触的情况。在实验中，上述的各实施例的粘接力表现出金属层>无机层>有机层的顺序。因此，本发明的一实施例涉及的粘合力调节层30可以构成为金属层，例如可以包括如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等这样的导电物质。作为其他实施例，粘合力调节层30可以构成为无机层，例如可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物这样的无机物质。但是，根据情况，当有必要将与上部保护膜20的粘接力调节得弱的情况下，也可以形成为在粘合力调节层30的一部分，部分地包括含有有机物质的有机图案等。
然后，参照图4c和图4d，可以经过向母基板1侧照射激光L来分离多个显示面板10和母基板1的步骤。在该过程中，为了防止基底层100a的损伤，也可以在母基板1与基底层100a之间进一步形成牺牲层(未图示)。
在分离了母基板1的一侧，可以如图4d那样附着下部保护膜40。下部保护膜40可以起到防止杂质流向基底层100a的功能。
然后，参照图4e，可以经过沿着切割线CL切割多个显示面板10的步骤。经过了如上所述的切割步骤的显示面板10其构成可以如图4f。此时，上部保护膜20已从显示面板10被分离，在显示面板10上还可以配置上部结构物500。例如，上部结构物500可以是输入感知层、偏振层、窗部层中的至少一个。
切割线CL可以设置在多个显示面板10之间以及多个显示面板10与粘合力调节层30之间。即，粘合力调节层30不会残留在最终的显示装置DD(图1)中，会在切割过程中被去除。通过粘合力调节层30，可以防止在一直到切割过程为止的制造工序之中上部保护膜20事先被剥离。
图4f的显示面板10可以包括基板100、形成在基板100上的显示层200、薄膜封装层300和上部结构物500。下部保护膜40可以以附着于基板100的一面的状态被残留，也可以被去除。
图5是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的一部分的平面图，图6是表示沿着图5的A–A′线截取的截面的剖视图，图7是放大表示图5的B部分的平面图。
可以理解为图5是图4b的平面形状。参照图5，多个显示面板10可以配置在母基板1上。在多个显示面板10上可以附着上部保护膜20。
粘合力调节层30可以如图5那样沿着母基板1的边缘位置形成。粘合力调节层30可以以如图5那样连续的闭合多边形(或闭合曲线)的形态形成，也可以如图12那样不连续地形成，还可以如图13那样连续地形成但形成为一部分具有曲线形态。如上所述，通过改变粘合力调节层30的形状，可以调节粘合力调节层30的宽度和面积等来调节其与上部保护膜20的粘接力。例如，如图12的情况下，通过调节粘合力调节层30的图案的宽度w和图案间的间隔d，从而可以调节粘合力调节层30与上部保护膜20的粘接力。
参照图6和图7，粘合力调节层30可以与上部保护膜20的边缘位置接触。作为一实施例，在与粘合力调节层30接触的上部保护膜20的一面20a可以涂布粘接物质。粘接物质例如可以是OCA(Optical Clear Adhesive，光学透明胶)或OCR(Optical Clear Resin，光学透明树脂)。
将会成为显示面板10的基板100的基底层100a在母基板1上可以是为了形成多个显示面板10而一体地形成。基底层100a可以形成为距母基板1的边缘1E隔开了第一宽度W1。此时，可以理解为，之所以称为基底层100a是以在图4a中前述的基底层100a的第一有机物层101a和第二有机物层103a为基准命名的。第一宽度W1可以是约9mm至12mm。因此，粘合力调节层30可以形成在与第一宽度W1相当的区域上。
上部保护膜20可以配置成距母基板1的边缘1E隔开了第二宽度W2。例如，第二宽度W2可以是约3mm至8mm。粘合力调节层30应与上部保护膜20接触，因此可以理解为实质上可形成粘合力调节层30的区域是在第一宽度W1中除了第二宽度W2的区域。可形成粘合力调节层30的区域的宽度W0例如可以是约4mm至9mm。
图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的显示区域的一部分的剖视图。
参照图8，基板100可以包括玻璃材料或高分子树脂。作为一实施例，基板100可以包括多个子层。多个子层可以是交替地层叠了第一有机层101和第二有机层103以及第一无机层102和第二无机层104的结构。
第一有机层101和第二有机层103可以包括如聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)这样的高分子树脂。
第一无机层102和第二无机层104分别是防止外部异物的渗透的屏蔽层，可以是包括如硅氮化物(SiNX)和/或硅氧化物(SiOX)这样的无机物的单层或多层。
在基板100上可以配置包括如有机发光二极管OLED这样的显示要素的显示层200和覆盖显示层200的薄膜封装层300。以下，详细说明显示层200。
在基板100上可以形成缓冲层201，该缓冲层201为了防止杂质渗透至薄膜晶体管TFT的半导体层Act而形成。缓冲层201可以包括如硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)和硅氧化物(SiOX)这样的无机绝缘物，可以是包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
在缓冲层201上可以配置像素电路PC(参照图3)。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和储能电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
虽然在图8中未图示，但是像素电路PC的数据线DL与包括于像素电路PC的开关薄膜晶体管(图2的Ts)电连接。在本实施例中，图示了栅电极GE配置在半导体层Act上且在其间夹着栅极绝缘层203的顶栅类型，但是根据其他实施例，薄膜晶体管TFT也可以是底栅类型。
