CN112670302A

CN112670302A - 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

Info

Publication number: CN112670302A
Application number: CN202011547915.6A
Authority: CN
Inventors: 曾晓岚; 陈榕; 赖国昌
Original assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2020-12-24
Filing date: 2020-12-24
Publication date: 2021-04-16
Anticipated expiration: 2040-12-24
Also published as: CN112670302B

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，阵列基板的显示区包括第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区，第一显示区的光线透过率大于第二显示区的光线透过率，位于第一显示区中的第一扫描线和/或第一数据线包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的材料为金属，第二导电部的材料为透明导电材料；第一导电部覆盖部分第二导电部，或者第二导电部覆盖至少部分第一导电部。通过透明导电材料制作第二导电部提高了第一显示区的光线透过率，通过金属制作第一导电部降低了阻抗，现有技术第一导电部与第二导电部电通过过孔的方式实现电连接，本发明采用覆盖搭接的方式节省了过孔占用的空间，提高了第一显示区中像素开口率。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着人们对电子产品视觉体验性要求的不断提高，近年来全面屏技术成为了显示领域的研究热点之一。

为了达到全面屏的显示效果，越来越多的制造商直接在显示面板上开孔来放置摄像头，由于物理过孔存在无法实现真正100％全面屏，为了实现真正100％全面屏，采用将摄像头设置在屏下，也可实现摄像功能，这些显示面板在摄像头区域保留发光单元，并通过与这些发光单元同行或同列的驱动电路控制位于摄像头区域的发光单元，然而为发光单元传输信号的信号线通常为金属走线，在摄像时信号线的位置遮挡了光线，影响了环境光进入摄像头，影响了摄像头的拍摄效果。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以提高摄像头区域的光线透过率，同时提高摄像头区域的像素开口率。

一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区的光线透过率大于所述第二显示区的光线透过率；

所述阵列基板包括多条沿第一方向延伸第二方向排布的扫描线和多条沿第二方向延伸第一方向排布的数据线，所述扫描线与所述数据线交叉限出子像素区域，所述子像素区域中包括子像素，所述子像素包括位于所述第一显示区中的第一子像素；

所述扫描线包括位于所述第一显示区中的第一扫描线，所述数据线包括位于所述第一显示区中的第一数据线，所述第一扫描线和/或所述第一数据线包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部的材料为金属，所述第二导电部的材料为透明导电材料；

所述第一导电部覆盖部分所述第二导电部，或者所述第二导电部覆盖至少部分所述第一导电部。

另一方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区的光线透过率大于所述第二显示区的光线透过率；所述阵列基板包括多条沿第一方向延伸第二方向排布的扫描线和多条沿第二方向延伸第一方向排布的数据线，所述扫描线与所述数据线交叉限出子像素区域，所述子像素区域中包括子像素以及用于驱动所述子像素的驱动晶体管，所述子像素包括位于所述第一显示区中的第一子像素；所述扫描线包括位于所述第一显示区中的第一扫描线，所述数据线包括位于所述第一显示区中的第一数据线，所述第一扫描线和/或所述第一数据线包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部的材料为金属，所述第二导电部的材料为透明导电材料；

所述制作方法包括形成阵列基板，所述形成阵列基板的过程包括：

形成金属层，对所述金属层进行刻蚀得到第一导电部，然后形成透明导电层，对所述透明导电层进行刻蚀得到第二导电部，所述第二导电部覆盖至少部分所述第一导电部；

或者，形成透明导电层，对所述透明导电层进行刻蚀得到第二导电部，然后形成金属层，对所述金属层进行刻蚀得到第一导电部，所述第一导电部覆盖部分所述第二导电部。

另一方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。

另一方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，所述第一显示区设有图像采集组件，所述图像采集组件位于所述显示面板远离出光面的一侧。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明的阵列基板中，第一显示区的光学透过率大于第二显示区的光学透过率，可将摄像头设置在第一显示区的下方，在保证摄像头正常工作的前提下实现全面屏；另一方面，本发明第一显示区中的第一扫描线和/或第一数据线包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的材料为金属，而第二导电部的材料为透明导电材料，透明导电材料能够进一步提高光线的透过率，改善摄像头的摄像效果；透明导电材料可以采用氧化铟锡，而氧化铟锡的电阻要比金属的电阻大得多，所以与整条第一扫描线和第一数据线均采用透明导电材料相比，将第一扫描线和第一数据线的一部分采用金属材料能够降低阻抗；现有技术中将处于不同膜层的金属与透明导电材料电连接通常采用过孔的方式，而过孔需要占用一定的空间，本发明中第一导电部覆盖部分第二导电部，或者第二导电部覆盖至少部分第一导电部，即第一导电部与第二导电部之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区中的像素开口率。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明提供的阵列基板的一种平面结构示意图；

