CN112713077A - 半导体处理设备 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 20
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229920001821 foam rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
一种半导体处理设备，包括:下部腔体，定义出接收区域和第一接收凹槽；上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出投影地对准所述第一凹槽的第二凹槽，并组配来与所述下部腔体形成密封连接，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域；以及垫圈构件，组配来设置在所述下部腔体与所述上部腔体之间。所述垫圈构件包括：导电构件，组配来横向围绕所述接收区域，并分别地装配到所述下部腔体与所述上部腔体中；以及弹性构件，从所述导电构件凸出，并向所述接收区域延伸，所述弹性构件组配来被所述下部腔体与所述上部腔体压缩以密封所述腔室封闭区域。
Description
技术领域
本公开涉及一种用于半导体处理的设备，更具体地，涉及一种具有能够通过密封装置建立密封外壳(enclosure)的处理室的设备。
背景技术
现代集成电路(IC)被设计为包含高组件密度，可以包括数百万个组件，例如晶体管，电容器，电阻器等。对于更大的电路密度的需求要求减小集成电路组件的尺寸(或特征尺寸)。所述更大电路密度的集成要求减小集成电路组件的关键尺寸。通常，集成电路是通过诸如光刻，沉积，曝光，蚀刻和抛光的半导体工艺在单个晶圆上大批量生产。所述过程中的一些可以在处于真空状态并充满等离子体(plasma)的腔室中操作。最重要的是，需要在半导体设备的处理室中保持所述真空状态并使等离子体噪声(plasma noise)最小化。
发明内容
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种半导体处理设备，其特征在于，包括:下部腔体，定义出接收区域和第一接收凹槽；上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出投影地对准所述第一凹槽的第二凹槽，并组配来与所述下部腔体形成密封连接，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域；以及垫圈构件，组配来设置在所述下部腔体与所述上部腔体之间。所述垫圈构件包括：导电构件，组配来横向地围绕所述接收区域，并分别地装配到(fit into)所述下部腔体与所述上部腔体中，以及弹性构件，从所述导电构件凸出，并向所述接收区域延伸，所述弹性构件组配来被所述下部腔体与所述上部腔体压缩以密封所述腔室封闭区域。
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种密封装置，包括弹性构件，在其横截面中定义出第一高度；和EMC垫圈(gasket)，在其横截面中定义出第二高度，并且包括接合部，所述接合部组配来与所述弹性构件一体化(integrated)；其中，所述弹性构件的第一高度与所述EMC垫圈的第二高度之间的比率在大约0.2至0.8的范围内。
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种设备,包括:下部腔体,定义出接收区域和围绕所述接收区域的下部环形凹槽；上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出与所述下部环形凹槽投影地对准的上部环形凹槽，所述上部腔体组配来与所述下部腔体组装，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域。
附图说明
为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。
图1A示出了根据本公开的一些实施例的腔室设备的侧视截面图。
图1B示出了沿水平面截取的平面剖视图，所述水平面包括如图1A所示的所述Ⅰ-Ⅰ线。
图2A示出了根据本公开的一些实施例的腔室设备的侧视截面图。
图2B示出了沿着水平面截取的平面剖视图，所述水平面包括如图2A所示的所述II-II线。
图3示出了根据本公开的一些实施例的密封装置的侧视截面图。
图4示出了根据本公开的一些实施例的定义出一腔室封闭区域的腔室设备的侧视截面图。
图5示出了根据本公开的一些实施例的密封装置在压缩时的剖视图。
图6示出了根据本公开的一些实施例的密封装置的侧视截面图。
然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。