半导体层Act可以包括多晶硅。或者，半导体层Act可以包括非晶(amorphous)硅、或包括氧化物半导体、或包括有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属物质。栅电极GE可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，也可以形成为包括上述的材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物和铪氧化物等无机绝缘物。栅极绝缘层203可以是包括前述的物质的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以位于与数据线DL相同的层上，可以包括与数据线DL相同的物质。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括传导性出色的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以形成为Ti/Al/Ti的多层。
储能电容器Cst可以包括下部电极CE1和上部电极CE2，下部电极CE1和上部电极CE2在其间夹着第一层间绝缘层205而重叠。储能电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。与此相关联地，在图8示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE为储能电容器Cst的下部电极CE1的情况。作为其他实施例，储能电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。储能电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。储能电容器Cst的上部电极CE2可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为包括上述的材料的多层或单层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物等这样的无机绝缘物。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以形成为包括前述的物质的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和储能电容器Cst的像素电路PC可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以包括上表面大致扁平的面。
虽然未图示，但是可以在第一有机绝缘层209的下方还配置保护层(未图示)。保护层可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
像素电路PC可以与像素电极221电连接。例如，如图8所示，可以在薄膜晶体管TFT与像素电极221之间夹有接触金属层CM。接触金属层CM可以通过在第一有机绝缘层209形成的接触孔而与薄膜晶体管TFT连接，像素电极221可以通过在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211形成的接触孔而与接触金属层CM连接。接触金属层CM可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，接触金属层CM可以形成为Ti/Al/Ti的多层。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括如PMMA(Polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)或PS(Polystylene，聚苯乙烯)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。作为一实施例，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以形成在第二有机绝缘层211上。像素电极221可以包括如铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，像素电极221可以包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为其他实施例，像素电极221还可以包括形成在前述的反射膜的上方和/或下方且由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在像素电极221上可以形成像素定义膜215。像素定义膜215可以包括使像素电极221的上表面露出的开口，但是可以覆盖像素电极221的边缘位置。像素定义膜215可以包括有机绝缘物。或者，像素定义膜215可以包括如硅氮化物、硅氮氧化物或硅氧化物这样的无机绝缘物。或者，像素定义膜215可以包括有机绝缘物和无机绝缘物。
中间层222包括发光层。虽然未图示，但是中间层222可以是包括配置在发光层的下方的第一功能层和/或配置在发光层的上方的第二功能层的多层结构。发光层可以包括发射预定的颜色的光的高分子或低分子有机物。
第一功能层可以是单层或多层。例如，在第一功能层由高分子物质形成的情况下，第一功能层可以是作为单层结构的空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)，可以由聚3,4-乙炔二羟基噻吩(PEDOT：poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)或聚苯胺(PANI，polyaniline)形成。在第一功能层由低分子物质形成的情况下，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)和空穴传输层(HTL)。
并不是始终具备第二功能层。例如，在第一功能层和发光层由高分子物质形成的情况下，优选形成第二功能层。第二功能层可以是单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)和/或电子注入层(EIL，Electron InjectionLayer)。
在显示区域DA，每一像素P可以配置中间层222中的发光层。在图8中作为中间层222示出了发光层。发光层可以被图案化成与像素电极221对应。不同于这种发光层，中间层222中的各功能层可以是不仅形成在显示区域DA，还可以朝向周边区域PA延伸而位于周边区域PA的一部分。
