CN112635511B - 电子装置及电子装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一种电子装置及电子装置的制造方法，所述电子装置包括第一基板、多个发光二极管晶粒、透明材料层、密封材料以及第二基板。多个发光二极管晶粒设置于第一基板上。透明材料层设置于第一基板上。密封材料设置于第一基板上且环绕透明材料层。第二基板通过透明材料层以及密封材料与第一基板黏合。

Description

电子装置及电子装置的制造方法
技术领域
本揭露涉及一种电子装置及电子装置的制造方法。
背景技术
随着科技进步，电子装置已导入于不同类型的产品上，例如具有发光二极管的电子装置。对于电子装置的要求也不断提高，而增长电子装置的寿命，或改善封装技术已为探讨的方向之一。
发明内容
根据本揭露的实施例，电子装置包括第一基板、多个发光二极管晶粒、透明材料层、密封材料以及第二基板。多个发光二极管晶粒设置于第一基板上。透明材料层设置于第一基板上且覆盖多个发光二极管晶粒。密封材料设置于第一基板上且环绕透明材料层。第二基板与第一基板对向地设置，且通过透明材料层以及密封材料与第一基板黏合。
根据本揭露的实施例，电子装置的制造方法包括以下步骤。提供第一基板及第二基板，其中于第一基板上设置多个发光二极管晶粒。设置透明材料层及密封材料于第一基板或第二基板上，其中密封材料环绕透明材料层。对组第一基板与第二基板。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A至图1D为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的示意图，且图1D为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图；
图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图；
图3为本揭露一实施例的电子装置的制作方法的流程图；
图4为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图；
图5为本揭露另一实施例的电子装置的俯视示意图；
图6为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图；
图7为本揭露再一实施例的电子装置的剖面示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感或其他非导体线段的组件其中之一与至少一导电段或电阻的组合，或至少上述二者与至少一导电段或电阻的组合。
在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以选择性采用光学显微镜和/或扫描电子显微镜(SEM)测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
术语“大约”、“实质上”或“大体上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
在本揭露中，电子装置可包括显示设备、触控显示设备、发光装置、天线装置、感测装置、拼接装置或任何适合类型的电子装置，但不限于此。
电子装置可包括无机发光二极管(light-emitting diode,LED)，例如微型发光二极管(micro-LED,mini-LED)、量子点(quantum dots,QDs)材料、量子点发光二极管(QLED,QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不限于此。
此外，电子装置可为彩色显示设备或单色显示设备，且电子装置的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。在本揭露中，电子装置为举例为矩形，且为彩色电子装置，但不限于此。
图1A至图1D为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的示意图。
请参照图1A，提供第一基板110，且于第一基板110上设置多个发光二极管晶粒(light emitting dies)120。第一基板110包括第一基板本体112和/或组件层114，其中组件层114设置于第一基板本体112上，且多个发光二极管晶粒120设置于组件层114上并与组件层114电性连接。在一些实施例中，第一基板本体112的材料可包括透明基板或非透明基板。在一些实施例中，第一基板本体112可包括硬性基板、软性基板或上述的组合。举例而言，第一基板本体112的材料包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、橡胶、或其他适合的材料或上述材料的组合，但并不限于此。组件层114例如包括电路结构用以驱动发光二极管晶粒120。举例而言，组件层114可包括多条扫描线、多条数据线、多个晶体管和/或多个电极。多个发光二极管晶粒120可例如以阵列方式设置于第一基板110上，但不限于此。在一些实施方式中，发光二极管晶粒120可通过导电垫(未示出)与组件层114电性连接，但不限于此。在一些实施方式中，发光二极管晶粒120例如为可发出蓝光、UV光或其它合适的颜色光，但不以此为限。在一些实施方式中，发光二极管晶粒120可包括p型半导体层及n型半导体层，但并不限于此。在一些实施方式中，发光二极管晶粒120可包括微米等级或毫米等级的尺寸的发光二极管晶粒，但不限于此，发光二极管晶粒120的尺寸可根据需求做调变。在一些实施方式中，电子装置例如为显示设备，电子装置可包括显示区AR以及环绕显示区AR的非显示区NR，且多个发光二极管晶粒120例如设置于显示区AR中。如图1A至图1D及图2所示，显示区AR的区域可大致定义为包含所有发光二极管晶粒120的最小区域。如图2所示，显示区AR的区域例如为矩型，但不限于此，显示区AR的区域的外型可根据需求做调变，例如包括三角型、弧边型、多边型或其它不规则外型。