应该注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法，结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不能精确地反映任何给定实施例的精确的结构或性能特征，并且不应被解释为定义或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或放大层，区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。
主要元件符号说明
具体实施方式
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。贯穿全文，相似的参考标号指代相似的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本公开。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个”和“所述”旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，操作，组件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，组件，组件和/或其群组。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。
本公开的实施例总体上涉及一种用于在处理腔室中处理半导体基板的设备，所述设备利用一下部腔体和一组配来与所述下部腔体建立密封耦接的上部腔体。所述领域的技术人员将理解，所述本公开的实施例可适用于半导体处理室，其中保持真空状态并使其中的等离子体噪声最小化来提高产量，例如干法蚀刻室(dry etching chambers)，化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)室，或溅射处理室(sputter process chambers)，和其类似设备。
以下将结合图1至图6对示例性实施例进行描述。具体实施方式将参考附图来详细描述本公开，其中所描绘的元件不一定按比例示出。相同或类似的元件将被赋予相同或相似的附图标记表示或类似的技术用语。
图1A示出了根据本公开的一些实施例的腔室设备100的侧视截面图。图1B示出了沿水平面截取的平面剖视图，所述水平面可以包括如图1A所示的所述Ⅰ-Ⅰ线。
下部腔体110具有定义出一接收区域111的一中央凹陷区域。所述下部腔体110还定义出凹槽112、113，所述凹槽112、113在横向上彼此分开并且围绕所述接收区域111。所述凹槽112、113分别被组配来容纳O形环131和电磁兼容性(electromagneticcompatibility,EMC)垫圈132。
上部腔体120可操作在打开状态和关闭状态之间地设置在所述下部腔体110上方。当所述上部腔体120处于所述关闭状态并压在所述下部腔体110上时，所述O形环131被压缩并挤压到所述凹槽112中，从而由所述下部腔体110和上部腔体120定义出的内部容积可以被密封。
在一些实施例中，所述腔室设备100可以配置为执行蚀刻。在这样的实施例中，侧向围绕所述O形环131的所述EMC垫圈132也可以屏蔽所述处理腔室的所述内部容积(例如腔室处理区域111)的电磁场。
在一些情况下，可能需要从所述凹槽112移除O形环131。例如，在多个操作周期中，所述O形环131可能遭受等离子体损坏，或者可能由于反复压缩而被磨损。另外，在设备维护期间，可以去除O形环131，以使得能够清洁在所述凹槽112中/附近的制程副产物(例如，诸如聚合物沉淀之类的颗粒残留物)。然而，移除紧密地装配(snug-fitted)在所述凹槽112内的所述O形环131可能导致在定义出所述凹槽112的表面上产生划痕。作为不期望的结果，在随后的处理中，所述划痕的表面可能导致气体从所述内部容积泄漏(例如，等离子体泄漏)。在某些情况下，刮擦的表面可能会进一步导致RF泄漏。
图2A示出了根据本公开的一些实施例的腔室设备200的侧视截面图。
在所述腔室设备200中，上部腔体220设置在下部腔体210上方。所述下部腔体210具有中央凹陷区域，所述中央凹陷区域定义出接收区域211。如图2A所示，除了由所述下部腔体210中的所述中央凹陷区域定义出的所述接收区域211之外，所述上部腔体220还设置有与其匹配的凹入区域221，所述凹入区域221基本上与所述下部腔体210的所述中央凹陷区域对齐。
