CN112701207B - 发光器件及其设置功能件的方法、显示装置 - Google Patents

发光器件及其设置功能件的方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请涉及显示技术领域，公开了一种发光器件，包括：发光层；在发光层的出光侧设置的光转换层；在光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层；其中，波长选择层中在需要出射发光层发出的光的位置部分或全部的设置有透光功能件，透光功能件的功能与波长选择层的波长选择功能不同。本申请提供的发光器件，设置了功能件，提高了集成度。本申请还公开了一种显示装置及发光器件设置功能件的方法。

Description

发光器件及其设置功能件的方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，例如涉及发光器件及其设置功能件的方法、显示装置。
背景技术
显示装置一般可以分为阴极射线显像管（CRT，Cathode Ray Tube）、液晶显示器（LCD，Liquid Crystal Display）、发光二极管（LED，Light Emitting Diode）等多种类型。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种发光器件及其设置功能件的方法、显示装置。
在一些实施例中，发光器件，包括：
发光层；
在发光层的出光侧设置的光转换层；
在光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层；
其中，波长选择层中在需要出射发光层发出的光的位置部分或全部的设置有透光功能件，透光功能件的功能与波长选择层的波长选择功能不同。
在一些实施例中，显示装置，包括：
如上所述的发光器件。
在一些实施例中，发光器件设置功能件的方法，发光器件包括发光层、在发光层的出光侧设置的光转换层、以及在光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层；其中，波长选择层中需要出射发光层发出的光的位置为空置状态；
方法包括：
在波长选择层中需要出射发光层发出的光的位置贴透光功能件；透光功能件的功能与波长选择层的波长选择功能不同。
本公开实施例提供的发光器件及其设置功能件的方法、显示装置，可以实现以下技术效果：
在发光器件中设置了功能件，提高了集成度。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1示出了本公开实施例中发光器件的结构示意图；
图2示出了本公开实施例中发光器件的光转换层的结构示意图；
图3示出了本公开实施例中发光器件的发光层单色的结构示意图；
图4示出了本公开实施例中发光器件的发光层多色的结构示意图；
图5示出了本公开实施例中发光器件的波长选择层的结构示意图；
图6示出了本公开实施例中发光器件的波长选择层的另一结构示意图；
图7示出了本公开实施例中光转换层和波长选择层的结构示意图；
图8示出了本公开实施例中光转换层和波长选择层的另一结构示意图；
图9示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图；
图10示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图；
图11示出了本公开实施例中发光器件设置功能件的场景示意图；
图12示出了本公开实施例中发光器件设置功能件的另一场景示意图；
图13示出了本公开实施例中发光器件设置功能件的另一场景示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
图1示出了本公开实施例中发光器件的结构示意图。
如图所示，本公开实施例提供了一种发光器件，包括：
发光层1；
在发光层的出光侧设置的光转换层2；
在光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层3；
其中，波长选择层3中在需要出射发光层1发出的光的位置A部分或全部的设置有透光功能件，透光功能件的功能与波长选择层3的波长选择功能不同。
在一些实施例中，发光层1可以指可在电流作用下发光的结构，其可为单层结构，也可由多个不同的层组成。
在一些实施例中，发光层1可以为微LED（microLED）发光结构，microLED发光结构可以包括N型层、有源层、P型层。可选地，有源层通常设置于N型层和P型层之间。
在一些实施例中，需要出射发光层1发出的光的位置部分或全部的设置有透光功能件，可以包括以下设置方式：
1）对于单个需要出射发光层1发出的光的位置，该位置部分的设置有透光功能件（例如：透光功能件占该位置空间的80%），或者，该位置全部空间设置有透光功能件；
2）对于多个需要出射发光层1发出的光的位置，多个位置中部分位置设置有透光功能件（例如：假设有1000个需要出射发光层1发出的光的位置，其中900个位置设置有透光功能件），或者多个位置全部设置有透光功能件；
在一些实施例中，还可以是上述两种情况的组合，即，多个位置中全部设置有透光功能件，且每个位置部分或全部设置有透光功能件；或者，多个位置中部分设置有透光功能件，且每个位置部分或全部设置有透光功能件（例如：假设有1000个需要出射发光层1发出的光的位置，其中900个位置设置有透光功能件，900个位置中有800个位置被透光功能件占满、100个位置未被占满）。
本公开实施例提供的发光器件，在发光器件中设置了功能件，提高了集成度。
