CN112745761A - 一种电子元器件防静电膜的制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其原料按重量份包括：有机导电聚合物10‑20份、二甲基乙醇胺15‑25份、聚氨酯5‑16份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷11‑19份、乙醇5‑20份、非离子表面活性剂11‑17份、蒸馏水40‑50份、促进剂6‑27份、铬酸12‑18份和浓硫酸9‑18份和塑料基片一份，所述有机导电聚合物和二甲基乙醇胺的质量比为10‑20:15‑25，所述有机导电聚合物为聚苯胺，所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯型和多元醇型中的一种，所述聚氨酯和缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷的质量比为5‑16:11‑19，所述促进剂为脂肪胺促进剂、聚氨酯胶黏剂用促进剂、酸酐促进剂中的一种。本发明的抗静电膜在低频和高频的状况都具有较强的屏蔽形，适用范围更广，有利于推广使用。

Description

一种电子元器件防静电膜的制备工艺
技术领域
本发明涉及防静电膜领域，尤其涉及一种电子元器件防静电膜的制备工艺。
背景技术
在微电子工业的生产车间和高级试验室为减少或消除静电危害而穿着特殊的防静电衣服，用于消除人体静电积聚，防止因人体带有静电而可能引起燃烧、爆炸等工作隐患。
公告号为CN109016749A公开了一种防静电脚踏垫，采用石墨和金属纤维掺入塑料的方式屏蔽静电，该方式在低频时能够提供相当好的屏蔽，在频率极高时，其屏蔽效果较差，适用范围有限，不利于推广使用，所以我们提出了一种电子元器件防静电膜的制备工艺，用以解决上述提出的问题。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种电子元器件防静电膜的制备工艺。
本发明提出的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其原料按重量份包括：有机导电聚合物10-20份、二甲基乙醇胺15-25份、聚氨酯5-16份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷11-19份、乙醇5-20份、非离子表面活性剂11-17份、蒸馏水40-50份、促进剂6-27份、铬酸12-18份和浓硫酸9-18份和塑料基片一份；
制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以200-260rpm的搅拌速度搅拌30-40min，每隔30-40min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌1-3h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置30-48h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干20-30min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干50-59min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
优选的，所述有机导电聚合物和二甲基乙醇胺的质量比为10-20:15-25。
优选的，其原料按重量份包括：有机导电聚合物11-19份、二甲基乙醇胺16-24份、聚氨酯6-15份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷12-18份、乙醇6-19份、非离子表面活性剂12-16份、蒸馏水41-49份、促进剂7-25份、铬酸13-17份和浓硫酸10-17、塑料基片一份。
优选的，制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以210-250rpm的搅拌速度搅拌32-38min，每隔32-38min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌1.5-2.5h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置32-45h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干22-28min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干51-58min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
优选的，所述有机导电聚合物为聚苯胺，所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯型和多元醇型中的一种。
优选的，所述蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸的这质量比为：43:8:15:14。
优选的，所述聚氨酯和缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷的质量比为5-16:11-19。
优选的，所述促进剂为脂肪胺促进剂、聚氨酯胶黏剂用促进剂、酸酐促进剂中的一种。
优选的，所述塑料基片的长、宽和高依次为11cm、5cm、6cm。
优选的，所述乙醇和非离子表面活性剂的质量比为12:14。
本发明的有益效果是：通过本发明的原料制得的抗静电膜，解决了在传动的抗静电膜在高频时的屏蔽型不佳的问题，在成本和稳定性未改变的前提下，扩展了应用范围，有着良好的前景，较之申请公告号为CN109016749A的发明文件，本发明的抗静电膜在低频和高频的状况都具有较强的屏蔽形，适用范围更广，有利于推广使用。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本发明提出了一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其原料按重量份包括：有机导电聚合物10份、二甲基乙醇胺15份、聚氨酯5份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷11份、乙醇5份、非离子表面活性剂11份、蒸馏水40份、促进剂6份、铬酸12份和浓硫酸9份和塑料基片一份；
制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以200rpm的搅拌速度搅拌30min，每隔30min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌1h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置30h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干20min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干50min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
实施例二
本发明提出了一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其原料按重量份包括：有机导电聚合物15份、二甲基乙醇胺20份、聚氨酯9份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷15份、乙醇13份、非离子表面活性剂14份、蒸馏水44份、促进剂16份、铬酸15份和浓硫酸14、塑料基片一份；
制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以230rpm的搅拌速度搅拌35min，每隔35min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌2h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置37h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干25min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干55min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
实施例三
本发明提出了一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其原料按重量份包括：有机导电聚合物20份、二甲基乙醇胺25份、聚氨酯16份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷19份、乙醇20份、非离子表面活性剂17份、蒸馏水50份、促进剂27份、铬酸18份和浓硫酸18份和塑料基片一份；
制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以260rpm的搅拌速度搅拌40min，每隔40min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌3h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置48h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干30min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干59min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
对实施例1-3进行抗静电膜的静电屏蔽率的对比实验，对比常规的抗静电膜，实验数据如下表所示：
Figure BDA0002855690610000061
由上述表格可知，本发明提出的电子元器件防静电膜的静电屏蔽率有了明显的增强，且实施二为最佳实施例。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，其原料按重量份包括：有机导电聚合物10-20份、二甲基乙醇胺15-25份、聚氨酯5-16份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷11-19份、乙醇5-20份、非离子表面活性剂11-17份、蒸馏水40-50份、促进剂6-27份、铬酸12-18份和浓硫酸9-18份和塑料基片一份；
制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以200-260rpm的搅拌速度搅拌30-40min，每隔30-40min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌1-3h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置30-48h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干20-30min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干50-59min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
2.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，有机导电聚合物和二甲基乙醇胺的质量比为10-20:15-25。
3.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，其原料按重量份包括：有机导电聚合物11-19份、二甲基乙醇胺16-24份、聚氨酯6-15份、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷12-18份、乙醇6-19份、非离子表面活性剂12-16份、蒸馏水41-49份、促进剂7-25份、铬酸13-17份和浓硫酸10-17、塑料基片一份。
4.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，制备过程中，将有机导电聚合物和二级甲乙醇胺倒入到锥形瓶中，用磁力搅拌器以210-250rpm的搅拌速度搅拌32-38min，每隔32-38min向锥形瓶中依次加入聚氨酯、缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷、乙醇和非离子表面活性剂，搅拌1.5-2.5h后即可得到抗静电溶胶，抗静电溶胶在室温内静置32-45h后得到方便旋转喷涂的抗静电溶胶，将蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸依次倒入桶中，配备成酸洗溶液，利用酸洗溶液对塑料基片的表面进行清洗，最后经烘干机烘干22-28min后备用，将抗静电溶胶倒入喷涂机中，利用喷涂机将抗静电溶胶均匀的喷至塑料基片上，室温放置一段时间后，将塑料基片放置在烘箱中，烘干51-58min，热处理结束后，便在塑料基片上得到了均匀的抗静电膜。
5.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述有机导电聚合物为聚苯胺，所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯型和多元醇型中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述蒸馏水、促进剂、铬酸和浓硫酸的这质量比为：43:8:15:14。
7.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述聚氨酯和缩水甘油醚氧基丙基三甲基硅烷的质量比为5-16:11-19。
8.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述促进剂为脂肪胺促进剂、聚氨酯胶黏剂用促进剂、酸酐促进剂中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述塑料基片的长、宽和高依次为11cm、5cm、6cm。
10.根据权利要求1所述的一种电子元器件防静电膜的制备工艺，其特征在于，所述乙醇和非离子表面活性剂的质量比为12:14。
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