请继续参照图1A，第一基板110上可设置填充层130。填充层130例如邻近于或围绕于发光二极管晶粒120设置。在一些实施例中，如图1A，填充层130例如设置于多个发光二极管晶粒120之间。在一些实施例中，填充层130可用于固定或保护发光二极管晶粒120。在一些实施例中，于一剖面下，如图1A，填充层130的上表面(即远离第一基板本体112的表面)与第一基板本体112之间的最大距离Da可例如小于或等于发光二极管晶粒120的上表面(即远离第一基板本体112的表面)与第一基板本体112之间的最大距离Db。在一些实施例中(未示出)，于一剖面下，填充层130与第一基板本体112之间的最大距离Da可例如大于或等于发光二极管晶粒120与第一基板本体112之间的最大距离Db。在一些实施例中(未示出)，填充层130可覆盖至少部分的发光二极管晶粒120。在一些实施例中，填充层130可包括透明材料、非透明材料或上述的组合。在一些实施例中，填充层130可包括单层结构或复合层结构。在一些实施例中，填充层130可具有遮蔽光特性。在一些实施例中，填充层130的材料可包括环氧树脂材、压克力材、其他合适材料或上述的组合。
请继续参照图1A，在一些实施例中，电子装置包括第二基板140，第二基板140与第一基板110相对设置。在一些实施例中，第二基板140例如包括第二基板本体142、遮光图案层BK、多个彩色滤光结构CF和/或多个波长转换结构WT。第二基板本体142可例如具有与第一基板本体112相同或相似的材料，于此不再赘述。在一些实施例中，遮光图案层BK例如邻近于或环绕于彩色滤光结构CF和/或波长转换结构WT。在一些实施例中，遮光图案层BK具有多个开口而形成网格结构。在一些实施例中，于第二基板本体142的法线方向Z上，彩色滤光结构CF例如重叠于网格结构的开口。在一些实施例中，遮光图案层BK的材料可包括黑色树脂、黑色光阻、金属或其组合。在一些实施例中，彩色滤光结构CF例如分别对应设置于发光二极管晶粒120上，藉此可调整或转换由发光二极管晶粒120发出的光的色彩。彩色滤光结构CF可例如包括红色滤光结构、绿色滤光结构、蓝色滤光结构或其它合适颜色的滤光结构，但不限与此。在一些实施例中，如图1A，彩色滤光结构CF例如设置于波长转换结构WT与第二基板本体142之间，且于第二基板本体142的法线方向Z上，波长转换结构WT可重叠于彩色滤光结构CF。在一些实施例中，波长转换结构WT的材料可包括量子点材料、磷光材料、荧光材料、其它合适的波长转换材料或上述的组合。换句话说，波长转换结构WT可将发光二极管晶粒120的发光波长转换成另一种波长的光。在一些实施例中，波长转换结构WT所转换的波长范围可大致对应于彩色滤光结构CF的颜色。举例来说，于第二基板本体142的法线方向Z上，红色波长转换结构与红色滤光结构可重叠，绿色波长转换结构与绿色滤光结构可重叠，蓝色波长转换结构与蓝色滤光结构可重叠，但不限于此。
请参照图1B，在一些实施例中，于第一基板110上可设置透明材料层150P，其中透明材料层150P例如设置于填充层130和/或发光二极管晶粒120上。在一些实施例中，透明材料层150P可覆盖多个发光二极管晶粒120。一些实施例中，透明材料层150P例如是经由涂布方式设置于第一基板110上，上述涂布方式例如包括网板印刷法、点胶涂布法、排针涂布法、狭缝式涂布法、凹板印刷法、喷墨印刷法、胶板印刷法、凸板印刷法或其它合适方法，但不限于此。需说明的是，透明材料层150P并不限制需设置于第一基板110上，在另一些实施例中，透明材料层150P可设置于第二基板140上。在一些实施例中，透明材料层150P的材料的光穿透率例如大于及等于90％(≧90％)之间，例如介于95％至99％之间(95％≦光穿透率≦99％)的材料。在一些实施例中，透明材料层150P的材料可包括光学透明树脂(opticalclear resin；OCR)或光学透明胶(optical clear adhesive；OCA)，例如包括丙烯酸系树脂、硅氧树脂、环氧树脂或其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，透明材料层150P可具有阻水氧特性或保护特性，但不限于此。在一些实施例中，透明材料层150P于固化前例如可具有流动特性，使后续对组第一基板110与第二基板140时，透明材料层150P可更均匀的设置于第二基板140与第一基板110之间，提高电子装置的质量。在一些实施例中，透明材料层150P于固化前的黏度(viscosity)范围例如介于10厘泊(mPa.s)至200厘泊(mPa.s)之间(10厘泊≦黏度≦200厘泊)，但不限于此。
请参照图1C，在一些实施例中，于第一基板110上设置密封材料160P。在一些实施例中，密封材料160P例如环绕于透明材料层150P，且位于非显示区NR中，但不限于此。在一些实施例中，密封材料160P例如是经由与透明材料层150P相似的涂布方法设置于第一基板110上。
一些实施例中，透明材料层150P和/或密封材料160P可采用喷涂式或喷墨式涂胶设备涂布。喷涂式或喷墨式涂胶设备可包括喷墨印刷机(ink jet printer)、喷射涂布机(jet dispenser)、狭缝式涂布机、纳米气溶胶喷涂机(Aerosol jet)、超精细喷墨印刷机(Super-fine ink jet printer)，但不限于此。在部分的实施例中，密封材料160P可例如以贴附方式设置于第一基板110上。在一些实施例中(未示出)，可设置多个密封材料160P。在一些实施例中(未示出)，由俯视方向上看，多个密封材料160P例如分别为环状图样，此些密封材料160P例如依序围绕于透明材料层150周围，且多个密封材料160P经对组和/或固化后可例如彼此接触，以提高对组后密封材料环绕于透明材料层150周围的完整性。举例来说，可例如先设置第一环状的密封材料160P后，再设置另一个环状的密封材料160P，但不限于此。在其他实施例，多个密封材料160P也可例如同时设置。在一些实施例中(未示出)，由俯视方向上看，多个密封材料160P可例如包含多个片段，此些片段的密封材料160P例如环绕于透明材料层150，且多个密封材料160P经对组和/或固化后可例如彼此接触，但不限于此。在一些实施例中，多个密封材料160P投影至第一基板110上的轮廓形状可相同或不同。上述多个密封材料160P的材料可以相同或不同。在此需说明的是，密封材料160P并不限制设置于第一基板110上，在另一些实施例中，密封材料160P可设置于第二基板140上。设置完上述透明材料层150P与密封材料160P于第一基板110或第二基板140后，可对组第一基板110与第二基板140，使密封材料160P环绕透明材料层150，其中例如于真空环境下对组第一基板110与第二基板140。后续可对密封材料160P进行固化，此固化例如为预固化，详细流程将于图3会再说明。在一些实施例中，于固化前，密封材料160P的黏度可大于透明材料层150P的黏度。在一些实施例中，密封材料160P的材料可相同或相似于透明材料层150P的材料，但密封材料160P中的材料例如包括较多的高分子长链，使其的黏度大于透明材料层150P的黏度，但不限于此。在一些实施例中，密封材料160P的黏度例如为透明材料层150P的黏度的1000倍以上，但不限于此。在一些实施例中，密封材料160P的黏度范围可介于250泊(Pa.s)至350泊(Pa.s)之间(250泊≦黏度≦350泊)，但不限于此。在一些实施例中，密封材料160P可包括光起始剂，以使密封材料160P可经由照光而固化，但不限于此。
在一些实施例中，于第二基板本体142的法线方向Z上，密封材料160P未重叠或覆盖于发光二极管晶粒120。在另一些实施例中，于第二基板本体142的法线方向Z上，密封材料160P可重叠或覆盖于部分的发光二极管晶粒120，在此情况下，密封材料160P可例如选用具有高穿透度的特性的材料，例如穿透率可大于或等于90％(≧90％)的材料。
请参照图1D，对组第一基板110与第二基板140，以形成电子装置100a。上述的对组第一基板110与第二基板140例如包括以下步骤。首先，将第二基板140下压以使与第一基板110与第二基板140通过透明材料层150P和/或密封材料160P黏着，且透明材料层150P及密封材料160P例如彼此接触，而上述对组步骤可于真空环境下进行。之后，例如对密封材料160P照光(例如紫外光，但不限于此)以进行预固化，但不限于此。接着，对透明材料层150P及密封材料160P进行加热以进行固化，但不限于此。在一些实施例中，预固化与固化例如于非真空环境(例如一般气压环境)下进行，而由于透明材料层150P及密封材料160P在由真空环境移至非真空环境(例如一般气压环境)下，可能会因内外压力差而使密封材料160P受到挤压，故密封材料160P可选用具有较大黏度的材料，可降低上述因挤压的压力而使密封材料160P产生的缺陷(例如空气击穿造成的断口、裂隙)，使第一基板110与第二基板140间存有空气，而影响电子装置的寿命(例如降低发光二极管晶粒120的寿命)或信赖性。一些实施例中，经由固化后的密封材料160的硬度可例如大于经由固化后透明材料层150的硬度，但不以此为限。一些实施例中，透明材料层150的硬度不同于经由固化后的密封材料160的硬度。至此，可完成本揭露的电子装置100a的制作。通过上述透明材料层150P及密封材料160P的设置关系和/或材料选用，可降低第二基板140与第一基板110之间对组后存有空气的机率，提高电子装置的寿命或信赖性。
本实施例的电子装置100a的制造方法虽然是以上述方法为例进行说明，然而本揭露的电子装置100a的形成方法并不以此为限，可根据需求删除上述部分的步骤，或加入其他步骤。另外，上述步骤可根据需求调整顺序。
在一些实施例中，对组第一基板110与第二基板140后的电子装置100a中的透明材料层150的厚度T可大于或等于2微米(μm)且小于或等于20微米(2微米(μm)≦厚度T≦20微米)，但不限于此，厚度T例如为于一剖面下，透明材料层150的最大厚度。举例而言，透明材料层150的厚度T例如介于3微米至10微米之间(3微米≦厚度T≦10微米)，或5微米至15微米之间(5微米≦厚度T≦15微米)。在一些实施例中，如图1D，密封材料160的厚度T1可例如大于或等于2微米(μm)且小于或等于20微米(2微米(μm)≦厚度T1≦20微米)，但不限于此，厚度T1例如为于一剖面下，密封材料160的最大厚度。举例而言，密封材料160的厚度T1例如介于3微米至10微米之间(3微米≦厚度T1≦10微米)，或5微米至15微米之间(5微米≦厚度T1≦15微米)。通过上述的厚度T和/或厚度T1的设计，可降低发光二极管晶粒120与波长转换结构WT之间于第二基板本体142的法线方向Z上的距离，而降低发光二极管晶粒120所发出的光射到非对应的波长转换结构WT中而造成干扰，影响图像的显示。
请参照图1D及图2，图1D示出本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图，图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图。为了附图清晰，图2中主要表示彩色滤光结构CF、透明材料层150与密封材料160，而省略其他组件。图2的透明材料层150设置于电子装置100a的显示区AR中，且密封材料160设置于电子装置100a的非显示区NR中且环绕于透明材料层150，故用户观看电子装置100a时不会看到密封材料160。在一些实施例中，如图2，密封材料160可例如与透明材料层150接触，且密封材料160与透明材料层150之间的界面(未标示)例如可位于非显示区NR中，但不限于此。