在一些实施例中，波长选择层，包括下述至少之一：
光反射层，被配置为将发光层发出的光部分或全部的反射；
光吸收层，被配置为将发光层发出的光部分或全部的吸收。
在一些实施例中，光反射层，包括下述至少之一：
分布式布拉格反射DBR（Distributed Bragg Reflection）层；金属反射层。
在一些实施例中，金属反射层可以设置有银（Ag）、铝（Al）、铬（Cr）等金属。
在一些实施例中，光吸收层，包括下述至少之一：
彩膜CF（Color Filter）层；色阻层。
在一些实施例中，光吸收层可以使用吸收蓝光的色阻材料，也可以是使用多种不同的色阻材料实现，例如：在红色像素单元对应的位置使用红光透过色阻，在绿色像素单元对应的位置使用绿光透过色阻。可选地，吸收蓝光的色阻材料可以是金属如钼（Mo）、铬（Cr）等，也可以是金属氧化物如氧化银（AgO）、氧化铬（CrO）等。
图2示出了本公开实施例中发光器件的光转换层的结构示意图。
如图所示，在一些实施例中，光转换层2可以包括多个像素单元21，光转换层2中部分或全部的相邻像素单元21之间设置有光隔离结构22。
在一些实施例中，光隔离结构22可以包括简单的绝缘材料，如Si3N4、SiO2，也可以是绝缘光反射或绝缘光吸收材料，还可以是绝缘材料与光反射材料、绝缘材料与光吸收材料的组合结构。
在一些实施例中，发光层1发出单一颜色的光，需要出射发光层1发出的光的位置包括：与发光层1发出的光颜色一致的像素单元21对应的位置。
在一些实施例中，光转换层2包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元，发光层1蓝光，需要出射发光层1发出的光的位置包括蓝色像素单元对应的位置。
图3示出了本公开实施例中发光器件的发光层单色的结构示意图。
如图所示，光转换层2包括红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B，发光层1为蓝色LED，发出的光是蓝色，那么，本公开实施例可以在蓝色像素单元B对应的波长选择层位置A设置透光功能件。
图4示出了本公开实施例中发光器件的发光层多色的结构示意图。
在一些实施例中，发光层1可以包括至少两个发出不同颜色光的发光单元11，需要出射发光层1发出的光的位置包括：与发光单元11发出的光颜色一致的像素单元21对应的位置。
例如：光转换层2包括红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B，发光层1包括蓝色发光单元（例如：如图所示蓝光LED）和绿色发光单元（例如：如图所示绿光LED），那么，本公开实施例可以在蓝色像素单元对应的位置和绿色像素单元对应的位置可以设置透光功能件。
在一些实施例中，波长选择层3中两个分别与对应的发光单元11发出的光颜色一致的相邻像素单元21之间对应的位置设置有透光功能件。
图5示出了本公开实施例中发光器件的波长选择层的结构示意图。
如图所示，在蓝色发光单元和绿色发光单元之间对应的波长选择层3位置可以设置透光功能件。
蓝光LED对应的波长选择层3位置、绿光LED对应的波长选择层3位置、以及蓝光LED和绿光LED之间对应的波长选择层3位置，可以分别放置透光功能件，也可以作为一个整体空间放置一个透光功能件。
图6示出了本公开实施例中发光器件的波长选择层的另一结构示意图。
如图所示，在一些实施例中，波长选择层3中与光转换层2中光隔离结构22对应的位置部分或全部的设置有透光功能件。
在一些实施例中，与光转换层2中光隔离结构22对应的位置，可以包括：
与需要出射发光层1发出的光的像素单元21邻近的光隔离结构22对应的位置。
在一些实施例中，光转换层2中与波长选择层3的透光功能件对应的像素单元21可以设置有光散射材料。
在一些实施例中，光转换层2中与波长选择层3的透光功能件对应的像素单元21可以设置有透光功能件。
图7、8示出了本公开实施例中光转换层和波长选择层的结构示意图。
如图7所示，在发光层1为蓝光LED时，光转换层2中的蓝色像素单元位置以及波长选择层3对应的位置A可以设置透光功能件。
如图8所示，在发光层1包括蓝光LED和绿光LED时，光转换层2中的蓝色像素单元位置、绿色像素单元位置、蓝色像素单元与绿色像素单元之间的光隔离结构位置、以及波长选择层3对应的位置A均可以设置透光功能件。
在一些实施例中，光转换层2中需要出射发光层1发出的光之外的像素单元21的位置可以设置有光转换材料。
可选地，在发光层1发出蓝光时，在蓝色像素单元之外的像素单元21的位置可以设置有光转换材料，例如：在绿色像素单元位置设置绿色光转换材料，在红色像素单元位置设置红色光转换材料；可选地，在发光层1发出蓝光和红光时，在蓝色像素单元和红色像素单元之外的像素单元的位置可以设置有光转换材料，例如：在绿色像素单元位置设置绿色光转换材料。
在一些实施例中，光转换材料可以为荧光粉或量子点。
在一些实施例中，光转换材料可以吸收发光层1发出的光，并发出与吸收光颜色不同的光。与发光层1对应的光转换材料可以发射单色光，也可以发射多光谱段的多色光或是覆盖可见光谱段的连续光谱，经滤色片后形成单色光。
在一些实施例中，透光功能件，可以包括以下任意一种或多种的组合：
胶、传感器、发光元件。
在一些实施例中，传感器，可以包括以下任意一种或多种的组合：
压力传感器、温度传感器、位移传感器、感光传感器、图像传感器、飞行时间传感器、指纹识别传感器、电容传感器。
在一些实施例中，本公开实施例中的透光功能件还可以是具备其他功能的元器件，传感器还可以包括其他类型的传感器，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，本申请对此不做限制。
