CN112647131B - 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用 - Google Patents

一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN112647131B
CN112647131B CN202011437250.3A CN202011437250A CN112647131B CN 112647131 B CN112647131 B CN 112647131B CN 202011437250 A CN202011437250 A CN 202011437250A CN 112647131 B CN112647131 B CN 112647131B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gadolinium
single crystal
lithium
temperature
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011437250.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112647131A (zh
Inventor
王坤鹏
张建秀
范立群
任衍彪
李凤丽
刘泳
周利
姚永峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zaozhuang University
Original Assignee
Zaozhuang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zaozhuang University filed Critical Zaozhuang University
Priority to CN202011437250.3A priority Critical patent/CN112647131B/zh
Publication of CN112647131A publication Critical patent/CN112647131A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112647131B publication Critical patent/CN112647131B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/34—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
    • H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
    • H01M10/0562—Solid materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Abstract

本发明公开了一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用，将锂源、氧化钆、氧化锆按摩尔比Li:Gd:Zr=7‑15:3:2进行配料，加入助熔剂，于玛瑙坩埚中充分研磨，置于马弗炉中，快速升温至500‑900oC，恒温10‑48小时，以50‑200 oC/h的降温速率冷却到室温，得到纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；得到的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨混合均匀，制作晶体生长料棒；料棒引入光学浮区炉，采用助熔剂光学浮区技术生长该化合物的单晶体，晶体尺寸达到厘米级。本发明中的锆酸钆锂化合物及其单晶材料为纯相的石榴石结构，无杂质相，电化学性能优异。

