CN112670962B - 一种igbt过温保护方法、系统、装置及存储介质 - Google Patents

一种igbt过温保护方法、系统、装置及存储介质 Download PDF

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CN112670962B CN202011541614.2A CN202011541614A CN112670962B CN 112670962 B CN112670962 B CN 112670962B CN 202011541614 A CN202011541614 A CN 202011541614A CN 112670962 B CN112670962 B CN 112670962B
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Abstract

本申请公开了一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质。本申请实施例中的IGBT过温保护方法，检测IGBT模组的壳温；根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。该方法在对IGBT模组进行过温保护时，能够更为精确地确定出启动过温保护的时机，有利于提高IGBT模组工作的稳定性。本申请可广泛应用于电子开关技术领域内。

Description

一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质
技术领域
本申请涉及电子开关技术领域，尤其是一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成而成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，在电子开关领域得到了非常广泛的应用。
一般来说，IGBT模组的工作环境应保持常温常湿状态，不应偏离太大。然而，在IGBT应用到实际工作中时，其本身也会产生一定的热量，如果热量不能及时散发出去，很可能会对芯片造成一定的损害，所以一般在IGBT模组的结温达到一定程度时会触发过温保护，防止出现故障。相关技术中，IGBT模组经过硅胶的塑封，焊接到整个模块的最上层，下层还焊接有焊料层、铜层、陶瓷层、底部散热板等传热和散热装置。由于IGBT模组被硅胶塑封着，因此其实际运行时结温的测量有较大难度，要想准确测量结温，有时需将模块顶部的硅胶封装打开，但是这样一来就会造成测量到的结温与实际工作时的结温有较大误差，因为实际工作时IGBT模组是被封装起来工作的。因此，相关技术中对IGBT模组的过温保护机制存在一定的缺陷，很容易出现IGBT模组已经达到了危险温度但仍未触发过温保护的情况，给用户带来了较大的损失。综上，相关技术中存在的技术问题亟需得到解决。
发明内容
本申请的目的在于至少一定程度上解决相关技术中存在的技术问题之一。
为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种IGBT过温保护方法，该方法可以有效提高IGBT过温保护的准确度，从而能够更好地保护IGBT模组。
本申请实施例的另一个目的在于提供一种IGBT过温保护系统。
为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：
第一方面，本申请实施例提供了一种IGBT过温保护方法，包括以下步骤：
检测IGBT模组的壳温；
根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。
另外，根据本申请上述实施例的方法，还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型，包括：
对所述热阻抗和所述损耗做一阶处理；
确定所述IGBT模组的瞬态损耗和单位冲击响应；
根据所述瞬态损耗和所述单位冲击响应，建立所述关系模型。
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述关系模型具体为：
Figure BDA0002854809220000021
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温，包括：
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组当前时刻的内外温差；
根据所述IGBT模组当前时刻的壳温和所述内外温差，确定所述IGBT模组当前时刻的所述结温。
第二方面，本申请实施例提供了一种IGBT过温保护系统，包括：
壳温检测模块，用于检测IGBT模组的壳温；
热阻抗处理模块，用于根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
关系模型建立模块，用于根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
结温确定模块，用于根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
过温保护模块，用于当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。
另外，根据本申请上述实施例的系统，还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述关系模型建立模块具体用于：
对所述热阻抗和所述损耗做一阶处理；
确定所述IGBT模组的瞬态损耗和单位冲击响应；
根据所述瞬态损耗和所述单位冲击响应，建立所述关系模型。
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述关系模型具体为：
Figure BDA0002854809220000031
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。
进一步地，在本申请的一个实施例中，所述结温确定模块具体用于：
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组当前时刻的内外温差；
根据所述IGBT模组当前时刻的壳温和所述内外温差，确定所述IGBT模组当前时刻的所述结温。
第三方面，本申请实施例还提供了一种IGBT过温保护装置，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时，使得所述至少一个处理器实现上述第一方面的IGBT过温保护方法。
第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于实现上述第一方面的IGBT过温保护方法。
本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到：
本申请实施例中的IGBT过温保护方法，检测IGBT模组的壳温；根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。该方法在对IGBT模组进行过温保护时，能够更为精确地确定出启动过温保护的时机，有利于提高IGBT模组工作的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或者现有技术中的技术方案，下面对本申请实施例或者现有技术中的相关技术方案附图作以下介绍，应当理解的是，下面介绍中的附图仅仅为了方便清晰表述本申请的技术方案中的部分实施例，对于本领域的技术人员来说，在无需付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取到其他附图。
图1为本申请提供的一种IGBT过温保护方法具体实施例的流程示意图；
图2为本申请提供的一种IGBT模组的单个桥臂半桥电路的拓扑结构示意图；
图3为本申请提供的一种IGBT模组热量传导的等效热路示意图；
图4为本申请提供的一种IGBT过温保护系统具体实施例的结构示意图
图5为本申请提供的一种IGBT过温保护装置具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
参照图1，本申请实施例中提供了一种IGBT过温保护方法，该方法主要包括以下步骤：
步骤110、检测IGBT模组的壳温；
本申请实施例中，首先检测IGBT模组的壳温，也就是IGBT模组的铜基板的外壳温度。下面对相关技术中的IGBT模组进行简单介绍。参照图2，图2给出了IGBT模组中常见的单个桥臂半桥电路的拓扑结构，其中的T1、T2分别代表上、下桥臂中的IGBT器件，C1、E1和G1分别为上桥臂中的IGBT器件的集电极、发射极和门极；类似地，C2、E2和G2分别为下桥臂中的IGBT器件的集电极、发射极和门极。D1、D2分别代表上、下桥臂中的FWD器件。IGBT模组在硬开\关工作状态下的功率损耗，主要有以下2个部分：第一部分是IGBT器件的损耗PTtot,一般包括通态损耗PTcond、开通损耗Pon、关断损耗Poff，其中开通损耗和关断损耗合称开关损耗Psw；第二部分是FWD器件损耗PDtot，一般包括通态损耗PDcond，反向恢复损耗Prr。
由于IGBT模组中温度最高的部位在其内部半导体硅芯片的PN结上，当IGBT模组处于工作状态下时，硅芯片PN结所发出的热量源源不断的通过封装结构、散热器传至外部环境介质中。若IGBT模组的内部硅芯片上每秒钟耗散功率所产生的热量与其通过散热措施每秒钟所散发出去的热量平衡，此时IGBT模组内各个硅芯片的温度便达到了稳定状态，其结温不再上升。
根据IGBT模组的热量传导过程可以画出其稳态的等效热路，如图3所示，其中，Rjc为硅芯片的PN结至IGBT模组铜基板外壳的热阻，Rch为铜基板外壳至散热器的接触热阻，Rha为散热器至外部环境的热阻，Tj为芯片的结温，Tc为铜基板的外壳温度，也就是IGBT模组的壳温，Th为散热器温度，ΔTj是芯片的结温到环境的温差。
步骤120、根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
本申请实施例中，主要用局部网络热路模型模拟IGBT模组封装的传热特性，因此根据热-电比拟理论，热路图中的功耗、温降以及热流路径上的热阻等可以利用电路图中的电流源、电压降、电阻等来描述，这两种网络可以方便的以电路网络的形式在电路仿真器里实现热电模拟，在半导体器件的热分析中会经常用到。具体地，网络中的热阻、热容参数可根据器件手册里提供的热阻抗曲线，经过数据拟合方法获得相应的参数值，一般地，对于IGBT模组，采用四阶的指数曲线逼近其热阻抗曲线就能达到所要求的精度标准，其表达式为
Figure BDA0002854809220000051
式中，Zthjc(t)为IGBT模组的热阻抗，Ri代表等效热阻，Ci代表等效热容。
步骤130、根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
本申请实施例中，由于IGBT模组的结温与所述壳温的差值，可以通过IGBT的损耗与热阻抗的乘积确定，因此对该关系进行拉普拉斯变换，可以确定出IGBT模组的内外温差、IGBT的损耗、热阻抗之间的传递函数。
具体地，该传递函数为：
Figure BDA0002854809220000052
/>
式中，Tjc(S)表示IGBT模组的内外温差的拉普拉斯变换，P(S)表示IGBT的损耗的拉普拉斯变换，Z(S)表示IGBT模组的热阻抗的拉普拉斯变换，Ri代表等效热阻，Ci代表等效热容。而在时域中，有
Figure BDA0002854809220000061
所以前述的热阻抗公式其实是四阶RC的一个单位阶跃响应。因为实际上每次反复开关产生的损耗是脉冲状态的，所以可以把IGBT每个时刻的热损耗作为信号源，对Tjc(t)进行求导即为单位冲击响应。
本申请实施例中，为了工程方便，一般可以把损耗和热阻都做一阶处理：对于IGBT模组，其瞬态损耗设为PT(t)＝K2sin2πf0t，
Figure BDA0002854809220000062
PT(t)＝0，/>
Figure BDA0002854809220000063
单位冲击响应设为/>
Figure BDA0002854809220000064
其中，PT(t)是一阶处理后的损耗，TT(t)是一阶处理后的单位冲击响应，K1和K2为数值参数，可以在设定输出电流的情况下，通过拟合真实的数值确定，例如，可以设置IGBT模组的输出电流为64A，在此输出电流下测量IGBT模组的损耗和单位冲击响应，确定K1和K2的具体数值。
根据前述一阶处理后得到的瞬态损耗和单位冲击响应，对IGBT模组的内外温差进行时域的计算，在时域，有：
Figure BDA0002854809220000065
因此，IGBT模组的瞬态内外温差可以表示通过以下公式确定得到：
Figure BDA0002854809220000066
Figure BDA0002854809220000067
上式计算可以得到本申请实施例中的关系模型：
Figure BDA0002854809220000068
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。通过该关系模型，可以确定出IGBT模组的工作一段时间后的结温和壳温的差值。
步骤140、根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
本申请实施例中，具体地，在确定IGBT模组的结温时，可以首先根据得到的关系模型，确定IGBT模组当前时刻的内外温差；然后根据IGBT模组当前时刻的壳温和内外温差，确定IGBT模组当前时刻的所述结温。举例来说，在确定结温时，可以先根据关系模型确定IGBT模组当前时刻的内外温差，例如当前工作了20分钟，确定当前时刻的内外温差是5摄氏度，然后测量得到当前的壳温是45摄氏度，则当前的结温确定为50摄氏度。应当理解的是，上述的温度仅仅是用于举例说明，并不代表实际的温度示例。
步骤150、当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。
本申请实施例中，当确定到结温超过预设的温度阈值时，启动IGBT模组的过温保护。举例来说，该温度阈值可以设置为IGBT模组正常状态下能够工作的最大温度或者稍低于该最大温度一些。当检测到当前IGBT模组的结温达到该温度时，为了防止IGBT模组损坏，及时启动过温保护，例如使得IGBT模组暂停工作，或者开启散热风机等，对IGBT模组进行及时的降温。
下面参照附图详细描述根据本申请实施例提出的IGBT过温保护系统。
参照图4，本申请实施例中提出的IGBT过温保护系统，包括：
壳温检测模块101，用于检测IGBT模组的壳温；
热阻抗处理模块102，用于根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
关系模型建立模块103，用于根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
结温确定模块104，用于根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
过温保护模块105，用于当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。
可选地，在本申请的一个实施例中，所述关系模型建立模块103具体用于：
对所述热阻抗和所述损耗做一阶处理；
确定所述IGBT模组的瞬态损耗和单位冲击响应；
根据所述瞬态损耗和所述单位冲击响应，建立所述关系模型。
可选地，在本申请的一个实施例中，所述关系模型具体为：
Figure BDA0002854809220000071
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。
可选地，在本申请的一个实施例中，所述结温确定模块104具体用于：
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组当前时刻的内外温差；
根据IGBT模组当前时刻的壳温和所述内外温差，确定所述IGBT模组当前时刻的所述结温。
可以理解的是，上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中，本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
参照图5，本申请实施例还提供了一种IGBT过温保护装置，包括：
至少一个处理器201；
至少一个存储器202，用于存储至少一个程序；
当至少一个程序被至少一个处理器201执行时，使得至少一个处理器201实现的装置。
同理，上述方法实施例中的内容均适用于本装置实施例中，本装置实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器201可执行的程序，处理器201可执行的程序在由处理器201执行时用于执行上述的装置。
同理，上述方法实施例中的内容均适用于本计算机可读存储介质实施例中，本计算机可读存储介质实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
在一些可选择的实施例中，在方框图中提到的功能/操作可以不按照操作示图提到的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/操作，连续示出的两个方框实际上可以被大体上同时地执行或方框有时能以相反顺序被执行。此外，在本申请的流程图中所呈现和描述的实施例以示例的方式被提供，目的在于提供对技术更全面的理解。所公开的方法不限于本文所呈现的操作和逻辑流程。可选择的实施例是可预期的，其中各种操作的顺序被改变以及其中被描述为较大操作的一部分的子操作被独立地执行。
此外，虽然在功能性模块的背景下描述了本申请，但应当理解的是，除非另有相反说明，功能和/或特征中的一个或多个可以被集成在单个物理装置和/或软件模块中，或者一个或多个功能和/或特征可以在单独的物理装置或软件模块中被实现。还可以理解的是，有关每个模块的实际实现的详细讨论对于理解本申请是不必要的。更确切地说，考虑到在本文中公开的装置中各种功能模块的属性、功能和内部关系的情况下，在工程师的常规技术内将会了解该模块的实际实现。因此，本领域技术人员运用普通技术就能够在无需过度试验的情况下实现在权利要求书中所阐明的本申请。还可以理解的是，所公开的特定概念仅仅是说明性的，并不意在限制本申请的范围，本申请的范围由所附权利要求书及其等同方案的全部范围来决定。
功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
在本说明书的上述描述中，参考术语“一个实施方式/实施例”、“另一实施方式/实施例”或“某些实施方式/实施例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本申请的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。
以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (8)

1.一种IGBT过温保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
检测IGBT模组的壳温；
根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护；
其中，所述关系模型具体为：
Figure FDA0003933711840000011
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型，包括：
对所述热阻抗和所述损耗做一阶处理；
确定所述IGBT模组的瞬态损耗和单位冲击响应；
根据所述瞬态损耗和所述单位冲击响应，建立所述关系模型。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温，包括：
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组当前时刻的内外温差；
根据所述IGBT模组当前时刻的壳温和所述内外温差，确定所述IGBT模组当前时刻的所述结温。
4.一种IGBT过温保护系统，其特征在于，包括：
壳温检测模块，用于检测IGBT模组的壳温；
热阻抗处理模块，用于根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；
关系模型建立模块，用于根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；
结温确定模块，用于根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；
过温保护模块，用于当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护；
其中，所述关系模型具体为：
Figure FDA0003933711840000021
式中，Tjc(t)为所述IGBT模组的内外温差，t为所述IGBT模组的工作时长，K1和K2为数值参数，f0为所述IGBT模组的电流输出频率，T为所述IGBT模组的电流输出周期。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述关系模型建立模块具体用于：
对所述热阻抗和所述损耗做一阶处理；
确定所述IGBT模组的瞬态损耗和单位冲击响应；
根据所述瞬态损耗和所述单位冲击响应，建立所述关系模型。
6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述结温确定模块具体用于：
根据所述关系模型，确定所述IGBT模组当前时刻的内外温差；
根据所述IGBT模组当前时刻的壳温和所述内外温差，确定所述IGBT模组当前时刻的所述结温。
7.一种IGBT过温保护装置，其特征在于，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现如权利要求1-3任一项所述的方法。
8.一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，其特征在于：所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于实现如权利要求1-3中任一项所述的方法。
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