图3为本揭露一实施例的电子装置的制作方法的流程图。须说明的是，图3的实施例可沿用图1A至图1D的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。另外，本流程图仅为示例，并非用于限制电子装置的制作步骤。
在步骤S10中，提供第一基板110与第二基板140，其中于第一基板110上设置多个发光二极管晶粒120。于步骤S10中可选择性对第一基板110和/或第二基板140进行清洗。举例来说，可通过离子枪来清洗第一基板110和/或第二基板140。
在步骤S20中，设置透明材料层150P及密封材料160P于第一基板110或第二基板140上，其中密封材料160P环绕于透明材料层150P。透明材料层150P及密封材料160P的设置方式可参照前述实施例，于此不再赘述。
在步骤S30中，对组第一基板110与第二基板140。于步骤S30中，可例如将第一基板110与第二基板140移置于真空环境下进行对组。
在步骤S40中，固化密封材料160P。于步骤S40中的固化例如为预固化，但不限于此。举例来说，将第一基板110与第二基板140自真空环境中取出，对密封材料160P照射光线(例如紫外光)以进行预固化，但不限于此。通过上述的预固化步骤，可降低第一基板110与第二基板140因发生位移而产生亮度不均匀、色差等不良现象。
在步骤S50中，固化透明材料层150P和/或密封材料160P。于步骤S50中的固化例如包括热固化、光固化、其他合适的固化方式或上述的组合。在一些实施例中，步骤S50中的热固化可例如通过烘箱或加热板来进行，但不限于此。通过上述的步骤后，第一基板110与第二基板140可通过透明材料层150和/或密封材料160来黏合，而完成电子装置100a的制作。
图4为本揭露另一实施例的电子装置100b的剖面示意图，且图5为本揭露另一实施例的电子装置的俯视示意图。图4的电子装置100b与前述的电子装置100a的主要差异在于：电子装置100b的密封材料160更设置于显示区AR中，且于第二基板本体142的法线方向Z上，重叠或覆盖部分的发光二极管晶粒120。换句话说，密封材料160与透明材料层150之间的界面(未标示)例如位于显示区AR中。在此情况下，密封材料160的材料选用可具有高穿透率特性，例如可具有大于90％的光穿透率，甚至可具有大于95％的光穿透率。在一些实施例中，如图5，于第二基板本体142的法线方向Z上，密封材料160可例如至少部分重叠于位于周边的彩色滤光结构CF。在一些实施例中，如图5，于第二基板本体142的法线方向Z上，密封材料160的投影轮廓不限定为口字型，密封材料160的投影轮廓的外型可根据需求做调变，例如包括三角型、弧边型、多边型或其它不规则外型。在一些实施例中，如图5，密封材料160的宽度W1可大于或等于彩色滤光结构CF的宽度W2。在一些实施例中(如图4及图5)，密封材料160的宽度W1可大于或等于子像素的宽度，子像素的宽度可例如通过遮光图案层BK的开口来定义，但不限于此。
图6为本揭露另一实施例的电子装置100c的剖面示意图。电子装置100c与前述的电子装置100a的主要差异在于：电子装置100c的密封材料160可例如与组件层114接触，换句话说，密封材料160与组件层114之间可选择性无设置填充层130，而密封材料160例如环绕填充层130及透明材料层150，但不限于此。在一些实施例中，如图6，密封材料160的厚度T1可例如大于填充层130的厚度和/或透明材料层150的厚度T。
图7为本揭露另一实施例的电子装置100d的剖面示意图。电子装置100d与前述的电子装置100a的主要差异在于：电子装置100d可不具有填充层130，而密封材料160和/或透明材料层150例如与组件层114接触。
根据上述，本揭露实施例的电子装置中的密封材料环绕于透明材料层设置，且于固化前，密封材料例如选择比透明材料层具有较大的黏度，或于固化后，密封材料于例如选择比透明材料层具有较大的硬度，可降低对组后的第一基板与第二基板之间存有空气的机率，提升电子装置的寿命或信赖性。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

Claims (8)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，与所述第一基板相对设置；
多个发光二极管晶粒，设置于所述第一基板上；
透明材料层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及
密封材料，设置于所述第一基板与所述第二基板之间，且环绕所述透明材料层，
其中所述第二基板通过所述透明材料层以及所述密封材料与所述第一基板黏合，
其中所述密封材料设置于所述多个发光二极管晶粒中的至少一者上。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述透明材料层与所述密封材料接触。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括显示区以及环绕所述显示区的非显示区，所述透明材料层与所述密封材料接触的界面位于所述显示区。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述透明材料层的厚度大于或等于2微米且小于或等于20微米。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述透明材料层包括阻水材料。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述透明材料层的硬度不同于所述密封材料的硬度。
7.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基板及第二基板，且于所述第一基板上设置多个发光二极管晶粒；
设置透明材料层及密封材料于所述第一基板或所述第二基板上，其中所述密封材料环绕所述透明材料层；以及
对组所述第一基板与所述第二基板，
其中所述密封材料设置于所述多个发光二极管晶粒中的至少一者上。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在对组所述第一基板与所述第二基板的步骤后，还包括固化所述密封材料。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112635511B (zh) * 2019-10-09 2024-07-16 群创光电股份有限公司 电子装置及电子装置的制造方法
CN113594196B (zh) * 2021-07-29 2024-08-02 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105609660A (zh) * 2016-03-22 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其封装方法、显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009134984A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
KR20100010215A (ko) * 2008-07-22 2010-02-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP5398203B2 (ja) * 2008-09-11 2014-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
KR101281748B1 (ko) * 2008-10-23 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광방식 유기전계발광소자
US8246867B2 (en) * 2009-10-16 2012-08-21 Corning Incorporated Method for assembling an optoelectronic device
US20120327649A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Xicato, Inc. Led based illumination module with a lens element
CN104183614B (zh) * 2013-05-24 2017-06-06 群创光电股份有限公司 有机发光显示装置
CN104183785B (zh) * 2014-06-27 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装方法、oled显示面板及oled显示装置
CN104124268A (zh) * 2014-07-21 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
KR102481379B1 (ko) 2015-08-31 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 컬러필터 기판의 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR102478491B1 (ko) * 2015-12-30 2022-12-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조 방법
US10079252B2 (en) * 2016-06-14 2018-09-18 Innolux Corporation Display apparatus
JP7117681B2 (ja) 2018-03-30 2022-08-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
CN109471299A (zh) 2018-11-22 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 光源、显示模组和照明装置
CN109742258B (zh) * 2019-01-08 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled面板、显示装置和面板封装方法
CN112635511B (zh) * 2019-10-09 2024-07-16 群创光电股份有限公司 电子装置及电子装置的制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105609660A (zh) * 2016-03-22 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其封装方法、显示装置

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