在一些实施例中，所述腔室设备200可以是蚀刻系统的一部分。在这些实施例中，可以在所述下部腔体210的所述接收区域211中设置基板支撑台座(未示出)，所述基板支撑台座(未示出)具有用于在处理期间固持基板的静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)。此外，气体分配板(gas distribution plate)可以设置在位于所述基板支撑台座上方的所述凹陷区域221中，以允许气体(例如，处理气体)向下地流在所述基板支撑台座上方。
在一些实施例中，所述腔室设备200可以是溅射系统的一部分。在这些实施例中，所述下部腔体210的所述接收区域211可以容纳溅射基座(未示出)。在一些实施例中，所述上部腔体220的所述凹入区域221可以用于容纳溅射靶(sputtering target)。
在所述示例性实施例中，所述下部腔体210和所述上部腔体220进一步分别定义出第一接收凹槽212和第二接收凹槽222。所述第一接收凹槽212和所述第二接收凹槽222也可以分别称为下部环形凹槽(凹槽212)和上部环形凹槽(凹槽222)。所述第一接收凹槽212和第二接收凹槽222彼此投影地对准，并且组配来接收密封装置230。
在图2A所示的所述实施例中，所述第一接收凹槽212和所述第二接收凹槽222相对于定义在所述下部腔体210和所述上部腔体220之间的水平面(未示出)可以具有镜面对称性。因此，所述下部腔体210中的所述第一接收凹槽212的深度可以与所述上部腔体220中的所述第二接收凹槽222的深度基本相同。在一些实施例中，所述第一接收凹槽212和所述第二接收凹槽222的深度的范围可以分别在大约3mm至10mm的范围内。
所述密封装置230也可以被称为垫圈构件，并且被设置成布置在所述下部腔体210和所述上部腔体220之间。垫圈构件230包括导电构件231和弹性构件232，所述弹性构件232从所述导电构件231的表面凸出。所述导电构件231也可以被称为EMC垫圈。所述导电构件231的所述轮廓可以与所述凹槽212、222的所述横截面轮廓匹配。所述导电构件231是组配来配接到第一接收凹槽212和所述第二接收凹槽222，以使得所述弹性构件232(在结构上一体化到所述导电构件231)朝向所述接收区域211延伸。
请参照图2B，其为沿包括图2A中所述的Ⅱ-Ⅱ线的水平面截取的平面剖视图。所述第一接收凹槽212横向围绕所述接收区域211。当所述导电构件231插入所述第一接收凹槽212时，所述垫圈构件230也横向围绕所述接收区域211。
在图3所示的所述实施例中，所述导电构件231包括接合部231a，接合部231a组配来接合(即，机械地耦合并固持)所述弹性构件232。所述接合部231a可以在高度方向上位于所述EMC垫圈231的中间。所述接合部231a可以包括榫眼231b，榫眼231b用来与形成在所述弹性构件232上的榫头232a配接。所述榫眼231b可以被定义在所述导电构件231的内侧壁表面处，所述内侧壁表面面向所述弹性构件232及所述下部腔体210的所述接收区域211(图2A所示)。在图3中示出的实施例中，所述弹性构件232包括榫头232a，榫头232a组配来与垫圈构件231的所述榫眼231b可拆卸地配接。当所述榫头232a附接到所述榫眼231b时，所述导电构件231在结构上与弹性构件232一体化。
在一些实施例中，所述弹性构件232的所述榫头232a可以进一步粘附到定义出所述榫眼231b的表面。在这样的实施例中，所述榫头232a可以不与所述榫眼231b分离。
所述榫眼231b和所述榫头232a可包括燕尾形轮廓。另外，所述弹性构件232的所述凸出部分232b的所述轮廓可以是圆形的(例如，圆弧形，椭圆形)。在一些实施例中，所述凸出部分232b的所述轮廓可以是诸如矩形或椭圆形的几何形状。
如在所述导电构件231的所述横截面中所示，所述导电构件231的高度H1大于所述导电构件231的宽度W。在一些实施例中，所述导电构件231的宽度W与高度H1之间的比率可以是3：7。
当所述下部腔体210和所述上部腔体220处于所述打开状态时，所述未压缩弹性构件232的所述轮廓限定了高度H2，其也可以称为未压缩高度。所述弹性构件232的所述高度H2与所述EMC垫圈231的所述高度H1之比小于1。当所述比率(H2/H1)不小于1时，所述EMC垫圈231可能不能适当地插入所述上部和下部腔体210、220的所述第一和所述第二接收凹槽212、222。在一些实施例中，所述比率(H2/H1)在大约0.2到0.8的范围内。在一些实施例中，所述范围是约0.2至0.4。
在一些实施例中，所述EMC垫圈231的材料可以是包裹或镀有导电材料的弹性体(例如，泡沫橡胶(foam))。在一些实施例中，所述EMC垫圈231可包括刚性金属，所述刚性金属选择性地包括不锈钢(即，铜与镍的混合物)，铜和铬。例如，在一些实施态样中，所述刚性金属包括不锈钢。在一些实施态样中，所述刚性金属包括不锈钢和铜。