对置电极223可以由功函数低的导电性物质构成。例如，对置电极223可以包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，对置电极223还可以在包括前述的物质的(半)透明层上包括如ITO、IZO、ZnO或In2O3这样的层。对置电极223不仅可以形成在显示区域DA，还可以形成在周边区域PA上。朝向周边区域PA延伸的对置电极223可以与图2的第二电源供给线170电连接。
在一些实施例中，在对置电极223上可以设置盖层(未图示)。例如，盖层可以包括LiF，可以通过热蒸镀法来形成。
在像素定义膜215上可以形成垫片217。垫片217可以包括如聚酰亚胺这样的有机绝缘物。或者，垫片217可以包括无机绝缘物、或包括有机绝缘物和无机绝缘物。
垫片217可以包括与像素定义膜215不同的物质、或者可以包括与像素定义膜215相同的物质。作为一实施例，像素定义膜215和垫片217可以包括聚酰亚胺。像素定义膜215和垫片217可以在利用半色调掩模的掩模工序中一起形成。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300密封，从而阻断了外气。薄膜封装层300设置成层叠了多个层的多层结构。作为一实施例，薄膜封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和介于它们之间的有机封装层320。在其他实施例中可以变更有机封装层的个数和无机封装层的个数和层叠顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的一种以上的无机物。作为一实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括硅氮化物。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以是包括前述的物质的单层或多层。
有机封装层320可以包括单体(monomer)系的物质和/或聚合物(polymer)系的物质。作为聚合物系的材料，可以包括丙烯酸系树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。作为一实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)。
有机封装层320可以被配置在其下方和上方的第一无机封装层310和第二无机封装层330从外部密封。虽然未图示，但是在周边区域PA上可以通过隔壁(未图示)阻断有机封装层320来防止其朝向基板100的边缘溢流(overflow)的情况。
在薄膜封装层300上可以配置输入感知层400。输入感知层400可以起到将外部的使用者的触摸变换成电信号的功能。在图8中示出了输入感知层400直接形成在薄膜封装层300上的结构，但是本发明并不一定限于此。
输入感知层400可以包括第一导电层410、配置在第一导电层410上的第一绝缘层401、配置在第一绝缘层401上的第二导电层420和配置在第二导电层420上的第二绝缘层403。第一导电层410和第二导电层420可以彼此被电连接而形成感知电极。
图9至图11是示意性表示显示装置的制造方法中的一部分的剖视图。图9表示上部保护膜20与粘合力调节层30接触的部分，图10和图11表示图9的变形例。图9至图11所示的各层的部件序号与前述的图8相同，同一部件序号表示同一构成要素。
参照图9，在母基板1上可以形成基底层100a。如前所述，基底层100a可以是交替地层叠了第一有机物层101a和第二有机物层103a以及第一无机物层102a和第二无机物层104a的多层结构。
在实际工序中，第一无机物层102a和第二无机物层104a可以以比第一有机物层101a和第二有机物层103a大的面积形成。形成在第一有机物层101a上的第一无机物层102a可以形成为覆盖第一有机物层101a，形成在第二有机物层103a上的第二无机物层104a可以形成为覆盖第二有机物层103a。尤其是，第一无机物层102a可以形成为延伸至母基板1的最外廓。可以理解为在图5等附图中示出的基底层100a是以第一有机物层101a和第二有机物层103a为基准示出的。
上部保护膜20与形成在母基板1的边缘位置处的粘合力调节层30接触。作为一实施例，粘合力调节层30可以如图9那样形成在基底层100a的第一无机物层102a上。如上所述，由于第一无机物层102a形成为延伸至母基板1的最外廓，因此粘合力调节层30可以形成在第一无机物层102a上。作为其他实施例，也可以是粘合力调节层30的一部分形成在第一无机物层102a上，且另一部分形成在母基板1上。
粘合力调节层30只要配置在从基底层100a的末端100E到母基板1的末端1E之间的区域A1中即可，但是粘合力调节层30应与上部保护膜20接触，因此实质上可形成粘合力调节层30的区域A2可以被定义为从上部保护膜20的末端20E到基底层100a的末端100E。
粘合力调节层30可以考虑与上部保护膜20的粘接力而包括导电物质和/或无机物质。一同参照图8，粘合力调节层30可以包括与显示层200所包括的导电层、无机层和有机层中的至少一个相同的物质。
在粘合力调节层30包括导电物质的情况下，例如，粘合力调节层30可以包括与构成薄膜晶体管TFT的栅电极GE、源电极SE、漏电极DE和构成储能电容器Cst的下部电极CE1和上部电极CE2、接触金属层CM之中的至少一个相同的物质。另外，在粘合力调节层30包括无机物质的情况下，例如，粘合力调节层30可以包括与缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207之中的至少一个相同的物质。另外，在粘合力调节层30包括有机物质的情况下，例如，粘合力调节层30可以包括与第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211、像素定义膜215和垫片217之中的至少一个相同的物质。换言之，意味着可以是无需为了形成粘合力调节层30而追加单独的工序。
参照图10，图10一同示出了图8的一部分。在图10中，示出了在输入感知层400上还配置平坦化绝缘层405的情况。平坦化绝缘层405可以起到使输入感知层400的上表面平坦化的功能。平坦化绝缘层405例如可以包括有机绝缘物质。
上部保护膜20可以附着在平坦化绝缘层405上。如上所述，平坦化绝缘层405由有机绝缘物质形成，因此与上部保护膜20的粘接力低。因此，在该情况下，粘合力调节层30形成为包括导电物质，从而可以进一步强化粘合力调节层30与上部保护膜20的粘接力，由此可以补偿平坦化绝缘层405与上部保护膜20之间的弱的粘接力。