Description

一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用
技术领域
本发明涉及一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用，属于锂离子电池技术领域。
背景技术
锂基石榴石结构由于其具有高的离子导电性、以及与锂阳极和锂阴极接触时的化学稳定性，被认为是最有前途的全固态锂离子电池的候选材料。在已知的锂基石榴石中，立方li7la3ZrO2（LLZO）的体电导率最高，为10-4 S cm-1，比其四方相在25℃时的电导率高2个数量级。
迄今为止，对LLZO的研究主要集中在多晶粉末上。为了研究离子电导率的各向异性，需要大尺寸、高质量的单晶。不幸的是，迄今为止还没有大尺寸的立方LLZO单晶。2013年，G.Mariotto尝试用高温熔盐法(c.a 1200oC)生长立方相LLZO，但未能成功，尽管他们从助熔剂溶液中分离出了尺寸小且质量低（孪晶、熔剂夹杂和坩埚污染等）的四方相LLZO微晶。立方LLZO单晶的生长由于其严重的锂气化、高熔点和杂质敏感等特点而被认为是一个非常具有挑战性的问题。
因此，进一步寻找新型的、易于生长的、成本更低的无机全固态电解质成为一项重要课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的本发明采用以下技术方案：一种锆酸钆锂化合物，其特征在于，所述锆酸钆锂化合物的化学式为：Li7Gd3Zr2O12，其晶型为单一纯相的石榴石结构，所述的单晶尺寸为微米至厘米级。
一种锆酸钆锂化合物的单晶体制备方法，包括以下步骤：
（1）将锂源、氧化钆、氧化锆按摩尔比Li:Gd:Zr = 7-15:3:2进行配料，加入助熔剂，于玛瑙坩埚中充分研磨，置于马弗炉中，高温固相反应后冷却到室温，得到纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
（2）将步骤（1）中得到的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨混合均匀，制作晶体生长料棒；
（3）将步骤（2）所述的料棒引入光学浮区炉，采用助熔剂光学浮区技术生长该化合物的单晶体，晶体尺寸达到厘米级。
作为本发明进一步的方案，所述锂源为LiOH.H2O、Li2CO3、LiNO3、Li2O或Li2C2O4.H2O；所述助熔剂为氯化钠(NaCl)或自助熔剂LiOH.H2O，锆酸钆锂与助熔剂的摩尔比为1:2-5；高温固相反应温度为500-900oC，恒温10-48小时，以50-200oC/h的降温速率冷却到室温。
作为本发明进一步的方案，制备的料棒直径为0.5-0.8 cm，料棒长度为5-15cm。
作为本发明进一步的方案，晶体生长温度为1000-1200 oC，料棒旋转速率为20-40rpm，晶体生长速率为0.15-5mm/h。
所述的制备方法制备得到的石榴石结构锆酸钆锂化合物和单晶体，其特征在于，将所述锆酸钆锂化合物和单晶体应用于锂离子电池固态电解质领域中。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明实现了固态电解质Li7Gd3Zr2O12的晶粒尺寸可控生长和制备，尺寸从微米到厘米级均可控制获得；本发明所述锆酸钆锂是全固态电解质家族的一位新成员，具有比LLZO更稳定的电化学性质以及易于制备。
附图说明
图1为本发明锆酸钆锂的X射线衍射谱；
图2为本发明锆酸钆锂的微米级单晶颗粒照片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的阐述。
实施例1
助熔剂法生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）微米级单晶：
高温固相反应的化学方程式为：7LiOH.H2O + 1.5Gd2O3+ 2ZrO2 → Li7Gd3Zr2O12 +10.5H2O↑；
将LiOH.H2O、Gd2O3和ZrO2按照化学计量比15:3:2置于玛瑙坩埚中(LiOH.H2O为自助熔剂)，于玛瑙坩埚中加入无水酒精充分研磨30分钟，然后置于马弗炉中，缓慢升温至270oC，恒温24小时，充分放水放气，然后快速升温至500 oC，恒温48小时，然后以50oC/h的降温速率冷却到室温，获得纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，置于玛瑙坩埚中研磨，做粉末XRD测试，如图1所示；纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒照片如图2所示；
锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）晶体生长料棒的制备：
将上述步骤的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨，制作晶体生长料棒，料棒的直径为0.8 cm, 料棒的长度为 6cm；
高压浮区技术生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶：
将上述步骤的料棒引入高压光学浮区炉，采用高压浮区技术生长厘米级的单晶体。将晶体生长腔内抽真空至10-7mbar, 然后充入95%的Ar和5%的O2，控制生长腔内的压力为40bar，以防止锂的高温挥发；调整籽晶与料棒之间的距离至0.5cm，将光路聚集于籽晶顶端，升温至籽晶顶端产生融熔态，下降料棒与籽晶的顶部融熔态接触，从而形成凹形液面的生长区；调整晶体生长温度为1200 oC，料棒旋转速率为20rpm，晶体生长速率为0.15/h。获得直径为0.8cm, 长度为2cm的锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶。
实施例2
助熔剂法生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）微米级单晶：
高温固相反应的化学方程式为：3.5Li2CO3+ 1.5Gd2O3+ 2ZrO2 + NaCl(助熔剂)→Li7Gd3Zr2O12 + 3.5CO2↑；
将Li2CO3、Gd2O3、ZrO2和助熔剂NaCl按照化学计量比Li:Gd:Zr: NaCl = 7:3:2:14置于玛瑙坩埚中（即LGZO:NaCl = 1:2），于玛瑙坩埚中加入无水酒精充分研磨30分钟，然后置于马弗炉中，缓慢升温至270oC，恒温24小时，充分放水放气，然后快速升温至600 oC，恒温24小时，然后以70oC/h的降温速率冷却到室温，获得纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）晶体生长料棒的制备：
将上述步骤的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨，制作晶体生长料棒，料棒的直径为0.8 cm, 料棒的长度为 7cm；
高压浮区技术生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶：
将上述步骤的料棒引入高压光学浮区炉，采用高压浮区技术生长厘米级的单晶体。将晶体生长腔内抽真空至10-7mbar, 然后充入95%的Ar和5%的O2，控制生长腔内的压力为40bar，以防止锂的高温挥发；调整籽晶与料棒之间的距离至0.4cm，将光路聚集于籽晶顶端，升温至籽晶顶端产生融熔态，下降料棒与籽晶的顶部融熔态接触，从而形成凹形液面的生长区；调整晶体生长温度为1180 oC，料棒旋转速率为25rpm，晶体生长速率为0.2/h。获得直径为0.7cm, 长度为3cm的锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶。
实施例3
助熔剂法生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）微米级单晶：
高温固相反应的化学方程式为： 7LiNO3+ 1.5Gd2O3+ 2ZrO2 + NaCl(助熔剂)→Li7Gd3Zr2O12 + 7NO2↑；