在一些实施例中，所述弹性构件232可以包括橡胶。橡胶材料可以选择性地包括氟橡胶，氟弹性体，氟化橡胶，氟碳橡胶，氟橡胶。例如，在一些实施态样中，所述橡胶材料包括氟橡胶。在一些实施态样中，所述橡胶材料包括氟橡胶，氟弹性体。在一些实施例中，弹性构件232选择性地包括DuPontTM 
和DuPontTM 
值得一提的是，由刚性金属材料制成的EMC垫圈231与由诸如泡沫橡胶的柔性材料制成的EMC垫圈231相比，可以提供与所述弹性构件232更强的结构接合。这样，所述弹性构件232较不太可能从所述EMC垫圈231分离。
尽管未示出，所述上部腔体220可以联接至竖直向调节机构(verticaladjustment mechanism,未示出)，以使得所述上部腔体220能够竖直地到与所述下部腔体210建立密封外壳的位置(即，处于所述关闭状态)。
图4示出了根据本公开的一些实施例的定义出腔室封闭区域的腔室设备的侧视截面图。特别地，图4提供了所述上部腔体220和所述下部腔体210在所述关闭状态建立密封接合的示意图。所述导电构件231被装配到所述下部腔体210和所述上部腔体220中的所述相应的凹槽中。在所述上部和下部腔体关闭时，垫圈构件230可以被所述上部腔体220和所述下部腔体210压缩以实现气密密封。同时，所述上部腔体220与所述下部腔体210建立密封耦接，从而在所述接收区域211处形成腔室封闭区域240。在如图4所示的实施例中，腔室封闭区域240可以由所述凹入区域221和所述接收区域211共同定义。尽管未示出，一真空泵可以耦接至所述腔室封闭区域240以在所述腔室封闭区域240中产生实质真空状态。
在图4所示的所述实施例中，所述下部腔体210进一步定义出下部环形迫紧表面213(也在图2B中示出)，下部环形迫紧表面213从所述第一接收凹槽212朝着所述接收区域211延伸。所述上部腔体220还包括上部环形迫紧表面223，所述上部环形迫紧表面223基本上与所述下部环形迫紧表面213对准。所述上部环形迫紧表面223是组配来施加压力并压缩所述弹性构件232。
图5示出了根据本公开的一些实施例的密封装置在压缩时的剖视图。特别地，图5提供了区域放大图，其示出了例如在所述上部腔体220和所述下部腔体210关闭时，所述弹性构件232被所述上部腔体220和下部腔体210压缩。在示例性示意说明中，点炼线(dot-and-dash line)的轮廓表示未被压缩的弹性构件232的截面轮廓(即，在由于外部压力而变形之前)。在关闭所述腔室主体时，所述上部环形迫紧表面223与所述下部环形迫紧表面213以一预定距离Dt(由所述被压缩的弹性构件232的厚度决定)相间隔。在一些实施例中，所述预定距离Dt与所述所述弹性构件232的未压缩高度H2之间的比率被设计在大约0.5到1的范围内。
在一些情况下，当所述比率(Dt/H2)小于0.5时，所述弹性构件232的所述榫头232a可能过度变形，并易于从所述导电构件231中的所述榫眼231b中被拔出。另一方面，当所述比率(Dt/H2)大于1，则不能安全地维持真空状态。在一些实施例中，所述比率(Dt/H2)可以是4∶6。
所述接合部231a的厚度T影响所述垫圈的电磁干扰(Electromagneticinterference,EMI)屏蔽效率。更大的所述垫圈的侧壁处的所述厚度T可以提供更高的EMI屏蔽效率。在一些实施例中，所述厚度T大于2mm。然而，具有太大深度Dp的榫眼(例如，榫眼231b)可能牺牲所述接合部231a的所述厚度T。在一些实施例中，在榫眼的所述深度Dp与所述厚度T之间的比率在大约0.8至1.4的范围内。在一些实施例中，所述比率(Dp/T)是1。
当所述上部腔体220脱离所述下部腔体210时(例如，从所述关闭状态到打开状态)，所述导电构件231的上部从所述腔室主体中的固持槽(例如，第二/上凹槽222)露出。所述密封装置230的所述暴露部分可以用作将所述密封装置230从所述第一接收凹槽212移除的手柄。由于所述弹性构件232在结构上一体化到所述导电构件231上，所述柔性密封环(例如232)和所述刚性垫圈(例如231)可以在单个操作中一起从所述腔室主体移除。此外，由于所述弹性构件232没有被挤压配接在凹槽中(如图1A中的所述实施例所示)，移除所述弹性构件232时可以有助于避免在所述下部腔体上的刮擦损坏。
在一些实施例中，所述密封装置230可以形成较长的上部，所述上部用作所述移除的手柄，从而使得能够更容易地移除所述密封装置230。例如，所述导电构件231可以形成较长的上部以组配来配接入所述第二接收凹槽222。在如此的实施例中，所述第二接收凹槽222的深度可以大于所述第一接收凹槽212的深度。
图6示出了根据本公开的一些实施例的密封装置的侧视截面图。特别地，图6示出了根据本公开的实施例的密封装置630的剖视图。在所述示例性实施例中，弹性构件632形成有榫眼632a，榫眼632a面向EMC垫圈631。在所述EMC垫圈631的表面上设置接合部(例如，凸出的螺柱)631b。榫头631b(例如，所述接合部)是组配来可拆卸地接合并固持所述榫眼632a。