另外，在该情况下，在制造过程中，可以在最后的步骤形成平坦化绝缘层405，因此优选去除与粘合力调节层30重叠地形成的平坦化绝缘层405的部分，使得粘合力调节层30向外部露出。
图11表示图9的变形例。图11的实施例实质上与图9相同，区别在于粘合力调节层30的形状。图11的粘合力调节层30可以包括多个图案。多个图案可以包括第一图案30a和第二图案30b。作为一实施例，第一图案30a和第二图案30b可以包括彼此不同的物质。例如，第一图案30a可以包括导电物质，第二图案30b可以包括无机物质或有机物质。如前所述，与上部保护膜20的粘接力是金属最大，依次按无机物、有机物的顺序逐渐变弱。因此，可以构成为将粘合力调节层30图案化的同时使各图案(30a和30b)包括彼此不同的物质，从而可以调节粘合力调节层30与上部保护膜20的粘接力。
到此为止，主要说明了显示装置的制造方法，但是本发明并不限于此。例如，通过这种显示装置的制造方法制造出的显示装置当然也属于本发明的范围。
参照图示的实施例说明了本发明，但是这仅仅是例示，本领域技术人员应当能够理解可以由此实现各种变形和等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应由权利要求书的技术思想来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置的制造方法，具备：
在母基板上形成多个显示面板的步骤；
沿着所述母基板的边缘位置形成包围所述多个显示面板的外廓的粘合力调节层的步骤；
在所述多个显示面板上以与所述母基板对置的方式附着上部保护膜的步骤；
沿着所述粘合力调节层与所述多个显示面板之间的切割线切割所述多个显示面板的步骤；以及
分别从所述多个显示面板去除所述上部保护膜的步骤。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
附着所述上部保护膜的步骤是所述上部保护膜与所述粘合力调节层彼此直接接触的步骤。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述粘合力调节层包括导电物质、无机物质和有机物质中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述上部保护膜的一面具备粘接层，所述粘接层直接与所述粘合力调节层接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述多个显示面板的步骤包括：
在所述母基板上形成基底层的步骤；
在所述基底层上形成包括薄膜晶体管和储能电容器的像素电路的步骤；
形成与所述像素电路电连接的显示要素的步骤；以及
形成包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层以覆盖所述显示要素的步骤。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述像素电路的步骤包括形成至少一个导电层的步骤和形成至少一个无机膜的步骤，
形成所述粘合力调节层的步骤与形成所述至少一个导电层的步骤或形成所述至少一个无机膜的步骤同时进行。
7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述多个显示面板的步骤还包括在所述薄膜封装层上形成输入感知层的步骤。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，
所述上部保护膜被附着成与所述输入感知层接触。
9.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述多个显示面板的步骤还包括在所述输入感知层上形成平坦化绝缘层的步骤。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，
所述上部保护膜被附着成与所述平坦化绝缘层接触。
11.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，
所述平坦化绝缘层包括有机绝缘物质，并且所述平坦化绝缘层在与所述粘合力调节层对应的区域被去除。
12.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
在平面上，所述上部保护膜的面积小于所述母基板且大于所述基底层。
13.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
形成所述基底层的步骤包括：
在所述母基板上形成第一有机物层的步骤；
在所述第一有机物层上形成第一无机物层的步骤；
在所述第一无机物层上形成第二有机物层的步骤；以及
在所述第二有机物层上形成第二无机物层的步骤。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一无机物层形成为覆盖所述第一有机物层的边缘位置，且至少一部分与所述母基板接触。
15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，
所述粘合力调节层的至少一部分形成在所述第一无机物层上。
16.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述粘合力调节层形成得不连续。
17.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述粘合力调节层包括第一图案和第二图案，所述第一图案和所述第二图案包括彼此不同的物质。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中，
所述上部保护膜与所述第一图案及所述第二图案相接，
所述上部保护膜与所述第一图案之间的粘接力大于所述上部保护膜与所述第二图案之间的粘接力。
19.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在附着所述上部保护膜的步骤与切割所述多个显示面板的步骤之间还包括：
向所述母基板侧照射激光来分离所述母基板的步骤；以及
在所述母基板被分离的部分附着下部保护膜的步骤。
20.一种显示装置，通过权利要求1至19中的任一项所述的制造方法来制造该显示装置。
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