CN112670143B - 半导体设备及其托盘盖板组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种托盘盖板组件,应用于半导体设备,托盘盖板组件包括金属托盘本体和与金属托盘本体固定设置的绝缘固定件,绝缘固定件具有容纳孔和固定面,金属托盘本体位于容纳孔内,金属托盘本体具有支撑面,沿金属托盘本体的支撑方向,支撑面与固定面之间设有支撑间隙,支撑间隙用于容纳被加工件;盖板,盖板具有贯穿孔,盖板可拆卸地固定于固定面上,且贯穿孔与金属托盘本体相对设置,被加工件可夹持固定于盖板与金属托盘本体之间。上述技术方案中的托盘盖板组件可以解决目前因被加工件表面的电位与盖板表面的电位不等,轰击被加工件边缘的粒子的运动方向存在水平分量,导致被加工件边缘存在外延雾化现象,造成外延良品率低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种半导体设备及其托盘盖板组件。
背景技术
图形化蓝宝石基板刻蚀工艺,简称PSS,是目前普遍采用的一种提高GaN基LED器件出光效率的方法,且PSS刻蚀工艺对图形的高度,底宽,弧度,对称性以及图形的底宽均有一定的要求。
在进行PSS工艺时,托盘吸附在下电极上,晶圆承载于托盘,盖板的压爪压持晶圆,盖板支撑且贴合在托盘上,由于托盘和盖板均为导体,从而使下电极与盖板的电位相等。而因晶圆由非金属材料制成的具有一定厚度的结构,从而导致晶圆表面的电位与盖板表面的电位不相等,二者之间存在电压差,进而在离子轰击过程中,轰击晶圆边缘的粒子的运动方向存在水平分量,使离子轰击方向发生偏转,造成刻蚀方向并不是垂直向下的,从而出现晶圆的图形底宽过大,边缘存在外延雾化现象,进而造成外延良品率低。
发明内容
本发明公开一种半导体设备及其托盘盖板组件,以解决目前因晶圆表面的电位与盖板表面的电位不相等,轰击晶圆边缘的粒子的运动方向存在水平分量,导致晶圆的图形底宽过大,边缘存在外延雾化现象,进而造成外延良品率低的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
第一方面,本发明公开了一种托盘盖板组件,应用于半导体设备,所述托盘盖板组件包括:
托盘结构,所述托盘结构包括金属托盘本体和与所述金属托盘本体固定设置的绝缘固定件,所述绝缘固定件具有容纳孔和固定面,所述金属托盘本体位于所述容纳孔内,所述金属托盘本体具有支撑面,沿所述金属托盘本体的支撑方向,所述支撑面与所述固定面之间设有支撑间隙,所述支撑间隙用于容纳被加工件;
盖板,所述盖板具有贯穿孔,所述盖板可拆卸地固定于所述固定面上,且所述贯穿孔与所述金属托盘本体相对设置,所述被加工件可夹持固定于所述盖板与所述金属托盘本体之间。
第二方面,本发明公开一种半导体设备,包括反应腔室、下电极和上述托盘盖板组件,所述托盘盖板组件和所述下电极均位于所述反应腔室,且所述托盘结构支撑于所述下电极上。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本申请实施例提供一种托盘盖板组件,其包括绝缘固定件、金属托盘本体和盖板,在被加工件的加工过程中,绝缘固定件和金属托盘本体均可以支撑在半导体设备的下电极上,被加工件支撑在金属托盘本体,且被加工件可以被夹持固定在盖板和金属托盘本体之间。由于被加工件与下电极之间设置有金属托盘本体,被加工件与金属托盘本体之间存在间隙,且被加工件本身为绝缘件,从而在下电极通电的情况下,前述间隙和被加工件均可以等效为电容,使被加工件表面的电压与下电极的电压之间存在电压差。
在本实施例公开的托盘盖板组件中,通过在盖板和下电极之间设置绝缘固定件,借助绝缘固定件作为等效电容,使盖板表面的电压亦小于下电极的电压;并且,通过对绝缘固定件的等效电容值进行设计,可以使盖板表面的电压等于被加工件表面的电压,保证在加工过程中,无论是对应于被加工件中心的工艺粒子,还是对应于被加工件边缘的工艺粒子,其均可以沿垂直于被加工件的表面的方向运动,从而防止出现晶圆等被加工件的图形底宽过大,边缘存在外延雾化的现象,提升被加工件的外延良品率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1是本发明实施例公开的托盘盖板组件的装配示意图;
图2是本发明实施例公开的托盘盖板组件中部分结构的示意图;
图3是本发明实施例公开的托盘盖板组件中绝缘固定件的局部放大图;
图4是本发明实施例公开的托盘盖板组件的工作状态示意图;
图5是本发明实施例公开的托盘盖板组件工作状态下的电压情况的示意图;
图6是采用本发明实施例公开的托盘盖板组件加工形成的产品的形貌示意图。
附图标记说明:
100-绝缘固定件、110-绝缘本体、111-容纳孔、113-固定面、130-环形凸部、131-密封槽、133-第二螺纹孔、
200-金属托盘本体、210-冷却通孔、
300-盖板、310-贯穿孔、
411-第一柔性密封圈、413-第二柔性密封圈、431-第一螺纹连接件、433-第二螺纹连接件、
500-下电极、
600-被加工件。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
以下结合附图,详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
如图1-图4所示,本发明实施例公开一种托盘盖板组件,托盘盖板组件可以应用在半导体设备上,以对半导体进行加工。托盘盖板组件包括托盘结构和盖板300,托盘结构包括金属托盘本体200和绝缘固定件100。
其中,绝缘固定件100采用绝缘材料制成,当然,需要使绝缘固定件100具有满足需求的结构强度,以在绝缘固定件100与半导体设备中的其他部件配合时,保证绝缘固定件100的形状基本不会发生变化,能够为前述其他部件提供稳定的支撑作用。可选地,绝缘固定件100为陶瓷结构件,也即,绝缘固定件100采用陶瓷材料制成。更具体地,绝缘固定件100由包括氧化铝的陶瓷材料制成,以提升绝缘固定件100的使用寿命,且使绝缘固定件100具有较高的强度和较大的弹性模量。绝缘固定件100的尺寸等参数均可以根据实际情况选定,此处不作限定。
金属托盘本体200采用金属材料制成,一方面保证金属托盘本体200具有较高的结构强度,另一方面还可以保证金属托盘本体200可以与下电极500形成稳定的电性连接关系。金属托盘本体200可以为块状结构件,诸如蓝宝石基板等被加工件600可以支撑在金属托盘本体200上。金属托盘本体200具有支撑面,半导体等被加工件600具体可以支撑在支撑面上。对应地,金属托盘本体200的尺寸等参数亦可以根据实际情况选定,金属托盘本体200的具体形状可以为圆柱状,以与常规意义上圆形的半导体等被加工件600的形状适配。
如图1和图2所示,绝缘固定件100具有容纳孔111,金属托盘本体200位于容纳孔111内,且金属托盘本体200与绝缘固定件100固定设置。具体地,可以根据二者的材料确定固定连接方式。可选地,绝缘固定件100和金属托盘本体200之间通过连接件连接,一方面降低二者之间的连接难度,另一方面可以使二者之间的连接可靠性相对更高,连接件具体可以为螺纹连接件等。
为了保证绝缘固定件100与金属托盘本体200之间具有较好的密封效果,也即,金属托盘本体200与容纳孔111的孔壁之间具有较好的密封连接关系,可以在金属托盘本体200与容纳孔111的孔壁之间设置密封胶等材料,这还可以使绝缘固定件100与金属托盘本体200能够直接形成固定连接关系。
并且,如图2所示,绝缘固定件100具有固定面113,为了保证托盘盖板组件可以正常地与被加工件600相互配合,沿金属托盘本体200的支撑方向,固定面113与金属托盘本体200的支撑面之间设有支撑间隙,被加工件600可以容纳在支撑间隙内,进而在绝缘固定件100与盖板300相互配合时,可以保证被加工件600不妨碍盖板300的安装,且保证盖板300在完成安装之后不会破坏被加工件600。具体地,支撑间隙的尺寸可以根据被加工件600的厚度等实际需求确定。另外,如上所述,金属托盘本体200设置于绝缘固定件100的容纳孔111内,而被加工件600则支撑在金属托盘本体200上,因此,还需使容纳孔111的尺寸不小于被加工件600在对应方向上的尺寸,以保证被加工件600能够被正常地安装在支撑间隙内。
盖板300亦可以采用结构强度相对较大的导电材料制成,可选地,盖板300为金属结构件。如图1和图4所示,盖板300具有贯穿孔310,贯穿孔310与金属托盘本体200相对设置,以保证被加工件600可以通过贯穿孔310与半导体设备的反应腔室内的工艺粒子反应。如上所述,盖板300安装在绝缘固定件100上,详细地,盖板300安装在固定面113上,盖板300与固定面113之间可拆卸地固定连接,保证被加工件600可以被放置在支撑间隙内,且能够自支撑间隙内被取出。具体地,可以通过螺纹连接件或卡接连接件等将盖板300可拆卸地固定安装在绝缘固定件100上。
在盖板300安装至绝缘固定件100上的情况下,被加工件600能够被固定在盖板300和金属托盘本体200之间,盖板300可以为被加工件600提供限位作用,保证在被加工的过程中,被加工件600的位置不会发生变化。具体地,通过对盖板300上贯穿孔310的尺寸和形状进行设计,即可保证盖板300可以为被加工件600提供限位作用。例如,通过使贯穿孔310的直径小于被加工件600的直径,或者,在被加工件600为圆形结构的情况下,可以使贯穿孔310为矩形等多边形结构,且使贯穿孔310在被加工件600的直径方向上的最小尺寸小于被加工件600的直径,这均可以使盖板300能够为被加工件600提供限位作用。
本申请实施例提供一种托盘盖板组件,其包括绝缘固定件100、金属托盘本体200和盖板300,在被加工件600的加工过程中,绝缘固定件100和金属托盘本体200均可以支撑在半导体设备的下电极500上,被加工件600支撑在金属托盘本体200,且被加工件600可以被夹持固定在盖板300和金属托盘本体200之间。由于被加工件600与下电极500之间设置有金属托盘本体200,被加工件600与金属托盘本体200之间存在间隙,且被加工件600本身为绝缘件,从而在下电极500通电的情况下,前述间隙和被加工件600均可以等效为电容,使被加工件600表面的电压与下电极500的电压之间存在电压差。
在本实施例公开的托盘盖板组件中,通过在盖板300和下电极500之间设置绝缘固定件100,借助绝缘固定件100作为等效电容,使盖板300表面的电压亦小于下电极500的电压;并且,通过对绝缘固定件100的等效电容值进行设计,可以使盖板300表面的电压等于被加工件600表面的电压,保证在加工过程中,无论是对应于被加工件600中心的工艺粒子,还是对应于被加工件600边缘的工艺粒子,其均可以沿垂直于被加工件600的表面的方向运动,从而防止出现晶圆等被加工件600的图形底宽过大,边缘存在外延雾化的现象,提升被加工件600的外延良品率,形成的产品如图6所示。该产品图形两侧对称,且两相邻图形之间底部有平台,且不连包,满足诸如PSS刻蚀工艺对图形的高度、底宽(底宽不超过3.0μm)、弧度、对称性等要求。
更详细地,在本申请实施例公开的托盘盖板组件的工作过程中,如图5所示,U为下电极500的电压,CW-S代表被加工件600的表面鞘层电容,CC-S代表盖板300的表面鞘层电容,Cwafer代表被加工件600的电容,Cgap代表被加工件600与金属托盘本体200之间形成的间隙电容,CT代表绝缘固定件100形成的隔离电容。通过选定绝缘固定件100的材质和尺寸等,可以使CT的值满足预设要求,从而使CT的分压U-UC-S与被加工件600的电容Cwafer和间隙电容Cgap的分压U-UW-S相当,从而降低甚至消除盖板300与被加工件600之间的电压差UW-S-UC-S,进而改善等离子体等工艺粒子的轰击方向偏转情况。具体地,绝缘固定件100的厚度可以为6~10mm,且可以使绝缘固定件100所形成的隔离电容CT的电容值大于500PF,且小于1000PF。
另外,对于被加工件600的表面鞘层电容CW-S与盖板300的表面鞘层电容CC-S因而言,因其数值与设备的等离子体等工艺粒子的密度相关,且能够达到工艺需求指标的密度是确定地,且在没有CT的情况下,CW-S与CC-S对UW-S-UC-S的影响很小,这里对CW-S与CC-S的调节性忽略不计。
进一步地,在加工被加工件600的过程中,通常需要对被加工件600进行冷却,其中,被加工件600上的热量可以通过金属托盘本体200导出,为了提升对被加工件600的冷却效率,可选地,如图1所示,金属托盘本体200中设置有多个冷却通孔210,金属托盘本体200的支撑面与背离支撑面的表面通过多个冷却通孔210连通,使冷源可以通过金属托盘本体200背离支撑面的一侧经多个冷却通孔210通入至支撑面所在一侧,进而使冷源可以与支撑于支撑面的被加工件600相互接触,为被加工件600提供冷却作用。
具体地,冷却通孔210的数量可以根据实际情况确定,通过使多个冷却通孔210均匀且间隔地分布在金属托盘本体200中,可以使被加工件600上各处的被冷却效果均相对较好。冷却通孔210的截面形状可以为圆形,冷却通孔210的截面积等参数均可以根据实际需求选定,此处不作限定。冷源具体可以为温度相对较低的惰性气体,例如氦气等。
为了防止自金属托盘本体200通入的冷源进入反应腔室内影响正常的工艺过程,可选地,被加工件600与盖板300之间可以设置有密封结构。在本申请的另一实施例中,如图1所示,可以在被加工件600与金属托盘本体200之间设置密封结构,防止密封结构的存在对被加工件600的正常加工过程产生妨碍。
详细地,如图1所示,本申请实施例公开的托盘盖板组件还可以包括第一柔性密封圈411,第一柔性密封圈411具体可以采用橡胶等柔性材料制成,且在选材的过程中,还可以使形成的第一柔性密封圈411的耐腐蚀性相对较强。第一柔性密封圈411设置在支撑面上,且第一柔性密封圈411环绕设置在多个冷却通孔210之外,从而使被加工件600可以通过第一柔性密封圈411与金属托盘本体200形成较好的密封效果,防止自多个冷却通道通入的冷源泄露至反应腔室中。具体地,第一柔性密封圈411的形状具体可以为圆环形,且可以使第一柔性密封圈411的厚度相对较小,从而尽量减小被加工件600与金属托盘本体200之间间隙的大小,提升工艺效果。
可选地,如图1和图4所示,绝缘固定件100包括绝缘本体110和环形凸部130,绝缘本体110具有容纳孔111和固定面113,环形凸部130固定于容纳孔111的内壁。同时,金属托盘本体200设有自边缘向内凹陷形成的环形缺口。在组装托盘结构的过程中,环形凸部130能够伸入至环形缺口中,且在容纳孔111的轴线方向上,使金属托盘本体200的一部分夹持在环形凸部130和盖板300之间,从而使金属托盘本体200可以直接支撑在环形凸部130上,以进一步提升绝缘固定件100和金属托盘本体200之间的固定效果。
具体地,绝缘本体110和环形凸部130可以采用一体成型的方式形成,以提升绝缘固定件100的结构稳定性。对应地,环形缺口亦可以在形成金属托盘本体200的过程中直接形成。环形缺口的形状和尺寸与环形凸部130的结构和尺寸适配。可选地,环形缺口和环形凸部130均可以为圆环状结构,从而进一步提升绝缘固定件100对金属托盘本体200的支撑效果。
并且,在采用上述技术方案的情况下,金属托盘本体200与环形凸部130相互接触,从而在被加工件600因与工艺粒子相互接触而升温的情况下,被加工件600上的热量可以通过金属托盘本体200传导至环形凸部130,且通过环形凸部130和绝缘本体110将前述热量散发出去,进一步提升对被加工件600的冷却效果。
基于上述实施例,可选地,如图1所示,环形凸部130朝向盖板300的表面与金属托盘本体200之间设有第二柔性密封圈413,在这种情况下,可以防止金属托盘本体200背离盖板300的一侧与被加工件600所在的区域相互连通。如上所述,金属托盘本体200中可以设置有多个冷却通孔210,且可以自金属托盘本体200背离盖板300的一侧通入冷源。在采用上述技术方案的情况下,可以将冷源限制在被加工件600背离盖板300的一侧区域内,进一步防止冷源通过金属托盘本体200与绝缘本体110之间的间隙将流动至被加工件600所在一侧。
进一步地,如图3所示,环形凸部130朝向盖板300的表面设有凹陷设置的密封槽131,第二柔性密封圈413的一部分容纳在密封槽131内,从而借助密封槽131为第二柔性密封圈413提供限位和一定的容纳作用,防止在盖板300与绝缘固定件100组装过程中,因通过被加工件600压持第二柔性密封圈413,导致第二柔性密封圈413出现错位等现象,造成密封失效的情况。当然,需要使第二柔性密封圈413的尺寸稍大于密封槽131的尺寸,保证在金属托盘本体200与环形凸部130相互配合时,第二柔性密封圈413可以提供可靠的密封作用。
可选地,如上所述,金属托盘本体200安装至绝缘固定件100的容纳孔111内,且在工艺过程中,金属托盘本体200和绝缘固定件100均可以支撑在下电极500上。具体地,可以使绝缘本体110和环形凸部130背离盖板300的表面平齐,使二者均能够支撑在下电极500上,并且使金属托盘本体200可以通过环形凸部130间接地支撑在下电极500上。另外,通过使金属托盘本体200和绝缘固定件100背离盖板300的表面平齐,可以进一步提升金属托盘本体200的被支撑效果。
金属托盘本体200通过与下电极500耦合,可以保证下电极500的电压能够作用在被加工件600上;同时,如上所述,环形凸部130与金属托盘本体200之间可以设置有第二柔性密封圈413,且为了保证第二柔性密封圈413能够正常提供密封作用,需要使第二柔性密封圈413具有一定的尺寸,因此,在金属托盘本体200通过第二柔性密封圈413支撑在环形凸部130上的情况下,第二柔性密封圈413可能会使金属托盘本体200被托起,从而造成金属托盘本体200背离盖板300的表面可能会与下电极500之间产生些许间隙。
基于上述情况,可选地,金属托盘本体200背离盖板300的表面凸出于绝缘固定件100背离盖板300的表面,采用上述技术方案的情况下,即便金属托盘本体200与环形凸部130之间设置有第二柔性密封圈413,第二柔性密封圈413可能会在一定程度上抬升金属托盘本体200,也可以保证金属托盘本体200可以与下电极500之间形成有较好的连接效果。
需要说明的是,在上述方案中,金属托盘本体200背离盖板300的表面凸出于绝缘固定件100背离盖板300的表面指的是,在金属托盘本体200直接支撑在环形凸部130上的情况下,金属托盘本体200的一部分能够自绝缘固定件100的容纳孔111内伸出,使金属托盘本体200与下电极500之间的间距相对更小。而在第二柔性密封圈413安装至环形凸部130和金属托盘本体200之间后,金属托盘本体200背离盖板300的表面可以与绝缘固定件100背离盖板300的表面平齐,保证金属托盘本体200和绝缘固定件100与下电极500之间的接触相对均相对较好。
如上所述,盖板300和绝缘固定件100之间,以及金属托盘本体200和绝缘固定件100之间均可以通过多种方式形成可拆卸地固定关系。可选地,如图1所示,盖板300和绝缘固定件100之间可以通过第一螺纹连接件431可拆卸地固定连接,金属托盘本体200和绝缘固定件100之间可以通过第二螺纹连接件433形成可拆卸地固定连接关系,从而使托盘盖板组件的整体结构的稳定性相对较强,且便于托盘盖板组件的组装工作的进行,还便于盖板300与绝缘固定件100之间的拆卸工作的进行。
具体地,第一螺纹连接件431和第二螺纹连接件433的型号可以相同,亦可以根据安装位置等实际条件对应选择。第一螺纹连接件431可以自盖板300背离绝缘固定件100的一侧安装,且使第一绝缘固定件100穿过盖板300且伸入至绝缘固定件100中,从而将盖板300可拆卸地固定在绝缘固定件100上。
第二螺纹连接件433则可以沿垂直于容纳孔111的轴向的方向自绝缘固定件100之外向靠近容纳孔111的方向穿过绝缘固定件100,且伸入至金属托盘本体200中,以将金属托盘本体200固定在绝缘固定件100上。在本申请的另一实施例中,如上所述,绝缘固定件100可以包括绝缘本体110和环形凸部130,可选地,如图3所示,环形凸部130上可以设置有第二螺纹孔133,第二螺纹连接件433自环形凸部130背离盖板300的一侧安装,且穿过环形凸部130的第二螺纹孔133,并伸入至金属托盘本体200中,实现固定金属托盘本体200和绝缘固定件100的目的。采用上述技术方案时,第二螺纹连接件433的安装难度相对较小,且对绝缘固定件100的破坏程度相对较小,使绝缘固定件100的结构强度相对较高。
当然,为了保证盖板300和绝缘固定件100,以及金属托盘本体200和绝缘固定件100之间的固定效果更好,第一螺纹连接件431和第二螺纹连接件433的数量均可以为多个,多个第一螺纹连接件431均匀且间隔分布,相似地,多个第二螺纹连接件433也均匀且间隔分布,从而可以进一步提升托盘盖板组件的整体结构强度。
可选地,本申请实施例提供的托盘盖板组件中,绝缘固定件100上设有多个容纳孔111,多个容纳孔111均匀分布,盖板300上设置有多个贯穿孔310,多个金属托盘本体200一一对应地设置在多个容纳孔111中,且多个贯穿孔310与多个托盘一一对应地设置,从而使托盘盖板组件可以同时加工多个被加工件600,提升加工效率。
基于上述任一实施例公开的托盘盖板组件,本申请实施例还公开一种半导体设备,其包括反应腔室、下电极500和上述任一托盘盖板组件,托盘盖板组件和下电极500均位于反应腔室内,且托盘结构支撑在下电极500上。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同,各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾,均可以组合形成更优的实施例,考虑到行文简洁,在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已,并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种托盘盖板组件,应用于半导体设备,其特征在于,所述托盘盖板组件包括:
托盘结构,所述托盘结构包括金属托盘本体(200)和与所述金属托盘本体(200)固定设置的绝缘固定件(100),所述绝缘固定件(100)包括绝缘本体(110)和环形凸部(130),所述绝缘本体(110)具有容纳孔(111)和固定面(113),所述环形凸部(130)固定于所述容纳孔(111)的内壁,所述金属托盘本体(200)设有自边缘向内凹陷形成的环形缺口,所述环形凸部(130)伸入所述环形缺口中,所述金属托盘本体(200)具有支撑面,沿所述金属托盘本体(200)的支撑方向,所述支撑面与所述固定面(113)之间设有支撑间隙,所述支撑间隙用于容纳被加工件(600);
盖板(300),所述盖板(300)具有贯穿孔(310),所述盖板(300)可拆卸地固定于所述固定面(113)上,且所述贯穿孔(310)与所述金属托盘本体(200)相对设置,所述被加工件(600)可夹持固定于所述盖板(300)与所述金属托盘本体(200)之间,且在所述容纳孔(111)的轴线方向上,所述金属托盘本体(200)的一部分夹持于所述环形凸部(130)和所述盖板(300)之间。
2.根据权利要求1所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述金属托盘本体(200)中设有多个冷却通孔(210),所述金属托盘本体(200)的支撑面和背离所述支撑面的表面通过多个所述冷却通孔(210)连通。
3.根据权利要求2所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述托盘盖板组件还包括第一柔性密封圈(411),所述第一柔性密封圈(411)设置于所述支撑面,且所述第一柔性密封圈(411)环绕设置于多个所述冷却通孔(210)之外。
4.根据权利要求1所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述环形凸部(130)朝向所述盖板(300)的表面与所述金属托盘本体(200)之间设有第二柔性密封圈(413)。
5.根据权利要求4所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述环形凸部(130)朝向所述盖板(300)的表面设有凹陷设置的密封槽(131),所述第二柔性密封圈(413)的一部分容纳于所述密封槽(131)内。
6.根据权利要求1所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述绝缘本体(110)和所述环形凸部(130)背离所述盖板(300)的表面平齐,且所述金属托盘本体(200)背离所述盖板(300)的表面凸出于所述环形凸部(130)背离所述盖板(300)的表面。
7.根据权利要求1所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述盖板(300)与所述绝缘固定件(100)之间通过第一螺纹连接件(431)可拆卸地固定连接,和/或所述金属托盘本体(200)与所述绝缘固定件(100)之间通过第二螺纹连接件(433)可拆卸地固定连接。
8.根据权利要求1所述的托盘盖板组件,其特征在于,所述绝缘固定件(100)由包括氧化铝的陶瓷材料制成。
9.一种半导体设备,其特征在于,包括反应腔室、下电极(500)和权利要求1-8中任意一项所述的托盘盖板组件,所述托盘盖板组件和所述下电极(500)均位于所述反应腔室,且所述托盘结构支撑于所述下电极(500)上。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184163A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
CN103094037A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-05-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种夹持装置及应用该夹持装置的等离子体加工设备 |
CN104752129A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件和刻蚀设备 |
CN106548969A (zh) * | 2015-09-22 | 2017-03-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 夹持装置及半导体加工设备 |
JP2017220591A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用トレイ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7622803B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-11-24 | Cree, Inc. | Heat sink assembly and related methods for semiconductor vacuum processing systems |
-
2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184163A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
CN103094037A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-05-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种夹持装置及应用该夹持装置的等离子体加工设备 |
CN104752129A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘组件和刻蚀设备 |
CN106548969A (zh) * | 2015-09-22 | 2017-03-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 夹持装置及半导体加工设备 |
JP2017220591A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用トレイ |
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