在一些实施例中，胶可以为用于胶结光学元件的粘胶剂，通常可以具备无色、光学透光等特性。
在一些实施例中，透光功能件为电容传感器时，多个电容传感器电连接。可选地，电容传感器可以包括自电容电极，多个自电容电极之间电连接。
在一些实施例中，电连接的多个电容传感器形成指定大小和/或形状的区域。可选地，电连接的多个电容传感器可以形成与指纹大小、形状相似的区域，以便于识别指纹。
在一些实施例中，透光功能件为感光传感器时，感光传感器被配置为感应发光层发出的光反射回来的光并将其转换为电信号。
在一些实施例中，透光功能件为发光元件时，发光元件的发光状态与发光层1的发光状态相反。可选地，在发光层1发光时，发光元件不发光；或者，在发光层1不发光时，发光元件发光。
图9示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图。
如图所示，在一些实施例中，发光器件还可以包括：
在波长选择层3远离发光层1的一侧设置的涂胶层4。
在一些实施例中，涂胶层4的胶可以流入需要出射发光层1发出的光的位置；可选地，需要出射发光层1发出的光的位置部分或全部的设置有胶。
在一些实施例中，透光功能件可以采用贴的方式设置。
在一些实施例中，设置有透光功能件，可以包括：
设置有透光功能件的部分结构；或，
设置有透光功能件的全部结构。
在一些实施例中，本公开实施例的每个用于设置透光功能件的位置可以单独设置一个独立的透光功能件；
在一些实施例中，本公开实施例的m个相邻的用于设置透光功能件的位置组成n个整体空间（其中，n＜m），设置n个完整的透光功能件，用于组成该整体空间的每个子位置可能设置透光功能件的部分结构。可选地，本公开实施例的多个相邻的用于设置透光功能件的位置组成一个整体空间，设置一个完整的透光功能件，用于组成该整体空间的每个子位置可能设置了透光功能件的部分结构。
在一些实施例中，透光功能件可以和波长选择层的波长选择功能不同，也可以和光转换层的光转换功能不同。可选地，设置在波长选择层的透光功能件可以与波长选择功能不同，设置在光转换层的透光功能件可以与光转换功能不同，或者，任意位置的透光功能件既与波长选择功能不同又与光转换功能不同。
图10示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图。
如图所示，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述发光器件。
在一些实施例中，显示装置可以包括：LED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开实施例所提供的显示装置还可以应用于室外显示屏、广告演示牌、标识指示或照明等。
本公开实施例提供的显示装置，在发光器件中设置了功能件，提高了集成度。
图11示出了本公开实施例中发光器件设置功能件的场景示意图。
如图所示，本公开实施例提供了一种发光器件设置功能件的方法，发光器件包括发光层1、在发光层1的出光侧设置的光转换层2、以及在光转换层2远离发光层1的一侧设置的波长选择层3；其中，波长选择层3中需要出射发光层1发出的光的位置为空置状态；发光器件设置功能件的方法，可以包括：
在波长选择层3中需要出射发光层1发出的光的位置贴透光功能件；透光功能件的功能与波长选择层3的波长选择功能不同。
图12、13分别示出了本公开实施例中发光器件设置功能件的另一场景示意图。
如图12所示，在发光层发出单一颜色的光时，例如发出蓝光（如图所示），那么可以在蓝色像素单元处贴合透光功能件。
如图13所示，在发光层发出两种或两种以上颜色的光时，例如发出蓝光和绿光（如图所示），那么可以在蓝色像素单元和绿色像素单元处贴合透光功能件。
可选地，可以先贴合蓝色像素单元再贴合绿色像素单元，或者先贴合绿色像素单元再贴合蓝色像素单元，又或者蓝色像素单元和绿色像素单元同时贴合（如图所示）。
本公开实施例提供的发光器件设置功能件的方法，在发光器件中设置了功能件，提高了集成度。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，上述模块、程序段或代码的一部分包含至少一个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中，不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生，有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如，两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

Claims (18)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
发光层；
在所述发光层的出光侧设置的光转换层；
在所述光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层；
其中，所述波长选择层中在需要出射发光层发出的光的位置部分或全部的设置有透光功能件，所述透光功能件的功能与所述波长选择层的波长选择功能不同，所述透光功能件为传感器。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述波长选择层，包括下述至少之一：
光反射层，被配置为将所述发光层发出的光部分或全部的反射；
光吸收层，被配置为将所述发光层发出的光部分或全部的吸收。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层包括多个像素单元，所述光转换层中部分或全部的相邻像素单元之间设置有光隔离结构。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光层发出一种颜色的光，所述需要出射发光层发出的光的位置包括：出射的光和所述发光层发出的光颜色一致的像素单元所在位置。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元，所述发光层发出蓝光，所述需要出射发光层发出的光的位置包括：蓝色像素单元所在位置。
6.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括至少两个发出不同颜色光的发光单元，所述需要出射发光层发出的光的位置包括：出射的光和与其相对应的发光单元发出的光颜色一致的像素单元所在位置。
7.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述波长选择层中与所述光转换层的相邻像素单元之间的位置对应的位置部分或全部的设置有透光功能件。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层的相邻像素单元之间的位置，包括：
与需要出射发光层发出的光的像素单元邻近的光隔离结构所在位置。
9.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层中与所述波长选择层的透光功能件对应的像素单元设置有透光功能件。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层中与所述波长选择层的透光功能件对应的位置之外的像素单元内设置有光转换材料。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述传感器，包括以下任意一种或多种的组合：
压力传感器、温度传感器、位移传感器、感光传感器、图像传感器、飞行时间传感器、指纹识别传感器、电容传感器。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述透光功能件为电容传感器时，多个电容传感器电连接。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，电连接的多个电容传感器形成指定大小和/或形状的区域。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述透光功能件为感光传感器时，所述感光传感器被配置为感应所述发光层发出的光反射回来的光并将其转换为电信号。
15.根据权利要求1或7或9所述的发光器件，其特征在于，所述透光功能件采用贴的方式设置。
16.根据权利要求1或7或9所述的发光器件，其特征在于，所述设置有透光功能件，包括：
设置有透光功能件的部分结构；或，
设置有透光功能件的全部结构。
17.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至16任一所述的发光器件。
18.一种发光器件设置功能件的方法，其特征在于，所述发光器件包括发光层、在所述发光层的出光侧设置的光转换层、以及在所述光转换层远离发光层的一侧设置的波长选择层；其中，所述波长选择层中需要出射发光层发出的光的位置为空置状态；
所述方法包括：
在所述波长选择层中需要出射发光层发出的光的位置贴透光功能件；所述透光功能件的功能与所述波长选择层的波长选择功能不同，所述透光功能件为传感器。
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CN114122231B (zh) * 2022-01-25 2023-02-03 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190028245A (ko) * 2017-09-08 2019-03-18 엘지디스플레이 주식회사 광학 이미지 센서 일체형 표시장치
CN110783441A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 群创光电股份有限公司 发光装置
CN112310326A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112349745A (zh) * 2020-11-10 2021-02-09 厦门强力巨彩光电科技有限公司 Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190028245A (ko) * 2017-09-08 2019-03-18 엘지디스플레이 주식회사 광학 이미지 센서 일체형 표시장치
CN110783441A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 群创光电股份有限公司 发光装置
CN112310326A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112349745A (zh) * 2020-11-10 2021-02-09 厦门强力巨彩光电科技有限公司 Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置

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