将LiNO3、Gd2O3、ZrO2和助熔剂NaCl按照化学计量比Li:Gd:Zr: NaCl = 7:3:2:21置于玛瑙坩埚中（即LGZO:NaCl = 1:3），于玛瑙坩埚中加入无水酒精充分研磨30分钟，然后置于马弗炉中，缓慢升温至280oC，恒温12小时，充分放水放气，然后快速升温至700 oC，恒温48小时，然后以80oC/h的降温速率冷却到室温，获得纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）晶体生长料棒的制备：
将上述步骤的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨，制作晶体生长料棒，料棒的直径为0.7 cm, 料棒的长度为 8cm；
高压浮区技术生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶：
将上述步骤的料棒引入高压光学浮区炉，采用高压浮区技术生长厘米级的单晶体。将晶体生长腔内抽真空至10-7mbar, 然后充入95%的Ar和5%的O2，控制生长腔内的压力为40bar，以防止锂的高温挥发；调整籽晶与料棒之间的距离至0.3cm，将光路聚集于籽晶顶端，升温至籽晶顶端产生融熔态，下降料棒与籽晶的顶部融熔态接触，从而形成凹形液面的生长区；调整晶体生长温度为1150 oC，料棒旋转速率为30rpm，晶体生长速率为0.25/h。获得直径为0.7cm, 长度为4cm的锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶。
实施例4
助熔剂法生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）微米级单晶：
高温固相反应的化学方程式为： 3.5Li2O+ 1.5Gd2O3+ 2ZrO2 + NaCl(助熔剂)→Li7Gd3Zr2O12+O2↑；
将Li2O、Gd2O3、ZrO2和助熔剂NaCl按照化学计量比Li:Gd:Zr: NaCl = 7:3:2:28置于玛瑙坩埚中（即LGZO:NaCl = 1:4），于玛瑙坩埚中加入无水酒精充分研磨60分钟，然后置于马弗炉中，缓慢升温至270oC，恒温24小时，充分放水放气，然后快速升温至800 oC，恒温48小时，然后以90oC/h的降温速率冷却到室温，获得纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）晶体生长料棒的制备：
将上述步骤的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨，制作晶体生长料棒，料棒的直径为0.6 cm, 料棒的长度为 7cm；
高压浮区技术生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶：
将上述步骤的料棒引入高压光学浮区炉，采用高压浮区技术生长厘米级的单晶体。将晶体生长腔内抽真空至10-7mbar, 然后充入95%的Ar和5%的O2，控制生长腔内的压力为40bar，以防止锂的高温挥发；调整籽晶与料棒之间的距离至0.2cm，将光路聚集于籽晶顶端，升温至籽晶顶端产生融熔态，下降料棒与籽晶的顶部融熔态接触，从而形成凹形液面的生长区；调整晶体生长温度为1130 oC，料棒旋转速率为35rpm，晶体生长速率为0.3/h。获得直径为0.5cm, 长度为5cm的锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶。
实施例5
助熔剂法生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）微米级单晶：
高温固相反应的化学方程式为：3.5Li2C2O4.H2O+ 1.5Gd2O3+ 2ZrO2 + NaCl(助熔剂)→ Li7Gd3Zr2O12 +7CO2↑+ 3.5H2O↑；
将Li2C2O4.H2O、Gd2O3、ZrO2和助熔剂NaCl按照化学计量比Li:Gd:Zr: NaCl = 7:3:2:35置于玛瑙坩埚中（即LGZO:NaCl = 1:5），于玛瑙坩埚中加入无水酒精充分研磨30分钟，然后置于马弗炉中，缓慢升温至300oC，恒温24小时，充分放水放气，然后快速升温至900 oC，恒温48小时，然后以100oC/h的降温速率冷却到室温，获得纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）晶体生长料棒的制备：
将上述步骤的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨，制作晶体生长料棒，料棒的直径为0.8 cm, 料棒的长度为 5cm；
高压浮区技术生长锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶：
将上述步骤的料棒引入高压光学浮区炉，采用高压浮区技术生长厘米级的单晶体。将晶体生长腔内抽真空至10-7mbar, 然后充入95%的Ar和5%的O2，控制生长腔内的压力为40bar，以防止锂的高温挥发；调整籽晶与料棒之间的距离至0.5cm，将光路聚集于籽晶顶端，升温至籽晶顶端产生融熔态，下降料棒与籽晶的顶部融熔态接触，从而形成凹形液面的生长区；调整晶体生长温度为1100 oC，料棒旋转速率为40rpm，晶体生长速率为0.35/h。获得直径为0.7cm, 长度为3cm的锆酸钆锂（Li7Gd3Zr2O12）厘米级单晶。
以上所述为本发明较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本发明的教导，在不脱离本发明的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种锆酸钆锂化合物，其特征在于，所述锆酸钆锂化合物的化学式为：Li7Gd3Zr2O12，其晶型为单一纯相的石榴石结构，锆酸钆锂化合物的单晶体尺寸为微米至厘米级。
2.一种锆酸钆锂化合物的单晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将锂源、氧化钆、氧化锆按摩尔比Li:Gd:Zr = 7-15:3:2进行配料，加入助熔剂，于玛瑙坩埚中充分研磨，置于马弗炉中，高温固相反应后冷却到室温，得到纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；
（2）将步骤（1）中得到的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨混合均匀，制作晶体生长料棒；
（3）将步骤（2）所述的料棒引入光学浮区炉，采用助熔剂光学浮区技术生长该化合物的单晶体，晶体尺寸达到厘米级；
所述锂源为LiOH·H2O、Li2CO3、LiNO3、Li2O或Li2C2O4·H2O；所述助熔剂为氯化钠或自助熔剂LiOH·H2O，锆酸钆锂与助熔剂的摩尔比为1:2-5；高温固相反应温度为500-900oC，恒温10-48小时，以50-200oC/h的降温速率冷却到室温；制备的料棒直径为0.5-0.8 cm，料棒长度为5-15cm，晶体生长温度为1000-1200oC，料棒旋转速率为20-40rpm，晶体生长速率为0.15-5mm/h。
3.一种如权利要求2所述的制备方法制备得到的石榴石结构锆酸钆锂化合物的单晶体，其特征在于，将所述锆酸钆锂化合物的单晶体应用于锂离子电池固态电解质领域中。
CN202011437250.3A 2020-12-11 2020-12-11 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用 Active CN112647131B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011437250.3A CN112647131B (zh) 2020-12-11 2020-12-11 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011437250.3A CN112647131B (zh) 2020-12-11 2020-12-11 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112647131A CN112647131A (zh) 2021-04-13
CN112647131B true CN112647131B (zh) 2022-02-22