图2是图1中第一显示区的一种局部放大图；

图3是图2中A-A’向的一种剖面图；

图4是图2中A-A’向的又一种剖面图；

图5是图1中第一显示区的又一种局部放大图；

图6是图5中B-B’向的一种剖面图；

图7是图5中B-B’向的一种剖面图；

图8是图1中第一显示区的又一种局部放大图；

图9是图1中第一显示区的一种局部放大图；

图10是图9中D-D’向的一种剖面图；

图11是图9中D-D’向的又一种剖面图；

图12是图9中E-E’向的一种剖面图；

图13是图9中E-E’向的又一种剖面图；

图14是图1中第一显示区和第二显示区的局部放大图；

图15是图14中F-F’向的一种剖面图；

图16是图14中G-G’向的一种剖面图；

图17是本发明提供的一种阵列基板的制作方法流程图；

图18是制作阵列基板过程中的一种结构图；

图19是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图20是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图21是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图22是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图23是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图24是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图25是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图26是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图27是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图28是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图29是制作阵列基板过程中的又一种结构图；

图30所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构图；

图31所示为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

参照图1、图2和图3，图1是本发明提供的阵列基板的一种平面结构示意图，图2是图1中第一显示区的一种局部放大图，图3是图2中A-A’向的一种剖面图，图4是图2中A-A’向的又一种剖面图，图5是图1中第一显示区的又一种局部放大图，图6是图5中B-B’向的一种剖面图，图7是图5中B-B’向的一种剖面图，图8是图1中第一显示区的又一种局部放大图。

本实施例提供了一种阵列基板100，包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区BB，显示区AA包括第一显示区AA1和至少部分围绕第一显示区AA1的第二显示区AA2，第一显示区AA1的光线透过率大于第二显示区AA2的光线透过率；

阵列基板100包括多条沿第一方向延伸第二方向排布的扫描线S和多条沿第二方向延伸第一方向排布的数据线D，扫描线S与数据线D交叉限出子像素区域PL，子像素区域PL中包括子像素P，子像素P包括位于第一显示区AA1中的第一子像素P1；

扫描线S包括位于第一显示区AA1中的第一扫描线S1，数据线D包括位于第一显示区AA1中的第一数据线D1，第一扫描线S1和/或第一数据线D1包括第一导电部1和第二导电部2，第一导电部1的材料为金属，第二导电部2的材料为透明导电材料；

第一导电部1覆盖部分第二导电部2，或者第二导电部2覆盖至少部分第一导电部1。

需要说明的是，图1仅以矩形阵列基板100为例对阵列基板100进行了示意，在本申请的一些其他实施例中，阵列基板100还可体现为其他形状，例如圆形、椭圆形或异形结构等，而且第一显示区AA1的尺寸也仅为示意，并不代表实际尺寸。图1仅示出了第一显示区AA1在阵列基板100上的一种位置，在本申请的一些其他实施例中，第一显示区AA1还可设置在阵列基板100的其他位置，而且第一显示区AA1的数量还可为两个或多个。此外，图1中还示出了显示区AA还包括第二显示区AA2，图1仅示出了第二显示区AA2全包围第一显示区AA1设置的情形，在本申请的一些其他实施例中，第二显示区AA2还可半包围第一显示区AA1，本申请对此不进行具体限定。图1中第一显示区AA1可设置摄像组件。图中仅分别示出了第一显示区AA1中的第一子像素P1，并不代表第一显示区AA1中所包含的第一子像素P1的实际数量和排布方式，另外也并不代表第一子像素P1的实际尺寸，仅为示例性说明。

本发明中第一显示区AA1的光线透过率大于第二显示区AA2的光线透过率，因此将摄像头设置在第一显示区AA1的下方，能够在保证摄像头正常工作的前提下实现全面屏。

需要说明的是，本发明中的金属可以为钼，当然也可以为其它材料，本发明中的透明导电材料可以为氧化铟锡，当然也可以为其它材料，这里不做具体限定。

图2中仅示出了第一扫描线S1包括第一导电部1和第二导电部2，第一导电部1的材料为金属，第二导电部2的材料为透明导电材料，第一数据线D1的材料为金属的情况，由于第二导电部2的材料为透明导电材料，而透明导电材料能够进一步提高光线的透过率，改善摄像头的摄像效果，另外，透明导电材料可以采用氧化铟锡，而氧化铟锡的电阻要比金属的电阻大得多，所以与整条第一扫描线S1均采用透明导电材料相比，将第一扫描线S1的一部分采用金属材料能够降低阻抗；参照图3和图4，图3中第一导电部1覆盖部分第二导电部2，图4中第二导电部2覆盖了第一导电部1。可以理解的是，图2中还示出了驱动晶体管T以及与驱动晶体管T电连接的像素电极X，图3和图4中还示出了衬底基板00、第一半导体层3和第一栅极绝缘层4，图中未对衬底基板00、第一半导体层3和第一栅极绝缘层4进行图案填充。现有技术中将处于不同膜层的金属与透明导电材料电连接通常采用过孔的方式，而过孔需要占用一定的空间，第一导电部1覆盖部分第二导电部2，或者第二导电部2覆盖第一导电部1，即第一导电部1与第二导电部2之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

图5中仅示出了第一数据线D1包括第一导电部1和第二导电部2，第一导电部1的材料为金属，第二导电部2的材料为透明导电材料，第一扫描线S1的材料为金属的情况，由于第二导电部2的材料为透明导电材料，而透明导电材料能够进一步提高光线的透过率，改善摄像头的摄像效果，另外，透明导电材料可以采用氧化铟锡，而氧化铟锡的电阻要比金属的电阻大得多，所以与整条第一数据线D1均采用透明导电材料相比，将第一数据线D1的一部分采用金属材料能够降低阻抗；图6中第一导电部1覆盖部分第二导电部2，第一导电部1与第二导电部2之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

图7中第二导电部2覆盖第一导电部1，即第一导电部1与第二导电部2之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

另外图2中示出了第一扫描线S1的第二导电部2为一整条，图5中示出了第一数据线D1的第二导电部2为一整条，这样能够防止第二导电部2与其下方(靠近衬底基板一侧)的膜层剥离。

图8中示出了第一扫描线S1和第一数据线D1均包括第一导电部1和第二导电部2，由于第二导电部2的材料为透明导电材料，此时能够进一步提高光线的透过率，改善摄像头的摄像效果；另外，透明导电材料可以采用氧化铟锡，而氧化铟锡的电阻要比金属的电阻大得多，所以与整条第一扫描线S1和第一数据线D1均采用透明导电材料相比，将第一扫描线S1和第一数据线D1的一部分采用金属材料能够降低阻抗。图8的结构中，第一导电部1可以覆盖第二导电部2，也可以第二导电部2覆盖第一导电部1，剖面图可参照图2、图3、图6和图7，这里不做具体限定，由于第一导电部1与第二导电部2之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样就省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

与现有技术相比，本实施例的阵列基板至少具有以下有益效果：

本实施例的阵列基板中，第一显示区AA1的光学透过率大于第二显示区AA2的光学透过率，可将摄像头设置在第一显示区AA1的下方，在保证摄像头正常工作的前提下实现全面屏；另一方面，本实施例的第一显示区AA1中的第一扫描线S1和/或第一数据线D1包括第一导电部1和第二导电部2，第一导电部1的材料为金属，而第二导电部2的材料为透明导电材料，透明导电材料能够进一步提高光线的透过率，改善摄像头的摄像效果；透明导电材料可以采用氧化铟锡，而氧化铟锡的电阻要比金属的电阻大得多，所以与整条第一扫描线S1和第一数据线D1均采用透明导电材料相比，将第一扫描线S1和/或第一数据线D1的一部分采用金属材料能够降低阻抗；现有技术中将处于不同膜层的金属与透明导电材料电连接通常采用过孔的方式，而过孔需要占用一定的空间，本实施例中第一导电部1覆盖部分第二导电部2，或者第二导电部2覆盖至少部分第一导电部1，即第一导电部1与第二导电部2之间不需要过孔电连接，而是通过覆盖搭接的方式实现电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

在一些可选的实施例中，继续参照图2和图8，子像素区域PL中还包括用于驱动子像素P的驱动晶体管T，驱动晶体管T包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，第一扫描线S1的第一导电部1a为第一晶体管T1的第一栅极G1。

可以理解的是，晶体管的栅极的材料需要采用金属，所以将第一扫描线S1的第一导电部1a作为第一晶体管T1的第一栅极G1，这样能够实现第一晶体管T1的开启和关闭。

可以理解的是，通常驱动晶体管T的位置自身需要设置遮光层，因此将金属材料制作的第一导电部1a设置为第一晶体管T1的第一栅极G1，此时对于像素开口率的影响最小。

在一些可选的实施例中，继续参照图5、和图8，子像素区域PL中还包括用于驱动子像素P的驱动晶体管T，驱动晶体管T包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，第一数据线D1的第一导电部1b为第一晶体管T1的第一源极SU1。

可以理解的是，晶体管的源极的材料需要采用金属，所以将第一数据线的第一导电部1b作为第一晶体管T1的第一源极SU1，这样能够通过第一导电部1b传输数据信号。

可以理解的是，通常驱动晶体管T的位置自身需要设置遮光层，因此将金属材料制作的第一导电部1b设置为第一晶体管T1的第一源极SU1，此时对于像素开口率的影响最小。

在一些可选的实施例中，参照图9、图10和图11，图9是图1中第一显示区的一种局部放大图，图10是图9中D-D’向的一种剖面图，图11是图9中D-D’向的又一种剖面图，图12是图9中E-E’向的一种剖面图，图13是图9中E-E’向的又一种剖面图。

第一扫描线S1的第二导电部2a包括多个第二导电部第一子段21，第二导电部第一子段21之间具有第一间隔a1，第一扫描线S1的第一导电部1a覆盖部分第二导电部第一子段21，或者，第二导电部第一子段21覆盖部分第一扫描线S1的第一导电部1a；

第一数据线D1的第二导电部2b包括多个第二导电部第二子段22，第二导电部第二子段22之间具有第二间隔a2，第一数据线D1的第一导电部1b覆盖部分第二导电部第二子段22，或者，第二导电部第二子段22覆盖部分第一数据线D1的第一导电部1b。

参照图9、图10和图11，图9中第一扫描线S1的第二导电部2a包括多个第二导电部第一子段21，第二导电部第一子段21之间具有第一间隔a1，即采用透明导电材料的第二导电部2a是分段的，图10中第一导电部1a覆盖部分第二导电部第一子段21，图11中第二导电部第一子段21覆盖部分第一扫描线S1的第一导电部1a，一方面实现了第二导电部第一子段21与第一导电部1a的搭接，另一方面也减少了第二导电部第一子段21与第一导电部1a的覆盖面积，可以理解的是，采用透明导电材料的第二导电部2a与金属材料的第一导电部1a的覆盖面积越大，那么产生的耦合电容也就越大，而耦合电容越大越不利于子像素的充电，本实施例中，通过将第二导电部2a分段设置，即第二导电部2a包括多个第二导电部第一子段21，且第二导电部第一子段21之间具有第一间隔a1，能够减少第二导电部第一子段21与第一导电部1a的覆盖面积，易于对子像素进行充电，提高显示性能。

参照图9、图12和图13，图9中第一数据线D1的第二导电部2b包括多个第二导电部第二子段22，第二导电部第二子段22之间具有第二间隔a2，即采用透明导电材料的第二导电部2b是分段的，图12第一数据线D1的第一导电部1b覆盖部分第二导电部第二子段22，图13中第二导电部第二子段22覆盖部分第一数据线D1的第一导电部1b，一方面实现了第二导电部第二子段22与第一导电部1b的搭接，另一方面也减少了第二导电部2b与第一导电部1b的覆盖面积，可以理解的是，采用透明导电材料的第二导电部2b与金属材料的第一导电部1b的覆盖面积越大，那么产生的耦合电容也就越大，而耦合电容越大越不利于子像素的充电，本实施例中，通过将第二导电部2b分段设置，即第二导电部2b包括多个第二导电部第二子段22，且第二导电部第二子段22之间具有第一间隔a1，能够减少第二导电部第二子段22与第一导电部1b的覆盖面积，易于对子像素进行充电，提高显示性能。

在一些可选的实施例中，参照图14、图15和图16，图14是图1中第一显示区和第二显示区的局部放大图，图15是图14中F-F’向的一种剖面图，图16是图14中G-G’向的一种剖面图。

扫描线S包括位于第二显示区AA2中的第二扫描线S2，数据线D包括位于第二显示区AA2中的第二数据线D2，第二扫描线S2和第二数据线D2均为金属走线，第二扫描线S2与第一扫描线S1的第一导电部1a同层设置，第二数据线D2与第一数据线D1的第一导电部1b同层设置。

当然，图14中还示出了第二显示区AA2中的具有第二晶体管T2。

参照图15，第一显示区AA1中的第一扫描线S1包括第一导电部1a和第二导电部2a，当然图15中仅以第二导电部2a覆盖第一导电部1a做示意性说明，第一导电部1a与第二显示区AA2中的第二扫描线S2同层设置，这样能够减少工艺制作过程。

参照图16，第一显示区AA1中的第一数据线D1包括第一导电部1b和第二导电部2b，当然图16中仅以第二导电部2b覆盖第一导电部1b做示意性说明，第一导电部1b与第二显示区AA2中的第二数据线D2同层设置，这样能够减少工艺制作过程。

可以理解的是，图16中还示出了第二晶体管T2中的第二栅极G2，第二栅极G2与第一栅极G1同层设置，减少工艺制作过程。

基于同一发明思想，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，参照图17、图18、图19，图17是本发明提供的一种阵列基板的制作方法流程图，图18是制作阵列基板过程中的一种结构图，图19是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

参照图2至图8，本发明提供的阵列基板100包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区BB，显示区AA包括第一显示区AA1和至少部分围绕第一显示区AA1的第二显示区AA2，第一显示区AA1的光线透过率大于第二显示区AA2的光线透过率；阵列基板100包括多条沿第一方向延伸第二方向排布的扫描线S和多条沿第二方向延伸第一方向排布的数据线D，扫描线S与数据线D交叉限出子像素区域PL，子像素区域PL中包括子像素P，子像素P包括位于第一显示区AA1中的第一子像素P1；扫描线S包括位于第一显示区AA1中的第一扫描线S1，数据线D包括位于第一显示区AA1中的第一数据线D1，第一扫描线S1和/或第一数据线D1包括第一导电部1和第二导电部2，第一导电部1的材料为金属，第二导电部2的材料为透明导电材料，这里不再赘述。

本实施例中制作第一扫描线S1和/或第一数据线D1方法包括：

形成金属层，对金属层进行刻蚀得到第一导电部，然后形成透明导电层，对透明导电层进行刻蚀得到第二导电部，第二导电部覆盖至少部分第一导电部；

或者，形成透明导电层，对透明导电层进行刻蚀得到第二导电部，然后形成金属层，对金属层进行刻蚀得到第一导电部，第一导电部覆盖部分第二导电部。

可选的，对金属层进行刻蚀采用干刻的方法，对透明导电层进行刻蚀采用湿刻的方法。

参照图18，图18中先制作第一导电部1，再制作第二导电部2，具体的，先在衬底基板00上形成金属层10，对金属层10进行刻蚀得到第一导电部1，然后形成透明导电层20，对透明导电层20进行刻蚀得到第二导电部2，第二导电部2覆盖至少部分第一导电部1。

参照图19，图19中先制作第二导电部2，再制作第一导电部1，具体的，先在衬底基板00上形成透明导电层20，对透明导电层20进行刻蚀得到第二导电部2，然后形成金属层10，对金属层10进行刻蚀得到第一导电部1，第一导电部1覆盖部分第二导电部2。

制作第一导电部1的过程可以包括清洗、成膜、光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、和去胶的过程。制作第二导电部2的过程也可以包括清洗、成膜、光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、和去胶的过程，当然为了防止过刻，制作第一导电部1可以采用干刻，制作第二导电部2可以采用湿刻。

该制作方法中，无论先制作第一导电部1还是先制作第二导电部2，都是通过覆盖搭接的方式使第一导电部1与第二导电部2电连接，而不是在第一导电部1与第二导电部2之间设置绝缘层再通过过孔的方法使第一导电部1与第二导电部2电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

在一些可选的实施例中，驱动晶体管T包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，参照图20和图21，图20是制作阵列基板过程中的又一种结构图，图21是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

子像素区域PL还包括用于驱动子像素P的驱动晶体管T，驱动晶体管T包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，制作方法还包括：

提供衬底基板00；

在第一晶体管T1的区域中，在衬底基板00上形成第一半导体层3；在第一半导体层3上形成栅极绝缘层4；

在栅极绝缘层4上形成第一金属层101，对第一金属层101进行刻蚀得到第一扫描线S1的第一导电部1a，第一导电部1a为第一晶体管T1的第一栅极G1；然后在栅极绝缘层4上形成第一透明导电层201，对第一透明导电层201进行刻蚀得到第一扫描线的第二导电部2a，第一扫描线的第二导电部2a至少部分覆盖第一扫描线的第一导电部1a；

或者，在栅极绝缘层4上形成第一透明导电层201，对第一透明导电层201进行刻蚀得到第一扫描线的第二导电部2a；然后在栅极绝缘层4上形成第一金属层101，对第一金属层101进行刻蚀得到第一扫描线的第一导电部1a，第一导电部1a为第一晶体管T1的第一栅极G1，第一扫描线的第一导电部1a覆盖部分第一扫描线的第二导电部2a。

在一些可选的实施例中，第一晶体管与第二显示区中的第二晶体管同时制作，第一扫描线S1可以与第二显示区中的第二扫描线同时制作，具体的，第一导电部1a与第二晶体管的栅极同时制作，可以共用一个掩膜版，这样节省制作工艺。

该实施例中，第一显示区中第一数据线的材料可以为金属，当然也可以第一数据线包括第一导电部和第二导电部，这里不对第一数据线的材料做具体限定。

该制作方法中通过覆盖搭接的方式使第一扫描线的第一导电部1a与第二导电部2a电连接，而不是在第一导电部1a与第二导电部2a之间设置绝缘层再通过过孔的方法使第一导电部1a与第二导电部2a电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

在一些可选的实施例中，参照图22和图23，图22是制作阵列基板过程中的又一种结构图，图23是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

在栅极绝缘层4上形成第一透明导电层201，对第一透明导电层201进行刻蚀得到第一扫描线S1的第二导电部2a的步骤包括：在栅极绝缘层4上形成第一透明导电层201，对第一透明导电层201进行刻蚀得到多个第二导电部第一子段21，第一扫描线S1的第二导电部2a包括多个第二导电部第一子段21，第二导电部第一子段21之间具有第一间隔a1。

图22中，第二导电部第一子段21覆盖了部分第一导电部1a，图23中第一导电部1a覆盖了部分第二导电部第一子段21，由此实现第二导电部第一子段21与第一导电部1a的电连接。通过将第二导电部2a制作为分段的结构，能够减少第二导电部第一子段21与第一导电部1a的覆盖面积，易于对子像素进行充电，提高显示性能。

在一些可选的实施例中，参照图24和图25，图24是制作阵列基板过程中的又一种结构图，图25是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

子像素区域PL还包括用于驱动子像素P的驱动晶体管T，驱动晶体管T包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，阵列基板的制作方法还包括：

在第一栅极G1上形成栅极保护层5；

在栅极保护层5上形成多个第一过孔6；

参照图24，在栅极保护层5上沉积第二金属层102，刻蚀第二金属层102形成第一数据线的第一导电部1b，第一数据线的第一导电部1b为第一晶体管T1的第一源极SU1，第一源极SU1通过第一过孔6与第一半导体层3连通；然后在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层202进行刻蚀得到第一数据线的第二导电部2b，第一数据线的第二导电部2b覆盖部分第一数据线的第一导电部1b；当然可以理解的是，第一过孔6也需要贯穿栅极绝缘层。

参照图25，在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层进行刻蚀得到第一数据线的第二导电部2b，然后在栅极保护层5上沉积第二金属层102，刻蚀第二金属层102形成第一数据线的第一导电部1b，第一数据线的第一导电部1b为第一晶体管T1的第一源极SU1，第一源极SU1通过第一过孔6与第一半导体层3连通，第一数据线的第一导电部1b覆盖部分第一数据线的第二导电部2b。

该制作方法中通过覆盖搭接的方式使第一数据线的第一导电部1b与第二导电部2b电连接，而不是在第一导电部1b与第二导电部2b之间设置绝缘层再通过过孔的方法使第一导电部1b与第二导电部2b电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

在一些可选的实施例中，参照图26和图27，图26是制作阵列基板过程中的又一种结构图，图27是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

所述驱动晶体管包括位于第一显示区AA1中的第一晶体管T1，

制作方法还包括：

提供衬底基板00；

在栅极绝缘层4上形成第一金属层101，对第一金属层101进行刻蚀得到第一扫描线S1，第一扫描线S1与第一半导体层3相交叠的位置形成第一晶体管T1的第一栅极G1；

在第一栅极G1上形成栅极保护层5；

在栅极保护层5上形成多个第一过孔6；

参照图26，在栅极保护层5上沉积第二金属层102，刻蚀第二金属层102形成第一数据线的第一导电部1b，第一数据线的第一导电部1b为第一晶体管T1的第一源极SU1，第一源极SU1通过第一过孔与第一半导体层连通；然后在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层202进行刻蚀得到第一数据线的第二导电部2b，第一数据线的第二导电部2b覆盖部分第一数据线的第一导电部1b；

或者，参照图27，在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层202进行刻蚀得到第一数据线的第二导电部2b，然后在栅极保护层上沉积第二金属层102，刻蚀第二金属层102形成第一数据线的第一导电部1b，第一数据线的第一导电部1b为第一晶体管T1的第一源极SU1，第一源极SU1通过第一过孔与第一半导体层3连通，第一数据线的第一导电部1b覆盖部分第一数据线的第二导电部2b。

本实施例中，第一扫描线的材料采用了金属，而第一数据线中第一导电部1b采用金属，第二导电部2b采用透明导电材料，图26中，第一数据线的第二导电部2b覆盖部分第一数据线的第一导电部1b，图27中第一数据线的第一导电部1b覆盖部分第一数据线的第二导电部2b，该制作方法中通过覆盖搭接的方式使第一数据线的第一导电部1b与第二导电部2b电连接，而不是在第一导电部1b与第二导电部2b之间设置绝缘层再通过过孔的方法使第一导电部1b与第二导电部2b电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

在一些可选的实施例中，参照图28和图29，图28是制作阵列基板过程中的又一种结构图，图29是制作阵列基板过程中的又一种结构图。

在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层202进行刻蚀得到第一数据线D1的第二导电部2b，包括：

在栅极保护层5上形成第二透明导电层202，对第二透明导电层202进行刻蚀得到多个第二导电部第二子段22，第一数据线D1的第二导电部2b包括多个第二导电部第二子段22，第二导电部第二子段22之间具有第二间隔a2。

参照图28，图28中第一导电部1b覆盖部分第二导电部第二子段22，图29中，第二导电部第二子段22覆盖部分第一导电部1b，通过覆盖搭接的方式使第一数据线的第二导电部第二子段22与第一导电部1b电连接，而不是在第二导电部第二子段22与第一导电部1b之间设置绝缘层再通过过孔的方法使第二导电部第二子段22与第一导电部1b电连接，这样省去了过孔打孔占用的空间，能够提高第一显示区AA1中的像素开口率。

基于同一发明构思，本发明还提供一种显示面板，参照图30，图30所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构图，该显示面板200包括上述任一实施例中的阵列基板100。需要说明的是，本申请实施例所提供的阵列基板100的实施例可参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。本申请所提供的显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。

基于同一发明构思，本发明还提供一种显示装置，图31所示为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构图，该显示装置300包括上述任一实施例中的显示面板200和图像采集组件210；第一显示区AA1设有图像采集组件210，图像采集组件210位于显示面板200远离出光面的一侧，其中，图像采集组件210在出光面的正投影位于第一显示区AA1。需要说明的是，本申请实施例所提供的显示装置300的实施例可参见上述显示模组的实施例，重复之处不再赘述。本申请所提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。

通过上述实施例可知，本发明提供的阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区的光线透过率大于所述第二显示区的光线透过率；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素区域中还包括用于驱动所述子像素的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括位于所述第一显示区中的第一晶体管，所述第一扫描线的所述第一导电部为所述第一晶体管的第一栅极。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素区域中还包括用于驱动所述子像素的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括位于所述第一显示区中的第一晶体管，所述第一数据线的所述第一导电部为所述第一晶体管的第一源极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一扫描线的第二导电部包括多个第二导电部第一子段，所述第二导电部第一子段之间具有第一间隔，所述第一扫描线的第一导电部覆盖部分所述第二导电部第一子段，或者，所述第二导电部第一子段覆盖部分所述第一扫描线的第一导电部；

所述第一数据线的第二导电部包括多个第二导电部第二子段，所述第二导电部第二子段之间具有第二间隔，所述第一数据线的第一导电部覆盖部分所述第二导电部第二子段，或者，所述第二导电部第二子段覆盖部分所述第一数据线的第一导电部。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线包括位于所述第二显示区中的第二扫描线，所述数据线包括位于所述第二显示区中的第二数据线，所述第二扫描线和所述第二数据线均为金属走线，所述第二扫描线与所述第一扫描线的第一导电部同层设置，所述第二数据线与所述第一数据线的第一导电部同层设置。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区的光线透过率大于所述第二显示区的光线透过率；所述阵列基板包括多条沿第一方向延伸第二方向排布的扫描线和多条沿第二方向延伸第一方向排布的数据线，所述扫描线与所述数据线交叉限出子像素区域，所述子像素区域中包括子像素所述子像素包括位于所述第一显示区中的第一子像素；所述扫描线包括位于所述第一显示区中的第一扫描线，所述数据线包括位于所述第一显示区中的第一数据线，所述第一扫描线和/或所述第一数据线包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部的材料为金属，所述第二导电部的材料为透明导电材料；

所述制作方法包括：

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子像素区域还包括用于驱动所述子像素的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括位于所述第一显示区中的第一晶体管，

所述制作方法还包括：

提供衬底基板；

在所述第一晶体管的区域中，在所述衬底基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀得到所述第一扫描线的第一导电部，所述第一导电部为所述第一晶体管的第一栅极；然后在所述栅极绝缘层上形成第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行刻蚀得到所述第一扫描线的第二导电部，所述第一扫描线的第二导电部至少部分覆盖所述第一扫描线的第一导电部；

或者，在所述栅极绝缘层上形成第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行刻蚀得到所述第一扫描线的第二导电部；然后在所述栅极绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀得到所述第一扫描线的第一导电部，所述第一导电部为所述第一晶体管的第一栅极，所述第一扫描线的第一导电部覆盖部分所述第一扫描线的第二导电部。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述栅极绝缘层上形成第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行刻蚀得到所述第一扫描线的第二导电部，包括：

在所述栅极绝缘层上形成所述第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行刻蚀得到多个第二导电部第一子段，所述第一扫描线的第二导电部包括多个所述第二导电部第一子段，所述第二导电部第一子段之间具有第一间隔。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子像素区域中包括子像素以及用于驱动所述子像素的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括位于所述第一显示区中的第一晶体管；

还包括：

在所述第一栅极上形成栅极保护层；

在所述栅极保护层上形成多个第一过孔；

在所述栅极保护层上沉积第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成所述第一数据线的第一导电部，所述第一数据线的第一导电部为所述第一晶体管的第一源极，所述第一源极通过第一过孔与所述第一半导体层连通；然后在所述栅极保护层上形成第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行刻蚀得到所述第一数据线的第二导电部，所述第一数据线的第二导电部覆盖部分所述第一数据线的第一导电部；

或者，在所述栅极保护层上形成第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行刻蚀得到所述第一数据线的第二导电部，然后在所述栅极保护层上沉积第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成所述第一数据线的第一导电部，所述第一数据线的第一导电部为所述第一晶体管的第一源极，所述第一源极通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通，所述第一数据线的第一导电部覆盖部分所述第一数据线的第二导电部。

10.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述驱动晶体管包括位于所述第一显示区中的第一晶体管，

所述制作方法还包括：提供衬底基板；

在所述栅极绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀得到所述第一扫描线，所述第一扫描线与所述第一半导体层相交叠的位置形成所述第一晶体管的第一栅极；

在所述第一栅极上形成栅极保护层；

在所述栅极保护层上形成多个第一过孔；

11.根据权利要求9或10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述栅极保护层上形成第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行刻蚀得到所述第一数据线的第二导电部，包括：

在所述栅极保护层上形成第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行刻蚀得到多个所述第二导电部第二子段，所述第一数据线的第二导电部包括多个所述第二导电部第二子段，所述第二导电部第二子段之间具有第二间隔。

12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至5任一所述的阵列基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12的显示面板，所述第一显示区设有图像采集组件，所述图像采集组件位于所述显示面板远离出光面的一侧。