当所述密封装置630设置在所述下部腔体210的所述第一接收凹槽212(图2A和图2B所示)中时，所述弹性构件632被所述EMC垫圈631横向包围。在这种情况下，所述导电构件631的所述榫头631b朝着所述下部腔体210的所述接收区域211凸出，并且所述弹性构件632的定义出所述榫眼632a的外侧壁表面面向所述导电构件631。
在一些情况下，当所述弹性构件632由于外力(例如，来自所述腔室主体的所述迫紧表面)而被压缩时，所述榫头631b可能会损坏。可以缩短所述榫头631b的厚度T631b，以确保来自所述弹性构件632的足够的缓震/缓冲，以防止这种损坏。在一些实施例中，所述榫头631b的所述厚度T631b可以在1mm以内。
在图6所示的所述实施例中，不同于在所述EMC垫圈631的所述一体化部分631a处形成榫眼(例如，如图5中所示)，所述接合部分631a包括凸出的榫头631b，从而所述一体化部分631a的厚度T631为可以被维持。在这样的实施例中，可以进一步提高所述EMC垫圈631的EMI屏蔽性能。
在本公开的一些实施例中，不同于利用榫头和榫眼结构来一体化所述弹性构件和EMC垫圈，所述弹性构件可以通过粘合剂耦合至(一体化)EMC垫圈。
因此，本公开的一个方面提供了一种半导体处理设备，其特征在于，包括:下部腔体，定义出接收区域和第一接收凹槽；上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出投影地对准所述第一凹槽的第二凹槽，并组配来与所述下部腔体形成密封连接，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域；以及垫圈构件，组配来设置在所述下部腔体与所述上部腔体之间。所述垫圈构件包括：导电构件，组配来横向地围绕所述接收区域，并分别地装配到(fit into)所述下部腔体与所述上部腔体中，以及弹性构件，从所述导电构件凸出，并向所述接收区域延伸，所述弹性构件组配来被所述下部腔体与所述上部腔体压缩以密封所述腔室封闭区域。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的内侧壁表面定义出榫眼，所述内侧壁表面面向所述下部腔体的接收区域；所述弹性构件包括榫头，所述榫头组配来可拆卸地与所述榫眼配接(mated with)。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部的厚度大于2mm。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部的厚度与榫眼的深度之间的比率在约0.8至1.4的范围内。
在本公开的一些实施例中，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部位于所述导电构件的中间。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述榫头包括燕尾形轮廓(dovetail profile)。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的高度大于所述导电构件的宽度。
在本公开的一些实施例中，在所述垫圈构件的横截面中，所述弹性构件的面向所述导电构件的外侧壁表面定义出榫眼；及所述导电构件包括榫头，所述榫头向所述下部腔体的所述接收区域凸出，所述榫头组配来可拆卸地与所述榫眼配合。
在本公开的一些实施例中，所述弹性构件包括轮廓，所述轮廓定义出未被压缩高度；所述下部腔体还包括下部环形迫紧表面，所述下部环形迫紧表面从所述第一接收凹槽向所述接收区域延伸，并组配来支撑所述弹性构件；所述上部腔体还包括上部环形迫紧表面，所述上部环形迫紧表面与所述下部环形迫紧表面对准，并组配来在所述上部腔体组装于与所述下部腔体时，压缩所述弹性构件并与所述下部环形迫紧表面以预定距离相间隔；其中所述预定距离与所述弹性构件的所述未被压缩高度之比值在约0.5至1的范围内。
在本公开的一些实施例中，所述下部腔体的所述第一接收凹槽和所述上部腔体的所述第二接收凹槽相对于定义在所述下部腔体和所述上部腔体之间的水平面具有镜面对称性。
因此，本公开的一个方面提供了一种密封装置，包括弹性构件，在其横截面中定义出第一高度；和EMC垫圈(gasket)，在其横截面中定义出第二高度，并且包括接合部，所述接合部组配来与所述弹性构件一体化(integrated)；其中，所述弹性构件的第一高度与所述EMC垫圈的第二高度之间的比率在大约0.2至0.8的范围内。
在本公开的一些实施例中，在所述EMC垫圈的横截面中，所述EMC垫圈的所述接合部的厚度大于2mm。