Family

ID=75350720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011437250.3A Active CN112647131B (zh) 2020-12-11 2020-12-11 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112647131B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115491748A (zh) * 2022-11-01 2022-12-20 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435109A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 中国科学院理化技术研究所 一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法
EP3176291A1 (en) * 2014-07-31 2017-06-07 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Lithium-containing garnet crystal body, method for producing same, and all-solid-state lithium ion secondary battery
CN107732298A (zh) * 2017-11-08 2018-02-23 天津工业大学 一种用于全固态锂离子电池的Gd掺杂Li7La3Zr2O12石榴石型固体电解质

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435109A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 中国科学院理化技术研究所 一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法
EP3176291A1 (en) * 2014-07-31 2017-06-07 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Lithium-containing garnet crystal body, method for producing same, and all-solid-state lithium ion secondary battery
CN107075722A (zh) * 2014-07-31 2017-08-18 国立研究开发法人产业技术综合研究所 含锂石榴石晶体及其制造方法、以及全固体锂离子二次电池
CN107732298A (zh) * 2017-11-08 2018-02-23 天津工业大学 一种用于全固态锂离子电池的Gd掺杂Li7La3Zr2O12石榴石型固体电解质

Also Published As

Publication number Publication date
CN112647131A (zh) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Improved room temperature ionic conductivity of Ta and Ca doped Li7La3Zr2O12 via a modified solution method
JPWO2017130622A1 (ja) リチウム含有ガーネット結晶体および全固体リチウムイオン二次電池
CN101225545B (zh) 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法
CN101942699A (zh) 一种具有倍频效应的硼酸钙氧盐晶体的生长方法
CN112647131B (zh) 一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用
US20220320578A1 (en) Gallium-substituted solid electrolyte material, and all-solid-state lithium ion secondary battery
KR20210134213A (ko) 가넷 구조에 기초한 알루미늄-도핑된 리튬 이온 전도체
CN102766906B (zh) 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
CN103132131A (zh) 大尺寸lbo晶体的助溶剂生长方法
CN107268084B (zh) 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法
CN114411251B (zh) 一种使用移动加热器法生长高质量cllb晶体的方法
US4792377A (en) Flux growth of sodium beta" alumina
Minegishi et al. Crystal growth and characterization of LixLa (1− x)/3NbO3 using Czochralski method
CN105586638A (zh) 一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法
CN113322508B (zh) 一种高温相硼硅酸镧晶体的生长方法及应用
CN108505118B (zh) 一种大尺寸硼钨酸镧晶体的制备方法
CN111763987B (zh) 一种Tm3+自激活激光晶体及其制备方法
CN112553689B (zh) 一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途
CN107541781A (zh) 一种用于生长硼硅酸镧晶体的方法
CN112522777B (zh) 一种钒硼酸锂钡固溶体及其单晶体制备方法与用途
CN112538656B (zh) 一种钒酸铁锂正极单晶材料的制备方法及其应用
RU2720349C1 (ru) Способ получения твердого электролита
Shishido et al. Flux growth and crystal structure determination of trilithium niobate
CN115261989A (zh) 一种快响应铌酸锂晶体及其制备方法
KR20230051800A (ko) 황화리튬의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant