CN112649024A - 篡改检测装置、系统和方法 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于检测在包装方面的篡改的篡改检测装置，所述装置包括：i)包括第一经图案化结构的第一电极，以及ii)包括第二经图案化结构的第二电极。所述第一电极和所述第二电极被布置成使得所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构彼此至少部分地相对。在所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构相对于彼此的第一布置状态下，第一电容是可测量的，在所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构相对于彼此的第二布置状态下，第二电容是可测量的，其中所述第一电容不同于所述第二电容，并且其中所述第一布置状态不同于所述第二布置状态。所述装置另外包括：iii)检测单元。

Description

篡改检测装置、系统和方法
技术领域
本发明涉及用于检测在包装方面的篡改的篡改检测装置。本发明另外涉及包括该装置的篡改检测系统。本发明还涉及检测在包装方面的篡改的方法。此外，本发明涉及制造篡改检测装置的方法。本发明此外涉及篡改检测装置的用途。另外，本发明涉及包括篡改检测装置的产品包装。
背景技术
常规上，已经应用了机械保护，像例如密封件，以确保包装免受篡改。这类密封件的缺点是，需要物理检验来检测篡改。电子防篡改保护的应用常规上要么成本非常高要么不是非常准确和可靠。以有成本效益的方式提供高效篡改检测装置或方法仍然是个挑战。
发明内容
本发明的目的是以高效(具体地说有成本效益)且稳固的方式实现在包装方面的篡改检测。
为了实现上文限定的目的，提供了根据独立权利要求所述的篡改检测装置、篡改检测布置、制造方法、用途和产品包装。
根据本发明的方面，描述了用于检测在包装方面的篡改的篡改检测装置。该装置包括：i)包括第一经图案化结构的第一电极，ii)包括第二经图案化结构的第二电极。第一电极和第二电极被布置成使得第一经图案化结构和第二经图案化结构(至少部分地)(被布置成)彼此相对(两者之间具有介电材料和/或空气)。在第一经图案化结构和第二经图案化结构相对于彼此的第一布置状态(例如未篡改状态，具体地说，经图案化结构之间具有高水平相关性)下，第一电容为可测量的(例如电容处于其最大值或最小值，其中最大值或最小值可包括由于随机效应和测量误差而产生的一定扩展)，在第一经图案化结构和第二经图案化结构相对于彼此的第二布置状态(例如已篡改状态，具体地说是经图案化结构之间具有低水平相关性)下，第二电容为可测量的(例如电容不处于其最大值或最小值)，其中第一电容不同于第二电容，并且其中第一布置状态不同于第二布置状态(具体地说，第一可测量电容对应于第一布置状态并且第二可测量电容对应于第二布置状态)。该装置另外包括：iii)检测单元(具体地说，包括电容测量单元和(电容)相关器)(连接到第一电极和第二电极)，其中该检测单元被配置成：a)测量第一电极和第二电极之间(具体地说是经由端)的电容(例如第一电容和/或第二电容)，b)基于测得的电容(Cm)，获得指示布置状态的信息(具体地说，获得第一布置状态或第二布置状态)，以及c)基于指示布置状态的信息评估(确定)是否检测到在包装方面的篡改(例如基于第一电容获得第一布置状态可以致使确定没有篡改，而基于第二电容获得第二布置状态可以致使确定篡改)。
根据本发明的另一方面，描述了篡改检测系统。该系统包括：i)如上所述的篡改检测装置，和ii)外部装置。该装置和外部装置被配置成在彼此之间建立通信(具体地说，无线通信)。
根据本发明的另一方面，描述了制造如上文所论述的篡改检测装置的方法。该方法包括：i)提供导电预成型件(具体地说是箔)，ii)由导电预成型件形成至少两个电极，以及iii)使电极图案化以便提供相应的经图案化结构(在电极上)。据此，形成和/或图案化包括由以下组成的群组中的至少一项：将导电材料施加到预成型件/从预成型件上移除导电材料，将介电材料施加到预成型件/从预成型件上移除介电材料，压印(至少部分地)预成型件。
根据本发明的另一方面，描述了用于由篡改检测装置检测在包装方面的篡改的方法。该装置具有包括第一经图案化结构的第一电极和包括第二经图案化结构的第二电极。该方法包括：i)布置第一电极和第二电极，使得第一经图案化结构和第二经图案化结构彼此至少部分地相对。据此，在第一经图案化结构和第二经图案化结构相对于彼此的第一布置状态下，第一电容为可测量的；在第一经图案化结构和第二经图案化结构相对于彼此的第二布置状态下，第二电容为可测量的；其中第一电容不同于第二电容，并且其中第一布置状态不同于第二布置状态。该方法另外包括ii)测量第一电极和第二电极之间的电容，
iii)基于测得的电容获得指示布置状态的信息，以及iv)基于指示布置状态的信息评估是否检测到在包装方面的篡改。
根据本发明的另一方面，将使用篡改检测装置(参见上文)描述为由以下组成的群组中的至少一项：安全密封件、装置保护、对功能或服务的访问控制、票证、压力传感器。
根据本发明的另一方面，描述了包括如上文所论述的篡改检测装置的产品包装。
在本申请的上下文中，由两个(基本上)相对的(平行)电极(板)(两者具有面积A和彼此分隔开距离d)构成的电容器的电容，可表示为：C＝εrε0A/d。由此，εr为两个电极板之间的材料(或空气)的相对静态电容率(有时称为介电常数)(对于真空，εr＝1)，并且ε0为介电常数或真空电容率(＝8.854×10-12As/Vm)。从公式中可得出的是，电容与电极之间的重叠的面积成比例。
在本申请的上下文中，术语“电极”可具体地指电导体。在实施例中，电极可形成为在其两个主表面中的至少一个上具有经图案化结构的板。电极可通过端而接触。电极可另外包括两个或更多个电极部分。电极的材料可包括例如Ag、Al、Au、Be、Cr、Cu、Fe、In、Mg、Mo、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、Sb、Sn、Ti、Zn中的一种，以及包括这些元素中的至少一种的合金。
在本申请的上下文中，术语“经图案化结构”可具体地指包括经图案化结构的电极的区域(例如在电极板的表面上)。电极可至少部分地例如通过导电板和/或导电洞图案化。经图案化结构可例如包括在导电基板或介电基板上的导电材料图案的空间上分离的部分。经图案化结构还可包括在导电基板或介电基板上的介电材料图案的空间上分离的部分。该图案可例如为高度复杂的图案，例如戈尔德码(Gold code)图案。本上下文中的经图案化结构还可为形成于电极上/电极中的材料图案(例如板和洞)的定位序列的限定。
在本申请的上下文中，术语“相关性”可指两个图案(具体地说是电极的经图案化结构)良好地彼此匹配(适配)的程度的量度。举例来说，当第一经图案化结构的导电图案和第二经图案化结构的导电图案同等时，相关性将为(基本上)完美的。如果图案非常类似并且匹配非常良好，则将获得高水平相关性(换句话说，高水平类似性或匹配)。相关性还可通过质量标准表示。举例来说，良好的相关性可满足一定相关性质量标准。另一方面，如果图案不是非常类似(没有匹配)，则将获得低水平相关性。在这种情况下，图案之间的相关性可能不满足一定相关性质量标准。第一经图案化结构和第二经图案化结构可被配置成在第一经图案化结构和第二经图案化结构(被布置成彼此至少部分地相对)的第一布置状态(例如未篡改状态)下彼此相关(具体地说，在高水平上相关和/或满足相关性质量标准)，并且第一经图案化结构和第二经图案化结构可被配置成在第一经图案化结构和第二经图案化结构(被布置成彼此至少部分地相对)的第二布置状态(例如已篡改状态)下彼此不相关(具体地说，在低水平上相关和/或不满足相关性质量标准)。术语“自相关性”可指通过位移和/或旋转而移位的实际上相同图案的类似性的量度。
在本申请的上下文中，术语“布置状态”可指第一电极和第二电极之间，具体地说是第一经图案化结构和第二经图案化结构之间相对于彼此的具体布置。举例来说，在第一布置状态下，经图案化结构可被布置成彼此相对，使得图案在高水平上彼此相关(例如导电图案匹配并且介电图案匹配)。据此，电极之间的电容可处于其最大值或最小值，其中最大值或最小值可包括由于随机效应和测量误差而产生的一定扩展。在第二布置状态下，举例来说，经图案化结构可被布置成彼此相对，使得图案在高水平上彼此不相关(例如导电图案不匹配并且介电图案不匹配)。据此，电极之间的电容可不处于其最大值或最小值。两种布置状态可通过测量电容(第一电容和第二电容)而良好地可区分，因为相关性的变化(通过改变布置状态)也可改变电容(电容变化)。
在本申请的上下文中，术语“包装”可指可用来包装产品(提供用于产品的包装)的任何材料。包装可为可包裹在产品周围的一些种类的纸。包装还可为瓶子和/或瓶子封盖。包装还可为电子组件(例如用于管芯)的包装。
在本申请的上下文中，术语“篡改”可指，具体地说在如上所述的包装方面的非期望的影响。举例来说，按需要，瓶子封盖可(至少部分地)打开，或者所述瓶子封盖可不固定到瓶子。虽然一些篡改可为可直接观察到的，但是存在许多种类的必须被测量/检测的篡改，因为具体地说在大量的包装的情况下，它们为不可直接观察到的。
根据示例性实施例，本发明可基于这样的构思，即当测量特定电极的经图案化结构之间的电容并且然后获得指示经图案化结构之间的布置状态的信息时，可以高效且稳固的方式实现在包装方面的篡改检测。据此，获得的布置状态基于通过测得的电容直接反映的电极图案之间的相关性。据此，电容在未篡改的第一图案布置中可处于其最大值/最小值，并且在已篡改的第二图案布置中不处于所述最大值/最小值。因此，获得的布置状态可用来检测篡改。换句话说，位移诱发的电容变化应用于检测篡改。
在下文中，将解释该方法和通信系统的另外示例性实施例。
根据示例性实施例，指示布置状态(具体地说，第一布置状态或第二布置状态)的信息基于由电极(具体地说是经图案化结构)相对于彼此的位移和/或旋转引起的电容变化(具体地说，在第一电容和第二电容之间)。这可提供这样的优势，即可非常有效且准确地执行篡改检测。有关包装的即使小的移动也可使一个电极，具体地说是一个经图案化结构相对于另一个电极(经图案化结构)移位和/或旋转。所述位移/旋转可使经图案化结构的导电部分和介电部分相对于彼此错位，并且由此致使电容变化，具体地说是测得的电容的(显著)变化。
根据另一示例性实施例，当第一经图案化结构和第二经图案化结构在第一布置状态下时，未检测到篡改，其中获得高水平相关性，并且当第一经图案化结构和第二经图案化结构在第二布置状态下时，检测到篡改，其中获得低水平相关性。这可提供这样的优势，即可以准确且简单的方式检测篡改。其中经图案化结构彼此相关的第一布置状态可被视为未篡改的初始状态。在这种状态下，电容可处于其最大值。篡改动作可使经图案化结构错位(到第二布置状态)，并且然后电容不再处于其最大值。在例子中，经图案化结构据此为导电材料图案。
根据另一示例性实施例，在第一布置状态下，测得的电容处于其最大值或处于其最小值，并且在第二布置状态下，测得的电容不处于其最大值或处于其最小值。
所描述的实施例还可以逆的方式应用。据此，在未篡改状态(第一布置状态)下，电容可处于其最小值，并且在篡改动作和经图案化结构彼此错位时(第二布置状态)，电容不再处于其最小值。
在实施例中，可应用逆相关性，例如通过匹配被形成为其中具有洞的板的电极，使第一电极图案与第二电极图案相关，且反之亦然，使得在未篡改电极放置下，电容为最小的，并且其中在已篡改电极放置下，电容可具有最大值。因此，大于最小值电容可为处于已篡改状态下的已移位电极的指示。在已篡改状态下，可相对于最大值电容或最小值电容测量电容变化，如果在相关性期间电极距离可保持恒定但可能面对显著的制造扩展，则这可为适用的。
根据另一示例性实施例，第一经图案化结构和第二经图案化结构为(基本上)同等的(相同)的。这可提供这样的优势，即对于未篡改状态，可确立高电容最大值(或最小值)，这可容易地与已篡改状态区分开。这可使得篡改检测更准确。
根据另一示例性实施例，第一经图案化结构和/或第二经图案化结构包括高度复杂的图案，具体地说是戈尔德码图案。这可提供这样的优势，即对于篡改检测，可实现非常高的准确度。
在下文中，将描述电极(和电极经图案化结构)的有利设计：
根据另一示例性实施例，第一电极和/或第二电极包括多个空间上分离的导电(材料)图案。
根据另一示例性实施例，第一电极和/或第二电极包括多个空间上分离的介电(材料)图案。
根据另一示例性实施例，第一电极和/或第二电极包括在介电基板上的多个空间上分离的导电(材料)图案，和/或在导电基板上的多个空间上分离的介电(材料)图案。
根据另一示例性实施例，第一电极和/或第二电极包括在导电基板上的多个空间上分离的导电图案。
根据另一示例性实施例，第一电极和/或第二电极包括在导电基板上形成为压印结构的多个空间上分离的导电图案。
电极可通过例如施加电容率显著大于1(游离空气)的介电材料的区域而在导电基板上构造，从而形成可被视为板的增加的电容的区域。此外，电极可通过附加介电层分隔开。此实施例可具有这样的优势，即印刷的电介质的区域可充当电极之间的间隔物。与施加到一个电极上朝向另一个电极的力组合，可使距离d空气最小化，从而使电容Cm最大化。
第一电极可通过在介电材料上形成板并彼此电耦合的导电材料的区域而构造，而第二电极可通过施加电容率显著大于1的介电材料的区域(例如通过印刷)而在导电基板上构造，这从而可形成还可被视为板的增加的电容的区域。此外，电极可通过附加介电层分隔开。
导电材料可包括例如金属，如铜或铝，并且还包括例如导电聚合物或碳。介电材料可包括所有种类的介电材料，例如PCB材料，如FR4。
根据另一示例性实施例，i)第一电极包括第一电极部分和第二电极部分，其中第一电极部分和第二电极部分互连，ii)第二电极包括连接到第一端的第三电极部分和连接到第二端的第四电极部分，iii)第一电极部分被布置成与第三电极部分基本上相对，iv)第二电极部分被布置成与第四电极部分基本上相对，以及v)该装置被配置成使得包装可放置在第一电极和第二电极之间，而两个端可从包装的一侧接入。这可提供这样的优势，即篡改检测可以非常灵活的方式应用，具体地说即使复杂结构，如瓶子封盖，也可从仅一侧有效地接触。
所描述的“浮动的”经图案化电极(两个或更多个电极部分)可从可完全定位于包装内部的单个互连平面实现电容感测。具体地说，这种配置显著地降低集成成本。
根据另一示例性实施例，第三电极部分包括外部电极部分，第四电极部分包括内部电极部分，并且外部电极部分包围内部电极部分。这可提供这样的优势，即该装置可用高效且稳固的设计实现。内部部分和/或外部部分可被实现为盘，具体地说是金属盘。
根据另一示例性实施例，篡改检测装置另外包括：耦合到检测单元的通信单元，其中通信单元被配置成i)与外部装置通信(具体地说以无线方式)，以及ii)将检测结果发送到外部装置(在请求时)。这可提供这样的优势，即可以可行且灵活的方式获得篡改结果。
根据篡改检测系统的另一示例性实施例，无线通信为由NFC、蓝牙、RFID、WiFi、Zigbee组成的群组中的至少一种。这可提供这样的优势，即已确立的行业标准可直接实施以有效地获得篡改检测结果。
根据篡改检测系统的另一示例性实施例，外部装置被配置成用于向篡改检测装置无线地供应能量。这可提供这样的优势，即篡改检测装置不需要其自身的能量源(如电池)，并且因此可更灵活且有成本效益地应用。
根据篡改检测系统的另一示例性实施例，外部装置被配置成向装置请求篡改检测结果。这可提供这样的优势，即可以灵活的方式，另外在大规模的许多产品包装的情况下测试和评估篡改。
根据另一示例性实施例，该方法另外包括：i)生成戈尔德码，以及ii)使第一电极和/或第二电极图案化，使得第一经图案化结构的图案和/或第二经图案化结构的图案包括戈尔德码。
生成戈尔德码可包括以下步骤：i)根据所需的解决方案，限定码长，ii)限定在可靠放置下提供高电容的相关性位置的数量，以及iii)搜索在非可靠放置下具有最小峰值水平的代码。选择标准可为所需的分辨率，因为其从根本上限定代码的位长度。接下来，可限定表示促成测得的电容(Cm)的高电容区域的相关性位置的数量。最后，选择满足先前限定的要求的代码可为有益的，并且此外示出在已篡改放置下的最小峰值水平，并且此外呈现在已篡改状态下的最小波纹。
上文所限定的方面和本发明的另外方面将从下文中描述的实施例的例子中显而易见，并且将参考实施例的这些例子进行解释。本发明将在下文中参考实施例的例子更详细地进行描述，但本发明不限于该例子。
附图说明
图1示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测系统。
图2示出根据本发明的另一示例性实施例的篡改检测系统。
图3至图7示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测装置的基本概念。
图8至图13示出根据本发明的示例性实施例的一个电极相对于另一个电极的错位。
图14至图20示出根据本发明的示例性实施例的电极设计。
图21至图32示出根据本发明的示例性实施例的电容变化测量的实施方案。
图33至图38示出根据本发明的示例性实施例的空间上分离的电极部分的实施方案。
图39示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测装置作为压力传感器的使用。
图40至图43示出根据本发明的示例性实施例的环形天线的详细配置。
图式中的展示为示意性的。在不同图式中，用相同的附图标记表示类似或相同元件。
具体实施方式
在参考图式之前，将更详细地描述示例性实施例，将基于已形成本发明的示例性实施例概述一些基本考虑因素。
根据本发明的示例性实施例，公开了借助于感测耦合到包装的特定经图案化电极来确保包装免受篡改的方法和装置。通过高度复杂的结构如戈尔德码使电极图案化，并且通过评估电极的经图案化结构之间的相关性(的质量)(使用例如电容性相关器)来感测篡改，其中仅未篡改布置状态将提供可检测的高水平相关性。作为次要特征，如果两个电极经图案化结构的图案(戈尔德码)匹配，则该方法可应用于准予对功能或服务的访问。电极的经图案化结构之间形成的电容可以非常小，并且由电极相对于彼此的位移诱发的电容变化可以甚至更小。然而，如此处公开的方法提供显著大的位移诱发的电容变化。优选实施例包括具有施加到导电基板(如铝箔或压印金属片或箔)的高电容率的介电材料。这些方法的益处是与包装制造商加工的相容性，从而避开特定的工具投资，并且屏蔽感测电容器免受不希望的噪声分量的电磁耦合。根据例子，由外部装置(主机装置)通过电磁耦合提供能量，并且检测到的放置状态无线地传送到外部装置。电容测量单元可被配置成使耦合的电磁辐射分量衰减。所描述的篡改检测装置辨识包装的篡改并且将辨识的篡改状况无线地传送到外部装置的数据处理单元。
根据本发明的另一示例性实施例，可提供以下特征：i)通过确定固定到产品包装的至少两个硬件编码的戈尔德码在未篡改状态和已篡改状态之间的高水平(自)相关性的(电容)变化来检测篡改，ii)通过构造由示出强自相关性的戈尔德码图案形成电容器的电极来实现硬件编码，iii)应用电容性相关器以测量至少两个经图案化电极之间的相关性，iv)可替换的是，如果戈尔德码与同一戈尔德码的逆码相关，则逆相关性提供最小相关性，v)篡改检测装置(令牌)与外部装置(主机单元)无线地通信，使得能够自动篡改测试，vi)主机单元向装置无线地供应能量，因此不需要电池，vii)经图案化浮动电极使得能够从单个互连平面进行电容测量，如果一个经图案化电容器电极可能存在于不可通过互连件达到的包装的分离部分中，则可能需要该经图案化浮动电极，viii)通过施加或移除具有大电容率的介电材料而在导电基板上构造戈尔德码而形成电极，其中导电基板还旨在提供屏蔽免受电磁(EM)辐射(法拉第笼(Faraday cage)功能)，并且可通过利用现有加工的印刷来构造电极，ix)通过施加或移除导电材料或通过压印(重整)导电基板在导电基板上构造戈尔德码而形成电极，其中导电基板还旨在提供屏蔽免受EM辐射(法拉第笼功能)，并且可通过利用现有加工的印刷来构造电极，以及x)在不影响相关性结果的情况下电容性分压器使EM辐射衰减。
根据本发明的另一示例性实施例，描述了具有用于检测从可靠位置(例如第一布置状态)移位的电容性相关器的非接触式令牌(装置)。经图案化结构的高水平相关性用于在改进的线性/角分辨率下提供增加的相对电容。据此，经由电容变化测量位移，而不是经由绝对位置测量位移。因此，利用特定的相关性图案。相关器应用于测量用相同戈尔德码图案化的至少两个电极的相关性。电容相关器在未篡改位置(例如第一布置状态)处输出最大水平。电极可随机地成形和定位。一般来说，此处公开的篡改保护方法支持许多低成本使用情况，其中未篡改的包装的至少两个部分必须匹配以指示未篡改状态，或其中对功能或服务的访问应局限于携载经编码密钥的令牌的可用性，或者如果经编码密钥被配置成随时间推移或作为所施加的化学或机械过程的结果而减弱，则局限于某一时间段。
根据本发明的另一示例性实施例，通用电容性相关器包括可形成篡改依赖性电容(Cm)的第一电极和至少相对的第二电极，其中至少两个电极可各自形成于包括任意定位和成形的区域的单独平面上，该平面在所述区域的内部提供比在所述区域外更高的相对电容。相对较高电容的区域应形成板，而相对较低电容或无电容的区域应形成洞。在每个电极上，不具有零电容的所述板和所述洞可电耦合。第一电极的所有导电部分可与至少第二电极的所有导电部分绝缘，从而形成电容Cm。第一电极和至少第二电极可具有这样形成和定位的板和洞，即所述电极之间形成的电容在未篡改状态下具有可检测的最大值或最小值，并且在已篡改状态下显著偏离该电容。这可能意味着，通过成形和定位电极形成的图案可在未篡改状态下呈现强相关性或强逆相关性，而在已篡改状态下，相关性差。在此情形下，如果板与板相关且洞与洞相关，则强相关性可能意味着在固定电极距离处在未篡改状态下的Cm的最大值电容，或者如果板与洞相关且洞与板相关(逆电极图案)，则强逆相关性应意味着在固定电极距离处在未篡改状态下的Cm的最小值电容。为了良好的相关器性能，可能需要使位移诱发的电容Cm/面积的变化最大化，这一点可如下实现：如果在未篡改状态下最大值电容的情况下，通过成形和定位板和洞而施加的图案用于实际上制成相同的相关电极，或者在未篡改状态下最小值电容情况下，通过将板和洞成形和定位到第一电极而施加的图案通过用洞替换板来反向地施加到至少第二相关电极，且反之亦然。
根据本发明的另一示例性实施例，在两个电极A和B之间形成电容Cm。相关性的变化αr可通过电容变化ΔCm与最大值电容Cmmax的比率来表示：αr＝ΔCm/(max(Cm))。Cm的电容变化应符合电容测量结果的分辨率，而Cm的最大值电容应符合电容测量结果范围。
根据本发明的另一示例性实施例，电容相关器可集成到瓶子封盖中，作为附加安全特征，该附加安全特征补充机械篡改保护并因此添加自动地检查瓶子封盖的篡改状态的选项。这类封盖包括两个机械部分：具有例如与瓶子螺纹相匹配的螺纹的内封盖，和外封盖。当打开这类封盖时，外封盖首先相对于内封盖旋转。在被旋转了例如25°的小角度之后，外封盖必须克服旋转阻挡物。旋转阻挡物仅可在打开瓶子所需的方向上经过，并且一旦经过，外封盖不可在旋转阻挡物之前旋转。从例如35°的角度向前，外封盖将力耦合到内封盖，并且因此瓶子可被打开。此处公开的篡改检测令牌现应检测外封盖是否已经转动超过25°并且是否已经经过旋转阻挡物。这意味着，外封盖相对于内封盖旋转超过25°应意味着篡改，并且这必须被检测到。对于这项应用的挑战是：
i)在外封盖和内封盖之间的保护装置的可用空间直径≤25mm且高度≤3mm，意味着从未篡改位置到已篡改位置的Cm的电容变化小于1pF；
ii)保护需要分成两部分：a)嵌体，该嵌体包括环形天线、第一相关器电极和具有NFC通信单元的相关器装置，并且安装到在内封盖外的顶部，b)第二相关器电极，该第二相关器电极安装到外封盖的内部低于外封盖的顶部，留下用于将保护令牌集成在外封盖和内封盖之间的空间；
iii)第一相关器电极通过金属(Cu)在电介质(FR4)上构造，第二相关器电极通过电介质在导电基板上构造，其中导电基板可为导电聚合物或铝箔；
iv)两个电极之间的空气间隙可为≥100μm；
v)移动装置可与NFC接口耦合以读出篡改状态。移动装置可将EM辐射注入电容性相关器中。因此，通过介电代码图案使第二电极在导电基板上构造可屏蔽免受EM辐射；
vi)CMU的分辨率为≈250fF；以及
vii)角分辨率为≈20°，因此位长度为12-18位的戈尔德码可为合适的。
根据本发明的另一示例性实施例，所描述的方法应用于向需要可附接可靠组件的装置提供低成本保护。出于那个原因，装置携载第一相关性电极、电容相关器和通信单元，而可附接组件携载第二相关性电极。当两个电极的电极图案匹配时，启用装置的功能或服务，其中保护可被设计成在已经经过一些时间之后停止功能或服务。
根据本发明的另一示例性实施例，可以低成本检测耦合到装置的可靠组件的磨损。因此，装置携载第一相关性电极、电容相关器和通信单元，而面对磨损的耦合的组件携载第二相关性电极。当两个电极的电极图案匹配时，启用装置的功能或服务，当相关性下降时，将附接组件的磨损指示给触发相关反应的装置。如果第二相关性电极可借助于化学过程与它的环境相互作用，则在一些处理时间之后，第二相关性电极可消失，从而提供与化学过程、涉及的化学试剂的类型和浓度以及环境过程参数像温度、湿度或压力有关的时间常数。具有非可靠编码的组件被耦合到装置可致使装置立即采取相关动作。
根据本发明的另一示例性实施例，由装置提供的对服务的访问可局限于具有匹配访问令牌(装置)的一组人。装置可携载第一经编码电极、电容相关器和提供服务所需的组件，而令牌可携载第二经编码电极。仅当第一电极和第二电极的编码在被耦合时示出强相关性时，才准予对服务的访问。令牌可为例如提供导电区域的低成本票证，在该导电区域中，编码可印刷到票证发行处。因此，可施加可匹配不同装置编码的不同编码，从而准予对不同服务的访问。对于改进的选择性，编码应提供足够的熵或被设计成提供与不同专用编码的强互相关性。本申请可提供次于由例如基于NFC的访问控制机制提供的控制的补充访问控制。由于这种方法的低成本，这种方法可应用于产品营销相关的活动，比如客户关系管理。
根据本发明的另一示例性实施例，由装置提供的对服务的访问可局限于具有匹配访问令牌(装置)的一组人。装置可携载第一经编码电极、相关器和提供服务所需的组件，而令牌可携载第二经编码电极。仅当第一电极和第二电极的编码在被耦合时示出强相关性时，才准予对服务的访问。令牌可为例如提供携载代码图案的导电区域的低成本票证。代码图案可通过例如移除代码图案的自相关属性的机械过程而在票证发行处失效。因此，可在票证发行处撤销对功能或服务的访问。如果票证携载各种代码，则可撤销对各种功能/代码的访问。
根据本发明的另一示例性实施例，所描述的相关篡改保护机制应用于用于密封目的的贴纸或小旗。装置，例如：任何种类的包装或瓶子，可携载一个相关性电极、电容器相关器和通信单元，而第二相关性电极包括于密封件中。第二电极可利用来自密封件的任何导电区域，或者简单几何结构的导电材料可施加到密封件。使用介电胶以点或条施加相关的图案，该介电胶还用来将密封件施加到装置，其中在导电板之间具有胶的区域为高容量的区域。移除密封件会引起失去胶的粘合剂功能，从而改变电极之间的相关性，从而引起可检测到的电容变化。无电流连接到第二电极是所需的，因此生产的简易性引起有成本效益的双因素篡改保护(替换密封件到密封件的原始位置决不会引起电极之间的原始自相关性，因为胶图案已经被毁坏)。
图1示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测系统190。篡改检测系统190包括篡改检测装置100和外部装置180。装置100包括第一电极110和第二电极120，该第一电极110和第二电极120被布置成彼此相对，两者之间具有绝缘体(例如空气)，由此形成电容器。装置100另外包括检测单元130，该检测单元130被配置成i)测量第一电极110和第二电极120之间的电容，ii)基于测得的电容获得指示(电极之间的)布置状态的信息，以及iii)基于指示布置状态的信息评估是否检测到在包装方面的篡改。换句话说，在被附接到包装(未示出)的电极110、120之间测量篡改相关电容Cm。所述电极110、120相对于彼此的位移可指示篡改。篡改相关电容与未篡改参考值的偏差因此被用作篡改检测的量度。装置100另外包括耦合到检测单元130的通信单元140。装置100和外部装置180被配置成经由装置100的第一环形天线141和外部装置180的第二环形天线181与彼此建立无线通信(例如NFC、蓝牙、RFID)。此外，外部装置180被配置成用于向篡改检测装置100无线地供应能量并且向装置100请求篡改检测结果。
图2示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测系统190的更详细的例子。装置100包括位置相关性模块135，该位置相关性模块135具有检测单元130、通信单元(例如NFC单元)140和功率调节单元136，该功率调节单元136可组织通过外部装置180的能量供应(能量采集)。检测单元130包括电容测量单元131和(偏移/旋转)相关性单元132。外部装置180包括通信接口182和数据处理单元183。据此，第二环形天线181的电磁场可借助于示意性地指示的耦合电容CAnt1和CAnt2干扰电容测量(另外参见下文图40至图43)。
图3至图7示出根据本发明的示例性实施例的篡改检测装置的基本概念。
图3示出电极110和120的例子，该电极110和120以电容器的形式被布置成彼此相对，电极110和120之间具有距离D和电极面积A。每个电极110、120通过端T1、T2接触。
图4示出例子，根据该例子，在旋转的情况下，测得的电容Cm可为360°(2π)周期性的。Cm的这类周期性可通过施加板(电极)距离
Figure BDA0002690070370000151
的同时旋转相关变化来除去，该板(电极)距离
Figure BDA0002690070370000152
可在不明确的旋转角度下将电容Cm降低
Figure BDA0002690070370000153
取决于角度位移
Figure BDA0002690070370000154
的沿着旋转轴线的位移可例如通过螺纹来实现，因为这可除去位置不明确性。选择函数
Figure BDA0002690070370000161
可为有优势的，使得未篡改位置和任何已旋转不明确位置之间的电容变化可不大于未篡改位置和任何非不明确已旋转位置之间的电容变化。
图5示出可提供指示包装的篡改的电容变化的在三维空间中的位移和/或旋转的例子。这类位移可包括通过在x方向上移位Δx，通过在y方向上移位Δy，和/或通过在z方向上移位Δz，或通过旋转角度
Figure BDA0002690070370000162
或其任何组合，从可靠(未篡改)位置P0移位到已篡改位置P1。
图6示出例子，其中位移Δx、Δy和Δz可限定位置P1，并且此外可限定穿过起点P0和位置P1的旋转轴线。从位置
Figure BDA0002690070370000163
移位到位置
Figure BDA0002690070370000164
可为使垂直于所述旋转轴线的平面旋转角度位移
Figure BDA0002690070370000165
的结果。
图7示出根据本发明的示例性实施例的第一经图案化结构111和第二经图案化结构121。第一电极110和第二电极120被布置成使得第一经图案化结构111和第二经图案化结构121彼此相对。经图案化结构111、121被实现为布置在共同平面中的空间上分离的导电板。在此例子中，第一经图案化结构111和第二经图案化结构121彼此(基本上)完全相关，因此存在高水平相关性(又称为自相关性)。这种布置可被称为第一布置状态(例如未篡改状态)并且在此状态下电容可处于其最大值。
图8至图13示出根据本发明的示例性实施例的一个电极相对于另一个电极的错位。
图8示出第二电极120相对于第一电极110在y方向上移位了小的位移Δy1。
图9示出第二电极120相对于第一电极110在y方向上移位了较大位移Δy2。当与由图8所示的布置(状态)相比时，在由图9所示的布置(状态)下，第一电极110和第二电极120之间形成的电容Cm显著更小。
图10示出第二电极120相对于第一电极110在x方向上移位了小的位移Δx1。
图11示出第二电极120相对于第一电极110在x方向上移位了较大位移Δx2。当与由图10所示的布置(状态)相比时，在由图11所示的布置(状态)下，第一电极110和第二电极120之间形成的电容Cm显著更小。如果导电区域的形状和定位为随机的，则在未篡改位置
Figure BDA0002690070370000171
和已移位位置
Figure BDA0002690070370000172
处的电容Cm可通过例如高斯分布来表示，由均值和扩展来限定。如果导电区域的形状和定位随机性以及位移操作的复杂性可受限，则这些分布的扩展可变窄。
图12和图13示出局限于旋转了角度
Figure BDA0002690070370000173
的位移。如果电极110、120的总面积Atot为有限的，则在未篡改位置
Figure BDA0002690070370000174
处的电容可具有最大值。在从P0到P1的无限制位移的情况下，电容Cm可具有最小值。在旋转的情况下，电容Cm的最大值可为周期性的，其中旋转角度是360°(2π)的整数倍。如果电极110、120的总面积Atot为有限的，并且如果位移向量的长度也为有限的，则当使电极120相对于电极110移位时，可能需要使电容Cm的变化最大化。
图14至图20示出根据本发明的示例性实施例的电极设计。
图14：第一电极110和第二电极120各自包括介电基板160，由此通过导电材料图案151形成经图案化结构，导电材料图案151彼此电耦合(并且形成为板)。电极110、120通过距离d分隔开。虽然在导电材料经图案化结构之间存在高电容，但是导电材料和介电基板或者介电基板和介电基板之间的电容非常低。
图15：第一电极110和第二电极120各自包括导电基板150，由此通过介电材料图案161形成经图案化结构(形成为板)。
图16：第一电极110包括导电基板150，而第二电极120包括介电基板160。第一电极110另外包括介电材料161的经图案化结构，而第二电极120包括导电材料151的经图案化结构，从而形成彼此电耦合的板。
图17：第一电极110和第二电极120两者均包括导电基板150。通过压印基板150以便提供压印结构155而形成经图案化结构。在此例子中，这些压印结构155提供经图案化结构。
图18：第一电极110和第二电极120分别包括导电基板150。两个经图案化结构还包括导电材料151图案。第一经图案化结构电耦合到第一电极110，并且第二经图案化结构电耦合到第二电极120。
图19：第二电极120包括介电基板160和导电材料151的第二经图案化结构，其中第二经图案化结构电耦合到第二电极120。第一电极110包括导电基板150，其中导电材料图案151与压印结构155连接。
图20：示出被配置成用于逆相关性的第一电极110的例子。在压印电极的情况下，第一电极110可恰好倒装在相关性和逆相关性之间变化。如果对于未篡改电极放置和已篡改电极放置，板之间和洞之间的电极距离保持相同，则在逆相关性的情况下，在未篡改电极布置中，电容Cm可为最小的。
图21至图32示出根据本发明的示例性实施例的电容(变化)测量的实施方案。
图21示出0......3Δx的位移。电容Cm的变化可为5∶1。所示出的配置可被视为滑动相关器，该滑动相关器执行第一电极110的经图案化结构与电极120的(基本上)相同/同等板图案之间的相关性。图案可为在未篡改状态下具有强自相关性并且当被篡改时具有差自相关性的戈尔德码。如果施加到相关电极的戈尔德码根本不匹配，则可能不会发生相关性。在例子中，与例如从扩频接收器已知的相关性相比，电容性相关器仅考虑电容变化Cm/Cmmax的代码位置，其中每一个参与电极示出导电性。
图22示出，对于图21的配置，由于在未篡改状态(0位移)下的相关性，对于具体电极配置(参见例如图15)，测得的相关性比在已篡改状态(位移1至17)下大至少3倍。
图23示出电极120的例子，该电极120已经被所述电极120的精确副本所延长。如果将要检测到通过旋转的位移，则出现这类周期性。施加在电容性相关器中的戈尔德码的特征是i)在未篡改布置的情况下和在相同电极图案的情况下的最大电容Cm，ii)在已篡改状态的情况下的变化电容Cm(波纹)以及iii)在未篡改布置下的电容cm与在已篡改状态下的峰值电容的比率。自相关性效率(相关性质量因子)可通过在未篡改状态下的电容与仅包括与戈尔德码相同位长度的“1”的代码将会提供的理论电容的比率来表示(参见下文图24中的列“变化”)。
图24示出一些戈尔德码与这些戈尔德码的关键参数，该关键参数在电容性相关器中可提供良好的自相关性能。戈尔德码的位长度可限定线性/角分辨率，代码的效率可由“1”的数量(高电容状态)限定，并且代码序列自身可影响已篡改状态下的波纹。
图25示出应用于旋转位移的上述原理。在图26中示出对于如由图22所示的电极配置的有关的相关性图式。图27示出上文描述的用于不同位移角度的相关器。
图28示出电容Cm和Cc在其中
Figure BDA0002690070370000191
的未篡改放置下可具有电容Cm和Cc的最大值。如由图29所示，测得的电容Cm′可具有Cm′＜＜(Cmmax′/4)的最小值。如由图30所示，测得的电容Cm′为约Cmmax′/4。如由图31所示，测得的电容为Cm′＝(Cmmax′/2)，引起Cm′在未篡改位置和已旋转(已篡改)位置之间变化了2∶1。
图32示出其中m0＝m1＝1、p1＝2、p2＝5、p3＝9、p4＝17并且ζ0＝21.2°的实施例(为了较佳的可视性，区段宽度ζ0并非正确地按比例调整，m0为面积乘数，m1为面积乘数因子，参见下文图34)。
图33示出由第一电极110和第二电极120形成的电容器。如果端T1或T2中的一个端超出包装170边界，在边界中包装170可不互连，则电极中的一个电极可能难以接触。这可为例如瓶子闭合件的情况。
图34示出用于解决上述问题的示例性实施例。第一电极110包括第一电极部分115和第二电极部分116，其中第一电极部分115和第二电极部分116通过互连件I互连。第二电极120包括连接到第一端T1的第三电极部分125和连接到第二端T2的第四电极部分126。第一电极部分115被布置成与第三电极部分125相对，并且第二电极部分116被布置成与第四电极部分126相对。因此，包装170(边界)可放置在第一电极110和第二电极120之间，而两个端T1、T2可从包装170的一个共同侧接入。换句话说，为了解决上文所示的问题，可能需要将形成电容Cm的电极拆分成包括电极部分115和125的电极部分，以及包括电极部分116和126的电极部分，其中电极部分125和126可从包装边界的可例如在包装170边界内部的一侧接入，而包括耦合的电极部分115和116的第一电极110可存在于包装边界的可例如在包装170边界外部的相对侧上并且因此可不通过互连件接入。因此，现在由电极部分115和125形成的电容Cm′可通过由电极部分116和126形成的电容以电容方式耦合。在一个实施例中，可选择足够大的面积乘数因子m1以使电容Cm对于测得的电容Cm′占主导地位。对于例如m1＝10*m0，可通过端T1或T2以可忽略的误差测量电容Cm′。
图35示出上述例子的另一实施例，其中具有介电材料图案161的导电基板150用于第一电极110，该第一电极110具有第一子电极部分115和电耦合到第一子电极部分115的第二子电极部分116。介电基板160用于第二电极120，该第二电极120包括第三子电极部分125和第四子电极部分126。子电极部分125和126由导电材料图案151形成。子电极部分125和126的端可从同一平面接入，而第一电极110定位于不可从所述平面接入的另一平面上。此实施例的益处在于，第一电极110可例如通过将高电容率的介电墨印刷在例如可为铝箔的导电基板上来施加，使第一电极110的制造与在包装制造商处可用的标准加工相容。此外，此实施例可提供这样的益处，即导电基板可充当屏蔽件免于电磁耦合到CMU中。
图36示出示例性实施例，其中第三电极部分125包括外部电极部分，其中第四电极部分126包括内部电极部分，并且其中外部电极部分包围内部电极部分。第二电极120包括介电基板160以及通过导电材料图案151而构造的第三电极部分125和第四电极部分126。第一电极110由包括压印结构155的导电材料150制成。包装170被布置于电极110、120之间。
图37示出应用通过上文图34至图36布局的原理的用于角度位移的位移检测器的实施例。在此具体配置中，该装置包括“浮动金属盘”电极110以及包括外金属环电极125和内金属盘电极126的对电极120。如由图38所示，戈尔德码“10100100010000000”可通过施加到电极110、120的介电材料161的点编码(图案化)，其中经图案化结构的图案必须对准。在此实施例中，角分辨率可为22.5°。示出在不同角度位移
Figure BDA0002690070370000211
Figure BDA0002690070370000212
下的电容性相关器。
图39示出装置100作为压力传感器的用途。将压力P0施加到携载电极110的组件并且以高水平相关性使电极110、120对准，引起形成测得的总电容的高电容的区域和较低电容的区域。将压力施加到电极110引起在电极上形成相关性图案的隆起区段的机械变形，因此降低在较低电容的区段中的电极110、120之间的距离d。降低的距离d引起较高电容，因此总测得的电容依据压力而增大，其中P0为初始施加的压力。
图40示出篡改检测系统190的示意图，该篡改检测系统190包括借助于环形天线141和环形天线181以操作方式耦合到数据处理外部装置180的篡改检测装置100(对比图1)。
图41示出更详细的视图，其中电容Cm0、Cm1和Cm2为电容Cm的电容分量，该电容Cm指示位移并因此指示篡改。Cant1和Cant2表示从例如环形天线141到电极110、120的寄生耦合电容。更详细地，Cm0表示电极110、120之间的位移无关直接板耦合电容。电容Cm可通过电容测量单元(CMU)测量。
图42示出噪声源VRF可将RF噪声分量以电容方式耦合到CMU 131的输入端。例如，图37的实施例对屏蔽免受源自环形天线的噪声可具有正面影响，因为金属盘电极以及环电极可充当针对噪声的短路：在沿着环形天线的耦合位置处，耦合的噪声的相位可恒定地在从0°到360°的范围内变化，从而产生强噪声衰减。在外部EM辐射的情况下，电极配置还提供屏蔽，并且本发明电极间电容与电容Cmx相加，因此另外有助于噪声衰减。
图43示出上文所示的配置的简化视图，其中电容Cm的分量未被拆分开，电容Cant1已经被忽略，因为电容Cant1并联连接到低阻抗电压源VRF并且可能不有助于噪声衰减。为了使从VRF耦合的噪声分量衰减，电容Cmx可并联耦合到Cm的电容分量。与耦合电容Cant2相比，使Cmx大可有效地使VRF的耦合的噪声分量衰减。这类噪声衰减可与通过在导电基板上的印刷的绝缘层而构造的电极组合，例如图37。
参考数字
100 篡改检测装置
110 第一电极
111 第一经图案化结构
115 第一部分
116 第二部分
120 第二电极
121 第二经图案化结构
125 第三部分
126 第四部分
130 检测单元
131 电容测量单元
132 相关性单元
135 位置相关性模块
136 功率单元
140 通信单元
141 第一环形天线
150 导电基板
151 导电材料/图案
155 压印导电结构
160 介电基板
161 介电材料/图案
170 包装
180 外部单元
181 第二环形天线
182 外部通信单元
183 数据处理单元
190 篡改检测系统
Cm 电容最大值
I 互连件
P 压力
T1、T2 第一端、第二端。

Claims (10)

1.一种用于检测在包装(170)方面的篡改的篡改检测装置(100)，其特征在于，所述装置(100)包括：
第一电极(110)，所述第一电极(110)包括第一经图案化结构(111)；
第二电极(120)，所述第二电极(120)包括第二经图案化结构(121)；
其中所述第一电极(110)和所述第二电极(120)被布置成使得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)彼此至少部分地相对，
其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第一布置状态下，第一电容是可测量的，
其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第二布置状态下，第二电容是可测量的，
其中所述第一电容不同于所述第二电容，并且
其中所述第一布置状态不同于所述第二布置状态；以及
检测单元(130)，其中所述检测单元(130)被配置成：
测量所述第一电极(110)和所述第二电极(120)之间的电容，
基于测得的电容获得指示所述布置状态的信息，并且
基于指示所述布置状态的所述信息评估是否检测到在所述包装(170)方面的篡改。
2.根据权利要求1所述的篡改检测装置(100)，
其特征在于，指示所述布置状态的所述信息基于由所述电极(110、120)相对于彼此的位移和/或旋转引起的电容变化。
3.根据权利要求1或2所述的篡改检测装置(100)，
其特征在于，当所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)在所述第一布置状态下时，未检测到篡改，其中获得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)之间的高水平相关性，并且
其中当所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)在所述第二布置状态下时，检测到篡改，其中获得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)之间的低水平相关性，具体地说
其中在所述第一布置状态下，所述测得的电容处于其最大值或处于其最小值，并且
其中在所述第二布置状态下，所述测得的电容不处于其最大值或处于其最小值。
4.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，
其特征在于，所述第一经图案化结构(111)的图案和所述第二经图案化结构(121)的图案基本上相同。
5.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，
其特征在于，所述第一经图案化结构(111)和/或所述第二经图案化结构(121)包括戈尔德码图案。
6.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，其特征在于，所述第一电极(110)和/或所述第二电极(120)包括以下特征中的至少一项：
多个空间上分离的导电材料图案(151)；
多个空间上分离的介电材料图案(161)；
在介电基板(160)上的多个空间上分离的导电材料图案(151)，和/或
在导电基板(150)上的多个空间上分离的介电材料图案(161)；
在导电基板(150)上的多个空间上分离的导电材料图案(151)；
在导电基板(150)上形成为压印结构(155)的多个空间上分离的导电材料图案(151)。
7.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，
其特征在于，所述第一电极(110)包括第一电极部分(115)和第二电极部分(116)，其中所述第一电极部分(115)和所述第二电极部分(116)互连；
其中所述第二电极(120)包括连接到第一端(T1)的第三电极部分(125)和连接到第二端(T2)的第四电极部分(126)；
其中所述第一电极部分(115)被布置成与所述第三电极部分(125)基本上相对；
其中所述第二电极部分(116)被布置成与所述第四电极部分(126)基本上相对；并且
其中所述装置(100)被配置成使得包装(170)能够放置在所述第一电极(110)和所述第二电极(120)之间，而两个端(T1、T2)能够从所述包装(170)的一侧接入。
8.一种篡改检测系统(190)，其特征在于，包括：
根据权利要求1至7中任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)；
外部装置(180)，所述外部装置(180)被配置成从所述装置(100)接收篡改检测结果；
其中所述装置(100)和所述外部装置(180)被配置成在彼此之间建立通信，具体地说是无线通信。
9.一种制造根据权利要求1至7中任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供导电预成型件，具体地说是箔；
由所述导电预成型件形成至少两个电极(110、120)；以及
使所述电极(110、120)图案化以便提供相应经图案化结构(111、121)；
其中形成和/或图案化包括由以下组成的群组中的至少一项：将导电材料(151)施加到所述预成型件/从所述预成型件上移除导电材料(151)，将介电材料(161)施加到所述预成型件/从所述预成型件上移除介电材料(161)，至少部分地压印所述预成型件。
10.一种用于由篡改检测装置检测在包装方面的篡改的方法，所述篡改检测装置具有包括第一经图案化结构(111)的第一电极(110)和包括第二经图案化结构(121)的第二电极(120)，其特征在于，所述方法包括：
布置所述第一电极(110)和所述第二电极(120)，使得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)彼此至少部分地相对，
其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第一布置状态下，第一电容是可测量的，
其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第二布置状态下，第二电容是可测量的，
其中所述第一电容不同于所述第二电容，并且
其中所述第一布置状态不同于所述第二布置状态；
测量所述第一电极(110)和所述第二电极(120)之间的电容；
基于测得的电容获得指示所述布置状态的信息；以及
基于指示所述布置状态的所述信息评估是否检测到在所述包装(170)方面的篡改。
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