在本公开的一些实施例中，在所述装置的横截面中，所述EMC垫圈的所述接合部定义出面对所述弹性构件的榫眼，其中所述接合部位于所述EMC垫圈的中间；所述弹性构件包括榫头，所述榫头组配来可拆卸地与所述榫眼配接。
在本公开的一些实施例中，其中，在所述EMC垫圈的所述横截面中，所述EMC垫圈的所述接合部的厚度与所述榫眼的深度之间的比率为约0.8至1.4。
在本公开的一些实施例中，其中，在所述EMC垫圈的所述横截面中，所述榫头包括燕尾形轮廓(dovetail profile)。
在本公开的一些实施例中，在所述装置的横截面中，所述弹性构件定义出面对所述EMC垫圈的榫眼；所述EMC垫圈的所述接合部定义出榫头，所述榫头组配来与所述榫眼可分离地配接。
在本公开的一些实施例中，所述弹性构件包括橡胶(rubber)；所述EMC垫片包括刚性金属(rigid metal)。
在本公开的一些实施例中，所述弹性构件通过粘合剂耦合到所述EMC垫圈。
因此，本公开的一个方面提供了一种设备,，其特征在于，包括:下部腔体定义出接收区域和围绕所述接收区域的下部环形凹槽；上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出与所述下部环形凹槽投影地对准的上部环形凹槽，所述上部腔体组配来与所述下部腔体组装，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域。
在本公开的一些实施例中，在所述设备的横截面，所述下部腔体的所述下部环形凹槽和所述上部腔体的所述上部环形凹槽相对于定义在所述下部腔体和所述上部腔体之间的水平面具有镜面对称性。
以上示出和描述的实施例仅是示例，没有示出或描述许多其他细节。即使在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点以及结构和功能的细节，但是本公开仅是说明性的，并且可以在细节上进行改变，尤其是在形状，尺寸方面。以及在原则范围内的各个部分的排列，直至并包括由权利要求书中所用术语的广义含义所确定的全部范围。因此，将理解，可以在权利要求的范围内修改上述实施例。
Claims (10)
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括
下部腔体，定义出接收区域和第一接收凹槽；
上部腔体，设置在所述下部腔体上方，并定义出投影地对准所述第一凹槽的第二凹槽，并组配来与所述下部腔体形成密封连接，从而在所述接收区域处形成腔室封闭区域；以及
垫圈构件，组配来设置在所述下部腔体与所述上部腔体之间，所述垫圈构件包括：
导电构件，组配来横向地围绕所述接收区域，并分别地装配到所述下部腔体与所述上部腔体中，以及
弹性构件，从所述导电构件凸出，并向所述接收区域延伸，所述弹性构件组配来被所述下部腔体与所述上部腔体压缩以密封所述腔室封闭区域。
2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，
所述导电构件的内侧壁表面定义出榫眼，所述内侧壁表面面向所述下部腔体的接收区域；和
所述弹性构件包括榫头，所述榫头组配来可拆卸地与所述榫眼配接。
3.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部的厚度大于2mm。
4.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部的厚度与榫眼的深度之间的比率在约0.8至1.4的范围内。
5.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述导电构件的定义出所述榫眼的接合部位于所述导电构件的中间。
6.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，所述榫头包括燕尾形轮廓。
7.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，所述导电构件的高度大于所述导电构件的宽度。
8.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述垫圈构件的横截面中，
所述弹性构件的面向所述导电构件的外侧壁表面定义出榫眼；及
所述导电构件包括榫头，所述榫头向所述下部腔体的所述接收区域凸出，所述榫头组配来可拆卸地与所述榫眼配合。
9.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，
所述弹性构件的轮廓定义出未被压缩高度；
所述下部腔体还包括下部环形迫紧表面，所述下部环形迫紧表面从所述第一接收凹槽向所述接收区域延伸，并组配来支撑所述弹性构件；
所述上部腔体还包括上部环形迫紧表面，所述上部环形迫紧表面与所述下部环形迫紧表面对准，并组配来在所述上部腔体组装于与所述下部腔体时，压缩所述弹性构件并与所述下部环形迫紧表面以预定距离相间隔；
其中所述预定距离与所述弹性构件的所述未被压缩高度之比值在约0.5至1的范围内。
10.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，
所述下部腔体的所述第一接收凹槽和所述上部腔体的所述第二接收凹槽相对于定义在所述下部腔体和所述上部腔体之间的水平面具有镜面对称性。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/663385 | 2019-10-25 | ||
| US16/663,385 US11538696B2 (en) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | Semiconductor processing apparatus and sealing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112713077A true CN112713077A (zh) | 2021-04-27 |
| CN112713077B CN112713077B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=75541215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010071157.9A Active CN112713077B (zh) | 2019-10-25 | 2020-01-21 | 半导体处理设备 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11538696B2 (zh) |
| CN (1) | CN112713077B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA3237115A1 (en) * | 2021-11-05 | 2023-05-11 | Brian Campbell | Ceramic fibers for shielding in vacuum chamber systems and methods for using same |
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| CN103998644A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-20 | 应用材料公司 | 使等离子体暗区具有同心度的设备 |
| CN206041073U (zh) * | 2016-04-23 | 2017-03-22 | 宁波天鹭莱电子技术有限公司 | 一种电连接器 |
| CN209447761U (zh) * | 2017-10-24 | 2019-09-27 | 应用材料公司 | 半导体处理腔室 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106876299B (zh) * | 2015-12-11 | 2019-08-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
| JP6602261B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US20210210339A1 (en) * | 2016-12-21 | 2021-07-08 | Applied Materials, Inc. | Conformal hermetic film deposition by cvd |
-
2019
- 2019-10-25 US US16/663,385 patent/US11538696B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-21 CN CN202010071157.9A patent/CN112713077B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11538696B2 (en) | 2022-12-27 |
| CN112713077B (zh) | 2023-11-03 |
| US20210125844A1 (en) | 2021-04-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |