CN112670422A - 显示面板及显示面板的蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的蒸镀方法，包括：第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，发光结构层包括：发光层；电子传输层，设置于发光层背离第一电极的一侧，电子传输层包括多个层叠设置的掺杂层；电子注入层，位于电子传输层背离发光层的一侧；其中，电子传输层具有参考面，参考面位于电子传输层在在显示面板厚度方向上的中部，位于参考面朝向发光层一侧的各掺杂层的能级与其自身至发光层的距离呈正比，位于参考面朝向电子注入层一侧的各掺杂层的能级与其自身至电子注入层的距离呈正比。本发明实施能够降低显示面板的功耗。

Description

显示面板及显示面板的蒸镀方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的蒸镀方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)是主动发光器件。与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display；LCD)显示方式相比，OLED显示技术无需背光灯，具有自发光的特性。OLED采用较薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示面板能够显著节省电能，可以做得更轻更薄，比LCD显示面板耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。OLED显示面板有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
功耗是OLED显示面板的重要指标，功耗等于电压与电流的乘积，对于OLED显示面板而言，降低OLED的特定亮度下的电压可有效减小屏体功耗。掺杂电子传输材料层是常用的降低电压的方法。对于目前量产器件而言，掺杂剂和掺杂主体的掺杂比例随膜厚变化是固定不变的，这种方式并不能将电压下降到最低。
因此，亟需一种新的显示面板及显示面板的蒸镀方法。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的蒸镀方法，旨在降低显示面板的功耗。
本发明第一方面的实施例提供了一种显示面板，包括：第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，发光结构层包括：发光层；电子传输层，设置于发光层背离第一电极的一侧；电子注入层，位于电子传输层背离发光层的一侧；其中，电子传输层包括多个层叠设置的掺杂层，电子传输层具有参考面，参考面位于电子传输层在显示面板厚度方向上的参考面，位于参考面朝向发光层一侧的各掺杂层的能级与其自身至发光层的距离呈正比，位于参考面朝向电子注入层一侧的各掺杂层的能级与其自身至电子注入层的距离呈正比。
根据本发明第一方面的实施方式，多个层叠设置的掺杂层包括第一掺杂层、位于第一掺杂层背离发光层一侧的第二掺杂层和位于第二掺杂层背离第一掺杂层一侧的第三掺杂层，参考面位于第二掺杂层，第二掺杂层的能级大于第一掺杂层及第三掺杂层的能级。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，发光结构层还包括空穴阻挡层，第一掺杂层位于空穴阻挡层和第二掺杂层之间，第三掺杂层位于第二掺杂层和电子注入层之间。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层和第三掺杂层的材料至少包括第二材料，第二掺杂层由第二材料和第一材料掺杂形成，第一材料的能级大于第二材料的能级。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一材料的电子迁移率大于第二材料的电子迁移率。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一材料的电子迁移率为9*10-4cm2/Vs～1*10-5cm2/Vs，第二材料的电子迁移率在9*10-6cm2/Vs～1*10-7cm2/Vs。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层和第三掺杂层的材料包括第二材料和第一材料；
第一掺杂层中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例，第二掺杂层中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，第三掺杂层中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层中第一材料和第二材料的掺杂比例与第三掺杂层中第一材料和第二材料的掺杂比例相同。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层中第一材料的掺杂比例小于第二掺杂层中第一材料的掺杂比例；
和/或，第三掺杂层中第一材料的掺杂比例小于第二掺杂层中第一材料的掺杂比例。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层和第三掺杂层中第一材料和第二材料的掺杂比例为1:9～3.5:6.5，第二掺杂层中第一材料和第二材料的掺杂比例为6.5:3.5～9:1。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二掺杂层的厚度为18nm～30nm。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一掺杂层的厚度为1nm～5nm。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第三掺杂层的厚度为1nm～5nm。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一材料最低未占分子轨道能级为-1.0eV～-3.0eV；第二材料最低未占分子轨道能级小于或等于3eV。
本发明第二方面的实施例提供了一种显示面板的蒸镀方法，包括：
将待蒸镀基板设置于承载台，
将第一材料设置于第一蒸镀舱，将第二材料设置于第二蒸镀舱，第一蒸镀舱和第二蒸镀舱沿第二方向分布，且第一蒸镀舱、第二蒸镀舱与承载台沿第一方向间隔分布，第一蒸镀舱的第一开口和第二蒸镀舱的第二开口均朝向待蒸镀基板，第一材料的能级大于第二材料的能级；
驱动第一蒸镀舱和第二蒸镀舱由第一位置沿第二方向移动至第二位置，待蒸镀基板具有在第二方向上的预设中心，预设中心沿着第一方向延伸形成与待蒸镀基板垂直的虚拟连线，第一开口与预设中心的连线与虚拟连线之间构成第一夹角，第二开口与预设中心的连线与竖直方向之间构成第二夹角，在第一位置，第一夹角大于第二夹角，在第二位置，第一夹角小于第二夹角。
根据本发明第二方面的实施方式，进一步还包括：驱动第一蒸镀舱和第二蒸镀舱由第二位置移动至第一位置。
本发明第三方面的实施例提供了一种显示面板的蒸镀方法，包括：
将待蒸镀基板设置于承载台；
将第一材料设置于第一蒸镀舱，将第二材料设置于第二蒸镀舱，第一蒸镀舱、第二蒸镀舱与承载台沿第一方向间隔分布，第一蒸镀舱的第一开口和第二蒸镀舱的第二开口均朝向待蒸镀基板，第一材料的能级大于第二材料的能级；
驱动第一蒸镀舱和第二蒸镀舱由第三位置沿第二方向移动至第四位置，且第一蒸镀舱的第一蒸镀速率和第二蒸镀舱的第二蒸镀速率不同，以在待蒸镀基板上依次蒸镀形成第一掺杂层和第二掺杂层，且第一掺杂层中第一材料的掺杂比例小于第二材料的掺杂比例，第二掺杂层中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，第一掺杂层的能级小于第二掺杂层的能级。
在本发明实施例的显示面板中，显示面板包括第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，通过第一电极和第二电极的作用，使得发光结构层能够发光。发光结构层包括发光层、电子传输层和电子注入层，电子传输层包括多个掺杂层。在电子传输层朝向发光层的方向上，掺杂层的能级与其自身至发光层的距离呈正比，即越靠近发光层，掺杂层的能级越低，能够降低电子由电子传输层注入发光层的注入势垒，减小电子传输造成的电压升高，进而降低显示面板发光所需要的电压。在电子传输层朝向电子注入层的方向上，掺杂层的能级与其自身至电子注入层的距离呈正比，即越靠近电子注入层，掺杂层的能级越低，能够降低电子由电子注入层注入电子传输层的注入势垒，减小电子传输造成的电压升高，进而降低显示面板发光所需要的电压。因此本发明实施能够降低显示面板的功耗。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1是本发明第一方面实施例提供的一种显示面板的局部剖视图；
图2是本发明第一方面实施例提供的一种显示面板的电子传输层的结构示意图；
图3是本发明第一方面另一实施例提供的一种显示面板的电子传输层的结构示意图；
图4是根据实施例1测得的显示面板的电流密度-电压曲线图；
图5是根据实施例1测得的显示面板的亮度衰减曲线图；
图6是根据对比例1测得的显示面板的电流密度-电压曲线图
图7是根据对比例1测得的显示面板的亮度衰减曲线图；
图8是本发明第二方面实施例提供的一种显示面板的蒸镀方法流程图；
图9是使用本发明第二方面实施例的蒸镀方法进行蒸镀时蒸镀装置的使用状态示意图；
图10是本发明第二方面另一实施例提供的一种显示面板的蒸镀方法流程图；
图11是本发明第三方面实施例提供的一种显示面板的蒸镀方法流程图；
图12是一种蒸镀速率下测得的待蒸镀基板上不同厚度位置的第一材料和第二材料的掺杂比例曲线图；
图13是另一种蒸镀速率下测得的待蒸镀基板上不同厚度位置的第一材料和第二材料的掺杂比例曲线图。
附图标记说明：
10、显示面板；
100、第一电极；
200、发光结构层；210、空穴注入层；220、空穴传输层；230、电子阻挡层；240、发光层；250、空穴阻挡层；260、电子传输层；260a、掺杂层；261、第一掺杂层；262、第二掺杂层；263、第三掺杂层；264、第四掺杂层；265、第五掺杂层；270、电子注入层；
300、第二电极；
400、光取出层；
500、封装层；
20、蒸镀装置；21、第一蒸镀舱；21a第一开口；22、第二蒸镀舱；22a、第二开口；23、待蒸镀基板。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
为了更好地理解本发明，下面结合图1至图13对本发明实施例的显示面板及显示面板的蒸镀方法进行详细描述。
图1为本发明第一方面实施例提供的一种显示面板10的局部剖视图。
根据本发明第一方面实施例提供的显示面板10，显示面板10包括：第一电极100、第二电极300及位于第一电极100和第二电极300之间的发光结构层200，发光结构层200包括：发光层240；电子传输层260，设置于发光层240背离第一电极100的一侧；电子注入层270，位于电子传输层260背离发光层240的一侧；其中，电子传输层260包括多个层叠设置的掺杂层260a，电子传输层260具有参考面Q’，参考面Q’位于电子传输层260在显示面板10厚度方向(图1中的Z方向)上的中部，位于参考面Q’朝向发光层240一侧的各掺杂层260a的能级与其自身至发光层240的距离呈正比，位于参考面Q’朝向电子注入层270一侧的各掺杂层260a的能级与其自身至电子注入层270的距离呈正比。
图1中以点划线示出参考面Q’的位置，点划线并不构成对本发明第一方面实施例提供的显示面板10结构上的限定。参考面Q’也不是电子传输层260上所具有的具体结构，为了更加清楚的表述本发明的发明点，以参考面Q’作为基准描述不同位置的掺杂层260的能级。
本文中所称的能级为最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied MolecularOrbital；LUMO)能级。
在本发明实施例的显示面板10中，显示面板10包括第一电极100、第二电极300及位于第一电极100和第二电极300之间的发光结构层200，通过第一电极100和第二电极300的作用，使得发光结构层200能够发光。发光结构层200包括发光层240、电子传输层260和电子注入层270，电子传输层260包括N个掺杂层260a。
在本申请中，在电子传输层260朝向发光层240的方向上，掺杂层260a的能级与其自身至发光层240的距离呈正比，即越靠近发光层240，掺杂层260a的能级越低，能够降低电子由电子传输层260注入发光层240的注入势垒，减小电子传输造成的电压升高，进而降低显示面板10发光所需要的电压。
在电子传输层260朝向电子注入层270的方向上，掺杂层260a的能级与其自身至电子注入层270的距离呈正比，即越靠近电子注入层270，掺杂层260a的能级越低，能够降低电子由电子注入层270注入电子传输层260的注入势垒，减小电子传输造成的电压升高，进而降低显示面板10发光所需要的电压。
综上，本发明实施例的显示面板10能够降低达到目标亮度所需电压，进而降低显示面板10的功耗。
发光结构层200的设置方式有多种，可选的，发光结构层200还包括设置于电子传输层260和发光层240之间的空穴阻挡层250，及在第一电极100至发光层240方向上一侧层叠设置的空穴注入层210、空穴传输层220和电子阻挡层230。显示面板10例如还包括设置于第二电极300背离发光结构层200一侧的光取出层400和封装层500等。
掺杂层260a的个数有多种，本发明第一方面的实施例以掺杂层260a为3个进行举例说明。
请一并参阅图2，图2示出本发明第一方面实施例提供的显示面板10的电子传输层260的结构示意图。
在一些可选的实施例中，多个层叠设置的掺杂层260a包括第一掺杂层261、位于第一掺杂层261背离发光层240一侧的第二掺杂层262和位于第二掺杂层262背离第一掺杂层261一侧的第三掺杂层263，第二掺杂层262的能级大于第一掺杂层261及第三掺杂层263的能级。可选的，当第二掺杂层262靠近传输层260在厚度方向上的中部设置时，参考面Q’可以位于第二掺杂层262。
在这些可选的实施例中，第一掺杂层261的能级小于第二掺杂层262的能级，能够降低电子由电子传输层260注入发光层240的电子注入势垒并且减小电子传输造成的电压升高；第三掺杂层263的能级小于第二掺杂层262的能级，能够降低电子由电子注入层270注入电子传输层260的电子注入势垒并且减小电子传输造成的电压升高。
第一掺杂层261中不同厚度位置的能级可以相同或不同，例如在参考面Q’至发光层240的方向上，第一掺杂层261的能级逐渐减小，以进一步减小电子注入势垒。
第三掺杂层263中，不同厚度位置的能级可以相同或不同，例如在参考面Q’至电子注入层270的方向上，第三掺杂层263的能级逐渐减小，以进一步减小电子注入势垒。
第二掺杂层262中，不同厚度位置的能级可以相同或不同，例如以参考面Q’为界限，在参考面Q’至发光层240的方向上，第二掺杂层262的能级逐渐减小，在参考面Q’至电子注入层270的方向上，第二掺杂层262的能级逐渐减小，以进一步减小电子注入势垒。
可选的，在整个电子传输层260中，以参考面Q’为界限，在参考面Q’至发光层240的方向上，电子传输层260的能级逐渐减小，在参考面Q’至电子注入层270的方向上，电子传输层260的能级逐渐减小。
请一并参阅图3，图3示出本发明第一方面另一实施例提供的一种显示面板10的电子传输层260的结构示意图。
在另一些实施例中，掺杂层260a例如还包括位于第一掺杂层261背离第二掺杂层262一侧的第四掺杂层264，第四掺杂层264的能级小于第一掺杂层261的能级，进一步降低电子由电子传输层260注入发光层240的电子注入势垒。
掺杂层260a例如还包括位于第三掺杂层263背离第二掺杂层262一侧的第五掺杂层265，第五掺杂层265的能级小于第三掺杂层263的能级，进一步降低电子由电子注入层270注入电子传输层260的电子注入势垒。
可选的，降低掺杂层260a的能级的方式有多种，例如可以在低能级的掺杂层260a中掺杂能级较低的材料，以降低掺杂层260a的能级。或者在高能级的掺杂层260a中掺杂能级较高的材料，以升高掺杂层260a的能级。
在一些可选的实施例中，第一掺杂层261和第三掺杂层263的材料至少包括第二材料，第二掺杂层262由第二材料和第一材料掺杂形成，第一材料的能级大于第二材料的能级。
在这些可选的实施例中，通过在第二掺杂层262中掺杂能级较大的第一材料，能够升高第二掺杂层262的能级，使得第一掺杂层261的能级小于第二掺杂层262的能级。
在一些实施例中，第一材料的电子迁移率大于第二材料的电子迁移率。那么在第二掺杂层262中掺杂第一材料能够提高第二掺杂层262的电子迁移率，能够提高整个膜层的电子迁移率，提高发光效率。
第一材料的电子迁移率例如为9*10-4cm2/Vs～1*10-5cm2/Vs；第二材料的电子迁移率为9*10-6cm2/Vs～1*10-7cm2/Vs；
第一材料的LUMO能级例如为-1.0eV～-3.0eV；第二材料的LUMO能级小于或等于3eV。
第一材料包括TmPyPb、3TPYMPB中的至少一者，第二材料包括8-羟基喹啉锂等。
在一些实施例中，还可以在第一掺杂层261和第三掺杂层263中掺杂第一材料以升高第一掺杂层261和第三掺杂层263的电子迁移率。
可选的，第一掺杂层261和第三掺杂层263的材料包括第二材料和第一材料；第一掺杂层261中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例，第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，第三掺杂层263中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例。
在这些可选的实施例中，第一掺杂层261中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例，第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，在提高第一掺杂层261的电子迁移率的前提下，降低第一掺杂层261的能级，使得第一掺杂层261的能级小于第二掺杂层262的能级。第三掺杂层263中第二材料的掺杂比例大于第一材料的掺杂比例，在提高第三掺杂层263的电子迁移率的前提下，降低第三掺杂层263的能级，使得第三掺杂层263的能级小于第二掺杂层262的能级。
可选的，第一掺杂层261中第一材料的掺杂比例小于第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例，能够进一步降低第一掺杂层261的能级，提高第二掺杂层262的电子迁移率。
可选的，第三掺杂层263中第一材料的掺杂比例小于第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例，能够进一步降低第三掺杂层263的能级，提高第二掺杂层262的电子迁移率。
可选的，第一掺杂层261中第一材料和第二材料的掺杂比例小于1，可选的，第一掺杂层261中第一材料和第二材料的掺杂比例为1:9～3.5:6.5。例如第一掺杂层261中第一材料和第二材料的掺杂比例的比例为1:9、2:8、3:7、4:6或者3.5:6.5等。
可选的，第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例大于1。可选的，第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例为6.5:3.5～9:1。例如第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例为9:1、8:2、7:3、6:4或者6.5:3.5等。
可选的，第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例小于1。可选的，第一掺杂层261中第一材料和第二材料的掺杂比例为1:9～3.5:6.5。例如第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例2:8、3:7、4:6或者3.5:6.5等。
第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例可以相同或不同。可选的，第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例相同，令第一掺杂层261和第三掺杂层263可以利用相同的工艺参数和工艺步骤制备成型，能够降低显示面板10的制备工艺难度，提高显示面板10的制备效率。
第二掺杂层262的厚度为18nm～30nm；
优选的，第一掺杂层261的厚度为1nm-5nm；
优选的，第三掺杂层263的厚度为1nm-5nm。
实施例1
为了验证本方案，设计了如下方案，掺杂层260a包括第一掺杂层261、第二掺杂层262和第三掺杂层263，第一掺杂层261、第二掺杂层262和第三掺杂层263均有第一材料和第二材料掺杂形成。保持第一掺杂层261、第三掺杂层263中第一材料和第二材料的比例为4:6，第一掺杂层261和第三掺杂层263的厚度为
Figure BDA0002818207670000111
第二掺杂层262的厚度为
Figure BDA0002818207670000112
令第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例由10:2到2:8之间变化，并以第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例为4:6的功率作为基础功率进行比较，获取显示面板10发光亮度为733nit下的各电流、电压和亮度等参数的数据如下：
Figure BDA0002818207670000121
其中，ET1：ET2为第一材料和第二材料的比例，电压为达到目标亮度所需要的电压，电流为达到目标亮度时的电流。CIE-x和CIE-y是发光的子像素颜色的色坐标，BI为蓝光指数，P为达到目标亮度时的功耗，±P是与第一材料和第二材料比为4:6时产生的功耗的比较值。
根据上述数据表格可以看出：
1)第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例缩小至2:8时显示面板10的发光电压急剧上升，且未达到目标亮度。
2)随着第二掺杂层262中第一材料的比例提升，显示面板10的电压有一定程度下降，其中第一材料和第二材料的比例为7:3和5:5降低最大，降低约0.4V，而效率下降并不明显。而当第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例为10:0时，显示面板10的电压反而上升至6.78V，并且效率大幅下降至0.00824W。
3)通过电压与电流乘积计算显示面板10的功耗可得，当第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在5:5-8:2之间，功耗均有下降，其中第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在7:3时功耗下降最为明显，功耗下降达5.5％。
请一并参阅图4，图4示出根据实施例1测得的显示面板10的电流密度-电压曲线图。
从电流密度-电压曲线图上可以看出，当第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在5:5～9:1之间时，电流密度明显大于第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例为4:6时的电流密度。而第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在10:0和2:8时，电流密度急剧减小，从而电压快速上升，甚至无法到达目标亮度。
请一并参阅5，图5为根据实施例1显示面板10测得的亮度衰减曲线图。初始亮度为733nits。
通过图5可以看出，看到当第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在7:3时的亮度衰减与第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在4:6时的亮度衰减几乎一致。即将第二掺杂层262张工第一材料和第二材料的比例由4:6调整为7:3时对第二掺杂层262的寿命影响非常有限。而当第二掺杂层262中第一材料和第二材料的为其他比例时，第二掺杂层262的衰减速度上升，即第二掺杂层262的寿命有所下降。
对比例1
以第二掺杂层262中第一材料和第二材料的比例在7:3，并以第一掺杂层261和第三掺杂层263中掺杂比例不同进行对比试验，结果如下：
ET1:ET2 电压(V) 电流(mA) CIE-x CIE-y BI P(mW) ±P(％)
7:3+7:3+7:3 4.05 1.568 0.139 0.049 141.32 6.35 100％
2:8+7:3+2:8 3.93 1.548 0.140 0.047 148.75 6.08 -4.3％
其中，第一组数据表示第一掺杂层261、第二掺杂层262和第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例均为7:3时得到的检测结果。第二组数据表示第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例均为2:8，第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例均为7:3时得到的检测结果。
由上表可知，第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料的掺杂比例均为2:8时显示面板10的功耗较低。
请一并参阅图6，图6示出根据对比例1测得的显示面板10的电流密度-电压曲线图。
从对比例1的电流密度-电压曲线图上可以看出，当第一掺杂层261和第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例为2:8后，电流密度上升，在目标亮度下显示面板10电压下降0.12V，推算显示面板10的功耗下降4.3％。
请一并参阅图7，图7为根据对比例1的显示面板10测得的亮度衰减示意图。初始亮度为733nits。
由亮度衰减曲线图可以看出，当第一掺杂层261和第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例为2:8后，显示面板10的器件寿命有一定的提升。
请一并参阅图8和图9，图8示出本发明第二方面实施例提供的一种显示面板10的蒸镀方法流程图。请一并参阅图9，图9示出使用本发明第二方面实施例的蒸镀方法进行蒸镀时蒸镀装置20的使用状态示意图。
根据本发明第二方面提供的实施例，显示面板10的蒸镀方法包括：
步骤S01：将待蒸镀基板30设置于承载台。
步骤S02：将第一材料设置于第一蒸镀舱21，将第二材料设置于第二蒸镀舱22。
其中，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22沿第二方向(图9中的X方向)分布，且第一蒸镀舱21、第二蒸镀舱22与承载台沿第一方向(图9中的Y方向)间隔分布，第一蒸镀舱21的第一开口21a和第二蒸镀舱22的第二开口22a均朝向待蒸镀基板30，第一材料的能级大于第二材料的能级。
步骤S03：驱动第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第一位置沿第二方向移动至第二位置。
待蒸镀基板30具有在第二方向上的预设中心，预设中心沿着第一方向延伸形成与待蒸镀基板30垂直的虚拟连线，第一开口21a与预设中心的连线与虚拟连线之间构成第一夹角O1，第二开口22a与预设中心的连线与竖直方向之间构成第二夹角O2，在第一位置，第一夹角O1大于第二夹角O2，在第二位置，第一夹角O1小于第二夹角O2。图9中以实线示意出第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22位于第一位置时的使用状态图，以虚线示意出第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22位于第二位置时的使用状态图。
在本发明第二方面实施例提供的显示面板10的蒸镀方法中，首先将待蒸镀基板30设置于承载台。然后将第一材料设置于第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22，由于第一开口21a和第二开口22a均朝向待蒸镀基板30，使得第一材料能够由第一开口21a蒸镀于待蒸镀基板30上，第二材料能够由第二开口22a蒸镀于待蒸镀基板30上。最后驱动第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第一位置移动至第二位置。
在第一位置，第一夹角O1大于第二夹角O2，即第一开口21a与待蒸镀基板30的距离大于第二开口22a与待蒸镀基板30之间的距离。因此在第一位置开始蒸镀时，待蒸镀基板30上的第二材料的蒸镀量大于第一材料的蒸镀量。
在第二位置，第一夹角O1小于第二夹角O2，即第一开口21a与待蒸镀基板30的距离小于第二开口22a与待蒸镀基板30之间的距离。在第二位置时，待蒸镀基板30上的第一材料的蒸镀量大于第二材料的蒸镀量。
因此，通过本发明显示面板10的蒸镀方法蒸镀的待蒸镀基板30，在蒸镀过程中可以形成掺杂材料相同，但是材料的掺杂比例不同的层结构。
例如，使用本发明第二方面实施例的蒸镀方法蒸镀本发明第一方面实施例的显示面板10的电子传输层260的过程中，可以形成不同的掺杂层260a，且不同掺杂层260a中第一材料和第二材料的掺杂比例不同。
在一些可选的实施例中，步骤S03之后进一步还包括步骤S04：驱动第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第二位置移动至第一位置。在这些实施例中，可以继续蒸镀形成掺杂材料相同，但是材料的掺杂比例不同的层结构。
可选的，第一位置和第二位置关于预设中心对称分布，使得由第一位置移动至第二位置蒸镀的第一材料和第二材料的蒸镀量、材料比例与由第二位置移动至第一位置蒸镀的第一材料和第二材料的蒸镀量、材料比例相同。
请一并参阅图10，下面以本发明第二方面实施例提供的显示面板10的蒸镀方法，蒸镀形成图1和图2提供的显示面板10，进行举例说明。
步骤S01’：在基板上蒸镀形成第一电极100。
步骤S02’：在第一电极100上蒸镀形成发光结构层200中的发光层240。
可选的，在步骤S02’之前还可以在第一电极100上蒸镀形成发光结构层200中的空穴注入层210、空穴传输层220和电子阻挡层230等层结构。在步骤S02’之后还可以在发光层240上蒸镀形成空穴阻挡层250等层结构。
步骤S03’：将第一材料设置于第一蒸镀舱21，将第二材料设置于第二蒸镀舱22。
步骤S04’：第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第一位置移动至第二位置。
在第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第一位置移动至第二位置的过程中，在起始阶段，第一夹角O1大于第二夹角O2，第一材料的蒸镀量小于第二材料的蒸镀量，能够形成第一掺杂层261。当第一夹角O1和第二夹角O2相等时，第一掺杂层261蒸镀结束。当第一夹角O1小于第二夹角O2时，开始蒸镀第二掺杂层262。
步骤S05’：令第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第二位置移动至第一位置。
在第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第二位置移动至第一位置的过程中，在起始阶段，第一夹角O1小于第二夹角O2，第一材料的蒸镀量大于第二材料的蒸镀量，能够继续形成第二掺杂层262。当第一夹角O1和第二夹角O2相等时，第二掺杂层262蒸镀结束。当第一夹角O1大于第二夹角O2时，开始蒸镀第三掺杂层263。最后当第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22移动至第一位置时，第三掺杂层263蒸镀完毕。
步骤S06’：在第三掺杂层263上形成电子注入层270。
在步骤S03’至步骤S05’中使用本发明第二方面实施例提供的蒸镀方法蒸镀形成电子传输层260时，可以蒸镀形成第一掺杂层261、第二掺杂层262和第三掺杂层263，且第一掺杂层261中第一材料的掺杂比例小于第二材料的掺杂比例，使得第一掺杂层261的能级较低，第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，第二掺杂层262的电子迁移率较高，第一掺杂层261的能级小于第二掺杂层262的能级。同理，第三掺杂层263的能级小于第二掺杂层262的能级。
此外，在通过本发明第二方面实施例提供的蒸镀方法蒸镀形成电子传输层260时，以电子传输层260在厚度方向上的参考面Q’为界限，在参考面Q’朝向发光层240的方向上，在参考面Q’至发光层240的方向上，电子传输层260的能级逐渐减小，在参考面Q’至电子注入层270的方向上，电子传输层260的能级逐渐减小，能够进一步减小电子注入势垒，降低显示面板10的功耗。
请一并参阅图11，图11示出本发明第三方面实施例提供的一种显示面板10的蒸镀方法流程图。本发明第三方面实施例提供的显示面板10的蒸镀方法可以使用图9所示的蒸镀装置20。
本发明第三方面还提供一种显示面板的蒸镀方法，包括：
步骤S1：将待蒸镀基板30设置于承载台。
步骤S2：将第一材料设置于第一蒸镀舱21，将第二材料设置于第二蒸镀舱22。
第一蒸镀舱21、第二蒸镀舱22与承载台沿第一方向(图9中的Y方向)间隔分布，第一蒸镀舱21的第一开口21a和第二蒸镀舱22的第二开口22a均朝向待蒸镀基板30，第一材料的能级大于第二材料的能级。
在本发明实施例提供的蒸镀方法中，如图9所示，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22可以沿第二方向(图9中的X方向)分布。或者，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22可以并排设置。对第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的初始设置位置没有要求。
步骤S3：驱动第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第三位置沿第二方向移动至第四位置，且第一蒸镀舱21的第一蒸镀速率和第二蒸镀舱22的第二蒸镀速率不同。
第一蒸镀舱21的第一蒸镀速率是指在第一蒸镀舱21移动过程中，由第一开口21a蒸出的第一材料的量，或者第一蒸镀舱21的第一蒸镀速率是指在第一蒸镀舱21移动过程中，第一材料蒸镀于待蒸镀基板23上的量。
同理，第二蒸镀舱22的第二蒸镀速率是指在第二蒸镀舱22移动过程中，由第一开口22a蒸出的第二材料的量，或者第二蒸镀舱22的第二蒸镀速率是指在第二蒸镀舱22移动过程中，第二材料蒸镀于待蒸镀基板23上的量。
第一蒸镀舱21的第一蒸镀速率和第二蒸镀舱22的第二蒸镀速率不同，第一材料和第二材料在待蒸镀基板23上的蒸镀量不同。以使能够在待蒸镀基板23上依次蒸镀形成第一掺杂层261和靠近第一掺杂层261的一半第二掺杂层262，且第一掺杂层261中第一材料的掺杂比例小于第二材料的掺杂比例，第二掺杂层262中第一材料的掺杂比例大于第二材料的掺杂比例，第一掺杂层261的能级小于第二掺杂层262的能级。
在第三位置，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的相对位置设置方式有多种，例如第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22可以按照上述的第一位置进行布置，令O1大于O2。在另一些实施例中，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22可以并排设置，即O1等于O2。或者，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22可以按照与第一位置相反的方式进行布置，即O1小于O2。在第四位置，O1和O2的大小也不做限定，O1可以大于O2，或者，O1可以等于O2，或者，O1可以小于O2。只要能够蒸镀形成第一掺杂层261和一半第二掺杂层262即可。
在另一些实施例中，步骤S3之后还包括步骤S4：驱动第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第四位置移动至第三位置。以形成另一半第二掺杂层262和第三掺杂层263。
在本发明第三方面实施例提供的显示面板10蒸镀方法中，通过合理调节第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率，能够形成能级不同的两个掺杂层260。
在又一些可选的实施例中，可以将上述第三方面的实施例和第二方方面的实施例进行结合。例如在本发明第二方面实施例提供的蒸镀方法中，通过合理调节第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率，可以蒸镀形成不同比例的掺杂层260a。第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率可以相同或不同，第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率可以相互独立控制。
下面分别以第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率比为7:3和4:6，令第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22由第一位置移动至第二位置，并由第二位置移动至第一位置进行蒸镀。
请一并参阅图12和图13，图12示意出当第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率比为7:3时，测得的待蒸镀基板30上不同厚度位置的第一材料和第二材料的掺杂比例曲线图。图13示意出当第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率比为4:6时，测得的待蒸镀基板30上不同厚度位置的第一材料和第二材料的掺杂比例曲线图。
图12和图13中横坐标表示不同厚度位置。假设第一掺杂层261和第三掺杂层263的厚度为
Figure BDA0002818207670000191
第二掺杂层262的厚度为
Figure BDA0002818207670000194
则厚度值为
Figure BDA0002818207670000193
的为第一掺杂层261，
Figure BDA0002818207670000192
为第二掺杂层262，
Figure BDA0002818207670000195
到
Figure BDA0002818207670000196
为第三掺杂层263。由图12和图13可以看出：
1)当第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22以蒸镀速率比7:3进行蒸镀时，第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料掺杂比例约为5:5，第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例约为9:1。
2)当第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22以蒸镀速率比4:6进行蒸镀时，第一掺杂层261和第三掺杂层263中第一材料和第二材料掺杂比例约为2:8，第二掺杂层262中第一材料和第二材料的掺杂比例约为6.5:3.5。
因此可以得知，通过改变第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的蒸镀速率可调整第一材料和第二材料的掺杂比例。
在另一些实施例中，还可以改变在第一位置和/或第二位置的第一蒸镀舱21和第二蒸镀舱22的间距以改变第一材料和第二材料的掺杂比例。
虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：第一电极、第二电极及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构层，所述发光结构层包括：
发光层；
电子传输层，设置于所述发光层背离所述第一电极的一侧；
电子注入层，位于所述电子传输层背离所述发光层的一侧；
其中，所述电子传输层包括多个层叠设置的掺杂层，且所述电子传输层具有参考面，所述参考面位于所述电子传输层在所述显示面板厚度方向上的中部，位于所述参考面朝向所述发光层一侧的各所述掺杂层的能级与其自身至所述发光层的距离呈正比，位于所述参考面朝向所述电子注入层一侧的各所述掺杂层的能级与其自身至所述电子注入层的距离呈正比。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个层叠设置的所述掺杂层包括第一掺杂层、位于所述第一掺杂层背离所述发光层一侧的第二掺杂层和位于所述第二掺杂层背离所述第一掺杂层一侧的第三掺杂层，所述第二掺杂层的能级大于所述第一掺杂层及所述第三掺杂层的能级；
优选的，所述发光结构层还包括空穴阻挡层，所述第一掺杂层位于所述空穴阻挡层和所述第二掺杂层之间，所述第三掺杂层位于所述第二掺杂层和所述电子注入层之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第三掺杂层的材料至少包括第二材料，所述第二掺杂层由所述第二材料和第一材料掺杂形成，所述第一材料的能级大于所述第二材料的能级；
优选的，所述第一材料的电子迁移率大于第二材料的电子迁移率；
优选的，所述第一材料的电子迁移率为9*10-4cm2/Vs～1*10-5cm2/Vs，所述第二材料的电子迁移率为9*10-6cm2/Vs～1*10-7cm2/Vs。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第三掺杂层的材料包括第二材料和第一材料；
所述第一掺杂层中所述第二材料的掺杂比例大于所述第一材料的掺杂比例，所述第二掺杂层中所述第一材料的掺杂比例大于所述第二材料的掺杂比例，所述第三掺杂层中所述第二材料的掺杂比例大于所述第一材料的掺杂比例；
优选的，所述第一掺杂层中所述第一材料和所述第二材料的掺杂比例与所述第三掺杂层中的所述第一材料和所述第二材料的掺杂比例相同。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一掺杂层中所述第一材料的掺杂比例小于所述第二掺杂层中所述第一材料的掺杂比例；
和/或，所述第三掺杂层中所述第一材料的掺杂比例小于所述第二掺杂层中所述第一材料的掺杂比例；
优选的，所述第一掺杂层和所述第三掺杂层中所述第一材料和所述第二材料的掺杂比例为1:9～3.5:6.5，所述第二掺杂层中所述第一材料和所述第二材料的掺杂比例为6.5:3.5～9:1。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第二掺杂层的厚度为18nm～30nm；
优选的，所述第一掺杂层的厚度为1nm～5nm；
优选的，所述第三掺杂层的厚度为1nm～5nm。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一材料的低未占分子轨道能级为-1.0eV～-3.0eV；所述第二材料的最低未占分子轨道能级小于或等于3eV。
8.一种显示面板的蒸镀方法，其特征在于，包括：
将待蒸镀基板设置于承载台；
将第一材料设置于第一蒸镀舱，将第二材料设置于第二蒸镀舱，所述第一蒸镀舱和所述第二蒸镀舱沿第二方向分布，且所述第一蒸镀舱、所述第二蒸镀舱与所述承载台沿第一方向间隔分布，所述第一蒸镀舱的第一开口和所述第二蒸镀舱的第二开口均朝向所述待蒸镀基板，所述第一材料的能级大于所述第二材料的能级；
驱动所述第一蒸镀舱和所述第二蒸镀舱由第一位置沿所述第二方向移动至第二位置，所述待蒸镀基板具有在所述第二方向上的预设中心，所述预设中心沿着所述第一方向延伸形成与所述待蒸镀基板垂直的虚拟连线，所述第一开口与所述预设中心的连线与所述虚拟连线之间构成第一夹角，所述第二开口与所述预设中心的连线与所述虚拟连线之间构成第二夹角，在所述第一位置，所述第一夹角大于所述第二夹角，在所述第二位置，所述第一夹角小于所述第二夹角。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步还包括：驱动所述第一蒸镀舱和所述第二蒸镀舱由所述第二位置移动至所述第一位置。
10.一种显示面板的蒸镀方法，其特征在于，包括：
将待蒸镀基板设置于承载台；
将第一材料设置于第一蒸镀舱，将第二材料设置于第二蒸镀舱，所述第一蒸镀舱、所述第二蒸镀舱与所述承载台沿第一方向间隔分布，所述第一蒸镀舱的第一开口和所述第二蒸镀舱的第二开口均朝向所述待蒸镀基板，所述第一材料的能级大于所述第二材料的能级；
驱动所述第一蒸镀舱和所述第二蒸镀舱由第三位置沿所述第二方向移动至第四位置，且所述第一蒸镀舱的第一蒸镀速率和所述第二蒸镀舱的第二蒸镀速率不同，以在所述待蒸镀基板上依次蒸镀形成第一掺杂层和第二掺杂层，且所述第一掺杂层中所述第一材料的掺杂比例小于所述第二材料的掺杂比例，所述第二掺杂层中所述第一材料的掺杂比例大于所述第二材料的掺杂比例，所述第一掺杂层的能级小于所述第二掺杂层的能级。
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